JPH04210209A - フッ化窒素の除害装置 - Google Patents

フッ化窒素の除害装置

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JPH04210209A
JPH04210209A JP2410813A JP41081390A JPH04210209A JP H04210209 A JPH04210209 A JP H04210209A JP 2410813 A JP2410813 A JP 2410813A JP 41081390 A JP41081390 A JP 41081390A JP H04210209 A JPH04210209 A JP H04210209A
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silicon
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deoxidizing
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Yoshiji Saitou
斎藤 喜二
Yoshiyuki Miyamoto
宮本 圭之
Hiroshi Kawabata
川端 博
Manabu Saeda
学 佐枝
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Iwatani Corp
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Iwatani International Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
[00011
【産業上の利用分野]本発明は、フッ化窒素の除害技術
に関する。 [0002] 【従来技術】フッ化窒素(NF3)は、LSIのドライ
エツチング剤あるいはフッ化剤として注目されており、
特(こ、ドライエツチング剤としては、CF 4などの
パーフロロカーボン系のエツチング剤にくらベエッチン
グの際に生じるLSI基板の汚染が極めて少ないなどの
利点を有している。 [0003]一方、NF3は大気中で極めて安定であり
、水にも僅かしか溶解せずTLVloppmの毒性ガス
であり、これを使用する場合にはその残ガス等の排気の
際に除害が必要となる。 [0004]そこで従来、NF3の除害方法として、N
F3を含むガスをケイ素、ホウ素、タングステン、モリ
ブデン、バナジウム、セレン、テルル、ゲルマニウム及
びこれらの非酸化物の中から選ばれる少なくとも1種と
高温状態で反応させるようにしたものが提案されている
(特公昭63−48570号)。 [0005]
【解決しようとする課題】ところが、前記従来のもので
は、ケイ素等の処理剤を200〜800℃に高温状態に
加熱してその活性を高めてN F 3と反応させている
が、処理剤を充填している充填槽に酸素が侵入すると、
処理剤が酸素と反応して処理剤の表面に酸化膜を形成し
、NF3との反応を規制することになり、処理剤の耐久
性を低下させるという問題があった。 [00061本発明はこのような点に着目してなされた
もので、長期にわたって良好な除害能力を発揮すること
のできる除害装置を提供することを目的とする。 [0007]
【課題を解決するための手段】と述の目的を達成するた
めに本発明は、フッ化窒素をケイ素と反応させて除害す
るように形成したフッ化窒素の除害装置において、フッ
化窒素の流通路に装着コれているケイ素充填槽の前後に
粒状脱酸素剤を充填してなる酸素除去槽を配置したこと
を特徴としている。 [0008]
【作用】本発明では、フッ化窒素の流通路に装着されて
いるケイ素充填槽の前後に粒状脱酸素剤を充填してなる
酸素除去槽を配置しているので、ケイ素充填槽(処理剤
槽)に侵入しようとする酸素は酸素除去槽て脱酸素剤で
除去されることになるから、酸素がケイ素充填槽に侵入
することがなくなり、ケイ素の表面での酸化膜の形成を
抑制することができることになる。 [0009]
【実施例】図面はN F 3の除害装置を示す概念図で
あり、NF Jの流通路(1)に粒状金属シリコン(2
)を充填してなる処理剤槽(3)を配置し、この処理剤
槽(3)へのNF3ガス出入り目部分にそれぞれ酸素除
去槽(4)を配置し、処理剤槽(3)を外部ヒータ(5
)で昇温可能に構成しである。 [00101酸素除去槽(4)内には、酸化マンガンを
活性炭や酸化鉄等の担体に担持させて構成した脱酸素剤
(6)が充填しである。 (00111(実験例) 直径19.8mm、長さ0.5mのニッケル製金属パイ
プで処理剤充填槽(3)を形成し、この処理剤充填槽(
3)の前後に活性炭に酸化マンガンを担持させた脱酸素
剤(6)を充填してなる酸素除去槽(4)を配置し、処
理剤充填槽(3)に粒状金属シリコン(2)を0.25
Kg充填し、この処理剤充填槽(3)を外部ヒータ(5
)で500℃まで昇温させた後、100%のNF3を0
. 7リツトル/minで供給した。出口ガスの組成は
NF3が2 ppmで、残りはN2とSiF4であった
。 [0012]また、経過時間と排出されるNF3濃度と
の関係は次表の通りであった。 [0013]
【表1】 (0014]  (比較例) 前述の処理装置から酸素除去槽(4)を取り外した状態
、前記実施例と同様の条件で処理剤充填槽(3)にNF
3を供給した。この場合の出口ガスの組成はNF3が8
 ppm、で残りはSiF4であった。この場合の経過
時間と排出されるNF3濃度との関係は表1の右欄に示
される通りであった。 [0015]
【発明の効果】本発明では、フッ化窒素の排出路に装着
されているケイ素充填槽の前後に粒状脱酸素剤を充填し
てなる酸素除去槽を配置しているので、ケイ素充填槽(
処理剤槽)に侵入しようとする酸素は酸素除去槽で脱酸
素剤で除去されることになるから、酸素がケイ素充填槽
に浸入することがなくなり、ケイ素の表面での酸化膜の
形成を抑制することができ、処理剤の耐久性をたかめて
、高い処理能力を長期にわたって維持させることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図11NF3の除害装置を示す概念図である。 【符号の説明】 1・・・N F 11の流通路、2・・・金属シリコン
、3・・・処理剤槽、4・・・酸素除去槽、5・・・外
部ヒータ、6・・・脱酸素剤。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】フッ化窒素をケイ素と反応させて除害する
    ように形成したフッ化窒素の除害装置において、フッ化
    窒素の流通路に装着されているケイ素充填槽の前後に粒
    状脱酸素剤を充填してなる酸素除去槽を配置したことを
    特徴とするフッ化窒素の除害装置。
JP2410813A 1990-12-14 1990-12-14 フッ化窒素の除害装置 Expired - Lifetime JPH0714456B2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2010058063A (ja) * 2008-09-04 2010-03-18 Chubu Electric Power Co Inc フッ化物ガスの分解処理方法、分解処理剤及び分解処理装置

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JPS6348570A (ja) * 1986-08-18 1988-03-01 Canon Inc カラ−トナ−画像用定着ロ−ラ−
JPS6348569A (ja) * 1986-08-19 1988-03-01 Fujitsu Ltd 静電記録方法

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