JPH04211818A - 集積回路及び電子機器 - Google Patents
集積回路及び電子機器Info
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- JPH04211818A JPH04211818A JP3051381A JP5138191A JPH04211818A JP H04211818 A JPH04211818 A JP H04211818A JP 3051381 A JP3051381 A JP 3051381A JP 5138191 A JP5138191 A JP 5138191A JP H04211818 A JPH04211818 A JP H04211818A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is DC
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/24—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only
- G05F3/242—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only with compensation for device parameters, e.g. channel width modulation, threshold voltage, processing, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of DC power input into DC power output
- H02M3/02—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC
- H02M3/04—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters
- H02M3/06—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
- H02M3/07—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロコンピュータを
内蔵した集積回路及び電子機器、特にマイクロコンピュ
ータを用いてメモリデバイス等の周辺の集積回路を駆動
制御するための電源回路に関する。
内蔵した集積回路及び電子機器、特にマイクロコンピュ
ータを用いてメモリデバイス等の周辺の集積回路を駆動
制御するための電源回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のマイクロコンピュータとメモリデ
バイス等の周辺の集積回路(以下ICという)とを組み
合わせた電子機器においては、各デバイスの電圧仕様が
共通のものを用いるのが一般的であった。例えば、3V
仕様の複数のICを組み合わせたり、5V仕様の複数の
ICを組み合わせてたりすることにより電子機器を構成
していた。
バイス等の周辺の集積回路(以下ICという)とを組み
合わせた電子機器においては、各デバイスの電圧仕様が
共通のものを用いるのが一般的であった。例えば、3V
仕様の複数のICを組み合わせたり、5V仕様の複数の
ICを組み合わせてたりすることにより電子機器を構成
していた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来の電子機器の構成においては次のような問題点が指摘
されていた。
来の電子機器の構成においては次のような問題点が指摘
されていた。
【0004】マイクロコンピュータは3V仕様の品種も
多いためリチウム電池1個で駆動させることができるも
のの、メモリデバイスでは5V仕様が一般的であった。 このため、電子手帳などの電池を使用する電子機器にお
いては、マイクロコンピュータとRAMなどのメモリデ
バイスとを組み合わせて使用する場合は、マイクロコン
ピュータも5V仕様のものを用い、リチウム電池を2個
直列に接続して電源を構成することにより電子機器を実
現していた。従って、このような電子機器は3Vで動作
させる場合に比べ消費電流が大きくなり、電池寿命が短
くなるという弊害をきたしていた。
多いためリチウム電池1個で駆動させることができるも
のの、メモリデバイスでは5V仕様が一般的であった。 このため、電子手帳などの電池を使用する電子機器にお
いては、マイクロコンピュータとRAMなどのメモリデ
バイスとを組み合わせて使用する場合は、マイクロコン
ピュータも5V仕様のものを用い、リチウム電池を2個
直列に接続して電源を構成することにより電子機器を実
現していた。従って、このような電子機器は3Vで動作
させる場合に比べ消費電流が大きくなり、電池寿命が短
くなるという弊害をきたしていた。
【0005】更に、5V仕様のICの動作電圧範囲は5
V±10%であるものが多い。ところが、リチウム電池
を2個直列にした場合には最大約7Vの電圧が供給され
てしまう場合もあるため、ICの動作電圧範囲に電源電
圧を調整するため電圧調整する回路が必要であり、レギ
ュレータICを外付けして装置を構成する必要があった
。このため、部品点数が増加し、この場合は製造コスト
が高くなるという弊害があった。
V±10%であるものが多い。ところが、リチウム電池
を2個直列にした場合には最大約7Vの電圧が供給され
てしまう場合もあるため、ICの動作電圧範囲に電源電
圧を調整するため電圧調整する回路が必要であり、レギ
ュレータICを外付けして装置を構成する必要があった
。このため、部品点数が増加し、この場合は製造コスト
が高くなるという弊害があった。
【0006】また、このような電子機器をリチウム電池
1個を用いて構成することもできるが、その場合にはD
C−DCコンバータICを外付けする必要があった。そ
して、このDC−DCコンバータICからの出力電圧を
用いてメモリデバイス等のICを駆動制御する。しかし
、DC−DCコンバータは定常的に動作状態にあり、マ
イクロコンピュータからは3V振幅の信号が出力され、
外付けICから6V振幅の信号が出力されるために、信
号の電圧レベルがマッチングせず、インタフェースする
ことができない。更に、電源の端子間に接続されている
寄生ダイオードを介して3V端子から6V端子にリーク
電流が流れ込み、消費電流が大きくなってしまい低消費
電流化が実現できなかった。更に、DC−DCコンバー
タを外付けするので、そのIC分の部品点数が増加し、
この場合も製造コストが高くなるという弊害があった。
1個を用いて構成することもできるが、その場合にはD
C−DCコンバータICを外付けする必要があった。そ
して、このDC−DCコンバータICからの出力電圧を
用いてメモリデバイス等のICを駆動制御する。しかし
、DC−DCコンバータは定常的に動作状態にあり、マ
イクロコンピュータからは3V振幅の信号が出力され、
外付けICから6V振幅の信号が出力されるために、信
号の電圧レベルがマッチングせず、インタフェースする
ことができない。更に、電源の端子間に接続されている
寄生ダイオードを介して3V端子から6V端子にリーク
電流が流れ込み、消費電流が大きくなってしまい低消費
電流化が実現できなかった。更に、DC−DCコンバー
タを外付けするので、そのIC分の部品点数が増加し、
この場合も製造コストが高くなるという弊害があった。
【0007】また、従来の電子機器の構成方法では、電
池数が多くなったり使用ICが多くなるため、電池を使
用する電子機器において重要な課題である匡体の小型化
を実現することが困難であった。
池数が多くなったり使用ICが多くなるため、電池を使
用する電子機器において重要な課題である匡体の小型化
を実現することが困難であった。
【0008】本発明は、従来の上述のような課題を解決
し、単一の低電圧電源により低電圧仕様のIC及び高電
圧仕様のICを同時に動作させることができるようにし
、かつ低消費電流化による電池寿命の長期化、部品点数
の削減による低コスト化及び匡体の小型化を可能にした
IC又はこのICを内蔵した電子機器を提供することを
目的とする。
し、単一の低電圧電源により低電圧仕様のIC及び高電
圧仕様のICを同時に動作させることができるようにし
、かつ低消費電流化による電池寿命の長期化、部品点数
の削減による低コスト化及び匡体の小型化を可能にした
IC又はこのICを内蔵した電子機器を提供することを
目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の一つの態様によ
れば、ICは、電源電圧をコンデンサを用いて昇圧し、
電源電圧より高い電圧を発生する昇圧回路と、昇圧回路
の出力電圧及び電源電圧のいずか一方を電圧制御号の入
力に基づいて切換えて駆動電圧として出力する電源切換
回路とを有する。また、本発明の他の態様によれば、上
記のICは、外部電源の出力電圧を入力して一定の電源
電圧を出力する第1の定電圧回路を有し、第1の定電圧
回路の出力電圧をコンデンサを用いて昇圧し、外部電源
より高い電圧を発生する昇圧回路と、昇圧回路の出力電
圧及び電源電圧のいずか一方を電圧制御号の入力に基づ
いて切換えて駆動電圧として出力する電源切換回路とを
有する。
れば、ICは、電源電圧をコンデンサを用いて昇圧し、
電源電圧より高い電圧を発生する昇圧回路と、昇圧回路
の出力電圧及び電源電圧のいずか一方を電圧制御号の入
力に基づいて切換えて駆動電圧として出力する電源切換
回路とを有する。また、本発明の他の態様によれば、上
記のICは、外部電源の出力電圧を入力して一定の電源
電圧を出力する第1の定電圧回路を有し、第1の定電圧
回路の出力電圧をコンデンサを用いて昇圧し、外部電源
より高い電圧を発生する昇圧回路と、昇圧回路の出力電
圧及び電源電圧のいずか一方を電圧制御号の入力に基づ
いて切換えて駆動電圧として出力する電源切換回路とを
有する。
【0010】また、本発明の他の態様によれば、ICは
、電源電圧をコンデンサを用いて昇圧し、電源電圧より
高い電圧を発生する昇圧回路と、昇圧回路の出力電圧を
電源として電源電圧より高い一定の電圧を出力する第2
の定電圧回路と、第2の定電圧回路の出力電圧及び電源
電圧のいずか一方を電源制御信号の入力に基づいて切換
えて駆動電圧として出力する電源切換回路とを有する。
、電源電圧をコンデンサを用いて昇圧し、電源電圧より
高い電圧を発生する昇圧回路と、昇圧回路の出力電圧を
電源として電源電圧より高い一定の電圧を出力する第2
の定電圧回路と、第2の定電圧回路の出力電圧及び電源
電圧のいずか一方を電源制御信号の入力に基づいて切換
えて駆動電圧として出力する電源切換回路とを有する。
【0011】また、本発明の他の態様によれば、上記の
ICは、電源切換回路の出力電圧を外部の他のICに供
給するための電源端子を有する。また、本発明の他の態
様によれば、電源切換回路の出力電圧が供給される入力
回路及び出力回路の少なく一方を有する。また、本発明
の他の態様によれば、昇圧回路はその駆動を停止させる
停止回路を有し、任意にその駆動が制御される。また、
本発明の他の態様によれば、電子機器は上述のICを内
蔵している。
ICは、電源切換回路の出力電圧を外部の他のICに供
給するための電源端子を有する。また、本発明の他の態
様によれば、電源切換回路の出力電圧が供給される入力
回路及び出力回路の少なく一方を有する。また、本発明
の他の態様によれば、昇圧回路はその駆動を停止させる
停止回路を有し、任意にその駆動が制御される。また、
本発明の他の態様によれば、電子機器は上述のICを内
蔵している。
【0012】
【作 用】本発明の一つの態様においては、昇圧回路
により電源電圧より高い電圧を発生するが、定常的に出
力するのではなく、電源切換回路により昇圧回路の出力
電圧と電源電圧とが必要に応じて切換えられて出力する
。 また、本発明の他の態様においては、第1の定電圧回路
により外部電源の出力電圧を定電圧化して昇圧回路に供
給するので、昇圧回路の出力電圧も安定化する。 本
発明の他の態様においては、昇圧回路の出力側に第2の
定電圧回路を設けており、昇圧回路の出力電圧は安定す
る。
により電源電圧より高い電圧を発生するが、定常的に出
力するのではなく、電源切換回路により昇圧回路の出力
電圧と電源電圧とが必要に応じて切換えられて出力する
。 また、本発明の他の態様においては、第1の定電圧回路
により外部電源の出力電圧を定電圧化して昇圧回路に供
給するので、昇圧回路の出力電圧も安定化する。 本
発明の他の態様においては、昇圧回路の出力側に第2の
定電圧回路を設けており、昇圧回路の出力電圧は安定す
る。
【0013】また、本発明の他の態様においては、電源
切換回路の出力電圧が供給される電源端子を設けており
、外部の他のICに駆動電圧を適宜供給することができ
る。例えば、スタティックRAMなどのメモリデバイス
はデータの保持は低電圧でも可能であるが、データの読
み出し及び書き込み時には高い電圧を必要とする。従っ
て、スタティックRAMがスタンバイ時には電源切換回
路により電源端子に低い電圧である電源電圧を供給し、
読み出し及び書き込み時には高い電圧である昇圧回路又
は第2の定電圧回路の出力電圧を供給する。このように
必要に応じて駆動電圧の大きさを切換えるようにしてい
るので、低消費電流化が実現されている。
切換回路の出力電圧が供給される電源端子を設けており
、外部の他のICに駆動電圧を適宜供給することができ
る。例えば、スタティックRAMなどのメモリデバイス
はデータの保持は低電圧でも可能であるが、データの読
み出し及び書き込み時には高い電圧を必要とする。従っ
て、スタティックRAMがスタンバイ時には電源切換回
路により電源端子に低い電圧である電源電圧を供給し、
読み出し及び書き込み時には高い電圧である昇圧回路又
は第2の定電圧回路の出力電圧を供給する。このように
必要に応じて駆動電圧の大きさを切換えるようにしてい
るので、低消費電流化が実現されている。
【0014】更に、本発明の他の態様においては、入力
回路及び/又は出力回路に電源切換回路の出力電圧を供
給し、外部のIC電源と共通の電圧範囲で動作させてい
るため、入力のノイズマージンも確保されており、出力
レベルも外部ICを動作させるのに最適の電圧レベルと
なっているため、インターフェースの特性が優れたもの
になっている。
回路及び/又は出力回路に電源切換回路の出力電圧を供
給し、外部のIC電源と共通の電圧範囲で動作させてい
るため、入力のノイズマージンも確保されており、出力
レベルも外部ICを動作させるのに最適の電圧レベルと
なっているため、インターフェースの特性が優れたもの
になっている。
【0015】更に、本発明の他の態様においては、停止
回路は任意に昇圧回路の駆動・停止を制御することがで
きるので、スタンバイ時には昇圧動作を停止させること
もでき、より低消費電流化を実現することができる。更
に、本発明の他の態様においては、電子機器は上述のI
Cを内蔵したことにより、そのICの機能を発揮する機
器が実現されている。
回路は任意に昇圧回路の駆動・停止を制御することがで
きるので、スタンバイ時には昇圧動作を停止させること
もでき、より低消費電流化を実現することができる。更
に、本発明の他の態様においては、電子機器は上述のI
Cを内蔵したことにより、そのICの機能を発揮する機
器が実現されている。
【0016】
【実施例】図2は本発明の一実施例のICのハード構成
における接続関係を示した接続図である。シングルチッ
プマイコン10と64KRAM(以下外部ICという)
12とはデータ線、制御線等を介して相互に接続されて
いる。直流電源14の正極端子はシングルチップマイコ
ン10及び外部IC12の電源端子VDDに接続され、
直流電源14の負極端子はシングルチップマイコン10
の電源端子VSSに接続されている。また、直流電源1
4の正極端子とシングルチップマイコン10の電源端子
VSSとの間に蓄電コンデンサ16が接続され、端子C
1とC2との間に昇圧コンデンサ18が接続されている
。更に、外部IC電源端子VOUTは外部IC12の電
源端子VSSと接続されている。
における接続関係を示した接続図である。シングルチッ
プマイコン10と64KRAM(以下外部ICという)
12とはデータ線、制御線等を介して相互に接続されて
いる。直流電源14の正極端子はシングルチップマイコ
ン10及び外部IC12の電源端子VDDに接続され、
直流電源14の負極端子はシングルチップマイコン10
の電源端子VSSに接続されている。また、直流電源1
4の正極端子とシングルチップマイコン10の電源端子
VSSとの間に蓄電コンデンサ16が接続され、端子C
1とC2との間に昇圧コンデンサ18が接続されている
。更に、外部IC電源端子VOUTは外部IC12の電
源端子VSSと接続されている。
【0017】図3は図2のシングルチップマイコン10
の詳細を示したブロック図である。シングルチップマイ
コン10において、水晶20を有する発振回路22はそ
の発振信号をタイミング発生回路24に出力する。タイ
ミング発生回路24はその発振信号に基づいてタイミン
グ信号を発生し、その1つをCPU26に出力する。C
PU26は所定のデータバス28を介して入力回路30
からの入力信号を入力して所定の演算処理をする。この
入力回路30は入力端子32と接続されており、入力端
子32は外部IC12と接続されている。従って、入力
回路30は外部IC12からのデータを入力端子32を
介して入力する。
の詳細を示したブロック図である。シングルチップマイ
コン10において、水晶20を有する発振回路22はそ
の発振信号をタイミング発生回路24に出力する。タイ
ミング発生回路24はその発振信号に基づいてタイミン
グ信号を発生し、その1つをCPU26に出力する。C
PU26は所定のデータバス28を介して入力回路30
からの入力信号を入力して所定の演算処理をする。この
入力回路30は入力端子32と接続されており、入力端
子32は外部IC12と接続されている。従って、入力
回路30は外部IC12からのデータを入力端子32を
介して入力する。
【0018】また、CPU26は例えば演算結果をデー
タバス28を介して出力レジスタ32に送り出す。出力
レジスタ32に格納された演算結果を所定のタイミング
で出力回路34に出力する。この出力回路34は出力端
子36と接続されており、出力データを出力端子36を
介して外部IC12に出力する。
タバス28を介して出力レジスタ32に送り出す。出力
レジスタ32に格納された演算結果を所定のタイミング
で出力回路34に出力する。この出力回路34は出力端
子36と接続されており、出力データを出力端子36を
介して外部IC12に出力する。
【0019】電源切換制御レジスタ38はCPU26か
らの電源制御信号をデータバス28を介して取り込んで
記憶し、そして、電源制御信号39を電源切換回路40
に供給して切換え動作を制御する。昇圧制御レジスタ4
2はCPU26からの昇圧制御信号をデータバス28を
介して取り込んで記憶する。昇圧回路42は、電源端子
VSSを介して蓄電コンデンサ16と接続され、端子C
1,C2を介して昇圧コンデンサ18と接続されて、そ
して、昇圧制御レジスタ42からの昇圧制御信号43及
びタイミング発生回路から昇圧クロック信号24a,2
4bを入力している。そして、昇圧回路42は、電源電
圧を昇圧し、その昇圧された電圧を電源切換回路40に
出力している。電源切換回路40は電源端子VSSに印
加されている電圧(−3V)及び昇圧回路42からの昇
圧された電圧(−6V)を入力し電圧制御信号39に基
づいて適宜切り替えて、入力回路30、出力回路34及
び外部IC用電源端子VOUTに出力する。
らの電源制御信号をデータバス28を介して取り込んで
記憶し、そして、電源制御信号39を電源切換回路40
に供給して切換え動作を制御する。昇圧制御レジスタ4
2はCPU26からの昇圧制御信号をデータバス28を
介して取り込んで記憶する。昇圧回路42は、電源端子
VSSを介して蓄電コンデンサ16と接続され、端子C
1,C2を介して昇圧コンデンサ18と接続されて、そ
して、昇圧制御レジスタ42からの昇圧制御信号43及
びタイミング発生回路から昇圧クロック信号24a,2
4bを入力している。そして、昇圧回路42は、電源電
圧を昇圧し、その昇圧された電圧を電源切換回路40に
出力している。電源切換回路40は電源端子VSSに印
加されている電圧(−3V)及び昇圧回路42からの昇
圧された電圧(−6V)を入力し電圧制御信号39に基
づいて適宜切り替えて、入力回路30、出力回路34及
び外部IC用電源端子VOUTに出力する。
【0020】図1は図3の回路の内主として昇圧回路4
4を詳細に示した回路図である。図示のように、出力回
路34は電圧レベル変換回路51、インバータ52、及
び一対のFETからなる出力トランジスタ回路53から
構成されている。また、昇圧回路44は、アンドゲート
54,55、電圧レベル変換回路56,57、インバー
タ58,59、MOSFET60〜65及びダイオード
66から構成されている。電源切換回路40は電圧レベ
ル変換回路67、インバータ68,69及び一対のMO
SFET70,71からなる切換回路72から構成され
ている。
4を詳細に示した回路図である。図示のように、出力回
路34は電圧レベル変換回路51、インバータ52、及
び一対のFETからなる出力トランジスタ回路53から
構成されている。また、昇圧回路44は、アンドゲート
54,55、電圧レベル変換回路56,57、インバー
タ58,59、MOSFET60〜65及びダイオード
66から構成されている。電源切換回路40は電圧レベ
ル変換回路67、インバータ68,69及び一対のMO
SFET70,71からなる切換回路72から構成され
ている。
【0021】図4は図3の電圧レベル変換回路の回路図
であり、この回路は図示のようにインバータ81、MO
SFET82〜87から構成されている。MOSFET
84のソースが昇圧出力端子VSS2(電位−6V)に
接続されている。例えば電圧レベル変換回路56の例に
ついてみると、その入力端子Iに−3Vのクロック信号
が入力すると、その出力端子Oからは−6Vのクロック
信号が取り出される。次に、図1の昇圧回路44の動作
を説明する。
であり、この回路は図示のようにインバータ81、MO
SFET82〜87から構成されている。MOSFET
84のソースが昇圧出力端子VSS2(電位−6V)に
接続されている。例えば電圧レベル変換回路56の例に
ついてみると、その入力端子Iに−3Vのクロック信号
が入力すると、その出力端子Oからは−6Vのクロック
信号が取り出される。次に、図1の昇圧回路44の動作
を説明する。
【0022】図5はタイミング発生回路24からアンド
ゲート54,55に入力する昇圧クロック信号24a,
24bのタイミングを示したタイミングチャートである
。この昇圧クロック信号24a,24bは相互に位相が
反転しており、後述する充放電の際の短絡を防止するた
めに、図示のように双方とも低レベルの期間tbが設け
られている。今、昇圧制御レジスタ42から昇圧制御信
号43が出力し、そして、電圧制御レジスタ38から電
圧制御信号39が電圧レベル変換回路67に入力し、そ
のレベル変換された電圧制御信号がインバータ68,6
9を介してMOSFET71のゲートに入力してMOS
FET71がオン動作しているものとする。
ゲート54,55に入力する昇圧クロック信号24a,
24bのタイミングを示したタイミングチャートである
。この昇圧クロック信号24a,24bは相互に位相が
反転しており、後述する充放電の際の短絡を防止するた
めに、図示のように双方とも低レベルの期間tbが設け
られている。今、昇圧制御レジスタ42から昇圧制御信
号43が出力し、そして、電圧制御レジスタ38から電
圧制御信号39が電圧レベル変換回路67に入力し、そ
のレベル変換された電圧制御信号がインバータ68,6
9を介してMOSFET71のゲートに入力してMOS
FET71がオン動作しているものとする。
【0023】このような状態下におけるタイミングta
の動作状態についてみると、昇圧クロック信号24a,
24bはそれぞれアンドゲート54,55を介して電圧
レベル変換回路56,57入力すると共に、MOSFE
T61のゲートに入力する。電圧レベル変換回路56に
より電圧レベルが変換されたクロック信号はインバータ
58を介してMOSFET65のゲートに入力する。電
圧レベル変換回路57により電圧レベル変換された各ク
ロック信号はインバータ59を介してMOSFET60
,62,63の各ゲートにそれぞれ入力する。この時の
各ゲートに対するクロック信号の入力により、MOSF
ET61,63,65はオフとなり、MOSFET60
,62,64はオンになる。その結果、電源端子VDD
−MOSFET60−端子C1−昇圧コンデンサ18−
端子C1−MOSFET64−電源端子VSSという閉
回路が形成される。この閉回路の形成により昇圧コンデ
ンサ18は直流電源14(図2参照)からの充電電流が
供給されて充電される。
の動作状態についてみると、昇圧クロック信号24a,
24bはそれぞれアンドゲート54,55を介して電圧
レベル変換回路56,57入力すると共に、MOSFE
T61のゲートに入力する。電圧レベル変換回路56に
より電圧レベルが変換されたクロック信号はインバータ
58を介してMOSFET65のゲートに入力する。電
圧レベル変換回路57により電圧レベル変換された各ク
ロック信号はインバータ59を介してMOSFET60
,62,63の各ゲートにそれぞれ入力する。この時の
各ゲートに対するクロック信号の入力により、MOSF
ET61,63,65はオフとなり、MOSFET60
,62,64はオンになる。その結果、電源端子VDD
−MOSFET60−端子C1−昇圧コンデンサ18−
端子C1−MOSFET64−電源端子VSSという閉
回路が形成される。この閉回路の形成により昇圧コンデ
ンサ18は直流電源14(図2参照)からの充電電流が
供給されて充電される。
【0024】図6はタイミングtaにおける蓄電コンデ
ンサ16及び昇圧コンデンサ18の接続状態を示した回
路である。昇圧コンデンサ18は上記のように充電され
てその両端電圧は直流電源14の電圧に等しくなる。こ
のときの蓄電コンデンサ16の昇圧出力端子VSS2は
直流電源14に対して開放された状態になっている。
ンサ16及び昇圧コンデンサ18の接続状態を示した回
路である。昇圧コンデンサ18は上記のように充電され
てその両端電圧は直流電源14の電圧に等しくなる。こ
のときの蓄電コンデンサ16の昇圧出力端子VSS2は
直流電源14に対して開放された状態になっている。
【0025】次に、図5のタイミングtbにおいては昇
圧クロック信号24aの電位が変化し、MOSFET6
0,62,64,65がそれぞれオフになる。その結果
、MOSFET63のみがオンになる。このような状態
下では蓄電コンデンサ16及び昇圧コンデンサ18はい
ずれも直流電源14から開放された状態になる。
圧クロック信号24aの電位が変化し、MOSFET6
0,62,64,65がそれぞれオフになる。その結果
、MOSFET63のみがオンになる。このような状態
下では蓄電コンデンサ16及び昇圧コンデンサ18はい
ずれも直流電源14から開放された状態になる。
【0026】次に、図5のタイミングtcにおいては、
タイミングaの場合とは昇圧クロック信号24a,24
bの位相は反転しており、このときの各MOSFETは
次のように動作する。MOSFET60,62,64は
オフになり、MOSFET61,63,65はオンにな
る。その結果、電源端子VDD−蓄電コンデンサ16−
昇圧出力端子VSS2−MOSFET65−端子C2−
昇圧コンデンサ18−MOSFET61−電源端子VS
Sという閉回路が形成される。そして、昇圧コンデンサ
18に蓄積された電荷が蓄電コンデンサ16に放電され
る。
タイミングaの場合とは昇圧クロック信号24a,24
bの位相は反転しており、このときの各MOSFETは
次のように動作する。MOSFET60,62,64は
オフになり、MOSFET61,63,65はオンにな
る。その結果、電源端子VDD−蓄電コンデンサ16−
昇圧出力端子VSS2−MOSFET65−端子C2−
昇圧コンデンサ18−MOSFET61−電源端子VS
Sという閉回路が形成される。そして、昇圧コンデンサ
18に蓄積された電荷が蓄電コンデンサ16に放電され
る。
【0027】図7はタイミングtcおける蓄電コンデン
サ16及び昇圧コンデンサ18の接続状態を示した回路
である。昇圧コンデンサ18は上記のように充電された
電荷を蓄電コンデンサ16に放電する。そして、この時
の昇圧コンデンサ18が図示のように接続されたことよ
り、昇圧出力端子VSS2の電位は電源端子VSS(−
3V)に対して更に−3V電位が下がるので、−6Vに
なる。
サ16及び昇圧コンデンサ18の接続状態を示した回路
である。昇圧コンデンサ18は上記のように充電された
電荷を蓄電コンデンサ16に放電する。そして、この時
の昇圧コンデンサ18が図示のように接続されたことよ
り、昇圧出力端子VSS2の電位は電源端子VSS(−
3V)に対して更に−3V電位が下がるので、−6Vに
なる。
【0028】以上の動作を繰り返すことにより昇圧出力
端子VSS2の電位は約−6Vになり、この昇圧出力端
子VSS2に供給されている電圧はMOSFET71を
介して入力回路30、トランジスタ出力回路53及び外
部IC電源端子VOUTに供給される。その結果、入力
回路30、出力回路34及び外部IC12はそれぞれ6
V電源により駆動されることになる。
端子VSS2の電位は約−6Vになり、この昇圧出力端
子VSS2に供給されている電圧はMOSFET71を
介して入力回路30、トランジスタ出力回路53及び外
部IC電源端子VOUTに供給される。その結果、入力
回路30、出力回路34及び外部IC12はそれぞれ6
V電源により駆動されることになる。
【0029】また、このときの昇圧回路44、出力回路
34及び電源回路40における3V系(VSS系)と6
V系(VSS2系)との整合は図1の電圧レベル変換回
路51,56,57,67によってなされている。なお
、入力回路30には電圧レベル変換回路を設けていない
がそれは次の理由による。それは入力回路30からの振
幅6Vの入力信号31がVSS系の3V仕様のMOSF
ET(図示せず)のゲートに入力するが、その場合ゲー
トの印加電圧として6Vという電圧は許容範囲に入るか
らである。従って、VSS系の回路系が6Vの振幅の入
力電圧に耐えられないものあれば、入力回路30にも図
4の電圧レベル変換回路を組み込む必要がある。
34及び電源回路40における3V系(VSS系)と6
V系(VSS2系)との整合は図1の電圧レベル変換回
路51,56,57,67によってなされている。なお
、入力回路30には電圧レベル変換回路を設けていない
がそれは次の理由による。それは入力回路30からの振
幅6Vの入力信号31がVSS系の3V仕様のMOSF
ET(図示せず)のゲートに入力するが、その場合ゲー
トの印加電圧として6Vという電圧は許容範囲に入るか
らである。従って、VSS系の回路系が6Vの振幅の入
力電圧に耐えられないものあれば、入力回路30にも図
4の電圧レベル変換回路を組み込む必要がある。
【0030】また、昇圧制御信号43及び電源制御信号
39がそれぞれLレベル信号(オフ信号)になると、昇
圧回路44の動作は停止し、電源切換回路72のMOS
FET70がオンになりMOSFET71がオフになる
ことにより、3V電圧が入力回路30、トランジスタ出
力回路53及び外部IC電源端子VOUTに供給される
。
39がそれぞれLレベル信号(オフ信号)になると、昇
圧回路44の動作は停止し、電源切換回路72のMOS
FET70がオンになりMOSFET71がオフになる
ことにより、3V電圧が入力回路30、トランジスタ出
力回路53及び外部IC電源端子VOUTに供給される
。
【0031】以上のように、入力回路30及び出力回路
34の動作電圧は外部IC12と共通の電圧範囲で動作
することになり、入力のノイズマージンも確保され、出
力レベルも外部IC12を動作させるのに最適の電圧レ
ベルとなり、インタフェース特性に優れたものになって
いる。
34の動作電圧は外部IC12と共通の電圧範囲で動作
することになり、入力のノイズマージンも確保され、出
力レベルも外部IC12を動作させるのに最適の電圧レ
ベルとなり、インタフェース特性に優れたものになって
いる。
【0032】なお、上述の実施例においては、昇圧制御
信号43及び電源制御信号39をそれぞれ別々に発生さ
せているが、それは昇圧制御信号43を先に発生させて
昇圧回路44の出力電圧を安定させてから電源制御信号
39を発生させて昇圧回路44の出力電圧を出力させる
ようにしたためである。従って、仮にその安定するまで
の動作時間が短い場合には、昇圧制御信号43及び電源
制御信号39を同一の信号にしてもよい。
信号43及び電源制御信号39をそれぞれ別々に発生さ
せているが、それは昇圧制御信号43を先に発生させて
昇圧回路44の出力電圧を安定させてから電源制御信号
39を発生させて昇圧回路44の出力電圧を出力させる
ようにしたためである。従って、仮にその安定するまで
の動作時間が短い場合には、昇圧制御信号43及び電源
制御信号39を同一の信号にしてもよい。
【0033】なお、上述の実施例においては、外部電源
の電圧を昇圧させる例について説明したが、ICが内蔵
する定電圧回路により発生した電圧を昇圧して外部IC
電源としてもよい。そのような場合には、外部電源の電
圧が広い範囲にわたっていても定電圧回路により一定の
出力電圧が得られ、外部IC電源端子VOUTに供給さ
れる電圧は安定しており、外部ICの動作電圧範囲仕様
が狭い場合であっても、安定して動作させることができ
る。この場合の定電圧回路は例えば後述する図9の定電
圧回路を用いることができる。但し、その場合にはMO
SFET93は不要であり、MOSFET102のソー
スは電源端子VSSに接続される。
の電圧を昇圧させる例について説明したが、ICが内蔵
する定電圧回路により発生した電圧を昇圧して外部IC
電源としてもよい。そのような場合には、外部電源の電
圧が広い範囲にわたっていても定電圧回路により一定の
出力電圧が得られ、外部IC電源端子VOUTに供給さ
れる電圧は安定しており、外部ICの動作電圧範囲仕様
が狭い場合であっても、安定して動作させることができ
る。この場合の定電圧回路は例えば後述する図9の定電
圧回路を用いることができる。但し、その場合にはMO
SFET93は不要であり、MOSFET102のソー
スは電源端子VSSに接続される。
【0034】図8はこの発明の他の実施例に係るICの
ブロック図であり、図1の実施例にVSS2系に定電圧
回路が組み込まれている。このICは、アンドゲート5
4の出力を入力する電圧レベル変換回路91を有し、こ
の電圧レベル変換回路91の出力はインバータ92を介
してMOSFET93のゲートに入力し、MOSFET
93はオン/オフ制御される。このMOSFET93は
ドレインが定電圧回路94に接続され、ソースがVSS
2端子に接続されている。定電圧回路94は、基準電圧
発生回路95、差動増幅器96及び増幅帰還抵抗97か
ら構成されている。
ブロック図であり、図1の実施例にVSS2系に定電圧
回路が組み込まれている。このICは、アンドゲート5
4の出力を入力する電圧レベル変換回路91を有し、こ
の電圧レベル変換回路91の出力はインバータ92を介
してMOSFET93のゲートに入力し、MOSFET
93はオン/オフ制御される。このMOSFET93は
ドレインが定電圧回路94に接続され、ソースがVSS
2端子に接続されている。定電圧回路94は、基準電圧
発生回路95、差動増幅器96及び増幅帰還抵抗97か
ら構成されている。
【0035】図9は定電圧回路94の詳細を示した回路
図である。基準電圧発生回路95はMOSFET100
〜103から構成されており、この内MOSFET10
0はデプレッション型のものが用いられている。差動増
幅器96はMOSFET104〜108から構成されて
いる。増幅帰還抵抗97は抵抗R1及びR2から構成さ
れており、出力電圧は抵抗R1及びR2を介して差動増
幅器96に帰還している。
図である。基準電圧発生回路95はMOSFET100
〜103から構成されており、この内MOSFET10
0はデプレッション型のものが用いられている。差動増
幅器96はMOSFET104〜108から構成されて
いる。増幅帰還抵抗97は抵抗R1及びR2から構成さ
れており、出力電圧は抵抗R1及びR2を介して差動増
幅器96に帰還している。
【0036】MOSFET100のゲート材がP形Po
ly−Si、MOSFET101のゲート材がN形Po
ly−Siであるとし、トランジスタサイズ、基板濃度
等がMOSFET100と101とが共通の場合には、
P形Poly−SiP1とN形Poly−SiP2との
仕事関数差約1.05Vが(VDD−Vref)として
基準電圧発生回路95から出力される。そして、差動増
幅器96はその基準電圧発生回路95の出力を基準信号
として入力して差動増幅器して、定電圧出力V0=Vr
ef×(R1+R2)/R1を出力する。
ly−Si、MOSFET101のゲート材がN形Po
ly−Siであるとし、トランジスタサイズ、基板濃度
等がMOSFET100と101とが共通の場合には、
P形Poly−SiP1とN形Poly−SiP2との
仕事関数差約1.05Vが(VDD−Vref)として
基準電圧発生回路95から出力される。そして、差動増
幅器96はその基準電圧発生回路95の出力を基準信号
として入力して差動増幅器して、定電圧出力V0=Vr
ef×(R1+R2)/R1を出力する。
【0037】従って、この定電圧出力V0を例えば5V
に設定することにより、MOSFET71を介して入力
回路30、トランジスタ出力回路53及び外部IC12
にはそれぞれ−5Vの電圧が印加されその電圧により駆
動されることになる。
に設定することにより、MOSFET71を介して入力
回路30、トランジスタ出力回路53及び外部IC12
にはそれぞれ−5Vの電圧が印加されその電圧により駆
動されることになる。
【0038】この実施例においても定電圧回路94を設
けたことにより、外部電源の電圧が広い範囲にわたって
いても外部IC電源端子VOUTに供給される電圧は安
定しており、外部ICの動作電圧範囲仕様が狭い場合で
あっても、安定して動作させることができる。
けたことにより、外部電源の電圧が広い範囲にわたって
いても外部IC電源端子VOUTに供給される電圧は安
定しており、外部ICの動作電圧範囲仕様が狭い場合で
あっても、安定して動作させることができる。
【0039】なお、上述の実施例においては入力端子及
び出力端子がそれぞれ設けられている場合についての例
を説明したが、入出力兼用端子の場合も本発明が適用さ
れる。 また、上述の実施例の集積回路をマイクロコ
ンピュータに応用した場合は、昇圧回路、電源切換回路
等の制御手段をソフトウェアを用いて容易に実現できる
ため特に有効である。
び出力端子がそれぞれ設けられている場合についての例
を説明したが、入出力兼用端子の場合も本発明が適用さ
れる。 また、上述の実施例の集積回路をマイクロコ
ンピュータに応用した場合は、昇圧回路、電源切換回路
等の制御手段をソフトウェアを用いて容易に実現できる
ため特に有効である。
【0040】
【発明の効果】以上のように本発明の一つの態様によれ
ば、昇圧回路の出力電圧と電源電圧とを適宜切換えて駆
動電圧として出力するようにしたので、必要時にのみ昇
圧回路の出力電圧を供給することができこのため低消費
電力化が実現され、安定して外部ICを動作させること
ができる。また、昇圧回路を内蔵したことにより電子機
器の匡体を小型化することができ、電池を使用した電子
機器に適用するのに最適なものとなっている。
ば、昇圧回路の出力電圧と電源電圧とを適宜切換えて駆
動電圧として出力するようにしたので、必要時にのみ昇
圧回路の出力電圧を供給することができこのため低消費
電力化が実現され、安定して外部ICを動作させること
ができる。また、昇圧回路を内蔵したことにより電子機
器の匡体を小型化することができ、電池を使用した電子
機器に適用するのに最適なものとなっている。
【0041】また、本発明の他の態様によれば、外部電
源を定電圧化する定電圧回路を設けたので、定電圧回路
からの電源電圧を昇圧して得られる昇圧回路の出力電圧
も安定したものとなる。また、本発明の他の態様によれ
ば、昇圧回路と電源切換回路との間に定電圧回路を設け
たので、電源電圧より高い駆動電圧を供給する場合にも
安定した電圧を供給することができる。また、本発明の
他の態様によれば、電源切換回路からの駆動電圧が供給
される電源端子を設けたので、それに外部ICを接続し
た場合には外部ICに電源切換回路からの駆動電圧を供
給するきことがき、必要に応じて電源電圧の大きさが切
換えられるので、低消費電流化を実現することができる
。
源を定電圧化する定電圧回路を設けたので、定電圧回路
からの電源電圧を昇圧して得られる昇圧回路の出力電圧
も安定したものとなる。また、本発明の他の態様によれ
ば、昇圧回路と電源切換回路との間に定電圧回路を設け
たので、電源電圧より高い駆動電圧を供給する場合にも
安定した電圧を供給することができる。また、本発明の
他の態様によれば、電源切換回路からの駆動電圧が供給
される電源端子を設けたので、それに外部ICを接続し
た場合には外部ICに電源切換回路からの駆動電圧を供
給するきことがき、必要に応じて電源電圧の大きさが切
換えられるので、低消費電流化を実現することができる
。
【0042】また、本発明によれば、入力回路及び/又
は出力回路に電源切換回路の出力電圧を供給し、外部の
IC電源と共通の電圧範囲で動作させているため、入力
のノイズマージンも確保されており、出力レベルも外部
ICを動作させるのに最適の電圧レベルとなっているた
めインターフェース特性に優れている。更に、本発明の
他の態様によれば、昇圧回路にその駆動を停止させる停
止回路を設けたので、任意にその駆動が制御され、スタ
ンバイ時には昇圧動作を停止させることもできるため、
より低消費電流化を実現することができる。
は出力回路に電源切換回路の出力電圧を供給し、外部の
IC電源と共通の電圧範囲で動作させているため、入力
のノイズマージンも確保されており、出力レベルも外部
ICを動作させるのに最適の電圧レベルとなっているた
めインターフェース特性に優れている。更に、本発明の
他の態様によれば、昇圧回路にその駆動を停止させる停
止回路を設けたので、任意にその駆動が制御され、スタ
ンバイ時には昇圧動作を停止させることもできるため、
より低消費電流化を実現することができる。
【図1】本発明の一実施例におけるシングルチップマイ
コンの昇圧回路を詳細に示した回路図である。
コンの昇圧回路を詳細に示した回路図である。
【図2】本発明の一実施例のICのハード構成における
接続関係を示した接続図である。
接続関係を示した接続図である。
【図3】図1のシングルチップマイコンの詳細を示した
ブロック図である。
ブロック図である。
【図4】図1の電圧レベル変換器の回路図である。
【図5】昇圧回路に入力する昇圧クロック信号のタイミ
ングを示したタイミングチャートである。
ングを示したタイミングチャートである。
【図6】タイミングtaにおける蓄電コンデンサ及び昇
圧コンデンサの接続状態を示した回路図である。
圧コンデンサの接続状態を示した回路図である。
【図7】タイミングtcにおける蓄電コンデンサ及び昇
圧コンデンサの接続状態を示した回路図である。
圧コンデンサの接続状態を示した回路図である。
【図8】本発明の他の実施例におけるシングルチップマ
イコンの昇圧回路を詳細に示した回路図である。
イコンの昇圧回路を詳細に示した回路図である。
【図9】図8の実施例における定電圧回路の回路図であ
る。
る。
16 蓄電コンデンサ
18 昇圧コンデンサ
30 入力回路
34 出力回路
40 電源切換回路
44 昇圧回路
30 入力回路
95 定電圧回路
Claims (7)
- 【請求項1】 電源電圧をコンデンサを用いて昇圧し
、電源電圧より高い電圧を発生する昇圧回路と、該昇圧
回路の出力電圧及び電源電圧のいずか一方を電圧制御信
号の入力に基づいて切換えて駆動電圧として出力する電
源切換回路とを有する集積回路。 - 【請求項2】 外部電源の出力電圧を入力してを一定
の電源電圧を出力する第1の定電圧回路を有し、該第1
の定電圧回路の出力電圧をコンデンサを用いて昇圧し、
外部電源より高い電圧を発生する昇圧回路と、該昇圧回
路の出力電圧及び電源電圧のいずか一方を電圧制御信号
の入力に基づいて切換えて駆動電圧として出力する電源
切換回路とを有する集積回路。することを特徴とする請
求項1記載の集積回路。 - 【請求項3】 電源電圧をコンデンサを用いて昇圧し
、電源電圧より高い電圧を発生する昇圧回路と、該昇圧
回路の出力電圧を電源として電源電圧より高い一定の電
圧を出力する第2の定電圧回路と、該定電圧回路の出力
電圧及び電源電圧のいずか一方を電源制御信号の入力に
基づいて切換えて駆動電圧として出力する電源切換回路
とを有する集積回路。 - 【請求項4】 前記電源切換回路からの駆動電圧を外
部の他の集積回路に供給するための電源端子を有する請
求項1、2又は3記載の集積回路。 - 【請求項5】 前記電源切換回路からの駆動電圧が供
給される入力回路及び出力回路の少なく一方を有する請
求項4記載の集積回路。 - 【請求項6】 前記昇圧回路はその駆動を停止させる
停止回路を有する請求項4記載の集積回路。 - 【請求項7】 請求項1、2、3、4、5又は6記載
の集積回路を有する電子機器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05138191A JP3147395B2 (ja) | 1990-05-07 | 1991-03-15 | 集積回路及び電子機器 |
| US07/696,460 US5193198A (en) | 1990-05-07 | 1991-05-06 | Method and apparatus for reduced power integrated circuit operation |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11717690 | 1990-05-07 | ||
| JP21322190 | 1990-08-10 | ||
| JP2-213221 | 1990-08-10 | ||
| JP2-117176 | 1990-08-10 | ||
| JP05138191A JP3147395B2 (ja) | 1990-05-07 | 1991-03-15 | 集積回路及び電子機器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04211818A true JPH04211818A (ja) | 1992-08-03 |
| JP3147395B2 JP3147395B2 (ja) | 2001-03-19 |
Family
ID=27294297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05138191A Expired - Fee Related JP3147395B2 (ja) | 1990-05-07 | 1991-03-15 | 集積回路及び電子機器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5193198A (ja) |
| JP (1) | JP3147395B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010267445A (ja) * | 2009-05-13 | 2010-11-25 | Yazaki Corp | ノイズ対策構造 |
Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3170038B2 (ja) * | 1992-05-19 | 2001-05-28 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
| US5781784A (en) * | 1992-07-09 | 1998-07-14 | Zilog, Inc. | Dynamic power management of solid state memories |
| JP2806717B2 (ja) * | 1992-10-28 | 1998-09-30 | 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 | チャージポンプ回路 |
| US5603036A (en) * | 1993-02-19 | 1997-02-11 | Intel Corporation | Power management system for components used in battery powered applications |
| US5337285A (en) * | 1993-05-21 | 1994-08-09 | Rambus, Inc. | Method and apparatus for power control in devices |
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