JPH0421316A - 半導体スイッチの過電流保護回路 - Google Patents
半導体スイッチの過電流保護回路Info
- Publication number
- JPH0421316A JPH0421316A JP2126048A JP12604890A JPH0421316A JP H0421316 A JPH0421316 A JP H0421316A JP 2126048 A JP2126048 A JP 2126048A JP 12604890 A JP12604890 A JP 12604890A JP H0421316 A JPH0421316 A JP H0421316A
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- Japan
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- current
- semiconductor switch
- transistor
- overcurrent
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、バイポーラトランジスタとＭＯＳＦＥＴと
を直列に接続してなる半導体スイッチをその過電流から
保護する回路に関するものである。
を直列に接続してなる半導体スイッチをその過電流から
保護する回路に関するものである。
第２図はこの種従来の半導体スイッチおよびその過電流
保護回路を示す回路図である。図において、（１）はバ
イポーラトランジスタ（以下単にトランジスタと称す）
で、そのコレクタＣは端子Ｐに、エミッタＥはＭＯＳＦ
ＥＴ（２１のドレーンＤに接続されている。そして、Ｍ
ＯＳＦＥＴ１２１のソースＳは端子Ｑに接続されている
。（３）はその１次巻線（３ａ）か端子Ｐとトランジス
タ（１）のコレクタＣとの間に挿入された帰還ＣＴで、
その２次巻線（３ｂ）の一端はダイオード（２）を介し
てトランジスタ（１）のベースＢに、他端は端子Ｑに接
続されている。（５１はそのドレーンＤがトランジスタ
（１）のベースＢに、そのソースＳが端子Ｑに接続され
たＭＯＳＦＥＴである。
保護回路を示す回路図である。図において、（１）はバ
イポーラトランジスタ（以下単にトランジスタと称す）
で、そのコレクタＣは端子Ｐに、エミッタＥはＭＯＳＦ
ＥＴ（２１のドレーンＤに接続されている。そして、Ｍ
ＯＳＦＥＴ１２１のソースＳは端子Ｑに接続されている
。（３）はその１次巻線（３ａ）か端子Ｐとトランジス
タ（１）のコレクタＣとの間に挿入された帰還ＣＴで、
その２次巻線（３ｂ）の一端はダイオード（２）を介し
てトランジスタ（１）のベースＢに、他端は端子Ｑに接
続されている。（５１はそのドレーンＤがトランジスタ
（１）のベースＢに、そのソースＳが端子Ｑに接続され
たＭＯＳＦＥＴである。
（６）は端子ＰＱ間に接続されたケミコン、（２）はケ
ミコン（６）の間に挿入された負荷電流検出用のＣＴ、
矧は電流検出器、（９）は電流検出器（８）の出力をも
とに負荷電流を制御する制御回路、叫はＭＯＳＦＥＴ（
２１とＭＯＳＦＥＴ（５１との各ゲート端子Ｇ１、Ｇ２
にゲート信号を送出するゲートドライブ回路である。
ミコン（６）の間に挿入された負荷電流検出用のＣＴ、
矧は電流検出器、（９）は電流検出器（８）の出力をも
とに負荷電流を制御する制御回路、叫はＭＯＳＦＥＴ（
２１とＭＯＳＦＥＴ（５１との各ゲート端子Ｇ１、Ｇ２
にゲート信号を送出するゲートドライブ回路である。
次に動作について説明する。先ず、Ｍ ＯＳ Ｆ Ｅ
Ｔ ［５）がオフの状態でＭＯＳＦＥＴ（２）のゲート
端子Ｇ１にケートオンの信号を送り込むとＭＯＳＦＥＴ
（２１は直ちにターンオンする。これに連動して図示し
ないパルス発生回路からパルス電流がトランジスタ（１
）のベースＢに供給されトランジスタ（１）かターンオ
ンしてコレクタ電流■か流れる。トランジスタ（１）か
ターンオンした後は、帰還ＣＴ（３１の２次巻線（３ｂ
）からベース電流が供給されるので、トランジスタ（１
）はオン状態を保持する。
Ｔ ［５）がオフの状態でＭＯＳＦＥＴ（２）のゲート
端子Ｇ１にケートオンの信号を送り込むとＭＯＳＦＥＴ
（２１は直ちにターンオンする。これに連動して図示し
ないパルス発生回路からパルス電流がトランジスタ（１
）のベースＢに供給されトランジスタ（１）かターンオ
ンしてコレクタ電流■か流れる。トランジスタ（１）か
ターンオンした後は、帰還ＣＴ（３１の２次巻線（３ｂ
）からベース電流が供給されるので、トランジスタ（１
）はオン状態を保持する。
コレクタ電流Ｉをオフする場合は、ゲートドライブ回路
頭からゲート端子Ｇ１にゲートオフの信号を送出してＭ
ＯＳＦＥＴ（２）をターンオフさせるとともに、ゲート
端子Ｇ２にケートオンの信号を送出してＭＯＳＦＥＴＩ
５１をターンオンさせトランジスタ（１）のベース電流
を断つ。
頭からゲート端子Ｇ１にゲートオフの信号を送出してＭ
ＯＳＦＥＴ（２）をターンオフさせるとともに、ゲート
端子Ｇ２にケートオンの信号を送出してＭＯＳＦＥＴＩ
５１をターンオンさせトランジスタ（１）のベース電流
を断つ。
制御回路（９）は電流検出器（８）からの出力が所定の
目標値になるようゲートドライブ回路００）に制御信号
を送出して上記したオンオフ制御を行う訳である。そし
て、何らかの原因てコレクタ電流■が所定の設定値を越
えたときは、同じく電流検出器（８）からの出力てこの
異常を検出し、ゲートドライブ回路（１０）にケートオ
フの信号を送出して半導体スイッチをその過電流から保
護するようにしている。
目標値になるようゲートドライブ回路００）に制御信号
を送出して上記したオンオフ制御を行う訳である。そし
て、何らかの原因てコレクタ電流■が所定の設定値を越
えたときは、同じく電流検出器（８）からの出力てこの
異常を検出し、ゲートドライブ回路（１０）にケートオ
フの信号を送出して半導体スイッチをその過電流から保
護するようにしている。
以上のように、従来の過電流保護は、負衛電流の制御動
作を行う制御回路（９）を介してコレクタ電流工を検出
し遮断保護を行う方式であったため保護の動作速度が遅
く確実な保調協調か得られないという問題点があった。
作を行う制御回路（９）を介してコレクタ電流工を検出
し遮断保護を行う方式であったため保護の動作速度が遅
く確実な保調協調か得られないという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、簡単な構成で応答速度の高い過電流保護回路
を得ることを目的とする。
たもので、簡単な構成で応答速度の高い過電流保護回路
を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段および作用〕この発明に係
る半導体スイッチの過電流保護回路は、トランジスタの
ベース電流を検出し、その出力が所定の設定値を越えた
ときＭＯＳＦＥＴをオフさせるようにしたものである。
る半導体スイッチの過電流保護回路は、トランジスタの
ベース電流を検出し、その出力が所定の設定値を越えた
ときＭＯＳＦＥＴをオフさせるようにしたものである。
トランジスタのコレクタ電流が所定の過電流レベルに達
すると、これに対応してベース電流も増大してその保護
設定レベルに達し、これを検出してオフ動作をさせる。
すると、これに対応してベース電流も増大してその保護
設定レベルに達し、これを検出してオフ動作をさせる。
第１図はこの発明の一実施例による半導体スイッチおよ
びその過電流保護回路を示す回路図である。図において
、（１）ないしく６）は従来と同一のものて説明を省略
する。但し、同図では電流制御のための制御回路［９）
等は図示を省略している。
びその過電流保護回路を示す回路図である。図において
、（１）ないしく６）は従来と同一のものて説明を省略
する。但し、同図では電流制御のための制御回路［９）
等は図示を省略している。
（１１）はトランジスタ（１）のベース電流を検出する
電流検出器、（１２）はこの電流検出器（１１）の出力
をもとにゲート端子Ｇ１、Ｇ２にゲート信号を送出する
ゲートドライブ回路である。
電流検出器、（１２）はこの電流検出器（１１）の出力
をもとにゲート端子Ｇ１、Ｇ２にゲート信号を送出する
ゲートドライブ回路である。
次に動作、特にコレクタ電流■が過電流となった場合の
保護動作について説明する。トランジスタ（１）のベー
ス電流は帰還ＣＴ（３１の２次巻線（３ｂ）から供給さ
れているので、コレクタ電流■とベース電流とは帰還Ｃ
Ｔ（３）の変流比に応じた一定の比率に保たれている。
保護動作について説明する。トランジスタ（１）のベー
ス電流は帰還ＣＴ（３１の２次巻線（３ｂ）から供給さ
れているので、コレクタ電流■とベース電流とは帰還Ｃ
Ｔ（３）の変流比に応じた一定の比率に保たれている。
従って、電流検出器（１１）によりベース電流を監視す
ることにより、トランジスタ（１）のコレクタ電流Ｉが
保護すべき過電流レベルに達したことを実質的に検出す
ることが可能となる。
ることにより、トランジスタ（１）のコレクタ電流Ｉが
保護すべき過電流レベルに達したことを実質的に検出す
ることが可能となる。
即ち、このベース電流が所定の設定値と越えると、ゲー
トドライブ回路（１２）は直ちにゲート端子Ｇ１にケー
トオフの信号を送出してＭＯＳＦＥＴ（２１をターンオ
フさせるとともに、ゲート端子Ｇ２にゲートオンの信号
を送出してＭＯＳＦＥＴ（５１をターンオンさせトラン
ジスタ（１）へのベース電流の供給を断ちトランジスタ
（１）をオフとしてその過電流から保護する訳である。
トドライブ回路（１２）は直ちにゲート端子Ｇ１にケー
トオフの信号を送出してＭＯＳＦＥＴ（２１をターンオ
フさせるとともに、ゲート端子Ｇ２にゲートオンの信号
を送出してＭＯＳＦＥＴ（５１をターンオンさせトラン
ジスタ（１）へのベース電流の供給を断ちトランジスタ
（１）をオフとしてその過電流から保護する訳である。
この場合、電流検出器（１１）はコレクタ電流１に比較
して充分小さい値のベース電流を検出すれば足り、小形
で価格も安くなる。更に、ゲートドライブ回路（１２）
はこの電流検出器（１１）の出力を直接入力して保護動
作を行うので、保護回路としての構成か簡単になるとと
もに保護の動作速度が向上しより確実な過電流保護が実
現される。
して充分小さい値のベース電流を検出すれば足り、小形
で価格も安くなる。更に、ゲートドライブ回路（１２）
はこの電流検出器（１１）の出力を直接入力して保護動
作を行うので、保護回路としての構成か簡単になるとと
もに保護の動作速度が向上しより確実な過電流保護が実
現される。
なお、ＭＯＳＦＥＴ（２）のドレーン・ソース間電圧と
コレクタ電流Ｉとの相関関係を利用し、上記電圧を検出
して実質的にコレクタ電流■の過電流レベルを検出する
ようにしてもよい。
コレクタ電流Ｉとの相関関係を利用し、上記電圧を検出
して実質的にコレクタ電流■の過電流レベルを検出する
ようにしてもよい。
この発明は、以上のように、トランジスタのベース電流
を検出して半導体スイッチの過電流保護を行うようにし
なので、保護回路の構成が簡単で保護の応答か速くなる
。
を検出して半導体スイッチの過電流保護を行うようにし
なので、保護回路の構成が簡単で保護の応答か速くなる
。
第１図はこの発明の一実施例による半導体スイッチとそ
の過電流保護回路を示す回路図、第２図は従来のものを
示す回路図である。 図において、（１ンはバイポーラトランジスタ、■はＭ
ＯＳＦＥＴ、β）は帰還ＣＴ、（３ａ）および（３ｂ）
はそれぞれその１次巻線および２次巻線、（１１）は電
流検出器、（１２）はゲートドライブ回路である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 弁理士 大 岩 増 雄 第１図 ３、帰ｆｌｃ−ｒ
の過電流保護回路を示す回路図、第２図は従来のものを
示す回路図である。 図において、（１ンはバイポーラトランジスタ、■はＭ
ＯＳＦＥＴ、β）は帰還ＣＴ、（３ａ）および（３ｂ）
はそれぞれその１次巻線および２次巻線、（１１）は電
流検出器、（１２）はゲートドライブ回路である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 弁理士 大 岩 増 雄 第１図 ３、帰ｆｌｃ−ｒ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 バイポーラトランジスタとＭＯＳＦＥＴと帰還ＣＴの１
次巻線とを相互に直列に接続し上記帰還ＣＴの２次巻線
から上記バイポーラトランジスタのオン状態を保持する
ためのベース電流を供給するようにした半導体スイッチ
をその過電流から保護するものにおいて、 上記バイポーラトランジスタのベース電流を検出し、そ
の出力が所定の設定値を越えたとき上記ＭＯＳＦＥＴを
オフさせるようにしたことを特徴とする半導体スイッチ
の過電流保護回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2126048A JPH0421316A (ja) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | 半導体スイッチの過電流保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2126048A JPH0421316A (ja) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | 半導体スイッチの過電流保護回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0421316A true JPH0421316A (ja) | 1992-01-24 |
Family
ID=14925361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2126048A Pending JPH0421316A (ja) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | 半導体スイッチの過電流保護回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0421316A (ja) |
-
1990
- 1990-05-15 JP JP2126048A patent/JPH0421316A/ja active Pending
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