JPH04214221A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、連続金属薄膜型の磁性
層を有する磁気記録媒体のトップコート膜の改良に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】強磁性金属薄膜を磁性層とする連続薄膜
型の磁気記録媒体が種々実用化されている。このうち、
計算機等に用いられるハードタイプの磁気ディスクでは
、剛性基板上に強磁性金属薄膜を設層している。ハード
タイプの磁気ディスクに記録再生を行なう磁気ヘッドと
しては、各種浮上型磁気ヘッドが用いられている。

【０００３】このような場合には、コンタクト・スター
ト・ストップ（ＣＳＳ）時に、磁気ディスクは磁気ヘッ
ドにより損傷を受ける。また、記録密度を高めるために
は、磁気ヘッドの浮上量をできるだけ小さくしようとい
う要請が強いが、このときＣＳＳ時のディスクの損傷は
より一層大きくなる。

【０００４】このような耐久性を高めるため、ディスク
表面に各種固体潤滑剤を用いたトップコート膜を設ける
提案がなされている。

【０００５】例えば、特開平２−１６１６１２号では、
磁性層上に、Ａｒ圧を調節して、２層のカーボンスパッ
タトップコート膜を設ける旨が提案されている。しかし
、スパッタ時のＡｒ圧を下げて、成膜しても、潤滑性が
十分でない。

【０００６】一方、米国特許第３４８，８８３号明細書
には、磁性層上に、炭化水素を用いたプラズマ重合膜上
にフッ素を含む有機材料を用いたプラズマ重合膜を積層
したトップコート膜を形成する旨の提案がなされている
。この提案ではフッ素の含有量は、表面側から基板側に
向かって漸減している。

【０００７】しかし、このトップコート膜は、耐久性や
摩擦特性の点で十分でない。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、摩擦
特性にすぐれ耐久性が高い磁気記録媒体を提供すること
にある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（７）の本発明によって達成される。

【００１０】（１）基体上に強磁性金属薄膜の磁性層を
有し、この磁性層上にトップコート膜を有する磁気記録
媒体において、前記トップコート膜は、炭素、または炭
素および水素を含む第１のプラズマ重合膜上に、フッ素
を含む第２のプラズマ重合膜を積層した含フッ素層を、
二層以上積層したものであることを特徴とする磁気記録
媒体。

【００１１】（２）前記第１のプラズマ重合膜の膜厚が
５０〜３００Åである上記（１）に記載の磁気記録媒体
。

【００１２】（３）前記第２のプラズマ重合膜の膜厚が
１０〜１００Åである上記（１）または２に記載の磁気
記録媒体。

【００１３】（４）基体上に強磁性金属薄膜の磁性層を
有し、この磁性層上にトップコート膜を有する磁気記録
媒体において、前記トップコート膜は、炭素、または炭
素および水素を含むプラズマ重合膜の表面をフッ素系ガ
スを用いてプラズマ処理した含フッ素層を、二層以上積
層したものであることを特徴とする磁気記録媒体。

【００１４】（５）前記プラズマ重合膜の厚さが５０〜
３００Åである上記（４）に記載の磁気記録媒体。

【００１５】（６）前記含フッ素層は、前記プラズマ重
合膜の表面から１０％の厚さまでの範囲にフッ素を含む
上記（４）または（５）に記載の磁気記録媒体。

【００１６】（７）前記トップコート膜の膜厚が１００
〜４００Åである上記（１）ないし（６）のいずれかに
記載の磁気記録媒体。

【００１７】

【作用】本発明において強磁性金属薄膜の磁性層上に形
成されるトップコート膜は、炭素または炭素および水素
を含む第１のプラズマ重合膜上に、（１）フッ素を含む
第２のプラズマ重合膜を積層し、この積層体の複数を積
層するか、あるいは（２）前記第１のプラズマ重合膜の
表面をフッ素系有機ガスによりプラズマ処理積層したも
のを構成単位とし、この構成単位の複数を積層する。

【００１８】第１のプラズマ重合膜は、硬度が高いので
、磁性層表面を有効に保護し、耐久性を向上させること
ができる。

【００１９】第２のプラズマ重合膜やプラズマ処理表面
は、表面エネルギーが小さく、水との接触角が大きく、
疎水性を示し、ヘッドとの親和性が低下し、良好な固体
潤滑作用を示し、磁気ヘッドとの摩擦特性が良化し、摩
耗が抑えられる。

【００２０】また、応力を受けたとき、膜間、例えば第
１のプラズマ重合膜と、フッ素を含む第２のプラズマ重
合膜との相互間、あるいは第１のプラズマ重合膜と含フ
ッ素表面との界面での剪断応力が減少し、摩擦力が低下
し、耐久性が向上する。

【００２１】さらに、第１のプラズマ重合膜上の含フッ
素プラズマ重合膜表面やプラズマ処理表面では、フッ素
ないしフッ化カーボンが微小凹凸構造を形成する。その
ため、磁気ヘッドの接触面の真実接触面積が減少し、摩
擦特性が向上する。

【００２２】

【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。

【００２３】＜基体＞本発明で用いる基体は、非磁性の
材質であれば特に制限はなく、強磁性金属薄膜蒸着時の
熱に耐える各種樹脂、金属、セラミックス等はいずれも
使用可能である。

【００２４】ただし、本発明のトップコート膜は、きわ
めて耐久性が高いので、特にハードディスクに有用であ
り、この場合は剛性基板、特に樹脂製の剛性基板である
ことが好ましい。樹脂製の基板では耐久性が低下するの
で、本発明の効果は増大する。

【００２５】この場合、基板が剛性であるとは、いわゆ
るフロッピーディスク用のフレキシブルな基板を排除す
る意である。このため、基板のヤング率をＥ、厚さをｔ
としたとき、Ｅ・ｔ３≧１×１０７ｄｙｎ・ｃｍ、より
好ましくはＥ・ｔ３≧３×１０７ｄｙｎ・ｃｍであるこ
とが好ましい。

【００２６】用いる樹脂には特に制限がなく、熱可塑性
樹脂、熱硬化性樹脂、放射線硬化性樹脂等何れの樹脂を
使用してもよい。

【００２７】この場合、基板をキャスティング法で成型
する場合は、例えば、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ア
クリル樹脂、ポリスチレン、ポリアミド、シリコーン樹
脂、ポリエステルおよびこれらの変性体等が使用できる
。

【００２８】インジェクション法で成型する場台は、例
えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、塩化ビニル樹脂
、塩化ビニリデン樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、ポリス
チレン、アクリロニトリル−スチレン共重合体、アクリ
ロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、アクリル
樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート、、ポリアセター
ル、ポリエステル、ポリサルホン、ポリオキシベンジレ
ン、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルケトン、ポリ
エーテルエーテルケトン、ポリフェニレンサルファイド
、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンオキサイド
、ポリケトンサルファイド、ポリイミド、ポリアミドイ
ミド、ポリアクリルイミド、ポリエーテルイミド、ポリ
オレフィン、アモルファスポリオレフィンおよびこれら
の変性体等が使用できる。

【００２９】樹脂基板の寸法は目的に応じて選定すれば
よいが、通常、厚さ０．８〜１．９ｍｍ程度、直径６０
〜１３０ｍｍ程度である。

【００３０】なお、剛性の基板としては、例えば、アル
ミニウム、アルミニウム合金等の金属、ガラス、セラミ
ックス等も使用可能である。

【００３１】＜下地＞基板上には、下地層が設けられて
いてもよい。

【００３２】下地層の材質には特に制限がなく、各種の
無機材料、有機材料、金属ないし合金等を用いればよく
、成膜方法や膜厚等も目的や用途等に応じて適宜選択す
ればよい。以下に好適例を示す。

【００３３】下地層の第１の例は、ＣまたはＣと、Ｈ、
ＮおよびＯのうちの１種以上とを含有するプラズマ重合
膜である。

【００３４】この場合、より好ましくはＣと、Ｈと、Ｎ
および／またはＯ、さらに好ましくはＣと、Ｈと、Ｎと
、Ｏとを含有しているものが好ましい。

【００３５】プラズマ重合膜の下地層の膜厚は、１００
〜２０００Å、より好ましくは３００〜１０００Åであ
ることが好ましい。プラズマ重合膜は、公知の方法に従
い、原料ガスの放電プラズマを基板に接触させることに
より重合膜を形成するものである。

【００３６】なお、プラズマ重合膜中には、特願昭６１
−２０７５６７号に記載されているように、プラズマ重
合膜部に電極材料を堆積したり、有機金属化合物をソー
スガスとして用いたりして、各種金属を３０ａｔ％程度
以下含有させてもよい。

【００３７】このようなプラズマ重合膜は、基板上、特
にプラズマ処理された基板上に形成されることが好まし
い。

【００３８】下地層の第２の例は、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、
Ｚｎ、Ａｇ、Ｉｎ、ＳｎおよびＡｕからなる群より選ば
れる１種以上を含有する非磁性金属ないし非磁性合金の
連続薄膜である。用いる金属は、単体でも合金でもよい
が、合金の場合、前記金属を８０重量％以上含有するこ
とが好ましい。

【００３９】この場合の下地層の膜厚は、１００〜３０
００Å、特に５００〜１５００Åであることが好ましい
。

【００４０】下地層３の第３の例は、酸化物、窒化物、
炭化物、ケイ化物、ホウ化物および炭素からなる群より
選ばれる１種以上を含有する連続薄膜である。この場合
、酸化物、窒化物、炭化物、ケイ化物、ホウ化物の１種
以上が含有され、酸化窒化物、酸化炭化物、窒化炭化物
、酸化窒化炭化物等となっていてもよい。

【００４１】酸化物の連続薄膜としては、ＳｉＯｘ（１
≦ｘ≦２）、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−
Ｎ系化合物、Ｌａ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系化合物等が好適であ
る。

【００４２】窒化物の連続薄膜としては、Ｓｉ３Ｎ４、
ＡｌＮ、ＴｉＮ等が好適である。

【００４３】炭化物の連続薄膜としては、ＳｉＣ、Ｔｉ
Ｃ、ｈ−ＢＣ、ｃ−ＢＣ、ＷＣ等が好適である。

【００４４】ケイ化物の連続薄膜としては、ＳｉＯｘ、
ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ２系化合物、
Ｌａ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系化合物等が好適である。

【００４５】ホウ化物の連続薄膜としては、ｈ−ＢＮ、
Ｃ−ＢＮ等が好適である。

【００４６】炭素の連続薄膜としては、アモルファスカ
ーボン等が好適である。

【００４７】この場合の下地層の膜厚は、１００〜３０
００Å、特に５００〜１５００Åであることが好ましい
。

【００４８】前記第２および第３の例の下地層は、蒸着
、スパッタリング、イオンプレーティング、ＣＶＤ等の
各種気相成膜法にて成膜すればよいが、第２の例の下地
層は、特にスパッタリング、第３の例の下地層は、特に
スパッタリングまたはプラズマＣＶＤにて成膜すること
が好ましい。

【００４９】下地層上には、直接あるいは中間層を介し
て磁性層が形成される。

【００５０】＜磁性層＞本発明の磁性層は、強磁性金属
薄膜である。薄膜の材質には特に制限がなく、例えば、
Ｆｅ、ＣｏおよびＮｉから選ばれる１種以上を含有する
連続薄膜、特にＣｏ系の連続薄膜で構成すればよい。

【００５１】磁性層の組成の具体例としては、Ｃｏ−Ｎ
ｉ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ
−Ｃｒ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｍｎ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−
Ｍｎ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｓ
ｉ−Ａｌ合金、Ｃｏ−Ｖ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ合金、Ｃ
ｏ−Ｐ合金、Ｃｏ−Ｚｎ−Ｐ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合
金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｍｎ−Ｒｅ−Ｐ合金
等が挙げられる。

【００５２】なお、これら合金には、必要に応じ、Ｏ、
Ｎ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｎ、Ａｒ等の元素が０．１重量％程
度以下含有されていてもよい。

【００５３】磁性層の膜厚は、３００〜１０００Åが好
ましい。前記範囲未満では、記録再生時における出力が
不十分であり、前記範囲をこえると出力は十分であるが
、記録密度が低下するため、不利である。

【００５４】下地層と、磁性層との間には、必要に応じ
て、非磁性中間層が設けられる。例えば、磁性層をＣｏ
−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−
Ｔａ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ、Ｃｏ−Ｚｎ−Ｐ、Ｃｏ−Ｎｉ−
Ｍｎ−Ｒｅ−Ｐ等にて構成する場合、非磁性中間層を設
けることにより、磁性層のエピタキシャル成長を良好に
行なうことができ、磁気特性が向上する。

【００５５】非磁性中間層は、例えば、ＣｒおよびＷか
ら選ばれる１種以上、特にＣｒおよび／またはＷを含有
する連続薄膜にて構成すればよい。この場台、用いる金
属は単体でも合金でもよいが、合金の場台、前記金属を
８０重量％以上含有することが好ましい。

【００５６】非磁性中間層の膜厚は、５００〜５０００
Åが好ましい。前記範囲未満では、コバルト合金のエピ
タキシャル成長が十分に行なわれないため良好な磁気特
性が得られない。前記範囲をこえると、磁気特性が、ほ
ぼ一定値に収束してくるため、磁気特性上意昧がなく、
量産上不利である。

【００５７】このような非磁性中間層や前記磁性層は、
それぞれ、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティン
グ、ＣＶＤ等の各種気相成膜法にて成膜すればよく、特
にスパッタリングにて成膜することが好ましい。

【００５８】＜トップコート膜＞ （１）第１の態様 このような磁性層３上には、図１に示されるように、ト
ップコート膜１０が設けられる。

【００５９】トップコート膜１０は、炭素、あるいは炭
素および水素を含むプラズマ重合膜１を有する。このよ
うなプラズマ重合膜１を形成する原料ソースとしては、
炭素または炭素および水素を含有する種々のものを用い
ることができるが、通常操作性の良いことから、常温で
気体のメタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、
エチレン、プロピレン、ブテン、ブタジエン、アセチレ
ン、メチルアセチレン、その他の飽和ないし不飽和の炭
化水素の１種以上を、ＣおよびＨ源として用いる。また
必要に応じて常温で液体の炭化水素を原料としてもよい
。

【００６０】このような原料を用いて形成されるプラズ
マ重合膜１の膜厚は、５０〜３００Å、より好ましくは
５０〜２００Å、特に５０〜１５０Åとする。膜厚がこ
の範囲をこえると、スペーシングロスが増大し、また、
この範囲未満となると耐久性が低下する。

【００６１】なお、膜厚の測定はエリプソメーター等を
用いればよい。このような膜厚の制御は、プラズマ重合
膜１形成時の反応時間、原料ガス流量等を制御すればよ
い。

【００６２】膜中のＣの含有量は３０ａｔ％以上、より
好ましくは６０〜１００ａｔ％とするのが好ましい。ま
た、膜中のＨの含有量は４０ａｔ％以下とすることが好
ましい。

【００６３】このような組成とすることにより、耐久性
が向上する。これらの含有量は、オージェ分光分析（Ａ
ＥＳ）およびＣＨＮコーダーにて求めればよい。

【００６４】第１のプラズマ重合膜１は公知の方法に従
い、前述の原料ガスの放電プラズマを磁性層に接触させ
ることにより重合膜を形成するものである。電極配置、
印加電流、処理時間、動作圧力等は通常の条件とすれば
よい。

【００６５】また処理条件はＷ／（Ｆ・Ｍ）［ここで、
Ｗはプラズマ投入電力（Ｊｏｕｌｅ／ｓｅｃ）であり、
Ｆは有機原料ガス流量、Ｍは原料ガス分子量でＦ・Ｍの
単位はｋｇ／ｓｅｃ］値が１０８Ｊｏｕｌｅ／ｋｇ以上
、特に５×１０８〜１×１０１０Ｊｏｕｌｅ／ｋｇで行
われることが好ましい。この値が１０８Ｊｏｕｌｅ／ｋ
ｇ未満であると、プラズマ重合膜１の緻密さが不十分と
なる。なお、キャリアガスとして、Ａｒ、Ｎ２、Ｈｅ、
Ｈ２などを使用してもよい。

【００６６】プラズマ発生源としては、高周波放電の他
に、マイクロ波放電、直流放電、交流放電等いずれでも
利用できる。

【００６７】本発明の第１の態様ではこの炭素または炭
素および水素を含む重合膜１上に、フッ素を含む第２の
プラズマ重合膜２を積層する。

【００６８】このようなプラズマ重合膜２を形成する原
料ソースとしては、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ４、Ｃ２Ｈ３Ｆ、Ｃ
２Ｈ２Ｆ２、Ｃ４Ｆ８等、あるいは場合によってはＣＦ
４等のフッ化カーボンの１種以上をフッ素源として用い
るが、特に、Ｃ４Ｆ８等が好ましく用いられる。この場
合、Ｈ２やＣＨ４等の炭化水素などを共有させてもよい
。

【００６９】このような原料を用いて形成される第２の
プラズマ重合膜２の膜厚は、１０〜１００Å、より好ま
しくは１０〜６０Åとする。膜厚がこの範囲をこえると
、接着性が低下して、膜剥離が生じる。本発明では、表
面エネルギーの低い表面を得ればよいので、単原子分の
厚みから、１００Å程度までの範囲で十分である。

【００７０】膜厚の測定法、膜厚の制御方法は、前述の
方法に準拠すればよい。重合膜の成膜条件も前記に準ず
る。

【００７１】重合膜中のＦの含有量は３０〜６０ａｔ％
とするのが好ましい。また、Ｃの含有量は、４０〜７０
ａｔ％であることが好ましい。このような組成により、
摩擦特性が向上し、耐久性が向上する。含有量の測定方
法は前記と同様である。ここでＷ／（Ｆ・Ｍ）値は、１
０７〜１０９Ｊｏｕｌｅ／ｋｇで行われることが好まし
い。

【００７２】第１の態様では、第１図に示されるように
、第１のプラズマ重合膜１と第２のプラズマ重合膜２と
を積層した積層体１１を構成単位とし、これを複数積層
する。

【００７３】このような積層体１１を構成単位とし、こ
れを複数積層したトップコート１０では、第１のプラズ
マ重合膜１と、第２のプラズマ重合膜２の各境界面で滑
りが生じるので、剪断応力がより一層減少し、積層体１
１のみからトップコート膜を形成した場合と比較して、
耐久性や摩擦特性が臨界的に向上する。

【００７４】単成単位の積層累積数は２以上、４程度ま
でである。また全体の膜厚は１００〜４００Åとするの
が好ましい。これは、膜厚が４００Åをこえるとスペー
シングロスが増大するからである。また、膜厚が薄すぎ
ると、本発明の実効がなくなる。

【００７５】（２）第２の態様 第２の態様では、前記（１）の炭素、あるいは炭素およ
び水素を含む第１のプラズマ重合膜１の表面に、フッ素
系ガスを用いてプラズマ処理を施し、その表面に含フッ
素層を設ける。

【００７６】このようなプラズマ処理に用いる処理ガス
としては、好ましくはＦ２および／またはＣＦ４等のフ
ッ素系ガスを用いることができる。

【００７７】プラズマ処理法の原理、方法および形成条
件等は前述したプラズマ重合法のそれと基本的にほぼ同
一である。また、プラズマ処理電源の周波数についても
、特に制限はなく、直流、交流、マイクロ波等いずれで
あってもよい。

【００７８】このように、表面をプラズマ処理した第１
のプラズマ重合膜は、２層以上積層されてトップコート
膜とされる。これにより、剪断応力が減少し、耐久性が
臨界的に向上する。

【００７９】このような場合、第１のプラズマ重合膜の
厚さは、５０〜３００Å、より好ましくは５０〜２００
Å、特に５０〜１５０Åとすることが好ましい。また、
その組成は前記と同様とする。

【００８０】さらに、プラズマ処理を施した第１のプラ
ズマ重合膜の積層数は２層以上４層程度までとし、全体
の膜厚は、１００〜４００Åとするのが好ましい。

【００８１】プラズマ処理によって形成される含フッ素
層としては、表面から全厚の１０％以下、特に５％以下
の範囲にフッ素を含むことが好ましい。表面側のフッ素
濃度を高めることにより、トップコート膜表面の潤滑性
を高め、剪断応力をより一層減少させることができる。

【００８２】フッ素の含有量は好ましくは、各構成膜の
表面で３０〜６０ａｔ％、表面から５％まで（相対値で
）の範囲で１０〜６０ａｔ％とすることが好ましい。

【００８３】＜媒体構造＞本発明の磁気記録媒体におい
ては基板の下地層形成面側には、溝を形成することが好
ましい。溝の形状、パターン、寸法等には特に制限がな
いが、溝をディスクの周方向に形成することが好ましい
。

【００８４】溝は、基板を回転させながら研磨テープ等
を作用させ、基板表面に、同心円状等に不規則に形成し
たいわゆるテクスチャー加工による溝であっても、基板
表面に成形時に同心円状、渦巻状等に規則的に形成した
溝であっても、あるいは、両者であってもよい。規則的
な溝は、トラッキング用のグルーブとして使用すること
ができ、記録密度が向上する。

【００８５】このような場合の溝の寸法や溝配置間隔は
、溝の幅が０．１〜１０μｍ、特に０．５〜２μｍ程度
、溝間間隙が０．１〜１０μｍ、特に０．５〜２μｍ程
度、溝の深さが１００〜５０００Å、特に５００〜１０
００Å程度が好ましい。

【００８６】なお、グルーブには情報が記録されないた
め、グルーブは磁気ヘッドの位置に関係なくガードバン
ドとなる。このため、基板に、グルーブを設ければ、ト
ラッキングサーボの精度が比較的低くて済み、サーボ信
号に使用される記録面の面積を少なくできる。また、隣
接トラックからのクロストークが著しく減少する。

【００８７】また、連続薄膜型の磁性層の場合、ディス
ク周方向に、前記寸法の溝を特に規則的に形成するとき
には、磁性層のクラック発生がより一層防止され、ディ
スク周方向の配向性が向上し、ディスク周方向の保磁力
が向上する。

【００８８】なお、トップコート膜１０上に液体潤滑層
を設けることもできる。

【００８９】また、以上では、主に片面記録型磁気ディ
スクを説明してきたが、本発明は、両面記録型の磁気デ
ィスクであってもよい。

【００９０】＜記録再生＞このような磁気ディスク媒体
と組合わせて用いられる磁気ヘッドは、浮上型磁気ヘッ
ドである。この浮上型磁気ヘッドは、少なくともギャッ
プ部付近が飽和磁束密度０．７Ｔ以上の軟磁性材料で形
成されていることが好ましく、その他の構成に特に制限
はない。

【００９１】このような構成を有する浮上型磁気ヘッド
としては、メタル・イン・ギャップ（ＭＩＧ）型の磁気
ヘッドまたは薄膜型の磁気ヘッドが好適である。

【００９２】ＭＩＧ型磁気ヘッドは、一対のコアの少な
くとも一方のギャップ部対向面に、これらのコアよりも
飽和磁束密度の高い軟磁性薄膜を有する磁気ヘッドであ
る。ＭＩＧ型磁気ヘッドでは、軟磁性薄膜から強力な磁
束を磁性層に印加できるため、高い保磁力を有する磁性
層に有効な記録を行なうことができる。また、本発明で
は、ＭＩＧ型の磁気ヘッドの１種であるいわゆるエンハ
ンスト・デュアルギャップ・レングス（ＥＤＧ）型の磁
気ヘッドを用いてもよい。

【００９３】本発明において、浮上型磁気ヘッドの浮上
量は、０．２μｍ以下とすることが好ましい。浮上量が
この範囲を超えるとオーバーライト特性が不十分となり
、また、高い記録密度を得ることが困難となる。なお、
浮上量のより好ましい範囲は、０．１７μｍ以下である
。また、浮上量の下限は特になく、浮上型磁気ヘッドの
浮揚面と磁気ディスク表面とが準接触状態となるまで浮
上量を小さくすることができる。なお、浮上量とは浮上
型磁気ヘッドの浮揚面と磁気ディスク表面との距離であ
る。

【００９４】浮上量は、スライダの形状変更、ジンバル
、サスペンション等の荷重変更、磁気ディスクの回転数
の変更などにより種々の値に設定することができる。

【００９５】記録再生時の磁気ディスクの回転数に特に
制限はなく、目的とする転送レート、浮上量、記録密度
等に応じて適宜設定すればよいが、例えば１５００〜４
０００ｒｐｍ程度である。

【００９６】本発明では通常、デジタル信号を記録する
ので、飽和記録を行なう。また、飽和記録を行なうので
、オーバーライト記録が可能である。

【００９７】

【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説
明する。

【００９８】実施例１ 外径φ３．５インチ、厚さ１．２７ｍｍのポリカーボネ
ート製のディスク状剛性基板を射出成形により製造した
。この基板表面にはグルーブを形成した。

【００９９】グルーブは、ディスクの周方向に形成し、
断面はほぼ矩形とし、その寸法は幅０．８μｍ、ランド
部幅０．８μｍ、深さ４００〜７００Åとした。この基
板上に、ＣＨ４を原料ガスとして用いて、膜厚２００Å
のプラズマ重合膜の下地層を形成した。この下地層上に
膜厚５００ÅのＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ磁性層を成膜した。磁
性層の成膜は、ＤＣ−マグネトロンスパッタにて行った
。スパッタ条件は動作圧力を１Ｐａとし、Ａｒ雰囲気中
で行った。

【０１００】なお、ターゲットは、Ｃｏ７０Ｎｉ２０Ｃ
ｒ１０を用いた。

【０１０１】得られた連続薄膜磁気ディスクを真空チャ
ンバ中に入れ、一旦１０−６Ｔｏｒｒの真空に引いた後
下記表１に示される条件にて、プラズマ重合を行い、下
記プラズマ重合膜１、２を磁性層上に形成した。

【０１０２】

【表１】

【０１０３】プラズマ重合膜の組成はＡＥＳで測定し、
また膜厚はエリプソメータにて測定した。

【０１０４】重合膜Ｎｏ．１、２を用い、下記表２に示
される構造のトップコート膜とした。この場合、サンプ
ルＮｏ．４は、サンプルＮｏ．３の積層体の厚さを半分
にして、これを２回積層したものである。

【０１０５】

【表２】

【０１０６】表２に示されるサンプルＮｏ．１〜４につ
いて、浮上型磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置を
用いて、記録再生を行った。この場合、磁気ヘッドには
、ギャップ長０．６μｍのモノリシックタイプのＭＩＧ
ヘッドを用い、記録再生時の浮上量は０．１４μｍとし
た。サンプルＮｏ．１〜４について以下の評価を行った
。

【０１０７】（１）摩擦係数μ 摩擦係数μはＡＮＳＩ規格に基づき測定した。１ｒｐｍ
および１００ｒｐｍでの値を表３に示す。

【０１０８】（２）耐久性 １００時間走行時の前記（１）のμを表３に示す。

【０１０９】（３）面荒れ 前記（２）の１００ｒｐｍ走行時の表面粗さＲａをＪＩ
ＳＢ０６０１に記載の方法で求めた。

【０１１０】これらの結果を表３に示す。

【０１１１】

【表３】

【０１１２】表３に示される結果から、本発明の効果、
特に積層体の積層による耐久性等の臨界的向上効果が明
らかである。なお、サンプルＮｏ．４にて、トップコー
ト膜を５００Åとしたところ、出力は７５％以下に低下
した。

【０１１３】実施例２ 実施例１の重合膜Ｎｏ．１を形成したディスクに対し、
処理ガスとしてＣＦ４とＡｒとを用い、ＣＦ４含有量８
０％にてガス圧０．１Ｔｏｒｒに保ちながら、１００ｋ
Ｈｚの高周波電圧をかけてプラズマを発生させ、ＣＨ４
重合膜表面をプラズマ処理した。

【０１１４】この膜のフッ素含有量は、表面で６０％、
表面から２０Åの深さで４０ａｔ％であった。

【０１１５】重合膜Ｎｏ．１の厚さを３００Åとしたも
のをサンプルＮｏ．５とする。また、重合膜Ｎｏ．１の
厚さを１５０Åとし、同様の操作をくり返し、これを２
層積層したサンプルＮｏ．６を作製した。

【０１１６】これらの結果を表３に併記する。

【０１１７】表３に示される結果から、本発明の効果が
明らかである。

【０１１８】

【発明の効果】本発明によれば、すぐれた耐久性と摩擦
特性とが得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気記録媒体の１例を示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１　　第１のプラズマ重合膜 ２　　第２のプラズマ重合膜 ３　　磁性層 １０　　トップコート膜 １１　　積層単位

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　基体上に強磁性金属薄膜の磁性層を有
   し、この磁性層上にトップコート膜を有する磁気記録媒
   体において、前記トップコート膜は、炭素、または炭素
   および水素を含む第１のプラズマ重合膜上に、フッ素を
   含む第２のプラズマ重合膜を積層した含フッ素層を、二
   層以上積層したものであることを特徴とする磁気記録媒
   体。
2. 【請求項２】　　前記第１のプラズマ重合膜の膜厚が５
   ０〜３００Åである請求項１に記載の磁気記録媒体。
3. 【請求項３】　　前記第２のプラズマ重合膜の膜厚が１
   ０〜１００Åである請求項１または２に記載の磁気記録
   媒体。
4. 【請求項４】　　基体上に強磁性金属薄膜の磁性層を有
   し、この磁性層上にトップコート膜を有する磁気記録媒
   体において、前記トップコート膜は、炭素、または炭素
   および水素を含むプラズマ重合膜の表面をフッ素系ガス
   を用いてプラズマ処理した含フッ素層を、二層以上積層
   したものであることを特徴とする磁気記録媒体。
5. 【請求項５】　　前記プラズマ重合膜の厚さが５０〜３
   ００Åである請求項４に記載の磁気記録媒体。
6. 【請求項６】　　前記含フッ素層は、前記プラズマ重合
   膜の表面から１０％の厚さまでの範囲にフッ素を含む請
   求項４または５に記載の磁気記録媒体。
7. 【請求項７】　　前記トップコート膜の膜厚が１００〜
   ４００Åである請求項１ないし６のいずれかに記載の磁
   気記録媒体。