JPS6234324A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPS6234324A JPS6234324A JP17382785A JP17382785A JPS6234324A JP S6234324 A JPS6234324 A JP S6234324A JP 17382785 A JP17382785 A JP 17382785A JP 17382785 A JP17382785 A JP 17382785A JP S6234324 A JPS6234324 A JP S6234324A
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- Japan
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- film layer
- protective film
- layer made
- titanium oxide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は強磁性金属薄膜層を磁気記録層とする磁気記
録媒体に関し、さらに詳しくは、耐久性および耐食性に
優れた前記の磁気記録媒体に関する。
録媒体に関し、さらに詳しくは、耐久性および耐食性に
優れた前記の磁気記録媒体に関する。
強磁性金属薄膜層を磁気記録層とする磁気記録媒体は、
通常、金属もしくはそれらの合金などを真空蒸着、スパ
ッタリング等によって基体フィルム上に被着してつくら
れ、高密度記録に適した特性を有するが、反面磁気ヘッ
ドとの摩擦係数が太き（て摩耗や損傷を受は易く、また
空気中で徐々に酸化を受けて最大磁束密度などの磁気特
性が劣化するなどの難点がある。
通常、金属もしくはそれらの合金などを真空蒸着、スパ
ッタリング等によって基体フィルム上に被着してつくら
れ、高密度記録に適した特性を有するが、反面磁気ヘッ
ドとの摩擦係数が太き（て摩耗や損傷を受は易く、また
空気中で徐々に酸化を受けて最大磁束密度などの磁気特
性が劣化するなどの難点がある。
このため、従来から強磁性金属薄膜層上に種々の保護膜
層を設けるなどして耐久性および耐食性を改善すること
が行われており、たとえば、耐食性に優れたチタン酸化
物膜層を設けたり （特開昭５’ｌ−１４７１３３号）
、また、フッ素系／Ｉ２１滑剤を被着したり（特開昭５
８−９４１３０号）、さらに、有機化合物のモノマーガ
スをプラズマ重合して、有機化合物のプラズマ重合保護
膜層を設ける（特開昭５３−１３２３１Ｏ号）ことが提
案されている。
層を設けるなどして耐久性および耐食性を改善すること
が行われており、たとえば、耐食性に優れたチタン酸化
物膜層を設けたり （特開昭５’ｌ−１４７１３３号）
、また、フッ素系／Ｉ２１滑剤を被着したり（特開昭５
８−９４１３０号）、さらに、有機化合物のモノマーガ
スをプラズマ重合して、有機化合物のプラズマ重合保護
膜層を設ける（特開昭５３−１３２３１Ｏ号）ことが提
案されている。
ところが、強磁性金属薄膜層上にチタン酸化物膜層を設
けたものは、耐食性に優れる反面磁気ヘッド等との摩擦
係数が大きくて耐久性に欠け、フッ素系の潤？ｆｋ剤層
や有機化合物のプラズマ重合保護膜層を設けたものは、
未だ耐食性が充分に良好でなく、耐久性および耐食性は
未だ充分に改善されていない。
けたものは、耐食性に優れる反面磁気ヘッド等との摩擦
係数が大きくて耐久性に欠け、フッ素系の潤？ｆｋ剤層
や有機化合物のプラズマ重合保護膜層を設けたものは、
未だ耐食性が充分に良好でなく、耐久性および耐食性は
未だ充分に改善されていない。
この発明はかかる現状に鑑み種々検討を行った結果なさ
れたもので、まず、強磁性金属薄膜層の表布にチタン酸
化物からなる第１の保護膜層を設け、さらにこの上にカ
ーボンもしくは少なくとも炭素原子を含む有機高分子化
合物からなる第２の保護膜層を設けることによって、磁
気へノド等との摩擦係数を充分に小さくし、耐久性およ
び耐食性を充分に改善したものである。
れたもので、まず、強磁性金属薄膜層の表布にチタン酸
化物からなる第１の保護膜層を設け、さらにこの上にカ
ーボンもしくは少なくとも炭素原子を含む有機高分子化
合物からなる第２の保護膜層を設けることによって、磁
気へノド等との摩擦係数を充分に小さくし、耐久性およ
び耐食性を充分に改善したものである。
この発明において、強磁性金属薄膜層上に形成されるチ
タン酸化物からなる第１の保護膜層は、チタン酸化物を
真空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング等の
方法で強磁性金属薄膜層上に被着して形成され、チタン
酸化物としては、たとえば、Ｔ ｉ ０２等が好適なも
のとして使用される。このようにして形成されるこの種
のチタン酸化物からなる保護膜層は、磁気へ・７ド等と
の摩擦係数が大きいが、この上にさらにカーボンもしく
は少なくとも炭素原子を含む有機高分子化合物からなる
第２の保護膜層が設けられると、この第２の保護膜層に
よって、磁気ヘッド等との直接の摺接が遮られ、チタン
酸化物からなる保護膜層の非常に優れた耐食効果が充分
に発揮されて、耐久性を低下させずに耐食性が充分に向
上される。またこの種のチタン酸化物からなる保護膜層
は、金属磁性材からなる強磁性金属薄膜層との接着性が
極めてよく、強磁性金属薄膜層上に強固に被着形成され
る。層厚は強磁性金属薄膜層と前記の第２の保護膜層と
の間にあって、耐食性を充分に発揮させるため、１０Å
以上にするのが好ましい。しかし、この上にさらに積層
されるカーボンもしくは少なくとも炭素原子を含む有機
高分子化合物からなる第２の保護膜層との合計厚が５０
０人より厚くなると、スペーシングロスが大きくなって
、電磁変換特性が劣化するおそれがあるため、この第２
の保護膜層との合計厚が５００Å以下となるようにする
のが好ましい。
タン酸化物からなる第１の保護膜層は、チタン酸化物を
真空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング等の
方法で強磁性金属薄膜層上に被着して形成され、チタン
酸化物としては、たとえば、Ｔ ｉ ０２等が好適なも
のとして使用される。このようにして形成されるこの種
のチタン酸化物からなる保護膜層は、磁気へ・７ド等と
の摩擦係数が大きいが、この上にさらにカーボンもしく
は少なくとも炭素原子を含む有機高分子化合物からなる
第２の保護膜層が設けられると、この第２の保護膜層に
よって、磁気ヘッド等との直接の摺接が遮られ、チタン
酸化物からなる保護膜層の非常に優れた耐食効果が充分
に発揮されて、耐久性を低下させずに耐食性が充分に向
上される。またこの種のチタン酸化物からなる保護膜層
は、金属磁性材からなる強磁性金属薄膜層との接着性が
極めてよく、強磁性金属薄膜層上に強固に被着形成され
る。層厚は強磁性金属薄膜層と前記の第２の保護膜層と
の間にあって、耐食性を充分に発揮させるため、１０Å
以上にするのが好ましい。しかし、この上にさらに積層
されるカーボンもしくは少なくとも炭素原子を含む有機
高分子化合物からなる第２の保護膜層との合計厚が５０
０人より厚くなると、スペーシングロスが大きくなって
、電磁変換特性が劣化するおそれがあるため、この第２
の保護膜層との合計厚が５００Å以下となるようにする
のが好ましい。
また、チタン酸化物からなる第１の保護膜層上に被着形
成されるカーボンからなる保護膜層は、カーボンを真空
蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング等の方法
で強磁性金属薄膜層上に被着して形成される。このよう
にして形成されるこの種のカーボンからなる保護膜層は
、アモルファス構造で磁気ヘッド等との摩擦係数が小さ
く、強磁性金属薄膜層上に形成したチタン酸化物からな
る第１の保護膜層上にあって、第１の保護膜層が直接磁
気ヘッド等に摺接することを防止するとともに、摩擦係
数を充分に低減して耐摩耗性を充分に向上する。従って
、この種のカーボンからなる第２の保護膜層が、前記の
チタン酸化物からなる第１の保護膜層上に形成されると
、摩擦係数が充分に低減されて耐摩耗性が充分に向上さ
れ、同時に第１の保護膜層の優れた耐食性も充分に発揮
されて、耐久性および耐食性が充分に向上される。
成されるカーボンからなる保護膜層は、カーボンを真空
蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング等の方法
で強磁性金属薄膜層上に被着して形成される。このよう
にして形成されるこの種のカーボンからなる保護膜層は
、アモルファス構造で磁気ヘッド等との摩擦係数が小さ
く、強磁性金属薄膜層上に形成したチタン酸化物からな
る第１の保護膜層上にあって、第１の保護膜層が直接磁
気ヘッド等に摺接することを防止するとともに、摩擦係
数を充分に低減して耐摩耗性を充分に向上する。従って
、この種のカーボンからなる第２の保護膜層が、前記の
チタン酸化物からなる第１の保護膜層上に形成されると
、摩擦係数が充分に低減されて耐摩耗性が充分に向上さ
れ、同時に第１の保護膜層の優れた耐食性も充分に発揮
されて、耐久性および耐食性が充分に向上される。
また、チタン酸化物からなる第１の保護膜層上に被着形
成される有機高分子化合物からなる保護膜層は、この保
護膜層が、プラズマ重合によって形成される場合は、処
理槽内で、炭化水素系化合物、フッ素系有機化合物およ
びケイ素系有機化合物等のモノマーガスを、高周波によ
りプラズマ重合させて前記の金属薄膜層上に析出形成す
ることによって形成される。このプラズマ重合保護膜層
を形成するのに使用するモノマーガスとしては、たとえ
ば、プロパン、エチレン、プロピレン等の炭化水素系化
合物のモノマーガス、０２Ｆ４．０３Ｆ６等のフッ素系
有機化合物のモノマーガスおよびテトラメチルシラン、
オクタメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルジ
シラザン等のケイ素系有機化合物のモノマーガス等が好
ましく使用され、これらの有機化合物のモノマーガスは
、高周波によりラジカルが生成され、この生成されたラ
ジカルが反応し重合して被膜となる。このラジカルはこ
れらの有機化合物が二重結合または三重結合を有してい
たり、また末端に全屈元素を有する金属塩化合物である
かあるいはＯ１ｌ基等の官能基を有しているほど生成し
やすいため、これら不飽和結合、全屈元素および官能基
等を有するものがより好ましく使用される。またこれら
の七ツマーガスをプラズマ重合する際、アルゴンガス、
ヘリウムガスおよび酸素ガス等のキャリアガスを併存さ
せるとモノマーガスを単独でプラズマ重合する場合に比
べて３〜５倍の速度で析出されるため、これらのキャリ
アガスを併存させて行うのが好ましい。これらのキャリ
アガスと併存させる際、その組成割合はキャリアガス対
前記有機化合物の七ツマーガスの容積比にして１対２０
〜１対１０割合で併存させるのが好ましく、キャリアガ
スが少なすぎると析出速度が低下し、多すぎるとモノマ
ーガスが少なくなってプラズマ■合反応に支障をきたす
。なお、炭化水素系化合物のモノマーガスを使用すると
きは、酸素ガスをキャリアガスとして使用すると酸化反
応が生じるため、酸素ガスをキャリアガスとして使用す
るのは好ましくない。
成される有機高分子化合物からなる保護膜層は、この保
護膜層が、プラズマ重合によって形成される場合は、処
理槽内で、炭化水素系化合物、フッ素系有機化合物およ
びケイ素系有機化合物等のモノマーガスを、高周波によ
りプラズマ重合させて前記の金属薄膜層上に析出形成す
ることによって形成される。このプラズマ重合保護膜層
を形成するのに使用するモノマーガスとしては、たとえ
ば、プロパン、エチレン、プロピレン等の炭化水素系化
合物のモノマーガス、０２Ｆ４．０３Ｆ６等のフッ素系
有機化合物のモノマーガスおよびテトラメチルシラン、
オクタメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルジ
シラザン等のケイ素系有機化合物のモノマーガス等が好
ましく使用され、これらの有機化合物のモノマーガスは
、高周波によりラジカルが生成され、この生成されたラ
ジカルが反応し重合して被膜となる。このラジカルはこ
れらの有機化合物が二重結合または三重結合を有してい
たり、また末端に全屈元素を有する金属塩化合物である
かあるいはＯ１ｌ基等の官能基を有しているほど生成し
やすいため、これら不飽和結合、全屈元素および官能基
等を有するものがより好ましく使用される。またこれら
の七ツマーガスをプラズマ重合する際、アルゴンガス、
ヘリウムガスおよび酸素ガス等のキャリアガスを併存さ
せるとモノマーガスを単独でプラズマ重合する場合に比
べて３〜５倍の速度で析出されるため、これらのキャリ
アガスを併存させて行うのが好ましい。これらのキャリ
アガスと併存させる際、その組成割合はキャリアガス対
前記有機化合物の七ツマーガスの容積比にして１対２０
〜１対１０割合で併存させるのが好ましく、キャリアガ
スが少なすぎると析出速度が低下し、多すぎるとモノマ
ーガスが少なくなってプラズマ■合反応に支障をきたす
。なお、炭化水素系化合物のモノマーガスを使用すると
きは、酸素ガスをキャリアガスとして使用すると酸化反
応が生じるため、酸素ガスをキャリアガスとして使用す
るのは好ましくない。
プラズマ重合を行う場合のガス圧および高周波の電力は
、ガス圧が高くなるほどプラズマ重合保護膜層の被着速
度が速くなる反面モノマーガスが架橋密度低くプラズマ
重合されて硬いプラズマ重合保護膜層が得られず、また
ガス圧を低くして高周波電力を高くすると被着速度が遅
くなる反面架橋密度が比較的高くて硬いプラズマ重合保
護膜層が得られる。ところが、ガス圧を低くして高周波
電力を高くしすぎると、モノマーガスが粉末化してしま
いプラズマ重合保護’ＡｔＡＲが形成されないため、ガ
ス圧を０．００５〜３トールの範囲内とし、高周波電力
を０．０３〜３ Ｗ ／ ｃｎ！の範囲内とするのが好
ましく、ガス圧を０，０１〜１トールとし、高周波電力
を０．０５〜２ Ｗ ／ ｃｏｔの範囲内とするのがよ
り好ましい。また、このようなプラズマ重合保護膜層の
形成は、高周波を印加した電極側で行うのがより好まし
い。このようにしてプラズマ重合によって被着形成され
る有機化合物のプラズマ重合保護膜層は、緻密で摩擦係
数が小さく、強磁性金属薄膜層上に形成したチタン酸化
物からなる第１の保護膜層上にあって、第１の保護膜層
が直接磁気ヘッド等に摺接することを防止するとともに
、耐摩耗性を充分に向上する。従って、この種のプラズ
マ重合保護膜層が、前記のチタン酸化物からなる第１の
保護膜層上に形成されると、摩擦係数が充分に低減され
て耐摩耗性が充分に向上され、同時に第１の保護膜層の
優れた耐食性も充分に発揮されて、耐久性および耐食性
が充分に向上される。
、ガス圧が高くなるほどプラズマ重合保護膜層の被着速
度が速くなる反面モノマーガスが架橋密度低くプラズマ
重合されて硬いプラズマ重合保護膜層が得られず、また
ガス圧を低くして高周波電力を高くすると被着速度が遅
くなる反面架橋密度が比較的高くて硬いプラズマ重合保
護膜層が得られる。ところが、ガス圧を低くして高周波
電力を高くしすぎると、モノマーガスが粉末化してしま
いプラズマ重合保護’ＡｔＡＲが形成されないため、ガ
ス圧を０．００５〜３トールの範囲内とし、高周波電力
を０．０３〜３ Ｗ ／ ｃｎ！の範囲内とするのが好
ましく、ガス圧を０，０１〜１トールとし、高周波電力
を０．０５〜２ Ｗ ／ ｃｏｔの範囲内とするのがよ
り好ましい。また、このようなプラズマ重合保護膜層の
形成は、高周波を印加した電極側で行うのがより好まし
い。このようにしてプラズマ重合によって被着形成され
る有機化合物のプラズマ重合保護膜層は、緻密で摩擦係
数が小さく、強磁性金属薄膜層上に形成したチタン酸化
物からなる第１の保護膜層上にあって、第１の保護膜層
が直接磁気ヘッド等に摺接することを防止するとともに
、耐摩耗性を充分に向上する。従って、この種のプラズ
マ重合保護膜層が、前記のチタン酸化物からなる第１の
保護膜層上に形成されると、摩擦係数が充分に低減され
て耐摩耗性が充分に向上され、同時に第１の保護膜層の
優れた耐食性も充分に発揮されて、耐久性および耐食性
が充分に向上される。
また、有機高分子化合物からなる保護膜層をスパッタリ
ングによって形成する場合は、処理槽内で、耐熱性の良
好な樹脂をアルゴンガス等の存在下で高周波によりスパ
ッタリングさせて、磁性層上に析出させることによって
形成される。このようなスパッタリングによって保護膜
層を形成するのに使用される樹脂としては、２００℃以
上の温度で軟化したり分解することのない耐熱性に優れ
た樹脂が好ましく使用され、たとえば、イミド系樹脂、
シリコーン系樹脂、フェノール系樹脂、メラミン系樹脂
、ホルマリン系樹脂、尿素系樹脂、フラン系樹脂、エポ
キシ系樹脂等が好適なものとして使用される。
ングによって形成する場合は、処理槽内で、耐熱性の良
好な樹脂をアルゴンガス等の存在下で高周波によりスパ
ッタリングさせて、磁性層上に析出させることによって
形成される。このようなスパッタリングによって保護膜
層を形成するのに使用される樹脂としては、２００℃以
上の温度で軟化したり分解することのない耐熱性に優れ
た樹脂が好ましく使用され、たとえば、イミド系樹脂、
シリコーン系樹脂、フェノール系樹脂、メラミン系樹脂
、ホルマリン系樹脂、尿素系樹脂、フラン系樹脂、エポ
キシ系樹脂等が好適なものとして使用される。
スパッタリングを行う場合のアルゴンガス等のガス圧お
よび高周波の電力は、析出速度を良好にしかつ高分子の
分解を防止するため、ガス圧を、０．００１〜０．１ト
ールとし、平方センチあたりの高周波電力を０．１〜２
Ｗ ／ ｃＡの範囲内とするのが好ましい。このよう
にしてスパッタリングによって析出形成される耐熱性樹
脂からなる保護膜層は、緻密で摩擦係数も小さく、強磁
性金属薄膜層上に形成したチタン酸化物からなる第１の
保護膜層上にあって、第１の保護膜層が直接磁気ヘッド
等に摺接することを防止するとともに、耐摩耗性を充分
に向上する。従って、この種の耐熱性樹脂からなる保護
膜層が、前記のチタン酸化物からなる第１の保護膜層上
に形成されると、摩擦係数が充分に低減されて耐摩耗性
が充分に向上され、同時に第１の保護膜層の優れた耐食
性も充分に発揮されて、耐久性および耐食性が充分に向
上される。
よび高周波の電力は、析出速度を良好にしかつ高分子の
分解を防止するため、ガス圧を、０．００１〜０．１ト
ールとし、平方センチあたりの高周波電力を０．１〜２
Ｗ ／ ｃＡの範囲内とするのが好ましい。このよう
にしてスパッタリングによって析出形成される耐熱性樹
脂からなる保護膜層は、緻密で摩擦係数も小さく、強磁
性金属薄膜層上に形成したチタン酸化物からなる第１の
保護膜層上にあって、第１の保護膜層が直接磁気ヘッド
等に摺接することを防止するとともに、耐摩耗性を充分
に向上する。従って、この種の耐熱性樹脂からなる保護
膜層が、前記のチタン酸化物からなる第１の保護膜層上
に形成されると、摩擦係数が充分に低減されて耐摩耗性
が充分に向上され、同時に第１の保護膜層の優れた耐食
性も充分に発揮されて、耐久性および耐食性が充分に向
上される。
このようなカーボン、もしくはプラズマ重合保護膜層お
よび耐熱性樹脂からなる保護膜層等の有機高分子化合物
からなる保護膜層の層厚は、耐摩耗性を充分に向上させ
るため５０Å以上にするのが好ましく、前記のチタン酸
化物からなる第１の保護膜層との合計厚が５００人より
厚くなると、スペーシングロスが大きくなって、電磁変
換特性が劣化するおそれがあるため、第１の保護膜層と
の合計厚が５００Å以下となるようにするのが好ましい
。
よび耐熱性樹脂からなる保護膜層等の有機高分子化合物
からなる保護膜層の層厚は、耐摩耗性を充分に向上させ
るため５０Å以上にするのが好ましく、前記のチタン酸
化物からなる第１の保護膜層との合計厚が５００人より
厚くなると、スペーシングロスが大きくなって、電磁変
換特性が劣化するおそれがあるため、第１の保護膜層と
の合計厚が５００Å以下となるようにするのが好ましい
。
強磁性金属薄膜層の形成材料としては、Ｃｏ。
−Ｆｅ、Ｎｉ等の金属、Ｃｏ−Ｎｉ、 Ｃｏ−Ｃｒ。
Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ、 Ｃｏ’−Ｐｔ
、 Ｃｏ−Ｔｉ等の合金、あるいはこれらの金属およ
び合金の酸化物、およびＣｏ−Ｐ、 Ｃｏ−Ｎｉ −Ｐ
などの強磁性材が使用され、これらの強磁性材からなる
強磁性金属薄膜層は、真空蒸着、イオンブレーティング
、スパッタリング、メッキ等の手段によって基体上に被
着形成される。
、 Ｃｏ−Ｔｉ等の合金、あるいはこれらの金属およ
び合金の酸化物、およびＣｏ−Ｐ、 Ｃｏ−Ｎｉ −Ｐ
などの強磁性材が使用され、これらの強磁性材からなる
強磁性金属薄膜層は、真空蒸着、イオンブレーティング
、スパッタリング、メッキ等の手段によって基体上に被
着形成される。
また、基体としては、ポリエステル、ポリイミド、ポリ
アミド、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネートなどのプラ
スチックフィルム、またこれらのプラスチ・ツクフィル
ム中に炭素繊維、Ｃｕなどを混入した複合フィルム、Ｃ
ｕ、Ｚｎなどの非磁性全屈フィルム、アルミニウム板お
よびガラス板等、従来から使用されているものがいずれ
も好適なものとして使用され、磁気記録媒体としては、
これらのプラスチックフィルム等を基体として用いた磁
気テープ、プラスチックフィルム、アルミニウム板およ
びガラス板などからなる円盤を基体として用いた磁気デ
ィスクや磁気ドラムなど、磁気へ・７ドと摺接する構造
の種々の形態を包含する。
アミド、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネートなどのプラ
スチックフィルム、またこれらのプラスチ・ツクフィル
ム中に炭素繊維、Ｃｕなどを混入した複合フィルム、Ｃ
ｕ、Ｚｎなどの非磁性全屈フィルム、アルミニウム板お
よびガラス板等、従来から使用されているものがいずれ
も好適なものとして使用され、磁気記録媒体としては、
これらのプラスチックフィルム等を基体として用いた磁
気テープ、プラスチックフィルム、アルミニウム板およ
びガラス板などからなる円盤を基体として用いた磁気デ
ィスクや磁気ドラムなど、磁気へ・７ドと摺接する構造
の種々の形態を包含する。
次に、この発明の実施例について説明する。
実施例１
厚さ１０μｍのポリエステルフィルムを真空蒸着装置に
装填し、５Ｘ１０−’）−ルの真空下でコバルトを加熱
蒸発させ、５０人／ｓｅｃの析出速度で斜め入射蒸着し
てポリエステルフィルム上に厚さ１０００人のコバルト
からなる強磁性金属薄膜層を形成した。その後、真空槽
内を再び５Ｘ１０−６トールに排気し、アルゴンガスを
導入して、５Ｘ１０−１−ルのアルゴンガス雰囲気下で
３００Ｗの電圧を加えて、ＴｉＯ２を５人／ｓｅｃの析
出速度でスパッタリングし、ＴｉＯ２からなる厚さ１０
０人の第１の保護膜層を形成した。引き続いて、この第
１の保護膜層上に、５×ＩＯ弓トールのアルゴンガス雰
囲気下で３００Ｗの電圧を加えて、カーボンを５人／ｓ
ｅｃの析出速度でスパッタリングし、カーボンからなる
厚さ１００人の第２の保護膜層を形成した。しかる後、
所定の巾に裁断して第１図に示すようなポリエステルフ
ィルム１上に強磁性金属薄膜層２、第１の保護膜層３、
第２の保護膜層４を順次に積層形成した磁気テープＡを
つくった。
装填し、５Ｘ１０−’）−ルの真空下でコバルトを加熱
蒸発させ、５０人／ｓｅｃの析出速度で斜め入射蒸着し
てポリエステルフィルム上に厚さ１０００人のコバルト
からなる強磁性金属薄膜層を形成した。その後、真空槽
内を再び５Ｘ１０−６トールに排気し、アルゴンガスを
導入して、５Ｘ１０−１−ルのアルゴンガス雰囲気下で
３００Ｗの電圧を加えて、ＴｉＯ２を５人／ｓｅｃの析
出速度でスパッタリングし、ＴｉＯ２からなる厚さ１０
０人の第１の保護膜層を形成した。引き続いて、この第
１の保護膜層上に、５×ＩＯ弓トールのアルゴンガス雰
囲気下で３００Ｗの電圧を加えて、カーボンを５人／ｓ
ｅｃの析出速度でスパッタリングし、カーボンからなる
厚さ１００人の第２の保護膜層を形成した。しかる後、
所定の巾に裁断して第１図に示すようなポリエステルフ
ィルム１上に強磁性金属薄膜層２、第１の保護膜層３、
第２の保護膜層４を順次に積層形成した磁気テープＡを
つくった。
実施例２
実施例１における第２の保護膜層の形成において、カー
ボンからなる第２の保護膜層を形成する代わりに、再度
真空槽内を５Ｘ１０−’トールに真空排気し、真空槽内
にＣ２Ｆ４のモノマーガスを１０ｍｌ／ｆｌＩｉｎの割
合で導入するとともにアルゴンガスを４０ｍ１／ｍｉｎ
の割合で導入し、ガス圧２×１Ｏ−２）−ルで高周波を
５００Ｗ印加して１分間プラズマ重合を行い、Ｔ ｉ
０２からなる第１の保護膜層上に、１００人のプラズマ
重合保護膜層からなる第２の保護膜層を形成した以外は
、実施例１と同様にして、磁気テープＡをつくった。
ボンからなる第２の保護膜層を形成する代わりに、再度
真空槽内を５Ｘ１０−’トールに真空排気し、真空槽内
にＣ２Ｆ４のモノマーガスを１０ｍｌ／ｆｌＩｉｎの割
合で導入するとともにアルゴンガスを４０ｍ１／ｍｉｎ
の割合で導入し、ガス圧２×１Ｏ−２）−ルで高周波を
５００Ｗ印加して１分間プラズマ重合を行い、Ｔ ｉ
０２からなる第１の保護膜層上に、１００人のプラズマ
重合保護膜層からなる第２の保護膜層を形成した以外は
、実施例１と同様にして、磁気テープＡをつくった。
比較例１
実施例１において、第１の保護膜層の形成を省いた以外
は実施例１と同様にして磁気テープをつく った。
は実施例１と同様にして磁気テープをつく った。
比較例２
実施例１において、第２の保護膜層の形成を省いた以外
は実施例１と同様にして磁気テープをつく った。
は実施例１と同様にして磁気テープをつく った。
比較例３
実施例２において、第１の保護膜Ｊｉの形成を省いた以
外は実施例２と同様にして磁気テープをつく った。
外は実施例２と同様にして磁気テープをつく った。
比較例４
実施例１において、第１の保護膜層および第２の保護膜
層の形成を省いた以外は実施例１と同様にして磁気テー
プをつくった。
層の形成を省いた以外は実施例１と同様にして磁気テー
プをつくった。
各実施例および比較例で得られた磁気テープについて、
耐久性および耐食性を試験した。耐久性試験は、市販の
ＶＴＲテープデツキを用いて、２Ｑ ’Ｃ１５０％ＲＨ
の条件下で得られた磁気テープのスチル試験を行い、ス
チル再生寿命を測定して行った。また耐食性試験は得ら
れた磁気テープを６０℃、９０％ＲＨの条件下に７日間
放置して最大磁束密度を測定し、放置前の磁気テープの
最大磁束密度を１００％とし、これと比較した値でその
劣化率を調べて行った。
耐久性および耐食性を試験した。耐久性試験は、市販の
ＶＴＲテープデツキを用いて、２Ｑ ’Ｃ１５０％ＲＨ
の条件下で得られた磁気テープのスチル試験を行い、ス
チル再生寿命を測定して行った。また耐食性試験は得ら
れた磁気テープを６０℃、９０％ＲＨの条件下に７日間
放置して最大磁束密度を測定し、放置前の磁気テープの
最大磁束密度を１００％とし、これと比較した値でその
劣化率を調べて行った。
下表はその結果である。
表
〔発明の効果〕
上表から明らかなように、実施例１および２で得られた
磁気テープは、比較例１ないし４で得られた磁気テープ
に比し、いずれもスチル再生寿命が長くて、劣化率が小
さく、このことからこの発明によって得られる磁気記録
媒体は、耐久性および耐食性が一段と向上されているこ
とがわかる。
磁気テープは、比較例１ないし４で得られた磁気テープ
に比し、いずれもスチル再生寿命が長くて、劣化率が小
さく、このことからこの発明によって得られる磁気記録
媒体は、耐久性および耐食性が一段と向上されているこ
とがわかる。
第１図はこの発明によって得られた磁気テープの部分拡
大断面図である。 １・・・ポリエステルフィルム（基体）、２・・・強磁
性全屈薄膜層、３・・・第１の保護膜層、４・・・第２
の保護膜層、Ａ・・・磁気テープ（磁気記録媒体）第１
図
大断面図である。 １・・・ポリエステルフィルム（基体）、２・・・強磁
性全屈薄膜層、３・・・第１の保護膜層、４・・・第２
の保護膜層、Ａ・・・磁気テープ（磁気記録媒体）第１
図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基体上に金属もしくはそれらの合金からなる強磁性
金属薄膜層を形成し、この強磁性金属薄膜層の表面にチ
タン酸化物からなる第１の保護膜層を設け、さらにこの
上にカーボンもしくは少なくとも炭素原子を含む有機高
分子化合物からなる第２の保護膜層を設けたことを特徴
とする磁気記録媒体 ２、チタン酸化物からなる第１の保護膜層上に設けた有
機高分子化合物からなる第２の保護膜層中にさらに水素
原子を含む特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体 ３、チタン酸化物からなる第１の保護膜層上に設けた有
機高分子化合物からなる第２の保護膜層中にさらに水素
原子およびケイ素原子を含む特許請求の範囲第１項記載
の磁気記録媒体 ４、チタン酸化物からなる第１の保護膜層上に設けた有
機高分子化合物からなる第２の保護膜層中にさらにフッ
素原子を含む特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17382785A JPS6234324A (ja) | 1985-08-07 | 1985-08-07 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17382785A JPS6234324A (ja) | 1985-08-07 | 1985-08-07 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6234324A true JPS6234324A (ja) | 1987-02-14 |
Family
ID=15967889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17382785A Pending JPS6234324A (ja) | 1985-08-07 | 1985-08-07 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6234324A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0332324U (ja) * | 1989-08-04 | 1991-03-28 | ||
| JPH03139547A (ja) * | 1989-10-25 | 1991-06-13 | Central Glass Co Ltd | 軟質フッ素樹脂組成物 |
| US5898051A (en) * | 1996-01-31 | 1999-04-27 | Central Glass Company, Limited | Elastic fluorohydrocarbon resin-based polymer blend with graft copolymers of rubbers |
| US6025436A (en) * | 1995-04-19 | 2000-02-15 | Central Glass Company, Limited | Thermoplastic fluorine-containing resin composition useful for calendering |
| US6051343A (en) * | 1996-09-25 | 2000-04-18 | Tdk Corporation | Polymeric solid electrolyte and lithium secondary cell using the same |
| JP2010027197A (ja) * | 2008-07-23 | 2010-02-04 | Seagate Technology Llc | 酸化されたコンフォーマルキャップ層 |
| WO2019078238A1 (ja) | 2017-10-18 | 2019-04-25 | ダイキン工業株式会社 | 架橋性エラストマー組成物及びフッ素ゴム成形品 |
-
1985
- 1985-08-07 JP JP17382785A patent/JPS6234324A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0332324U (ja) * | 1989-08-04 | 1991-03-28 | ||
| JPH03139547A (ja) * | 1989-10-25 | 1991-06-13 | Central Glass Co Ltd | 軟質フッ素樹脂組成物 |
| US6025436A (en) * | 1995-04-19 | 2000-02-15 | Central Glass Company, Limited | Thermoplastic fluorine-containing resin composition useful for calendering |
| US5898051A (en) * | 1996-01-31 | 1999-04-27 | Central Glass Company, Limited | Elastic fluorohydrocarbon resin-based polymer blend with graft copolymers of rubbers |
| US6051343A (en) * | 1996-09-25 | 2000-04-18 | Tdk Corporation | Polymeric solid electrolyte and lithium secondary cell using the same |
| JP2010027197A (ja) * | 2008-07-23 | 2010-02-04 | Seagate Technology Llc | 酸化されたコンフォーマルキャップ層 |
| WO2019078238A1 (ja) | 2017-10-18 | 2019-04-25 | ダイキン工業株式会社 | 架橋性エラストマー組成物及びフッ素ゴム成形品 |
| EP4407002A1 (en) | 2017-10-18 | 2024-07-31 | Daikin Industries, Ltd. | Crosslinkable elastomer composition and fluorororubber molded article |
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