JPH11175960A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH11175960A JPH11175960A JP34607097A JP34607097A JPH11175960A JP H11175960 A JPH11175960 A JP H11175960A JP 34607097 A JP34607097 A JP 34607097A JP 34607097 A JP34607097 A JP 34607097A JP H11175960 A JPH11175960 A JP H11175960A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラスチツク非磁性基体上にＣｏ合金系磁性
層を設けてなる薄膜型磁気記録媒体において、上記磁性
層の耐食性が改善された、また耐久性にもすぐれた薄膜
型磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 プラスチツク非磁性基体１上にＣｏ合金
系磁性層４を設け、この上にカ―ボン系保護膜５を設
け、さらにこの上に潤滑層６を設けてなる磁気記録媒体
において、上記のカ―ボン系保護膜５は、水素含有アモ
ルフアスカ―ボンからなる第１の保護膜５Ａと、水素を
含まないアモルフアスカ―ボン、水素含有量が第１の保
護膜に比べて低い水素含有アモルフアスカ―ボンまたは
これらに窒素を含ませた窒素含有アモルフアスカ―ボン
からなる第２の保護膜５Ｂとにより構成されていること
を特徴とする。
層を設けてなる薄膜型磁気記録媒体において、上記磁性
層の耐食性が改善された、また耐久性にもすぐれた薄膜
型磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 プラスチツク非磁性基体１上にＣｏ合金
系磁性層４を設け、この上にカ―ボン系保護膜５を設
け、さらにこの上に潤滑層６を設けてなる磁気記録媒体
において、上記のカ―ボン系保護膜５は、水素含有アモ
ルフアスカ―ボンからなる第１の保護膜５Ａと、水素を
含まないアモルフアスカ―ボン、水素含有量が第１の保
護膜に比べて低い水素含有アモルフアスカ―ボンまたは
これらに窒素を含ませた窒素含有アモルフアスカ―ボン
からなる第２の保護膜５Ｂとにより構成されていること
を特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラスチツク非磁
性基体上にＣｏ合金系磁性層を設けてなる薄膜型磁気記
録媒体に関するものである。
性基体上にＣｏ合金系磁性層を設けてなる薄膜型磁気記
録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】コンピユ―タ用の外部記録装置として、
ハ―ドデイスクが一般に広く使用されている。最近のハ
―ドデイスクは、記録容量がますます増大し、数ギガビ
ツト／平方インチ級のものも実用化されている。
ハ―ドデイスクが一般に広く使用されている。最近のハ
―ドデイスクは、記録容量がますます増大し、数ギガビ
ツト／平方インチ級のものも実用化されている。
【０００３】従来のハ―ドデイスクは、ガラスやＮｉ−
Ｐ／Ａｌなどの硬質非磁性基体上にＣｏ合金系磁性層な
どの薄膜型磁性層を設けたタイプのものである。しかる
に、ガラスやＮｉ−Ｐ／Ａｌなどの硬質非磁性基体は比
較的高価であり、デイスクコストの約３〜４割が上記の
硬質非磁性基体で占められている。最近、ノ―ト型など
の携帯用パソコンの急激な普及に伴い、ハ―ドデイスク
の記録容量のさらなる増大とともに、コストの低減が強
く求められている。
Ｐ／Ａｌなどの硬質非磁性基体上にＣｏ合金系磁性層な
どの薄膜型磁性層を設けたタイプのものである。しかる
に、ガラスやＮｉ−Ｐ／Ａｌなどの硬質非磁性基体は比
較的高価であり、デイスクコストの約３〜４割が上記の
硬質非磁性基体で占められている。最近、ノ―ト型など
の携帯用パソコンの急激な普及に伴い、ハ―ドデイスク
の記録容量のさらなる増大とともに、コストの低減が強
く求められている。
【０００４】このような状況下、従来のガラスやＮｉ−
Ｐ／Ａｌなどの硬質非磁性基体に代えて、ポリカ―ボネ
―ト、ノルボルネン系アモルフアスポリオレフインなど
の高分子を射出成形してなるプラスチツク非磁性基体の
使用が試みられている。この種のデイスクでは、デイス
ク全体のコストに占める基体コストを１割未満にするこ
とができ、デイスクのコストを大きく低減できるメリツ
トがある。
Ｐ／Ａｌなどの硬質非磁性基体に代えて、ポリカ―ボネ
―ト、ノルボルネン系アモルフアスポリオレフインなど
の高分子を射出成形してなるプラスチツク非磁性基体の
使用が試みられている。この種のデイスクでは、デイス
ク全体のコストに占める基体コストを１割未満にするこ
とができ、デイスクのコストを大きく低減できるメリツ
トがある。
【０００５】一方、従来のハ―ドデイスクは、ＣｏＣｒ
Ｔａ系磁性体をスパツタする際に、ガラスやＮｉ−Ｐ／
Ａｌなどの基体を２５０℃以上に加熱し、これによりＣ
ｏ結晶粒の周りにＣｒリツチ非磁性を偏析させて、Ｃｏ
結晶粒間の磁気的相互作用を断ち切り、高記録密度領域
でのノイズを低下させている。Ｃｏ結晶粒の周りに偏析
したＣｒリツチ非磁性は、磁性膜自身の耐食性を高める
作用もある。
Ｔａ系磁性体をスパツタする際に、ガラスやＮｉ−Ｐ／
Ａｌなどの基体を２５０℃以上に加熱し、これによりＣ
ｏ結晶粒の周りにＣｒリツチ非磁性を偏析させて、Ｃｏ
結晶粒間の磁気的相互作用を断ち切り、高記録密度領域
でのノイズを低下させている。Ｃｏ結晶粒の周りに偏析
したＣｒリツチ非磁性は、磁性膜自身の耐食性を高める
作用もある。
【０００６】しかし、プラスチツク非磁性基体を用いた
薄膜型磁気記録媒体は、上記基体の耐熱性に劣るため、
成膜時に基体を加熱し、非磁性Ｃｒ偏析による磁気特性
の向上を図るという方法を採れない。このため、基体の
非加熱状態下で成膜するが、この場合Ｃｏ結晶粒を物理
的に分離し、磁気的相互作用を断ち切る必要がある。ま
た、磁性体のうち、ＣｏＣｒＰｔ系磁性体は、結晶磁気
異方性が大きく、低温で成膜しても比較的大きな保磁力
が得られ、プラスチツク非磁性基体を用いる場合、高記
録密度を実現するための重要な磁性材料となる。
薄膜型磁気記録媒体は、上記基体の耐熱性に劣るため、
成膜時に基体を加熱し、非磁性Ｃｒ偏析による磁気特性
の向上を図るという方法を採れない。このため、基体の
非加熱状態下で成膜するが、この場合Ｃｏ結晶粒を物理
的に分離し、磁気的相互作用を断ち切る必要がある。ま
た、磁性体のうち、ＣｏＣｒＰｔ系磁性体は、結晶磁気
異方性が大きく、低温で成膜しても比較的大きな保磁力
が得られ、プラスチツク非磁性基体を用いる場合、高記
録密度を実現するための重要な磁性材料となる。
【０００７】また、従来のハ―ドデイスクは、磁気記録
を担う磁性層がＣｏ合金系の金属薄膜からなるため、塗
布型媒体に比べて、耐久性や耐食性の面での信頼性に劣
る。この信頼性の改善のため、金属薄膜上に適宜の保護
膜、とくにカ―ボン系保護膜を設けるようにしている。
このような保護膜の設計は、磁性材料の研究開発と同等
以上に重要な課題である。さらに近年、より高い記録密
度を実現するため、保護膜の厚さは３０ｎｍ未満に薄膜
化され、記録再生時の磁気ヘツド浮上量は５０ｎｍ前後
に設計されており、媒体の高耐食性化、磁気ヘツドスラ
イダと保護膜間のトロイボロジ―は、重要な研究課題と
なつている。
を担う磁性層がＣｏ合金系の金属薄膜からなるため、塗
布型媒体に比べて、耐久性や耐食性の面での信頼性に劣
る。この信頼性の改善のため、金属薄膜上に適宜の保護
膜、とくにカ―ボン系保護膜を設けるようにしている。
このような保護膜の設計は、磁性材料の研究開発と同等
以上に重要な課題である。さらに近年、より高い記録密
度を実現するため、保護膜の厚さは３０ｎｍ未満に薄膜
化され、記録再生時の磁気ヘツド浮上量は５０ｎｍ前後
に設計されており、媒体の高耐食性化、磁気ヘツドスラ
イダと保護膜間のトロイボロジ―は、重要な研究課題と
なつている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このように、Ｎｉ−Ｐ
／Ａｌやガラスなどの硬質非磁性基体に代えて、射出成
形したプラスチツク非磁性基体を用いると、デイスクの
コスト低減に大きく貢献できる反面、上記基体が耐熱性
に乏しいことから、高記録密度領域でのノイズを低減す
るために上記基体を加熱した状態で成膜することができ
ない。その結果、上記ノイズ低減のために、Ｃｏ結晶粒
を物理的に分離し、磁気的相互作用を断ち切る必要があ
る。また、低温成膜で満足な磁気特性を得るには、結晶
磁気異方性の大きいＣｏＣｒＰｔ系磁性体を用いるのが
望ましい。
／Ａｌやガラスなどの硬質非磁性基体に代えて、射出成
形したプラスチツク非磁性基体を用いると、デイスクの
コスト低減に大きく貢献できる反面、上記基体が耐熱性
に乏しいことから、高記録密度領域でのノイズを低減す
るために上記基体を加熱した状態で成膜することができ
ない。その結果、上記ノイズ低減のために、Ｃｏ結晶粒
を物理的に分離し、磁気的相互作用を断ち切る必要があ
る。また、低温成膜で満足な磁気特性を得るには、結晶
磁気異方性の大きいＣｏＣｒＰｔ系磁性体を用いるのが
望ましい。
【０００９】ここで、Ｃｏ結晶粒を物理分離する有効な
手段として、プラスチツク非磁性基体上に非磁性Ｃｒ合
金などの適宜の下地層を設けて、上記基体表面を粗面化
し、この上にＣｏ合金薄膜を成膜する方法がある。これ
によると、高記録密度領域でのノイズが低減し、Ｓ／Ｎ
比が向上するが、その反面、上記薄膜からなる磁性層の
連続性が低下して膜が疎化する。その結果、磁性層の表
面粗さが大きくなり、カ―ボン系保護膜の被覆性が低下
し、耐食性が劣化しやすい。
手段として、プラスチツク非磁性基体上に非磁性Ｃｒ合
金などの適宜の下地層を設けて、上記基体表面を粗面化
し、この上にＣｏ合金薄膜を成膜する方法がある。これ
によると、高記録密度領域でのノイズが低減し、Ｓ／Ｎ
比が向上するが、その反面、上記薄膜からなる磁性層の
連続性が低下して膜が疎化する。その結果、磁性層の表
面粗さが大きくなり、カ―ボン系保護膜の被覆性が低下
し、耐食性が劣化しやすい。
【００１０】また、Ｃｏ合金系磁性材料として、とくに
ＣｏＣｒＰｔ系磁性体を使用して、これをプラスチツク
非磁性基体上に低温でスパツタすると、Ｃｏ結晶粒の周
囲に非磁性Ｃｒリツチ層が十分に偏析しないこと、さら
にはＰｔが貴な金属であるため、Ｃｏとの電気化学的電
位差が大きいことにより、上記磁性体からなる磁性層の
耐食性がより一段と低下する問題を有していた。
ＣｏＣｒＰｔ系磁性体を使用して、これをプラスチツク
非磁性基体上に低温でスパツタすると、Ｃｏ結晶粒の周
囲に非磁性Ｃｒリツチ層が十分に偏析しないこと、さら
にはＰｔが貴な金属であるため、Ｃｏとの電気化学的電
位差が大きいことにより、上記磁性体からなる磁性層の
耐食性がより一段と低下する問題を有していた。
【００１１】本発明は、このような事情に照らし、プラ
スチツク非磁性基体上にＣｏ合金系磁性層を設けてなる
薄膜型磁気記録媒体において、上記磁性層の耐食性が改
善された薄膜型磁気記録媒体を提供すること、また上記
耐食性に加えて耐久性にもすぐれた薄膜型磁気記録媒体
を提供することを目的としている。
スチツク非磁性基体上にＣｏ合金系磁性層を設けてなる
薄膜型磁気記録媒体において、上記磁性層の耐食性が改
善された薄膜型磁気記録媒体を提供すること、また上記
耐食性に加えて耐久性にもすぐれた薄膜型磁気記録媒体
を提供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、プラスチ
ツク非磁性基体上にＣｏ合金系磁性層を低温成膜するに
あたり、高記録密度領域でのノイズ低減のためＣｏ結晶
粒を物理分離すると、膜の連続性が失われ、磁性粒子が
粗大化して、磁性層の表面粗さが大きくなり、この上に
カ―ボンをスパツタすると、スパツタされるカ―ボンク
ラスタが高い指向性を有しているために、シヤド―イン
グ作用により保護膜の被覆性が低下し、とくに磁性粒子
間の谷間での被覆性が悪く、この部分では磁性層が大気
（水と酸素、またはＮＯｘ、ＳＯｘなどの腐食ガス）に
露出した状態になつて腐食が進行し、耐食性が顕著に悪
化してくるものであると考えた。
ツク非磁性基体上にＣｏ合金系磁性層を低温成膜するに
あたり、高記録密度領域でのノイズ低減のためＣｏ結晶
粒を物理分離すると、膜の連続性が失われ、磁性粒子が
粗大化して、磁性層の表面粗さが大きくなり、この上に
カ―ボンをスパツタすると、スパツタされるカ―ボンク
ラスタが高い指向性を有しているために、シヤド―イン
グ作用により保護膜の被覆性が低下し、とくに磁性粒子
間の谷間での被覆性が悪く、この部分では磁性層が大気
（水と酸素、またはＮＯｘ、ＳＯｘなどの腐食ガス）に
露出した状態になつて腐食が進行し、耐食性が顕著に悪
化してくるものであると考えた。
【００１３】そこで、上記カ―ボン系保護膜の被覆性を
高めるために、検討を加えた結果、Ｃｏ系磁性層上に水
素ガスや炭化水素の存在下カ―ボンをスパツタするか、
水素ガスをキヤリヤ―ガス、炭化水素をモノマ―ガスと
して、ＣＶＤ法によりカ―ボンを被覆すると、系内に発
生する活性水素により磁性層表面の凸部がエツチングさ
れて、磁性層表面が平坦化され、これによりシヤド―イ
ング作用が低減され、また活性炭素が発生する系では上
記炭素の指向性が低く、磁性層への付き回り性が良くな
り、とくにＣＶＤ法ではこれ特有の低い指向性を示すた
め、磁性層に対する被覆性が高められることがわかつ
た。また、このように形成されるカ―ボン系保護膜は活
性水素と炭素が結合した水素含有アモルフアスカ―ボン
からなり、上記良好な被覆性によつてＣｏ系磁性層の耐
食性を大きく改善でき、低温成膜でも良好な磁気特性を
与える結晶磁気異方性の大きいＣｏＣｒＰｔ系磁性体を
用いたときでも、その耐食性を高度に改善できることが
わかつた。
高めるために、検討を加えた結果、Ｃｏ系磁性層上に水
素ガスや炭化水素の存在下カ―ボンをスパツタするか、
水素ガスをキヤリヤ―ガス、炭化水素をモノマ―ガスと
して、ＣＶＤ法によりカ―ボンを被覆すると、系内に発
生する活性水素により磁性層表面の凸部がエツチングさ
れて、磁性層表面が平坦化され、これによりシヤド―イ
ング作用が低減され、また活性炭素が発生する系では上
記炭素の指向性が低く、磁性層への付き回り性が良くな
り、とくにＣＶＤ法ではこれ特有の低い指向性を示すた
め、磁性層に対する被覆性が高められることがわかつ
た。また、このように形成されるカ―ボン系保護膜は活
性水素と炭素が結合した水素含有アモルフアスカ―ボン
からなり、上記良好な被覆性によつてＣｏ系磁性層の耐
食性を大きく改善でき、低温成膜でも良好な磁気特性を
与える結晶磁気異方性の大きいＣｏＣｒＰｔ系磁性体を
用いたときでも、その耐食性を高度に改善できることが
わかつた。
【００１４】一方、このような水素含有アモルフアスカ
―ボンからなるカ―ボン系保護膜によると、デイスクの
走行耐久性などを良くするためにカ―ボン系保護膜上に
通常設けられる潤滑層が存在する状態、つまり潤滑状態
での摩擦係数が増大する傾向があり、これは水素含有ア
モルフアスカ―ボン中の水素含有量に比例して顕著とな
つて、上記耐久性を悪化させる原因となることが判明し
た。そこで、この問題を克服するために、さらに検討を
加えたところ、上記水素含有アモルフアスカ―ボンを第
１の保護膜（下層）として、この上に水素を含まないア
モルフアスカ―ボン、水素を含有するがその含有量が上
記第１の保護膜よりも低くされた水素含有アモルフアス
カ―ボン、あるいはこれらに窒素を含ませた窒素含有ア
モルフアスカ―ボンからなる第２の保護膜（上層）を設
けて、２層構成のカ―ボン系保護膜とすることにより、
第１の保護膜に基づく良好な耐食性に加えて、第２の保
護膜により潤滑状態での摩擦係数が低減して、デイスク
の走行耐久性などに非常に好結果が得られることを知
り、本発明を完成するに至つた。
―ボンからなるカ―ボン系保護膜によると、デイスクの
走行耐久性などを良くするためにカ―ボン系保護膜上に
通常設けられる潤滑層が存在する状態、つまり潤滑状態
での摩擦係数が増大する傾向があり、これは水素含有ア
モルフアスカ―ボン中の水素含有量に比例して顕著とな
つて、上記耐久性を悪化させる原因となることが判明し
た。そこで、この問題を克服するために、さらに検討を
加えたところ、上記水素含有アモルフアスカ―ボンを第
１の保護膜（下層）として、この上に水素を含まないア
モルフアスカ―ボン、水素を含有するがその含有量が上
記第１の保護膜よりも低くされた水素含有アモルフアス
カ―ボン、あるいはこれらに窒素を含ませた窒素含有ア
モルフアスカ―ボンからなる第２の保護膜（上層）を設
けて、２層構成のカ―ボン系保護膜とすることにより、
第１の保護膜に基づく良好な耐食性に加えて、第２の保
護膜により潤滑状態での摩擦係数が低減して、デイスク
の走行耐久性などに非常に好結果が得られることを知
り、本発明を完成するに至つた。
【００１５】すなわち、本発明は、プラスチツク非磁性
基体上にＣｏ合金系磁性層を設け、この上にカ―ボン系
保護膜を設け、さらにこの上に潤滑層を設けてなる磁気
記録媒体において、上記のカ―ボン系保護膜は、水素含
有アモルフアスカ―ボンからなる第１の保護膜（下層）
と、水素を含まないアモルフアスカ―ボン、水素含有量
が第１の保護膜に比べて低い水素含有アモルフアスカ―
ボンまたはこれらに窒素を含ませた窒素含有アモルフア
スカ―ボンからなる第２の保護膜（上層）とにより構成
されていることを特徴とする磁気記録媒体（請求項１）
に係るものである。また、上記第１の保護膜を構成する
水素含有アモルフアスカ―ボンの水素含有量［Ｈ／（Ｃ
＋Ｈ）］が０．２〜０．５である構成（請求項２）、第
２の保護膜を構成する水素含有アモルフアスカ―ボンの
水素含有量［Ｈ／（Ｃ＋Ｈ）］が０．２未満である構成
（請求項３）、第２の保護膜を構成する窒素含有アモル
フアスカ―ボンの窒素含有量〔Ｎ／（Ｃ＋Ｈ＋Ｎ）］が
０．０５〜０．５である構成（請求項４）からなる、上
記磁気記録媒体に係るものである。
基体上にＣｏ合金系磁性層を設け、この上にカ―ボン系
保護膜を設け、さらにこの上に潤滑層を設けてなる磁気
記録媒体において、上記のカ―ボン系保護膜は、水素含
有アモルフアスカ―ボンからなる第１の保護膜（下層）
と、水素を含まないアモルフアスカ―ボン、水素含有量
が第１の保護膜に比べて低い水素含有アモルフアスカ―
ボンまたはこれらに窒素を含ませた窒素含有アモルフア
スカ―ボンからなる第２の保護膜（上層）とにより構成
されていることを特徴とする磁気記録媒体（請求項１）
に係るものである。また、上記第１の保護膜を構成する
水素含有アモルフアスカ―ボンの水素含有量［Ｈ／（Ｃ
＋Ｈ）］が０．２〜０．５である構成（請求項２）、第
２の保護膜を構成する水素含有アモルフアスカ―ボンの
水素含有量［Ｈ／（Ｃ＋Ｈ）］が０．２未満である構成
（請求項３）、第２の保護膜を構成する窒素含有アモル
フアスカ―ボンの窒素含有量〔Ｎ／（Ｃ＋Ｈ＋Ｎ）］が
０．０５〜０．５である構成（請求項４）からなる、上
記磁気記録媒体に係るものである。
【００１６】また、本発明は、これらの磁気記録媒体に
おいて、とくに、カ―ボン系保護膜における第１の保護
膜と第２の保護膜との合計の膜厚が３０ｎｍ以下に設定
されている構成（請求項５）、カ―ボン系保護膜におけ
る第１の保護膜と第２の保護膜との合計の膜厚中、第１
の保護膜の占める割合が２０〜７５％である構成（請求
項６）、プラスチツク非磁性基体がポリカ―ボネ―ト、
ノルボルネン系アモルフアスポリオレフイン、ポリエ―
テルイミド、ポリエ―テルスルフオン、フエノ―ル樹脂
から選ばれる高分子を射出成形してなるものである構成
（請求項７）、さらにＣｏ合金系磁性層がプラスチツク
非磁性基体の非加熱状態下で設けられたＣｏＣｒＰｔ系
磁性体からなる構成（請求項８）、またプラスチツク非
磁性基体とＣｏ合金系磁性層との間に、非磁性無機バツ
フア―層と、非磁性Ｃｒ合金下地層または非磁性Ｎｉ−
Ｐ下地層を、この順に設けてなる構成（請求項９）を、
それぞれ好ましい態様としたものである。
おいて、とくに、カ―ボン系保護膜における第１の保護
膜と第２の保護膜との合計の膜厚が３０ｎｍ以下に設定
されている構成（請求項５）、カ―ボン系保護膜におけ
る第１の保護膜と第２の保護膜との合計の膜厚中、第１
の保護膜の占める割合が２０〜７５％である構成（請求
項６）、プラスチツク非磁性基体がポリカ―ボネ―ト、
ノルボルネン系アモルフアスポリオレフイン、ポリエ―
テルイミド、ポリエ―テルスルフオン、フエノ―ル樹脂
から選ばれる高分子を射出成形してなるものである構成
（請求項７）、さらにＣｏ合金系磁性層がプラスチツク
非磁性基体の非加熱状態下で設けられたＣｏＣｒＰｔ系
磁性体からなる構成（請求項８）、またプラスチツク非
磁性基体とＣｏ合金系磁性層との間に、非磁性無機バツ
フア―層と、非磁性Ｃｒ合金下地層または非磁性Ｎｉ−
Ｐ下地層を、この順に設けてなる構成（請求項９）を、
それぞれ好ましい態様としたものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明におけるプラスチツク非磁
性基体としては、Ｎｉ−Ｐ／Ａｌやガラスなどの硬質非
磁性基体に代わるものとして、ポリカ―ボネ―ト、ノル
ボルネン系アモルフアスポリオレフイン、ポリエ―テル
イミド、ポリエ―テルスルフオン、フエノ―ル樹脂から
選ばれる高分子を射出成形してなるものが用いられる。
厚さはとくに限定されないが、通常は０．５〜２mmであ
る。
性基体としては、Ｎｉ−Ｐ／Ａｌやガラスなどの硬質非
磁性基体に代わるものとして、ポリカ―ボネ―ト、ノル
ボルネン系アモルフアスポリオレフイン、ポリエ―テル
イミド、ポリエ―テルスルフオン、フエノ―ル樹脂から
選ばれる高分子を射出成形してなるものが用いられる。
厚さはとくに限定されないが、通常は０．５〜２mmであ
る。
【００１８】本発明において、上記のプラスチツク非磁
性基体上にＣｏ合金系磁性層を設けるにあたり、下地処
理として、通常は、非磁性無機バツフア―層と、非磁性
Ｃｒ合金下地層または非磁性Ｎｉ−Ｐ下地層とを、この
順に設ける。前者の非磁性無機バツフア―層は、上記基
体がプラスチツク製で柔らかいため、この層を設けるこ
とにより基体の表面硬度を高めるためのものであり、Ｓ
ｉＮ、カ―ボン、シリコンなどの厚さが通常５〜１００
ｎｍの層が用いられる。
性基体上にＣｏ合金系磁性層を設けるにあたり、下地処
理として、通常は、非磁性無機バツフア―層と、非磁性
Ｃｒ合金下地層または非磁性Ｎｉ−Ｐ下地層とを、この
順に設ける。前者の非磁性無機バツフア―層は、上記基
体がプラスチツク製で柔らかいため、この層を設けるこ
とにより基体の表面硬度を高めるためのものであり、Ｓ
ｉＮ、カ―ボン、シリコンなどの厚さが通常５〜１００
ｎｍの層が用いられる。
【００１９】後者の非磁性Ｃｒ合金下地層または非磁性
ＮｉＰ下地層は、Ｃｏ合金系磁性層の結晶子サイズを均
一に微細化し、またＣｏの異方性主軸であるｃ軸を膜面
内に配向させる役割を有し、とくにＣｏ結晶粒を物理分
離して高記録密度領域でのノイズ低減とそれによるＳ／
Ｎ比の向上に寄与させるものである。この下地層の厚さ
は、通常５〜１００ｎｍであるのがよい。また、上記の
非磁性Ｃｒ合金下地層には、ＣｒＴｉ、ＣｒＶ、ＣｒＭ
ｏなどの合金が用いられる。
ＮｉＰ下地層は、Ｃｏ合金系磁性層の結晶子サイズを均
一に微細化し、またＣｏの異方性主軸であるｃ軸を膜面
内に配向させる役割を有し、とくにＣｏ結晶粒を物理分
離して高記録密度領域でのノイズ低減とそれによるＳ／
Ｎ比の向上に寄与させるものである。この下地層の厚さ
は、通常５〜１００ｎｍであるのがよい。また、上記の
非磁性Ｃｒ合金下地層には、ＣｒＴｉ、ＣｒＶ、ＣｒＭ
ｏなどの合金が用いられる。
【００２０】本発明におけるＣｏ合金系磁性層は、前記
のプラスチツク非磁性基体上に、上記のような下地処理
層を介して、設けられる。その際、プラスチツク非磁性
基体が耐熱性に乏しいために、この基体の非加熱状態
下、つまりこの基体を加熱することなく成膜する、低温
成膜が採用される。このような低温成膜を採用しても、
前記下地層の形成により、Ｃｏ結晶粒を十分に物理分離
することができる。このように成膜されるＣｏ合金系磁
性層の厚さとしては、とくに限定されないが、通常は１
０〜５０ｎｍであるのがよい。
のプラスチツク非磁性基体上に、上記のような下地処理
層を介して、設けられる。その際、プラスチツク非磁性
基体が耐熱性に乏しいために、この基体の非加熱状態
下、つまりこの基体を加熱することなく成膜する、低温
成膜が採用される。このような低温成膜を採用しても、
前記下地層の形成により、Ｃｏ結晶粒を十分に物理分離
することができる。このように成膜されるＣｏ合金系磁
性層の厚さとしては、とくに限定されないが、通常は１
０〜５０ｎｍであるのがよい。
【００２１】ここで、Ｃｏ合金系磁性材料としては、従
来のＣｏＣｒＴａ系磁性体を使用することもできるが、
とくに好ましくは、結晶磁気異方性が大きく、低温で成
膜しても比較的大きな保持力を得ることができ、高記録
密度を実現するうえで有用なＣｏＣｒＰｔ系磁性体が用
いられる。このＣｏＣｒＰｔ系磁性体としては、ＣｏＣ
ｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＴｉ、ＣｏＣ
ｒＰｔＴｉＴａ、ＣｏＣｒＰｔＮｉ、ＣｏＣｒＰｔ−Ｓ
ｉＯ2 、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＣｘ、ＣｏＣｒＰｔ−Ｃ、
ＣｏＣｒＰｔ−Ｏなどが挙げられる。
来のＣｏＣｒＴａ系磁性体を使用することもできるが、
とくに好ましくは、結晶磁気異方性が大きく、低温で成
膜しても比較的大きな保持力を得ることができ、高記録
密度を実現するうえで有用なＣｏＣｒＰｔ系磁性体が用
いられる。このＣｏＣｒＰｔ系磁性体としては、ＣｏＣ
ｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＴｉ、ＣｏＣ
ｒＰｔＴｉＴａ、ＣｏＣｒＰｔＮｉ、ＣｏＣｒＰｔ−Ｓ
ｉＯ2 、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＣｘ、ＣｏＣｒＰｔ−Ｃ、
ＣｏＣｒＰｔ−Ｏなどが挙げられる。
【００２２】本発明においては、このように低温成膜さ
れるＣｏ合金系磁性層上に、２層構成のカ―ボン系保護
膜の下層として、水素含有アモルフアスカ―ボンからな
る第１の保護膜を設けることにより、上記磁性層の耐食
性を向上させる。この第１の保護膜は、Ｃｏ系磁性層上
に、アルゴンガスと水素ガス雰囲気中でカ―ボンをス
パツタする方法、アルゴンガスとＣＨ4 、Ｃ2 Ｈ6 、
Ｃ2 Ｈ4 などの炭化水素雰囲気中でカ―ボンをスパツタ
する方法、水素ガスをキヤリヤ―ガスとし、ＣＨ4 、
Ｃ2 Ｈ6 、Ｃ2 Ｈ4 、Ｃ6 Ｈ6 などの炭化水素をモノマ
―ガスとして、ＣＶＤ法によりカ―ボンを被覆する方法
などにより、設けられる。
れるＣｏ合金系磁性層上に、２層構成のカ―ボン系保護
膜の下層として、水素含有アモルフアスカ―ボンからな
る第１の保護膜を設けることにより、上記磁性層の耐食
性を向上させる。この第１の保護膜は、Ｃｏ系磁性層上
に、アルゴンガスと水素ガス雰囲気中でカ―ボンをス
パツタする方法、アルゴンガスとＣＨ4 、Ｃ2 Ｈ6 、
Ｃ2 Ｈ4 などの炭化水素雰囲気中でカ―ボンをスパツタ
する方法、水素ガスをキヤリヤ―ガスとし、ＣＨ4 、
Ｃ2 Ｈ6 、Ｃ2 Ｈ4 、Ｃ6 Ｈ6 などの炭化水素をモノマ
―ガスとして、ＣＶＤ法によりカ―ボンを被覆する方法
などにより、設けられる。
【００２３】の方法では、プラズマ中で発生した活性
水素がＣｏ系磁性層表面をエツチングする作用を有し、
Ｃｏ結晶粒を物理分離したときに生成する磁性層表面の
凸部をエツチングして、その表面粗さを小さくする。つ
まり、磁性層表面がスパツタ中に平坦化され、シヤド―
イング作用が低減され、カ―ボン系保護膜の被覆性が高
められる。の方法では、プラズマ中で炭化水素が分解
して活性水素と活性炭素が発生し、活性水素は、上記同
様のエツチング作用によりＣｏ系磁性層表面を平坦化し
て、シヤド―イング作用を低減し、活性炭素は、スパツ
タされたカ―ボンクラスタに加えて、カ―ボン系保護膜
の供給源となり、これはとくに指向性が低いため、磁性
層表面への付き回り性が高い。このため、カ―ボン系保
護膜の被覆性がより高められる。の方法では、上記
と同様の作用に加えて、ＣＶＤ法特有の低い指向性によ
り、保護膜の被覆性がより一段と高められる。
水素がＣｏ系磁性層表面をエツチングする作用を有し、
Ｃｏ結晶粒を物理分離したときに生成する磁性層表面の
凸部をエツチングして、その表面粗さを小さくする。つ
まり、磁性層表面がスパツタ中に平坦化され、シヤド―
イング作用が低減され、カ―ボン系保護膜の被覆性が高
められる。の方法では、プラズマ中で炭化水素が分解
して活性水素と活性炭素が発生し、活性水素は、上記同
様のエツチング作用によりＣｏ系磁性層表面を平坦化し
て、シヤド―イング作用を低減し、活性炭素は、スパツ
タされたカ―ボンクラスタに加えて、カ―ボン系保護膜
の供給源となり、これはとくに指向性が低いため、磁性
層表面への付き回り性が高い。このため、カ―ボン系保
護膜の被覆性がより高められる。の方法では、上記
と同様の作用に加えて、ＣＶＤ法特有の低い指向性によ
り、保護膜の被覆性がより一段と高められる。
【００２４】このように成膜される第１の保護膜は、上
記〜のいずれの方法でも、活性水素と活性炭素が結
合してなる、水素含有アモルフアスカ―ボンとなる。こ
の水素含有アモルフアスカ―ボンの水素含有量［Ｈ／
（Ｃ＋Ｈ）］は、水素ガスや炭化水素などの導入量を調
整して、０．２〜０．５、好ましくは０．３〜０．４に
設定するのがよい。上記水素含有量が過少では、プラズ
マ中で発生する活性水素が不十分で、Ｃｏ系磁性層の表
面凸部をエツチングする作用が不足して、磁性層表面を
十分に平坦化できなかつたり、プラズマ中の活性炭素が
少なくて、指向性の低い炭素供給源が不足し、保護膜の
被覆性が低下する。また、上記水素含有量が過多となる
と、成膜されたカ―ボン系保護膜がポリマ―的となり、
膜強度とくに表面硬度が低下して、耐摺動性が悪化す
る。
記〜のいずれの方法でも、活性水素と活性炭素が結
合してなる、水素含有アモルフアスカ―ボンとなる。こ
の水素含有アモルフアスカ―ボンの水素含有量［Ｈ／
（Ｃ＋Ｈ）］は、水素ガスや炭化水素などの導入量を調
整して、０．２〜０．５、好ましくは０．３〜０．４に
設定するのがよい。上記水素含有量が過少では、プラズ
マ中で発生する活性水素が不十分で、Ｃｏ系磁性層の表
面凸部をエツチングする作用が不足して、磁性層表面を
十分に平坦化できなかつたり、プラズマ中の活性炭素が
少なくて、指向性の低い炭素供給源が不足し、保護膜の
被覆性が低下する。また、上記水素含有量が過多となる
と、成膜されたカ―ボン系保護膜がポリマ―的となり、
膜強度とくに表面硬度が低下して、耐摺動性が悪化す
る。
【００２５】また、上記の水素含有アモルフアスカ―ボ
ンは、炭素および水素以外に、窒素を含有していてもよ
い。窒素を含有させることにより、膜強度とくに表面硬
度が高くなるという効果が奏される。このときの窒素含
有量〔Ｎ／（Ｃ＋Ｈ＋Ｎ）］は、０．０５〜０．５、好
適には０．１〜０．４であるのがよい。窒素含有量が少
なすぎても多すぎても、膜強度の向上に好結果が得られ
ない。窒素を含有させるには、前記〜の成膜方法に
おいて、系内に水素ガスや炭化水素などとともに、所定
量の窒素ガスを導入すればよい。
ンは、炭素および水素以外に、窒素を含有していてもよ
い。窒素を含有させることにより、膜強度とくに表面硬
度が高くなるという効果が奏される。このときの窒素含
有量〔Ｎ／（Ｃ＋Ｈ＋Ｎ）］は、０．０５〜０．５、好
適には０．１〜０．４であるのがよい。窒素含有量が少
なすぎても多すぎても、膜強度の向上に好結果が得られ
ない。窒素を含有させるには、前記〜の成膜方法に
おいて、系内に水素ガスや炭化水素などとともに、所定
量の窒素ガスを導入すればよい。
【００２６】本発明においては、上記の水素含有アモル
フアスカ―ボンからなる第１の保護膜を下層として、さ
らにその上に、水素を含まないアモルフアスカ―ボン、
水素含有量が第１の保護膜に比べて低い水素含有アモル
フアスカ―ボンまたはこれらに窒素を含ませた窒素含有
アモルフアスカ―ボンからなる第２の保護膜を上層とし
て設けることにより、２層構成のカ―ボン系保護膜とす
る。この構成により、下層に基づく耐食性の改善に加え
て、上層に基づく潤滑状態での摩擦係数の低減により走
行耐久性などの維持に好結果を得ることができる。
フアスカ―ボンからなる第１の保護膜を下層として、さ
らにその上に、水素を含まないアモルフアスカ―ボン、
水素含有量が第１の保護膜に比べて低い水素含有アモル
フアスカ―ボンまたはこれらに窒素を含ませた窒素含有
アモルフアスカ―ボンからなる第２の保護膜を上層とし
て設けることにより、２層構成のカ―ボン系保護膜とす
る。この構成により、下層に基づく耐食性の改善に加え
て、上層に基づく潤滑状態での摩擦係数の低減により走
行耐久性などの維持に好結果を得ることができる。
【００２７】ここで、水素を含まないアモルフアスカ―
ボンは、アルゴンガス雰囲気中でカ―ボンをスパツタす
る通常の方法で設けることができる。また、水素含有量
が第１の保護膜に比べて低い水素含有アモルフアスカ―
ボンは、第１の保護膜の形成方法に準じて設けることが
でき、その際、水素ガスや炭化水素などの導入量を減ら
して、アモルフアスカ―ボン中の水素含有量［Ｈ／（Ｃ
＋Ｈ）］が０．２未満となるようにするのがよい。さら
に、窒素含有アモルフアスカ―ボンは、上記の水素を含
まないアモルフアスカ―ボンまたは水素含有量が第１の
保護膜に比べて低い水素含有アモルフアスカ―ボンの成
膜方法において、系内に所定量の窒素ガスを導入するこ
とにより、設けることができる。この際のアモルフアス
カ―ボン中の窒素含有量〔Ｎ／（Ｃ＋Ｈ＋Ｎ）］は、前
記同様の理由により、０．０５〜０．５、好ましくは
０．１〜０．４となるようにするのがよい。
ボンは、アルゴンガス雰囲気中でカ―ボンをスパツタす
る通常の方法で設けることができる。また、水素含有量
が第１の保護膜に比べて低い水素含有アモルフアスカ―
ボンは、第１の保護膜の形成方法に準じて設けることが
でき、その際、水素ガスや炭化水素などの導入量を減ら
して、アモルフアスカ―ボン中の水素含有量［Ｈ／（Ｃ
＋Ｈ）］が０．２未満となるようにするのがよい。さら
に、窒素含有アモルフアスカ―ボンは、上記の水素を含
まないアモルフアスカ―ボンまたは水素含有量が第１の
保護膜に比べて低い水素含有アモルフアスカ―ボンの成
膜方法において、系内に所定量の窒素ガスを導入するこ
とにより、設けることができる。この際のアモルフアス
カ―ボン中の窒素含有量〔Ｎ／（Ｃ＋Ｈ＋Ｎ）］は、前
記同様の理由により、０．０５〜０．５、好ましくは
０．１〜０．４となるようにするのがよい。
【００２８】このような第１の保護膜と第２の保護膜と
からなるカ―ボン系保護膜は、合計の膜厚が通常３０ｎ
ｍ以下に設定されているのが好ましい。３０ｎｍより厚
くなると、磁気的スペ―シングが増大し、高い密度で記
録再生する際の障害となる。また、第１および第２の保
護膜は、それぞれの膜厚が５ｎｍ以上であるのが望まし
く、これ未満となると連続膜とならず、島状に成長して
被覆性や耐久性が低下する。さらに、第１の保護膜と第
２の保護膜との合計の膜厚中、第１の保護膜の占める割
合は２０〜７５％であるのがよい。２０％未満では、被
覆性の低下により耐食性が改善されず、７５％を超える
と耐久性が低下する。
からなるカ―ボン系保護膜は、合計の膜厚が通常３０ｎ
ｍ以下に設定されているのが好ましい。３０ｎｍより厚
くなると、磁気的スペ―シングが増大し、高い密度で記
録再生する際の障害となる。また、第１および第２の保
護膜は、それぞれの膜厚が５ｎｍ以上であるのが望まし
く、これ未満となると連続膜とならず、島状に成長して
被覆性や耐久性が低下する。さらに、第１の保護膜と第
２の保護膜との合計の膜厚中、第１の保護膜の占める割
合は２０〜７５％であるのがよい。２０％未満では、被
覆性の低下により耐食性が改善されず、７５％を超える
と耐久性が低下する。
【００２９】本発明においては、上記カ―ボン系保護膜
上にさらに潤滑層を設けて、磁気記録媒体の耐久性を改
善する。この潤滑層の厚さとしては、通常１〜１０ｎｍ
とするのがよい。潤滑剤の種類としては、アウジモト社
製の「Ｆｏｍｂｌｉｎ−Ｚ−ＡＭ２００１」、「同−Ｄ
ＯＬ」、「同−ＤＥＡＬ」、「同−ＤＩＡＣ」、ダイキ
ン工業社製の「Ｄｅｍｕｎｕｍ−ＳＡ」、「同−Ｓ
Ｈ」、「同−ＳＰ」、「同−ＳＹ」、デユポン社製の
「Ｋｒｙｔｏｘ」などのパ―フルオロポリエ―テル系潤
滑剤や、脂肪族炭化水素系潤滑剤、フツ素置換アルキル
系潤滑剤、燐酸エステル系潤滑剤などが挙げられ、これ
らの中から、用途目的に応じて適宜のものを使用するこ
とができる。
上にさらに潤滑層を設けて、磁気記録媒体の耐久性を改
善する。この潤滑層の厚さとしては、通常１〜１０ｎｍ
とするのがよい。潤滑剤の種類としては、アウジモト社
製の「Ｆｏｍｂｌｉｎ−Ｚ−ＡＭ２００１」、「同−Ｄ
ＯＬ」、「同−ＤＥＡＬ」、「同−ＤＩＡＣ」、ダイキ
ン工業社製の「Ｄｅｍｕｎｕｍ−ＳＡ」、「同−Ｓ
Ｈ」、「同−ＳＰ」、「同−ＳＹ」、デユポン社製の
「Ｋｒｙｔｏｘ」などのパ―フルオロポリエ―テル系潤
滑剤や、脂肪族炭化水素系潤滑剤、フツ素置換アルキル
系潤滑剤、燐酸エステル系潤滑剤などが挙げられ、これ
らの中から、用途目的に応じて適宜のものを使用するこ
とができる。
【００３０】
【実施例】つぎに、本発明の実施例を記載して、より具
体的に説明する。以下において、カ―ボン系保護膜を構
成する第１および第２の保護膜中の水素含有量［Ｈ/(Ｃ
＋Ｈ）］はＨＦＳ（Ｈｙｄｒｏｇｅｎ Ｆｏｒｗａｒｄ
Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）により、また窒素含有量〔Ｎ
／（Ｃ＋Ｈ＋Ｎ）］はＸＰＳ（Ｘ−Ｒａｙ Ｐｈｏｔｏ
Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）により、それぞれ調べ
た。
体的に説明する。以下において、カ―ボン系保護膜を構
成する第１および第２の保護膜中の水素含有量［Ｈ/(Ｃ
＋Ｈ）］はＨＦＳ（Ｈｙｄｒｏｇｅｎ Ｆｏｒｗａｒｄ
Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）により、また窒素含有量〔Ｎ
／（Ｃ＋Ｈ＋Ｎ）］はＸＰＳ（Ｘ−Ｒａｙ Ｐｈｏｔｏ
Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）により、それぞれ調べ
た。
【００３１】実施例１ ノルボルネン系アモルフアスポリオレフイン樹脂を射出
成形して、厚さが１．２mmで、３．５インチサイズのプ
ラスチツク非磁性基体を作製した。このプラスチツク非
磁性基体上に、アルゴンガス雰囲気中、ＤＣマグネトロ
ンスパツタ法により、ＳｉＮｘからなる厚さが５０ｎｍ
の非磁性無機バツフア―層、ＮｉＰｘからなる厚さが５
０ｎｍの非磁性Ｎｉ−Ｐ下地層、ＣｏＣｒＰｔ磁性体か
らなる厚さが１５ｎｍのＣｏ合金系磁性層を、この順に
成膜した。
成形して、厚さが１．２mmで、３．５インチサイズのプ
ラスチツク非磁性基体を作製した。このプラスチツク非
磁性基体上に、アルゴンガス雰囲気中、ＤＣマグネトロ
ンスパツタ法により、ＳｉＮｘからなる厚さが５０ｎｍ
の非磁性無機バツフア―層、ＮｉＰｘからなる厚さが５
０ｎｍの非磁性Ｎｉ−Ｐ下地層、ＣｏＣｒＰｔ磁性体か
らなる厚さが１５ｎｍのＣｏ合金系磁性層を、この順に
成膜した。
【００３２】この磁性層上に、アルゴンガス流量９０ｓ
ｃｃｍ、ＣＨ4 ガス流量４０ｓｃｃｍの雰囲気中で、カ
―ボンタ―ゲツトをＤＣスパツタして、水素含有アモル
フアスカ―ボンからなる厚さが１０ｎｍの第１の保護膜
を成膜した。この第１の保護膜中の水素含有量［Ｈ／
（Ｃ＋Ｈ）］は０．２９であつた。つぎに、この上に、
アルゴンガス流量９０ｓｃｃｍの雰囲気中で、カ―ボン
タ―ゲツトをＤＣスパツタして、水素を含まないアモル
フアスカ―ボンからなる厚さが１０ｎｍの第２の保護膜
を成膜して、全厚が２０ｎｍの２層構成のカ―ボン系保
護膜を形成した。最後に、このカ―ボン系保護膜上に、
ステアリルアミンと部分フツ素化アルキルエステルから
なる潤滑剤をスピンコ―トして潤滑層を形成し、図１に
示される断面構造の磁気記録媒体を作製した。
ｃｃｍ、ＣＨ4 ガス流量４０ｓｃｃｍの雰囲気中で、カ
―ボンタ―ゲツトをＤＣスパツタして、水素含有アモル
フアスカ―ボンからなる厚さが１０ｎｍの第１の保護膜
を成膜した。この第１の保護膜中の水素含有量［Ｈ／
（Ｃ＋Ｈ）］は０．２９であつた。つぎに、この上に、
アルゴンガス流量９０ｓｃｃｍの雰囲気中で、カ―ボン
タ―ゲツトをＤＣスパツタして、水素を含まないアモル
フアスカ―ボンからなる厚さが１０ｎｍの第２の保護膜
を成膜して、全厚が２０ｎｍの２層構成のカ―ボン系保
護膜を形成した。最後に、このカ―ボン系保護膜上に、
ステアリルアミンと部分フツ素化アルキルエステルから
なる潤滑剤をスピンコ―トして潤滑層を形成し、図１に
示される断面構造の磁気記録媒体を作製した。
【００３３】なお、図１に示す磁気記録媒体において、
１はノルボルネン系アモルフアスポリオレフイン樹脂か
らなるプラスチツク非磁性基体、２はＳｉＮｘからなる
非磁性無機バツフア―層、３はＮｉＰｘからなる非磁性
Ｎｉ−Ｐ下地層、４はＣｏＣｒＰｔ磁性体からなるＣｏ
合金系磁性層、５は水素含有アモルフアスカ―ボンから
なる第１の保護膜５Ａと水素を含まないアモルフアスカ
―ボンからなる第２の保護膜５Ｂとの２層構成のカ―ボ
ン系保護膜、６はステアリルアミンと部分フツ素化アル
キルエステルからなる潤滑層である。
１はノルボルネン系アモルフアスポリオレフイン樹脂か
らなるプラスチツク非磁性基体、２はＳｉＮｘからなる
非磁性無機バツフア―層、３はＮｉＰｘからなる非磁性
Ｎｉ−Ｐ下地層、４はＣｏＣｒＰｔ磁性体からなるＣｏ
合金系磁性層、５は水素含有アモルフアスカ―ボンから
なる第１の保護膜５Ａと水素を含まないアモルフアスカ
―ボンからなる第２の保護膜５Ｂとの２層構成のカ―ボ
ン系保護膜、６はステアリルアミンと部分フツ素化アル
キルエステルからなる潤滑層である。
【００３４】実施例２ ２層構成のカ―ボン系保護膜の形成にあたり、第１の保
護膜の成膜後、アルゴンガス流量９０ｓｃｃｍ、ＣＨ4
ガス流量１０ｓｃｃｍの雰囲気中で、カ―ボンタ―ゲツ
トをＤＣスパツタして、水素含有量［Ｈ／（Ｃ＋Ｈ）］
が０．０８の水素含有アモルフアスカ―ボンからなる厚
さが１０ｎｍの第２の保護膜を形成した以外は、実施例
１と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
護膜の成膜後、アルゴンガス流量９０ｓｃｃｍ、ＣＨ4
ガス流量１０ｓｃｃｍの雰囲気中で、カ―ボンタ―ゲツ
トをＤＣスパツタして、水素含有量［Ｈ／（Ｃ＋Ｈ）］
が０．０８の水素含有アモルフアスカ―ボンからなる厚
さが１０ｎｍの第２の保護膜を形成した以外は、実施例
１と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
【００３５】実施例３ ２層構成のカ―ボン系保護膜の形成にあたり、第１の保
護膜の成膜後、アルゴンガス流量９０ｓｃｃｍ、ＣＨ4
ガス流量２０ｓｃｃｍの雰囲気中で、カ―ボンタ―ゲツ
トをＤＣスパツタして、水素含有量［Ｈ／（Ｃ＋Ｈ）］
が０．１５の水素含有アモルフアスカ―ボンからなる厚
さが１０ｎｍの第２の保護膜を形成した以外は、実施例
１と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
護膜の成膜後、アルゴンガス流量９０ｓｃｃｍ、ＣＨ4
ガス流量２０ｓｃｃｍの雰囲気中で、カ―ボンタ―ゲツ
トをＤＣスパツタして、水素含有量［Ｈ／（Ｃ＋Ｈ）］
が０．１５の水素含有アモルフアスカ―ボンからなる厚
さが１０ｎｍの第２の保護膜を形成した以外は、実施例
１と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
【００３６】実施例４ ２層構成のカ―ボン系保護膜の形成にあたり、第１の保
護膜の成膜後、アルゴンガス流量９０ｓｃｃｍ、窒素ガ
ス流量３０ｓｃｃｍの雰囲気中で、カ―ボンタ―ゲツト
をＤＣスパツタして、窒素含有量［Ｎ／（Ｃ＋Ｈ＋
Ｎ）］（Ｈ＝０）が０．０７の窒素含有アモルフアスカ
―ボンからなる厚さが１０ｎｍの第２の保護膜を形成し
た以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を作製
した。
護膜の成膜後、アルゴンガス流量９０ｓｃｃｍ、窒素ガ
ス流量３０ｓｃｃｍの雰囲気中で、カ―ボンタ―ゲツト
をＤＣスパツタして、窒素含有量［Ｎ／（Ｃ＋Ｈ＋
Ｎ）］（Ｈ＝０）が０．０７の窒素含有アモルフアスカ
―ボンからなる厚さが１０ｎｍの第２の保護膜を形成し
た以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を作製
した。
【００３７】実施例５ ２層構成のカ―ボン系保護膜の形成にあたり、第１の保
護膜の成膜後、アルゴンガス流量９０ｓｃｃｍ、窒素ガ
ス流量６０ｓｃｃｍの雰囲気中で、カ―ボンタ―ゲツト
をＤＣスパツタして、窒素含有量［Ｎ／（Ｃ＋Ｈ＋
Ｎ）］（Ｈ＝０）が０．１４の窒素含有アモルフアスカ
―ボンからなる厚さが１０ｎｍの第２の保護膜を形成し
た以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を作製
した。
護膜の成膜後、アルゴンガス流量９０ｓｃｃｍ、窒素ガ
ス流量６０ｓｃｃｍの雰囲気中で、カ―ボンタ―ゲツト
をＤＣスパツタして、窒素含有量［Ｎ／（Ｃ＋Ｈ＋
Ｎ）］（Ｈ＝０）が０．１４の窒素含有アモルフアスカ
―ボンからなる厚さが１０ｎｍの第２の保護膜を形成し
た以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を作製
した。
【００３８】実施例６ ２層構成のカ―ボン系保護膜の形成にあたり、第１の保
護膜の成膜後、アルゴンガス流量９０ｓｃｃｍ、窒素ガ
ス流量９０ｓｃｃｍの雰囲気中で、カ―ボンタ―ゲツト
をＤＣスパツタして、窒素含有量［Ｎ／（Ｃ＋Ｈ＋
Ｎ）］（Ｈ＝０）が０．２８の窒素含有アモルフアスカ
―ボンからなる厚さが１０ｎｍの第２の保護膜を形成し
た以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を作製
した。
護膜の成膜後、アルゴンガス流量９０ｓｃｃｍ、窒素ガ
ス流量９０ｓｃｃｍの雰囲気中で、カ―ボンタ―ゲツト
をＤＣスパツタして、窒素含有量［Ｎ／（Ｃ＋Ｈ＋
Ｎ）］（Ｈ＝０）が０．２８の窒素含有アモルフアスカ
―ボンからなる厚さが１０ｎｍの第２の保護膜を形成し
た以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を作製
した。
【００３９】実施例７ ２層構成のカ―ボン系保護膜の形成に際し、Ｃｏ合金系
磁性層上に、アルゴンガス流量９０ｓｃｃｍ、水素ガス
流量２０ｓｃｃｍの雰囲気中で、カ―ボンタ―ゲツトを
ＤＣスパツタして、水素含有アモルフアスカ―ボンから
なる厚さが１０ｎｍの第１の保護膜を成膜した。この第
１の保護膜中の水素含有量［Ｈ／（Ｃ＋Ｈ）］は０．２
２であつた。この上に実施例１と同様の第２の保護膜を
成膜した以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体
を作製した。
磁性層上に、アルゴンガス流量９０ｓｃｃｍ、水素ガス
流量２０ｓｃｃｍの雰囲気中で、カ―ボンタ―ゲツトを
ＤＣスパツタして、水素含有アモルフアスカ―ボンから
なる厚さが１０ｎｍの第１の保護膜を成膜した。この第
１の保護膜中の水素含有量［Ｈ／（Ｃ＋Ｈ）］は０．２
２であつた。この上に実施例１と同様の第２の保護膜を
成膜した以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体
を作製した。
【００４０】実施例８ ２層構成のカ―ボン系保護膜の形成に際し、Ｃｏ合金系
磁性層上に、アルゴンガス流量９０ｓｃｃｍ、水素ガス
流量６０ｓｃｃｍ、窒素ガス流量４０ｓｃｃｍの雰囲気
中で、カ―ボンタ―ゲツトをＤＣスパツタして、水素お
よび窒素含有アモルフアスカ―ボンからなる厚さが１０
ｎｍの第１の保護膜を成膜した。この第１の保護膜中の
水素含有量［Ｈ／（Ｃ＋Ｈ）］は０．４１、窒素含有量
［Ｎ／（Ｃ＋Ｈ＋Ｎ）］は０．１１であつた。この上に
実施例２と同様の第２の保護膜を成膜した以外は、実施
例１と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
磁性層上に、アルゴンガス流量９０ｓｃｃｍ、水素ガス
流量６０ｓｃｃｍ、窒素ガス流量４０ｓｃｃｍの雰囲気
中で、カ―ボンタ―ゲツトをＤＣスパツタして、水素お
よび窒素含有アモルフアスカ―ボンからなる厚さが１０
ｎｍの第１の保護膜を成膜した。この第１の保護膜中の
水素含有量［Ｈ／（Ｃ＋Ｈ）］は０．４１、窒素含有量
［Ｎ／（Ｃ＋Ｈ＋Ｎ）］は０．１１であつた。この上に
実施例２と同様の第２の保護膜を成膜した以外は、実施
例１と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
【００４１】実施例９ ２層構成のカ―ボン系保護膜の形成に際し、Ｃｏ合金系
磁性層上に、アルゴンガス流量９０ｓｃｃｍ、ＣＨ4 ガ
ス流量２０ｓｃｃｍの雰囲気中で、カ―ボンタ―ゲツト
をＤＣスパツタして、水素含有アモルフアスカ―ボンか
らなる厚さが１０ｎｍの第１の保護膜を成膜した。この
第１の保護膜中の水素含有量［Ｈ／（Ｃ＋Ｈ）］は０．
２１であつた。この上に実施例３と同様の第２の保護膜
を成膜した以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒
体を作製した。
磁性層上に、アルゴンガス流量９０ｓｃｃｍ、ＣＨ4 ガ
ス流量２０ｓｃｃｍの雰囲気中で、カ―ボンタ―ゲツト
をＤＣスパツタして、水素含有アモルフアスカ―ボンか
らなる厚さが１０ｎｍの第１の保護膜を成膜した。この
第１の保護膜中の水素含有量［Ｈ／（Ｃ＋Ｈ）］は０．
２１であつた。この上に実施例３と同様の第２の保護膜
を成膜した以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒
体を作製した。
【００４２】実施例１０ ２層構成のカ―ボン系保護膜の形成に際し、Ｃｏ合金系
磁性層上に、アルゴンガス流量９０ｓｃｃｍ、ＣＨ4 ガ
ス流量６０ｓｃｃｍ、窒素ガス流量４０ｓｃｃｍの雰囲
気中で、カ―ボンタ―ゲツトをＤＣスパツタして、水素
および窒素含有アモルフアスカ―ボンからなる厚さが１
０ｎｍの第１の保護膜を成膜した。この第１の保護膜中
の水素含有量［Ｈ／（Ｃ＋Ｈ）］は０．４０、窒素含有
量［Ｎ／（Ｃ＋Ｈ＋Ｎ）］は０．１１であつた。この上
に実施例４と同様の第２の保護膜を成膜した以外は、実
施例１と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
磁性層上に、アルゴンガス流量９０ｓｃｃｍ、ＣＨ4 ガ
ス流量６０ｓｃｃｍ、窒素ガス流量４０ｓｃｃｍの雰囲
気中で、カ―ボンタ―ゲツトをＤＣスパツタして、水素
および窒素含有アモルフアスカ―ボンからなる厚さが１
０ｎｍの第１の保護膜を成膜した。この第１の保護膜中
の水素含有量［Ｈ／（Ｃ＋Ｈ）］は０．４０、窒素含有
量［Ｎ／（Ｃ＋Ｈ＋Ｎ）］は０．１１であつた。この上
に実施例４と同様の第２の保護膜を成膜した以外は、実
施例１と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
【００４３】実施例１１ ２層構成のカ―ボン系保護膜の形成に際し、Ｃｏ合金系
磁性層上に、水素ガス流量４０ｓｃｃｍ、ＣＨ4 ガス流
量１００ｓｃｃｍの雰囲気中で、１３．５６ＭＨｚの高
周波電源を用いたＣＶＤ法により成膜して、水素含有ア
モルフアスカ―ボンからなる厚さが１０ｎｍの第１の保
護膜を成膜した。この第１の保護膜中の水素含有量［Ｈ
／（Ｃ＋Ｈ）］は０．３７であつた。ついで、この第１
の保護膜上に実施例５と同様の第２の保護膜を成膜した
以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を作製し
た。
磁性層上に、水素ガス流量４０ｓｃｃｍ、ＣＨ4 ガス流
量１００ｓｃｃｍの雰囲気中で、１３．５６ＭＨｚの高
周波電源を用いたＣＶＤ法により成膜して、水素含有ア
モルフアスカ―ボンからなる厚さが１０ｎｍの第１の保
護膜を成膜した。この第１の保護膜中の水素含有量［Ｈ
／（Ｃ＋Ｈ）］は０．３７であつた。ついで、この第１
の保護膜上に実施例５と同様の第２の保護膜を成膜した
以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を作製し
た。
【００４４】実施例１２ ２層構成のカ―ボン系保護膜の形成に際し、Ｃｏ合金系
磁性層上に、水素ガス流量８０ｓｃｃｍ、ＣＨ4 ガス流
量１００ｓｃｃｍ、窒素ガス流量４０ｓｃｃｍの雰囲気
中で、１３．５６ＭＨｚの高周波電源を用いたＣＶＤ法
により成膜し、水素および窒素含有アモルフアスカ―ボ
ンからなる厚さが１０ｎｍの第１の保護膜を成膜した。
この第１の保護膜中の水素含有量［Ｈ／（Ｃ＋Ｈ）］は
０．４８、窒素含有量［Ｎ／（Ｃ＋Ｈ＋Ｎ）］は０．１
０であつた。ついで、この第１の保護膜上に実施例６と
同様の第２の保護膜を成膜した以外は、実施例１と同様
にして、磁気記録媒体を作製した。
磁性層上に、水素ガス流量８０ｓｃｃｍ、ＣＨ4 ガス流
量１００ｓｃｃｍ、窒素ガス流量４０ｓｃｃｍの雰囲気
中で、１３．５６ＭＨｚの高周波電源を用いたＣＶＤ法
により成膜し、水素および窒素含有アモルフアスカ―ボ
ンからなる厚さが１０ｎｍの第１の保護膜を成膜した。
この第１の保護膜中の水素含有量［Ｈ／（Ｃ＋Ｈ）］は
０．４８、窒素含有量［Ｎ／（Ｃ＋Ｈ＋Ｎ）］は０．１
０であつた。ついで、この第１の保護膜上に実施例６と
同様の第２の保護膜を成膜した以外は、実施例１と同様
にして、磁気記録媒体を作製した。
【００４５】比較例１ Ｃｏ合金系磁性層上に、アルゴンガス流量９０ｓｃｃｍ
の雰囲気中で、カ―ボンタ―ゲツトをＤＣスパツタし
て、水素を含まないアモルフアスカ―ボンからなる厚さ
が２０ｎｍの単層構成のカ―ボン系保護膜を形成するよ
うにした以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体
を作製した。
の雰囲気中で、カ―ボンタ―ゲツトをＤＣスパツタし
て、水素を含まないアモルフアスカ―ボンからなる厚さ
が２０ｎｍの単層構成のカ―ボン系保護膜を形成するよ
うにした以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体
を作製した。
【００４６】比較例２ Ｃｏ合金系磁性層上に、アルゴンガス流量９０ｓｃｃ
ｍ、窒素ガス流量３０ｓｃｃｍの雰囲気中で、カ―ボン
タ―ゲツトをＤＣスパツタして、窒素含有量［Ｎ／（Ｃ
＋Ｈ＋Ｎ）］（Ｈ＝０）が０．１９の窒素含有アモルフ
アスカ―ボンからなる厚さが２０ｎｍの単層構成のカ―
ボン系保護膜を形成した以外は、実施例１と同様にし
て、磁気記録媒体を作製した。
ｍ、窒素ガス流量３０ｓｃｃｍの雰囲気中で、カ―ボン
タ―ゲツトをＤＣスパツタして、窒素含有量［Ｎ／（Ｃ
＋Ｈ＋Ｎ）］（Ｈ＝０）が０．１９の窒素含有アモルフ
アスカ―ボンからなる厚さが２０ｎｍの単層構成のカ―
ボン系保護膜を形成した以外は、実施例１と同様にし
て、磁気記録媒体を作製した。
【００４７】比較例３ Ｃｏ合金系磁性層上に、アルゴンガス流量９０ｓｃｃ
ｍ、ＣＨ4 ガス１０ｓｃｃｍの雰囲気中で、カ―ボンタ
―ゲツトをＤＣスパツタして、水素含有量［Ｈ／（Ｃ＋
Ｈ）］が０．０８の水素含有アモルフアスカ―ボンから
なる厚さが２０ｎｍの単層構成のカ―ボン系保護膜を形
成した以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を
作製した。
ｍ、ＣＨ4 ガス１０ｓｃｃｍの雰囲気中で、カ―ボンタ
―ゲツトをＤＣスパツタして、水素含有量［Ｈ／（Ｃ＋
Ｈ）］が０．０８の水素含有アモルフアスカ―ボンから
なる厚さが２０ｎｍの単層構成のカ―ボン系保護膜を形
成した以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を
作製した。
【００４８】比較例４ Ｃｏ合金系磁性層上に、アルゴンガス流量９０ｓｃｃ
ｍ、ＣＨ4 ガス４０ｓｃｃｍの雰囲気中で、カ―ボンタ
―ゲツトをＤＣスパツタして、水素含有量［Ｈ／（Ｃ＋
Ｈ）］が０．２９の水素含有アモルフアスカ―ボンから
なる厚さが２０ｎｍの単層構成のカ―ボン系保護膜を形
成した以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を
作製した。
ｍ、ＣＨ4 ガス４０ｓｃｃｍの雰囲気中で、カ―ボンタ
―ゲツトをＤＣスパツタして、水素含有量［Ｈ／（Ｃ＋
Ｈ）］が０．２９の水素含有アモルフアスカ―ボンから
なる厚さが２０ｎｍの単層構成のカ―ボン系保護膜を形
成した以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を
作製した。
【００４９】以上の実施例１〜１２および比較例１〜４
の各磁気記録媒体について、潤滑層を設ける前の媒体表
面のＣｏ濃度をＸＰＳ（Ｘ−Ｒａｙ Ｐｈｏｔｏ Ｓｐ
ｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）で分析した。また、潤滑層を設
けたのちに、下記の方法により、ＣＳＳ（Ｃｏｎｔａｃ
ｔ Ｓｔａｒｔ ａｎｄ Ｓｔｏｐ）耐久性試験を行
い、耐久性の評価を行つた。これらの結果を、表１にま
とめて示した。さらに、６０℃，９０％ＲＨの環境下に
放置し、磁性層の飽和磁化量の変化を調べて、耐食性を
評価した。この結果を表２に示した。
の各磁気記録媒体について、潤滑層を設ける前の媒体表
面のＣｏ濃度をＸＰＳ（Ｘ−Ｒａｙ Ｐｈｏｔｏ Ｓｐ
ｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）で分析した。また、潤滑層を設
けたのちに、下記の方法により、ＣＳＳ（Ｃｏｎｔａｃ
ｔ Ｓｔａｒｔ ａｎｄ Ｓｔｏｐ）耐久性試験を行
い、耐久性の評価を行つた。これらの結果を、表１にま
とめて示した。さらに、６０℃，９０％ＲＨの環境下に
放置し、磁性層の飽和磁化量の変化を調べて、耐食性を
評価した。この結果を表２に示した。
【００５０】＜ＣＳＳ耐久性試験＞ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏ
ｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）を１０ｎｍの厚さでコ
―テイングしたＡｌ2 Ｏ3 ／ＴｉＣスライダ―を、垂直
荷重３．５ｇで使用した。試験方法は、３秒間で線速度
１２．５ｍ／秒に加速し、１０秒間１２．５ｍ／秒で保
持し、６秒間で減速し、１１秒間停止する１サイクル３
０秒の試験であり、この試験により、潤滑層を介してカ
―ボン系保護膜およびＣｏ合金系磁性層が破壊するまで
のサイクル数を求めるものである。
ｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）を１０ｎｍの厚さでコ
―テイングしたＡｌ2 Ｏ3 ／ＴｉＣスライダ―を、垂直
荷重３．５ｇで使用した。試験方法は、３秒間で線速度
１２．５ｍ／秒に加速し、１０秒間１２．５ｍ／秒で保
持し、６秒間で減速し、１１秒間停止する１サイクル３
０秒の試験であり、この試験により、潤滑層を介してカ
―ボン系保護膜およびＣｏ合金系磁性層が破壊するまで
のサイクル数を求めるものである。
【００５１】
【００５２】
【００５３】上記の表１，表２から、水素含有アモルフ
アスカ―ボンからなる第１の保護膜と水素を含まないア
モルフアスカ―ボンなどからなる第２の保護膜との２層
構成のカ―ボン系保護膜を設けた実施例１〜１２の磁気
記録媒体は、いずれも、上記第１の保護膜に基づく高い
被覆性により、媒体表面からＣｏが全く検出されず、し
たがつて、６０℃，９０％ＲＨの環境下に放置しても、
磁性層の飽和磁化の減少率が小さく、高い耐食性が得ら
れており、しかもこの良好な耐食性に加えて、上記第２
の保護膜により潤滑状態での摩擦係数が低減して、ＣＳ
Ｓ耐久試験に非常に好結果が得られていることも明らか
である。
アスカ―ボンからなる第１の保護膜と水素を含まないア
モルフアスカ―ボンなどからなる第２の保護膜との２層
構成のカ―ボン系保護膜を設けた実施例１〜１２の磁気
記録媒体は、いずれも、上記第１の保護膜に基づく高い
被覆性により、媒体表面からＣｏが全く検出されず、し
たがつて、６０℃，９０％ＲＨの環境下に放置しても、
磁性層の飽和磁化の減少率が小さく、高い耐食性が得ら
れており、しかもこの良好な耐食性に加えて、上記第２
の保護膜により潤滑状態での摩擦係数が低減して、ＣＳ
Ｓ耐久試験に非常に好結果が得られていることも明らか
である。
【００５４】これに対して、単層構成のカ―ボン系保護
膜を設けた比較例１〜４の磁気記録媒体のうち、上記保
護膜を水素を含まない純アモルフアスカ―ボンで構成し
た比較例１、窒素含有アモルフアスカ―ボンで構成した
比較例２、水素を含有するがその水素含有量の低い水素
含有アモルフアスカ―ボンで構成した比較例３では、い
ずれも、保護膜の被覆性が低いために、媒体表面にＣｏ
がそれぞれ１．７原子％、１．３原子％、０．５原子％
も析出しており、このため、６０℃，９０％ＲＨの環境
下に放置したときに、上記析出量に応じて磁性層の飽和
磁化が大きく減少している。また、水素含有量を高くし
た水素含有アモルフアスカ―ボンで構成した比較例４
は、媒体表面のＣｏは検出されないが、潤滑状態での摩
擦係数が低減して、ＣＳＳ耐久試験に好結果が得られな
い。
膜を設けた比較例１〜４の磁気記録媒体のうち、上記保
護膜を水素を含まない純アモルフアスカ―ボンで構成し
た比較例１、窒素含有アモルフアスカ―ボンで構成した
比較例２、水素を含有するがその水素含有量の低い水素
含有アモルフアスカ―ボンで構成した比較例３では、い
ずれも、保護膜の被覆性が低いために、媒体表面にＣｏ
がそれぞれ１．７原子％、１．３原子％、０．５原子％
も析出しており、このため、６０℃，９０％ＲＨの環境
下に放置したときに、上記析出量に応じて磁性層の飽和
磁化が大きく減少している。また、水素含有量を高くし
た水素含有アモルフアスカ―ボンで構成した比較例４
は、媒体表面のＣｏは検出されないが、潤滑状態での摩
擦係数が低減して、ＣＳＳ耐久試験に好結果が得られな
い。
【００５５】実施例１３ ２層構成のカ―ボン系保護膜の形成に際し、Ｃｏ合金系
磁性層上に、アルゴン流量９０ｓｃｃｍ、ＣＨ4 ガス流
量４０ｓｃｃｍの雰囲気中で、カ―ボンタ―ゲツトをＤ
Ｃスパツタして、水素含有量［Ｈ／（Ｃ＋Ｈ）］が０．
２９の水素含有アモルフアスカ―ボンからなる厚さがＡ
ｎｍの第１の保護膜を形成し、この上に、アルゴンガス
流量９０ｓｃｃｍ、窒素ガス流量３０ｓｃｃｍの雰囲気
中で、カ―ボンタ―ゲツトをＤＣスパツタして、窒素含
有量［Ｎ／（Ｃ＋Ｈ＋Ｎ）］（Ｈ＝０）が０．０７の窒
素含有アモルフアスカ―ボンからなる厚さがＢｎｍの第
２の保護膜を形成して、上記の第１および第２の保護膜
の合計の膜厚（Ａ＋Ｂ）が２５ｎｍとなるようにした以
外は、実施例１と同様にして、Ａ，Ｂの厚さが表３に示
されるとおりのＮｏ．１〜６の磁気記録媒体を作製し
た。
磁性層上に、アルゴン流量９０ｓｃｃｍ、ＣＨ4 ガス流
量４０ｓｃｃｍの雰囲気中で、カ―ボンタ―ゲツトをＤ
Ｃスパツタして、水素含有量［Ｈ／（Ｃ＋Ｈ）］が０．
２９の水素含有アモルフアスカ―ボンからなる厚さがＡ
ｎｍの第１の保護膜を形成し、この上に、アルゴンガス
流量９０ｓｃｃｍ、窒素ガス流量３０ｓｃｃｍの雰囲気
中で、カ―ボンタ―ゲツトをＤＣスパツタして、窒素含
有量［Ｎ／（Ｃ＋Ｈ＋Ｎ）］（Ｈ＝０）が０．０７の窒
素含有アモルフアスカ―ボンからなる厚さがＢｎｍの第
２の保護膜を形成して、上記の第１および第２の保護膜
の合計の膜厚（Ａ＋Ｂ）が２５ｎｍとなるようにした以
外は、実施例１と同様にして、Ａ，Ｂの厚さが表３に示
されるとおりのＮｏ．１〜６の磁気記録媒体を作製し
た。
【００５６】この各磁気記録媒体について、前記と同様
にして、耐食性試験として６０℃，９０％ＲＨの環境下
に４週間放置したのちの飽和磁化の減少を測定し、さら
に、ＣＳＳ耐久性試験を行つた。これらの結果を、下記
の表３に示した。この表３の結果から、第１の保護膜と
第２の保護膜との合計の膜厚中、第１の保護膜が占める
割合〔Ａ／（Ａ＋Ｂ）〕×１００（％）が２０〜７５％
の範囲にあるＮｏ．２〜５の磁気記録媒体は、耐食性お
よびＣＳＳ耐久性の両特性を高度に満足しており、上記
範囲内に設定するのが望ましいものであることがわか
る。
にして、耐食性試験として６０℃，９０％ＲＨの環境下
に４週間放置したのちの飽和磁化の減少を測定し、さら
に、ＣＳＳ耐久性試験を行つた。これらの結果を、下記
の表３に示した。この表３の結果から、第１の保護膜と
第２の保護膜との合計の膜厚中、第１の保護膜が占める
割合〔Ａ／（Ａ＋Ｂ）〕×１００（％）が２０〜７５％
の範囲にあるＮｏ．２〜５の磁気記録媒体は、耐食性お
よびＣＳＳ耐久性の両特性を高度に満足しており、上記
範囲内に設定するのが望ましいものであることがわか
る。
【００５７】
【００５８】
【発明の効果】本発明においては、プラスチツク非磁性
基体上に低温成膜によりＣｏ合金系磁性層を設け、その
上に水素含有アモルフアスカ―ボンからなる第１の保護
膜と水素を含まないアモルフアスカ―ボンなどからなる
第２の保護膜との２層構成のカ―ボン系保護膜を設け、
さらにその上に潤滑層を設けるようにしたことにより、
上記第１の保護膜に基づく高い被覆性によつて耐食性に
すぐれる磁気記録媒体を提供できるとともに、上記第２
の保護膜に基づいて走行耐久性などにもすぐれる磁気記
録媒体を提供できるという効果が奏される。
基体上に低温成膜によりＣｏ合金系磁性層を設け、その
上に水素含有アモルフアスカ―ボンからなる第１の保護
膜と水素を含まないアモルフアスカ―ボンなどからなる
第２の保護膜との２層構成のカ―ボン系保護膜を設け、
さらにその上に潤滑層を設けるようにしたことにより、
上記第１の保護膜に基づく高い被覆性によつて耐食性に
すぐれる磁気記録媒体を提供できるとともに、上記第２
の保護膜に基づいて走行耐久性などにもすぐれる磁気記
録媒体を提供できるという効果が奏される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気記録媒体の一例を示す模式的断面
図である。
図である。
１ プラスチツク非磁性基体 ２ 非磁性無機バツフア―層 ３ 非磁性Ｎｉ−Ｐ下地層 ４ Ｃｏ合金系磁性層 ５ カ―ボン系保護膜 ５Ａ 第１の保護膜（下層） ５Ｂ 第２の保護膜（上層） ６ 潤滑層
フロントページの続き (72)発明者 関口 隆史 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内
Claims (9)
- 【請求項１】 プラスチツク非磁性基体上にＣｏ合金系
磁性層を設け、この上にカ―ボン系保護膜を設け、さら
にこの上に潤滑層を設けてなる磁気記録媒体において、
上記のカ―ボン系保護膜は、水素含有アモルフアスカ―
ボンからなる第１の保護膜（下層）と、水素を含まない
アモルフアスカ―ボン、水素含有量が第１の保護膜に比
べて低い水素含有アモルフアスカ―ボンまたはこれらに
窒素を含ませた窒素含有アモルフアスカ―ボンからなる
第２の保護膜（上層）とにより構成されていることを特
徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 カ―ボン系保護膜において、第１の保護
膜を構成する水素含有アモルフアスカ―ボンの水素含有
量［Ｈ／（Ｃ＋Ｈ）］が０．２〜０．５である請求項１
に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】 カ―ボン系保護膜において、第２の保護
膜を構成する水素含有アモルフアスカ―ボンの水素含有
量［Ｈ／（Ｃ＋Ｈ）］が０．２未満である請求項１また
は２に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項４】 カ―ボン系保護膜において、第２の保護
膜を構成する窒素含有アモルフアスカ―ボンの窒素含有
量〔Ｎ／（Ｃ＋Ｈ＋Ｎ）］が０．０５〜０．５である請
求項１または２に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項５】 カ―ボン系保護膜において、第１の保護
膜と第２の保護膜との合計の膜厚が３０ｎｍ以下に設定
されている請求項１〜４のいずれかに記載の磁気記録媒
体。 - 【請求項６】 カ―ボン系保護膜において、第１の保護
膜と第２の保護膜との合計の膜厚中、第１の保護膜の占
める割合が２０〜７５％である請求項１〜５のいずれか
に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項７】 プラスチツク非磁性基体は、ポリカ―ボ
ネ―ト、ノルボルネン系アモルフアスポリオレフイン、
ポリエ―テルイミド、ポリエ―テルスルフオン、フエノ
―ル樹脂から選ばれる高分子を射出成形してなるもので
ある請求項１〜６のいずれかに記載の磁気記録媒体。 - 【請求項８】 Ｃｏ合金系磁性層は、プラスチツク非磁
性基体の非加熱状態下で設けられたＣｏＣｒＰｔ系磁性
体からなる請求項１〜７のいずれかに記載の磁気記録媒
体。 - 【請求項９】 プラスチツク非磁性基体とＣｏ合金系磁
性層との間に、非磁性無機バツフア―層と、非磁性Ｃｒ
合金下地層または非磁性Ｎｉ−Ｐ下地層を、この順に設
けてなる請求項１〜８のいずれかに記載の磁気記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34607097A JPH11175960A (ja) | 1997-12-16 | 1997-12-16 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34607097A JPH11175960A (ja) | 1997-12-16 | 1997-12-16 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11175960A true JPH11175960A (ja) | 1999-07-02 |
Family
ID=18380946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34607097A Pending JPH11175960A (ja) | 1997-12-16 | 1997-12-16 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11175960A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6620481B2 (en) | 2000-07-06 | 2003-09-16 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium, magnetic recording medium manufacture method, and information regeneration apparatus |
| US6946191B2 (en) | 2002-02-25 | 2005-09-20 | Hoya Corporation | Magnetic recording medium |
| CN100373460C (zh) * | 2004-08-31 | 2008-03-05 | 富士通株式会社 | 磁性记录介质、磁头滑动器及其制造方法 |
| US7514163B2 (en) | 2004-06-08 | 2009-04-07 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic recording device |
| JP2010020830A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Panasonic Corp | 磁気記録媒体の保護層 |
| JP2010231863A (ja) * | 2009-03-28 | 2010-10-14 | Hoya Corp | 磁気ディスクの製造方法 |
| WO2011001774A1 (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-06 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
1997
- 1997-12-16 JP JP34607097A patent/JPH11175960A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6620481B2 (en) | 2000-07-06 | 2003-09-16 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium, magnetic recording medium manufacture method, and information regeneration apparatus |
| US6946191B2 (en) | 2002-02-25 | 2005-09-20 | Hoya Corporation | Magnetic recording medium |
| US7208236B2 (en) | 2002-02-25 | 2007-04-24 | Hoya Corporation | Magnetic recording medium with multi-portion carbon-based protection layer, and apparatus thereof |
| US7514163B2 (en) | 2004-06-08 | 2009-04-07 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic recording device |
| CN100373460C (zh) * | 2004-08-31 | 2008-03-05 | 富士通株式会社 | 磁性记录介质、磁头滑动器及其制造方法 |
| JP2010020830A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Panasonic Corp | 磁気記録媒体の保護層 |
| JP2010231863A (ja) * | 2009-03-28 | 2010-10-14 | Hoya Corp | 磁気ディスクの製造方法 |
| WO2011001774A1 (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-06 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JP2011014178A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Wd Media Singapore Pte Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
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