JPH04214864A - 成膜方法 - Google Patents
成膜方法Info
- Publication number
- JPH04214864A JPH04214864A JP3028910A JP2891091A JPH04214864A JP H04214864 A JPH04214864 A JP H04214864A JP 3028910 A JP3028910 A JP 3028910A JP 2891091 A JP2891091 A JP 2891091A JP H04214864 A JPH04214864 A JP H04214864A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- laser beam
- film
- window
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、レーザアブレーショ
ンを用いる成膜方法に関するもので、特に、長時間連続
した成膜を可能とするための改良に関するものである。
ンを用いる成膜方法に関するもので、特に、長時間連続
した成膜を可能とするための改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】レーザアブレーション法は、（１）ター
ゲットと析出された膜との間での組成のずれがない、（
２）低温でかつ高速の成膜が可能である、という特徴を
有しており、近年、酸化物超電導薄膜の製造方法として
注目されている。
ゲットと析出された膜との間での組成のずれがない、（
２）低温でかつ高速の成膜が可能である、という特徴を
有しており、近年、酸化物超電導薄膜の製造方法として
注目されている。
【０００３】レーザアブレーションにより成膜を行なう
場合、真空チャンバが用意され、真空チャンバ内には、
ターゲットおよびこれと対向して成膜されるべき基板が
配置される。真空チャンバの外部には、たとえばエキシ
マレーザ光を発生するレーザ発生装置が配置され、レー
ザ発生装置からのレーザ光は、真空チャンバの外部に配
置された集光レンズおよび真空チャンバに設けられた石
英またはスプラジルからなる窓を通って、ターゲットに
照射される。 通常、ターゲットに対するレーザ光の
入射角（レーザ光のターゲット面への入射方向とターゲ
ット面に垂直な法線とがなす角度）は、４５度に選ばれ
ている。
場合、真空チャンバが用意され、真空チャンバ内には、
ターゲットおよびこれと対向して成膜されるべき基板が
配置される。真空チャンバの外部には、たとえばエキシ
マレーザ光を発生するレーザ発生装置が配置され、レー
ザ発生装置からのレーザ光は、真空チャンバの外部に配
置された集光レンズおよび真空チャンバに設けられた石
英またはスプラジルからなる窓を通って、ターゲットに
照射される。 通常、ターゲットに対するレーザ光の
入射角（レーザ光のターゲット面への入射方向とターゲ
ット面に垂直な法線とがなす角度）は、４５度に選ばれ
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したレーザアブレ
ーション法によって成膜するとき、アブレーションによ
ってターゲットから飛散した粒子が、窓にも付着し、窓
を汚染するという問題があった。
ーション法によって成膜するとき、アブレーションによ
ってターゲットから飛散した粒子が、窓にも付着し、窓
を汚染するという問題があった。
【０００５】このような窓の汚染は、レーザ光を吸収ま
たは散乱させる。このため、ターゲット面に到達するレ
ーザ光のエネルギ密度およびその分布に変化を生じさせ
、その結果、得られた膜の性能も変化してしまう。した
がって、真空チャンバに設けられる窓は、頻繁に清浄な
ものと交換されなければならず、また、汚染された窓は
、研磨するなどして再使用できる状態としておかなけれ
ばならない。
たは散乱させる。このため、ターゲット面に到達するレ
ーザ光のエネルギ密度およびその分布に変化を生じさせ
、その結果、得られた膜の性能も変化してしまう。した
がって、真空チャンバに設けられる窓は、頻繁に清浄な
ものと交換されなければならず、また、汚染された窓は
、研磨するなどして再使用できる状態としておかなけれ
ばならない。
【０００６】しかしながら、上述したような窓の交換は
、比較的短時間の成膜をバッチ式で行なう場合には適用
可能であるが、比較的長時間の連続成膜や繰返し成膜を
行なわなければならない場合には、容易には適用するこ
とができない。したがって、比較的長時間の連続成膜や
繰返し成膜を行なう場合には、優れた特性を有する膜を
形成し得るエネルギ密度およびその分布を初期に設定し
ておいても、時間の経過とともに、得られた膜の特性が
変化するという問題があった。そのため、たとえば、長
尺体からなる基板上に連続的に成膜を安定した品質をも
って実施することが困難であった。
、比較的短時間の成膜をバッチ式で行なう場合には適用
可能であるが、比較的長時間の連続成膜や繰返し成膜を
行なわなければならない場合には、容易には適用するこ
とができない。したがって、比較的長時間の連続成膜や
繰返し成膜を行なう場合には、優れた特性を有する膜を
形成し得るエネルギ密度およびその分布を初期に設定し
ておいても、時間の経過とともに、得られた膜の特性が
変化するという問題があった。そのため、たとえば、長
尺体からなる基板上に連続的に成膜を安定した品質をも
って実施することが困難であった。
【０００７】それゆえに、この発明の目的は、窓の汚れ
を防止し、それによって長時間、所定の特性を有する膜
を安定して得ることができる、成膜方法を提供しようと
することである。
を防止し、それによって長時間、所定の特性を有する膜
を安定して得ることができる、成膜方法を提供しようと
することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、レーザアブ
レーションを用いる成膜方法に向けられるものであって
、上述した技術的課題を解決するため、ターゲットに対
するレーザ光の入射角が６０度以上とされることを特徴
としている。
レーションを用いる成膜方法に向けられるものであって
、上述した技術的課題を解決するため、ターゲットに対
するレーザ光の入射角が６０度以上とされることを特徴
としている。
【０００９】この発明は、好ましくは、酸化物超電導薄
膜の成膜に適用される。また、ターゲットに対するレー
ザ光の入射角は、７０度以上とされることがさらに好ま
しい。
膜の成膜に適用される。また、ターゲットに対するレー
ザ光の入射角は、７０度以上とされることがさらに好ま
しい。
【００１０】
【作用】レーザアブレーションによってターゲット表面
から飛散した粒子は、ターゲット面にほぼ垂直方向を中
心として分布しながら飛散する。この粒子の飛散方向は
、レーザ光の照射方向すなわちターゲット面への入射角
にほとんど依存しない。
から飛散した粒子は、ターゲット面にほぼ垂直方向を中
心として分布しながら飛散する。この粒子の飛散方向は
、レーザ光の照射方向すなわちターゲット面への入射角
にほとんど依存しない。
【００１１】本件発明者は、図２に示すようにターゲッ
ト１の主面２上にレーザ光３を照射し、粒子の飛散方向
を調査した。その結果、大部分の粒子は、主面２上のレ
ーザスポット４から仰角５を有する円錐６の中に収まり
、このときの仰角５の大きさが１４０度であることが判
明した。
ト１の主面２上にレーザ光３を照射し、粒子の飛散方向
を調査した。その結果、大部分の粒子は、主面２上のレ
ーザスポット４から仰角５を有する円錐６の中に収まり
、このときの仰角５の大きさが１４０度であることが判
明した。
【００１２】なお、飛散粒子の分布状態は、真空チャン
バ内に与えられる種々の条件、特に酸素ガス圧によって
影響される。一般的に言えば、酸素ガス圧が高いと、ア
ブレーションによって飛散した粒子の飛散方向が広がる
傾向がある。通常使用されている酸素ガス圧である１０
ｍＴｏｒｒの場合には、ターゲットと窓とが３０ｃｍ以
上離れていれば、窓の位置において、飛散粒子は、仰角
５が１２０度の円錐６内に大部分収まる。そのため、こ
の場合には、仰角５が１２０度の円錐６の外側に窓を配
置すれば、窓が飛散粒子によって汚染されることが防止
される。仰角５が１２０度の円錐６の外側に窓を配置し
ようとしたとき、この窓を通ってレーザ光３がターゲッ
ト１に向かって照射されるので、ターゲット１に対する
レーザ光３の入射角を６０度以上とすればよいことにな
る。
バ内に与えられる種々の条件、特に酸素ガス圧によって
影響される。一般的に言えば、酸素ガス圧が高いと、ア
ブレーションによって飛散した粒子の飛散方向が広がる
傾向がある。通常使用されている酸素ガス圧である１０
ｍＴｏｒｒの場合には、ターゲットと窓とが３０ｃｍ以
上離れていれば、窓の位置において、飛散粒子は、仰角
５が１２０度の円錐６内に大部分収まる。そのため、こ
の場合には、仰角５が１２０度の円錐６の外側に窓を配
置すれば、窓が飛散粒子によって汚染されることが防止
される。仰角５が１２０度の円錐６の外側に窓を配置し
ようとしたとき、この窓を通ってレーザ光３がターゲッ
ト１に向かって照射されるので、ターゲット１に対する
レーザ光３の入射角を６０度以上とすればよいことにな
る。
【００１３】他方、酸素ガス圧をより高くし、たとえば
、１００〜１０００ｍＴｏｒｒとした場合は、粒子の飛
散領域を示す円錐６の仰角５がより大きくなり、この仰
角５が１２０度の円錐６の外側近傍においても、若干の
粒子の飛散が認められる。しかしながら、仰角５が１４
０度の円錐６の範囲内であれば、ほとんどの粒子がその
中に収まる。したがって、酸度ガス圧を高める場合をも
考慮して窓の汚染をより完全に防止するためには、ター
ゲット１に対するレーザ光３の入射角が７０度以上とさ
れるのが好ましい。
、１００〜１０００ｍＴｏｒｒとした場合は、粒子の飛
散領域を示す円錐６の仰角５がより大きくなり、この仰
角５が１２０度の円錐６の外側近傍においても、若干の
粒子の飛散が認められる。しかしながら、仰角５が１４
０度の円錐６の範囲内であれば、ほとんどの粒子がその
中に収まる。したがって、酸度ガス圧を高める場合をも
考慮して窓の汚染をより完全に防止するためには、ター
ゲット１に対するレーザ光３の入射角が７０度以上とさ
れるのが好ましい。
【００１４】
【発明の効果】このように、この発明によれば、ターゲ
ットに対するレーザ光の入射角を、このレーザ光を通す
窓への粒子の飛散がほとんどないように選んでいるので
、長時間連続的にまたは多数回成膜を行なっても、同じ
または実質的に同じ品質の膜を安定して得ることができ
る。
ットに対するレーザ光の入射角を、このレーザ光を通す
窓への粒子の飛散がほとんどないように選んでいるので
、長時間連続的にまたは多数回成膜を行なっても、同じ
または実質的に同じ品質の膜を安定して得ることができ
る。
【００１５】したがって、この発明による成膜方法を、
長尺の基板上に連続的に膜を形成する場合に適用したと
き、特に顕著な効果が発揮される。そのため、この発明
に係る成膜方法は、長尺の基板上に酸化物超電導薄膜を
形成して、酸化物超電導線材を得ようとする場合に適用
すれば、特に有利である。
長尺の基板上に連続的に膜を形成する場合に適用したと
き、特に顕著な効果が発揮される。そのため、この発明
に係る成膜方法は、長尺の基板上に酸化物超電導薄膜を
形成して、酸化物超電導線材を得ようとする場合に適用
すれば、特に有利である。
【００１６】
【実施例】図１は、この発明の一実施例を実施するため
のレーザアブレーション装置７を示す説明図である。
のレーザアブレーション装置７を示す説明図である。
【００１７】図１を参照して、真空チャンバ８内は、た
とえば酸素を含む雰囲気とされる。このような真空チャ
ンバ８内には、ターゲット９が配置される。ターゲット
９は、矢印１０で示すように回転する回転軸１１によっ
て保持され、それによって、ターゲット９の主面のでき
るだけ広い領域がレーザ光１２の照射部分として利用さ
れ得るようにされる。
とえば酸素を含む雰囲気とされる。このような真空チャ
ンバ８内には、ターゲット９が配置される。ターゲット
９は、矢印１０で示すように回転する回転軸１１によっ
て保持され、それによって、ターゲット９の主面のでき
るだけ広い領域がレーザ光１２の照射部分として利用さ
れ得るようにされる。
【００１８】真空チャンバ８の外部には、レーザ発生装
置１３が配置される。レーザ発生装置１３によって発生
されたレーザ光１２は、集光レンズ１４および窓１５を
通って、ターゲット９に照射される。窓１５は、たとえ
ば石英またはスプラジルから構成される。窓１５は、真
空チャンバ８の本体部分から突き出たポート１６の先端
部に取付けられている。
置１３が配置される。レーザ発生装置１３によって発生
されたレーザ光１２は、集光レンズ１４および窓１５を
通って、ターゲット９に照射される。窓１５は、たとえ
ば石英またはスプラジルから構成される。窓１５は、真
空チャンバ８の本体部分から突き出たポート１６の先端
部に取付けられている。
【００１９】ターゲット９と対向する位置には、基板台
１７が設けられており、基板台１７上には、基板１８が
載せられている。基板台１７は、基板１８を加熱するた
めのヒータを内蔵している。
１７が設けられており、基板台１７上には、基板１８が
載せられている。基板台１７は、基板１８を加熱するた
めのヒータを内蔵している。
【００２０】上述のようなレーザアブレーション装置７
において、レーザ光１２をターゲット９に照射したとき
、ターゲット９から基板１８にかけて、プルーム１９が
発生する。「プルーム」とは、レーザアブレーションに
固有のプラズマを言い、イオンと原子、分子、イオン、
電子および励起状態の粒子等が併存した状態を言う。こ
のプルーム１９によって、基板１８上に薄膜が形成され
る。
において、レーザ光１２をターゲット９に照射したとき
、ターゲット９から基板１８にかけて、プルーム１９が
発生する。「プルーム」とは、レーザアブレーションに
固有のプラズマを言い、イオンと原子、分子、イオン、
電子および励起状態の粒子等が併存した状態を言う。こ
のプルーム１９によって、基板１８上に薄膜が形成され
る。
【００２１】この実施例では、ターゲット９に対するレ
ーザ光１２の入射角２０が、６０度以上、より好ましく
は７０度以上とされる。これによって、レーザアブレー
ションによりターゲット９から飛散した粒子が、窓１５
に付着して、窓１５が汚染されることを防止しようとす
るものである。
ーザ光１２の入射角２０が、６０度以上、より好ましく
は７０度以上とされる。これによって、レーザアブレー
ションによりターゲット９から飛散した粒子が、窓１５
に付着して、窓１５が汚染されることを防止しようとす
るものである。
【００２２】次に、この発明に従って実施した実験例に
ついて説明する。 実験例１ 直径５ｃｍのＹＢａ２ Ｃｕ３ Ｏ７−Ｘからなる焼結
ディスクをターゲットとし、以下の表に示すような条件
で成膜を繰返した。基板としては、（１００）面のＭｇ
Ｏ単結晶基板を使用した。また、１回当たりの成膜時間
を、４時間とした。また、ターゲット上のレーザスポッ
ト位置と窓との距離は、４０〜５０ｃｍであった。なお
、表１において、条件Ｎｏ．に＊を付したものは比較例
である。
ついて説明する。 実験例１ 直径５ｃｍのＹＢａ２ Ｃｕ３ Ｏ７−Ｘからなる焼結
ディスクをターゲットとし、以下の表に示すような条件
で成膜を繰返した。基板としては、（１００）面のＭｇ
Ｏ単結晶基板を使用した。また、１回当たりの成膜時間
を、４時間とした。また、ターゲット上のレーザスポッ
ト位置と窓との距離は、４０〜５０ｃｍであった。なお
、表１において、条件Ｎｏ．に＊を付したものは比較例
である。
【００２３】
【表１】
【００２４】成膜操作を１回行なう毎に、液体窒素温度
（７７．３Ｋ）での臨界電流密度を測定したところ、図
３に示すような結果が得られた。図３に示すように、こ
の発明の範囲内にあるＮｏ．２およびＮｏ．３では、成
膜操作を繰返しても、初期の臨界電流密度をほぼ維持す
ることができた。これに対して、この発明の範囲外であ
るＮｏ．１およびＮｏ．４では、２回目の成膜操作にお
いて、既に液体窒素温度では臨界電流密度を測定できな
いほど超電導特性の悪い膜しか得られなかった。
（７７．３Ｋ）での臨界電流密度を測定したところ、図
３に示すような結果が得られた。図３に示すように、こ
の発明の範囲内にあるＮｏ．２およびＮｏ．３では、成
膜操作を繰返しても、初期の臨界電流密度をほぼ維持す
ることができた。これに対して、この発明の範囲外であ
るＮｏ．１およびＮｏ．４では、２回目の成膜操作にお
いて、既に液体窒素温度では臨界電流密度を測定できな
いほど超電導特性の悪い膜しか得られなかった。
【００２５】実験例２
次の条件で、レーザアブレーション法によりの、Ｂｉ−
Ｐｂ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ高温酸化物超電導薄膜を作
製した。
Ｐｂ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ高温酸化物超電導薄膜を作
製した。
【００２６】
ターゲット：Ｂｉ１．８ Ｐｂ０．６ Ｓｒ２ Ｃａ２
Ｃｕ３．４ Ｏｘ 焼結体 基板温度：２００℃ レーザ：Ｑ−スウィッチＮｄ：ＹＡＧレーザ（１０６４
ｎｍ） エネルギ密度：２Ｊ／ｃｍ２ 繰返し周波数：２００Ｈｚ 酸素圧力：２００ｍＴｏｒｒ ターゲット・基板間距離：３５ｍｍ 成膜速度：４０〜６０オングストローム／分成膜時間：
１時間 上述の条件におけるレーザアブレーション法により得ら
れた膜は、アモルファスであり、４．２Ｋでも超電導特
性を示さなかった。
Ｃｕ３．４ Ｏｘ 焼結体 基板温度：２００℃ レーザ：Ｑ−スウィッチＮｄ：ＹＡＧレーザ（１０６４
ｎｍ） エネルギ密度：２Ｊ／ｃｍ２ 繰返し周波数：２００Ｈｚ 酸素圧力：２００ｍＴｏｒｒ ターゲット・基板間距離：３５ｍｍ 成膜速度：４０〜６０オングストローム／分成膜時間：
１時間 上述の条件におけるレーザアブレーション法により得ら
れた膜は、アモルファスであり、４．２Ｋでも超電導特
性を示さなかった。
【００２７】そこで、大気中において、８５０℃で６０
時間の熱処理を実施した。レーザ光の入射角を変えて、
成膜回数による臨界温度の変化を測定した。このとき、
レーザ光の入射角を変えると同時に、エネルギを変えて
、ターゲット上でのエネルギ密度を一定とした。また、
臨界温度は、通常の４端子法により測定した。
時間の熱処理を実施した。レーザ光の入射角を変えて、
成膜回数による臨界温度の変化を測定した。このとき、
レーザ光の入射角を変えると同時に、エネルギを変えて
、ターゲット上でのエネルギ密度を一定とした。また、
臨界温度は、通常の４端子法により測定した。
【００２８】表２には、レーザ光の入射角を変えたとき
の、成膜合計時間の増加による臨界温度に対する影響が
示されている。なお、実験時間の短縮のため、臨界温度
の測定を実施するときだけ、一旦、成膜操作を停止して
、真空を解除し、新たな基板を設置して、１時間の成膜
を実施し、途中においては、基板を使用せず、連続して
成膜操作を行なった。
の、成膜合計時間の増加による臨界温度に対する影響が
示されている。なお、実験時間の短縮のため、臨界温度
の測定を実施するときだけ、一旦、成膜操作を停止して
、真空を解除し、新たな基板を設置して、１時間の成膜
を実施し、途中においては、基板を使用せず、連続して
成膜操作を行なった。
【００２９】
【表２】
【００３０】上記の表２からわかるように、レーザ光の
入射角が「６０゜」および「７０゜」である試料Ｎｏ．
２および３においては、「５０゜」である試料Ｎｏ．１
に比べて、優れた結果が得られている。また、特に、「
７０゜」である試料Ｎｏ．３においては、「６０゜」で
ある試料Ｎｏ．２に比べて、さらに優れた結果が得られ
ている。
入射角が「６０゜」および「７０゜」である試料Ｎｏ．
２および３においては、「５０゜」である試料Ｎｏ．１
に比べて、優れた結果が得られている。また、特に、「
７０゜」である試料Ｎｏ．３においては、「６０゜」で
ある試料Ｎｏ．２に比べて、さらに優れた結果が得られ
ている。
【図１】この発明の一実施例を実施するためのレーザア
ブレーション装置７を示す説明図である。
ブレーション装置７を示す説明図である。
【図２】レーザアブレーションによってターゲット１か
ら飛散する粒子の方向を図解的に示す斜視図である。
ら飛散する粒子の方向を図解的に示す斜視図である。
【図３】この発明による効果を確認するために実施した
実験により得られた超電導薄膜の臨界電流密度と成膜回
数との関係を示す図である。
実験により得られた超電導薄膜の臨界電流密度と成膜回
数との関係を示す図である。
７ レーザアブレーション装置
９ ターゲット
１２ レーザ光
１５ 窓
１８ 基板
２０ 入射角
Claims (3)
- 【請求項１】レーザアブレーションを用いる成膜方法に
おいて、ターゲットに対するレーザ光の入射角が６０度
以上とされることを特徴とする、成膜方法。 - 【請求項２】前記ターゲットが、酸化物超電導物質の成
分を有し、酸化物超電導薄膜の成膜に適用される、請求
項１に記載の成膜方法。 - 【請求項３】前記入射角が７０度以上とされる、請求項
１または２に記載の成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3028910A JPH04214864A (ja) | 1990-02-23 | 1991-02-22 | 成膜方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-43497 | 1990-02-23 | ||
| JP4349790 | 1990-02-23 | ||
| JP3028910A JPH04214864A (ja) | 1990-02-23 | 1991-02-22 | 成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04214864A true JPH04214864A (ja) | 1992-08-05 |
Family
ID=26367059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3028910A Withdrawn JPH04214864A (ja) | 1990-02-23 | 1991-02-22 | 成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04214864A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8062020B2 (en) | 2003-02-25 | 2011-11-22 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Three dimensional structure producing device and producing method |
| US11065723B2 (en) | 2016-04-20 | 2021-07-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Laser etching apparatus and a method of laser etching using the same |
-
1991
- 1991-02-22 JP JP3028910A patent/JPH04214864A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8062020B2 (en) | 2003-02-25 | 2011-11-22 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Three dimensional structure producing device and producing method |
| US8562897B2 (en) | 2003-02-25 | 2013-10-22 | Panasonic Corporation | Method of and apparatus for making a three-dimensional object |
| US11065723B2 (en) | 2016-04-20 | 2021-07-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Laser etching apparatus and a method of laser etching using the same |
| US11370065B2 (en) | 2016-04-20 | 2022-06-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Laser etching apparatus and a method of laser etching using the same |
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