JPH01202700A - Ｘ線ミラー及びその製造方法 - Google Patents
Ｘ線ミラー及びその製造方法Info
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- JPH01202700A JPH01202700A JP63028360A JP2836088A JPH01202700A JP H01202700 A JPH01202700 A JP H01202700A JP 63028360 A JP63028360 A JP 63028360A JP 2836088 A JP2836088 A JP 2836088A JP H01202700 A JPH01202700 A JP H01202700A
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- G21K—HANDLING OF PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
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- G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
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- G—PHYSICS
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- G21K—HANDLING OF PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
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- G21K2201/06—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements
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- General Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、Ｘ線望遠鏡、Ｘ線顕微鏡、Ｘ線加工機などに
用いられるＸ線ミラーの構造及びその製造方法に関する
ものである。
用いられるＸ線ミラーの構造及びその製造方法に関する
ものである。
従来、Ｘ線ミラーは、フロートガラス、シリコンウェハ
、研磨ガラスなどの表面粗さが非常に滑らか（例えばＲ
ｗ １０Ａなど）に加工できる材料た膜厚は膜厚計（８
）によってモニタすることができる。
、研磨ガラスなどの表面粗さが非常に滑らか（例えばＲ
ｗ １０Ａなど）に加工できる材料た膜厚は膜厚計（８
）によってモニタすることができる。
従来のＸ線ミラーは以りのように製造されており、ミラ
ーが使用される波長がＸ線領域（数百へ以下）であるこ
とより、ミラーの膜面の表面粗さは極めて滑らか（たと
えば数１０Ａ以下）であることが基本的に必要となる。
ーが使用される波長がＸ線領域（数百へ以下）であるこ
とより、ミラーの膜面の表面粗さは極めて滑らか（たと
えば数１０Ａ以下）であることが基本的に必要となる。
この為、訪述のごと＜、７ｏ−トポリジング、 ＥＥＭ
（ＥｌａｓｔｉｃＥｍｉｓｓｉｏｎ Ｍａｓｈｉｎ
ｉｎｇ ） 等の特殊な加工法を用いて表面粗さを滑
らかに仕りげることが必要となり、−船釣でなかった。
（ＥｌａｓｔｉｃＥｍｉｓｓｉｏｎ Ｍａｓｈｉｎ
ｉｎｇ ） 等の特殊な加工法を用いて表面粗さを滑
らかに仕りげることが必要となり、−船釣でなかった。
また、これらの加工法をもってしても、ガラス、シリコ
ンウェハ、Ｗ。
ンウェハ、Ｗ。
ＭＯ等の限られた材料に対しては有効であるが。
セラミック等の脆い材料、焼結体等の気孔の多い材料、
Ｆｅ、Ａ４ Ｃｕ等の靭性の高い材料などにはあまり有
効でなく、材料選択の任意性が極度に限られるという問
題があった。
Ｆｅ、Ａ４ Ｃｕ等の靭性の高い材料などにはあまり有
効でなく、材料選択の任意性が極度に限られるという問
題があった。
この様な従来法の問題の本質は、基板りに直接膜形成す
るというミラーの構造にあるといえる。
るというミラーの構造にあるといえる。
を基板上し、イオンビームスパッタリング、電子ビーム
蒸着、レーザビーム蒸着などの方法を用いて、基板りに
直接蒸着して作製していた。文献（０，ｐｌｕｓ Ｅ
Ｎａ８Ｂ（１９８７年３月）Ｐ６７〜７３ 山下著）
を参考にして、電子ビーム蒸着法でＸ線ミラーを作製す
る場合につき、第５図をもとに以下に説明する。爾にお
いて、（１）は基板、（４）はるつぼ。
蒸着、レーザビーム蒸着などの方法を用いて、基板りに
直接蒸着して作製していた。文献（０，ｐｌｕｓ Ｅ
Ｎａ８Ｂ（１９８７年３月）Ｐ６７〜７３ 山下著）
を参考にして、電子ビーム蒸着法でＸ線ミラーを作製す
る場合につき、第５図をもとに以下に説明する。爾にお
いて、（１）は基板、（４）はるつぼ。
（５）は加熱用電子線、（６）はシャッタ、（７）は熱
電対。
電対。
（８）は膜厚計、（９）は真空槽である。また矢印は排
気を示す。この様な構成の装置を用いてＸ線ミラーを作
製するには、フロートポリジング等の超精密加工により
、その表面を極めて滑らかに出来るフロートガラス、シ
リコンウェハ等を基板上して選定することになる。この
様な材料を基板＋１１とし。
気を示す。この様な構成の装置を用いてＸ線ミラーを作
製するには、フロートポリジング等の超精密加工により
、その表面を極めて滑らかに出来るフロートガラス、シ
リコンウェハ等を基板上して選定することになる。この
様な材料を基板＋１１とし。
真空槽（９１にセットして排気を行なう。この後るつぼ
（４）内に入れた蒸着材料（たとえばＮｉ、Ｍｏ。
（４）内に入れた蒸着材料（たとえばＮｉ、Ｍｏ。
Ｓｉ、Ｃ等）を加熱用電子線（５）にて蒸着が有効に行
なえる蒸気圧となる温度まで加熱する。シャッタ（６１
を連動させることによって単層多層の膜を作り分けるこ
ともできる。基板の温度は熱電対（９）で、ま本発明は
、Ｌ記のような問題点を解決するためになされたもので
、基板上なる材料の選択範囲を広げるとともに、特殊加
工を使わずに製造が可能となるＸ線ミラー及びその製造
方法を提供することを目的とする。
なえる蒸気圧となる温度まで加熱する。シャッタ（６１
を連動させることによって単層多層の膜を作り分けるこ
ともできる。基板の温度は熱電対（９）で、ま本発明は
、Ｌ記のような問題点を解決するためになされたもので
、基板上なる材料の選択範囲を広げるとともに、特殊加
工を使わずに製造が可能となるＸ線ミラー及びその製造
方法を提供することを目的とする。
本発明に係るＸ線ミラーは２表面粗さ（Ｒｉｇ）１０
Ｇ ＯＡ以下とした基板りに１表面粗さ（ＲＭ）１００
Ａ以下とした高分子材料よりなる中間層を介在させ、こ
の中間層のＬに薄膜を形成したものである。
Ｇ ＯＡ以下とした基板りに１表面粗さ（ＲＭ）１００
Ａ以下とした高分子材料よりなる中間層を介在させ、こ
の中間層のＬに薄膜を形成したものである。
そして、Ｉ：、記中間層の製造方法としては、高分子材
料をスピンコートにより形成する方法がある。
料をスピンコートにより形成する方法がある。
本発明におけるＸ線ミラーに用いる基板上しては表面粗
さ（Ｒｗ） １０００ Ａ以下でたとえば数１００Ａ程
度に仕りげればよい。この数値は、−般的な旋盤、研磨
機などをの加工機を用いて容易に、広い材料範囲にわた
って達成できるものである。このようにしてＲｗ数１０
ＯＡとした基板りに高分子材料よりなる中間層を介在さ
せる。この際には、半導体素子製造工程で広（使われて
いるスピンコーティング装置を用いればよい。液体状に
なった高分子材料は、下地となる基板の凹凸の影響を受
けることなく極めて滑らかな表面（例えばＲｍｌＯＡ）
を容易に実現できる。
さ（Ｒｗ） １０００ Ａ以下でたとえば数１００Ａ程
度に仕りげればよい。この数値は、−般的な旋盤、研磨
機などをの加工機を用いて容易に、広い材料範囲にわた
って達成できるものである。このようにしてＲｗ数１０
ＯＡとした基板りに高分子材料よりなる中間層を介在さ
せる。この際には、半導体素子製造工程で広（使われて
いるスピンコーティング装置を用いればよい。液体状に
なった高分子材料は、下地となる基板の凹凸の影響を受
けることなく極めて滑らかな表面（例えばＲｍｌＯＡ）
を容易に実現できる。
以下９本発明のＸ線ミラー及びその製造方法の一実施例
を図と共に説明する。第１図は本発明のＸ線ミラーの構
造を示す模式的断面図であり１図において＋１１は基板
、（２）は高分子材料よりなる中間層、（３）は薄膜で
ある。また第２図は、第１図における高分子材料よりな
る中間層（２１を形成する際に用いるスピンコーティン
グ装置を示す断面構成図であり９図においてＱＧは試料
台、 ａｎはノズル、 （１３はＥブタ、Ｑ３はスピナ
ーカップである。まず第１図における基板１１）の加工
は、一般的に用いられている旋盤、研削盤、研磨機など
を用いればよい。
を図と共に説明する。第１図は本発明のＸ線ミラーの構
造を示す模式的断面図であり１図において＋１１は基板
、（２）は高分子材料よりなる中間層、（３）は薄膜で
ある。また第２図は、第１図における高分子材料よりな
る中間層（２１を形成する際に用いるスピンコーティン
グ装置を示す断面構成図であり９図においてＱＧは試料
台、 ａｎはノズル、 （１３はＥブタ、Ｑ３はスピナ
ーカップである。まず第１図における基板１１）の加工
は、一般的に用いられている旋盤、研削盤、研磨機など
を用いればよい。
たとえばＣｕなどを基板上して旋盤で加工するには、ダ
イヤモンドバイトを用いて１回転数１１０００ｒｐ、
切込み量５ｐｍ、送り量５μｍ／ＲｅｖｃＤ条件で行
なうことにより、Ｒ１１Ｃ４００Ａ 程度の値を容易
に達成することができる。次に高分子材料よりなる中間
層（２１を形成するには、第２図に示すスピンコーティ
ング装置を用いればよい。スピンコーティング法は、半
導体素子製造工程におけるホトレジスト塗布などに現在
広く用いられている。この工程について以下に説明する
。第２図で。
イヤモンドバイトを用いて１回転数１１０００ｒｐ、
切込み量５ｐｍ、送り量５μｍ／ＲｅｖｃＤ条件で行
なうことにより、Ｒ１１Ｃ４００Ａ 程度の値を容易
に達成することができる。次に高分子材料よりなる中間
層（２１を形成するには、第２図に示すスピンコーティ
ング装置を用いればよい。スピンコーティング法は、半
導体素子製造工程におけるホトレジスト塗布などに現在
広く用いられている。この工程について以下に説明する
。第２図で。
ＲｍＩＥ数１０数人０ＯＡげられた基板１１１を試料台
（ｌ［Ｉにのせ真空吸着（矢印Ａ）して固定する。次に
供給系よりノズルＱｌｌを通じ、高分子材料（２）が一
定量滴下される。次いで基板を数１１０００ｒｐ回転さ
せ、高分子膜を形成する。この時滴下した高分子材料の
大部分は基板表面から飛散するが、これらが試料ｔに再
付着しないため、スピナーカップ＋３１の内部構造はさ
まざまに工夫がなされている。
（ｌ［Ｉにのせ真空吸着（矢印Ａ）して固定する。次に
供給系よりノズルＱｌｌを通じ、高分子材料（２）が一
定量滴下される。次いで基板を数１１０００ｒｐ回転さ
せ、高分子膜を形成する。この時滴下した高分子材料の
大部分は基板表面から飛散するが、これらが試料ｔに再
付着しないため、スピナーカップ＋３１の内部構造はさ
まざまに工夫がなされている。
いうまでもないことであるが、各種蒸着法で基板に膜形
成する場合には、基板の凹凸にならって膜形成がなされ
るが、ここで用いた方法では、高分子材料は液体状態で
あるため、基板の凹凸には影響をほとんど受けることは
なく、極めて滑らか。
成する場合には、基板の凹凸にならって膜形成がなされ
るが、ここで用いた方法では、高分子材料は液体状態で
あるため、基板の凹凸には影響をほとんど受けることは
なく、極めて滑らか。
例えばＲ１６１Ｅ１０Ａ程度の表面粗さとなる。第３図
ｆａ）（ｂｌは各々、基板辷に一般の蒸着法により薄膜
（２ａ）を形成した場合と、基板りに高分子膜（２ｂ）
をスピンコーティング法により形成した場合を示す模式
的断面図であり、高分子膜（２ｂ）が基板表面粗さの影
響をうけず、滑らかな表面となることがわかる。なお、
約数１０秒間の回転により高分子膜は、乾燥が進むこと
になる。高分子材料の膜厚については９例えばフェノー
ルノボラック樹脂を主成分とするホトレジストの場合、
溶液粘度を５〜３１ｃｓｔ（センチストークス）の範囲
で調整した溶液を使用し１回転数を２０００〜８００ｒ
ｐｍの塗布条件とすることにより、０．３〜２．１μｍ
の範囲で膜厚制御ができる。以との工程にて、Ｘ線ミラ
ーに求められる数１０Ａ程度の表面粗さをもった中間層
を形成することが可能となる。第３の工程としては、従
来法で用いられる各種蒸着法をそのまま適用することが
できる。ここでは、−例として第４図をもとにクラスタ
イオンビーム蒸着法を用いてＡｕを蒸着する場合につい
て説明する。図において＋１１は基板、（４１はるつぼ
、（９）は真空容２Ｌ Ｑ４は蒸着材料、αりはるつぼ
加熱ヒータ、αＧは電子放射源、 （１７＋は加速電極
である。蒸着の工程は以下のとおりである。まず、真空
容器（９）内を排気にしたのち、るつぼ加熱ヒータα９
にて、るつぼ（４１及び蒸着材料α４であるＡｕを加熱
する。加熱温度はＡｕの場合約１６００℃である。この
状態で。
ｆａ）（ｂｌは各々、基板辷に一般の蒸着法により薄膜
（２ａ）を形成した場合と、基板りに高分子膜（２ｂ）
をスピンコーティング法により形成した場合を示す模式
的断面図であり、高分子膜（２ｂ）が基板表面粗さの影
響をうけず、滑らかな表面となることがわかる。なお、
約数１０秒間の回転により高分子膜は、乾燥が進むこと
になる。高分子材料の膜厚については９例えばフェノー
ルノボラック樹脂を主成分とするホトレジストの場合、
溶液粘度を５〜３１ｃｓｔ（センチストークス）の範囲
で調整した溶液を使用し１回転数を２０００〜８００ｒ
ｐｍの塗布条件とすることにより、０．３〜２．１μｍ
の範囲で膜厚制御ができる。以との工程にて、Ｘ線ミラ
ーに求められる数１０Ａ程度の表面粗さをもった中間層
を形成することが可能となる。第３の工程としては、従
来法で用いられる各種蒸着法をそのまま適用することが
できる。ここでは、−例として第４図をもとにクラスタ
イオンビーム蒸着法を用いてＡｕを蒸着する場合につい
て説明する。図において＋１１は基板、（４１はるつぼ
、（９）は真空容２Ｌ Ｑ４は蒸着材料、αりはるつぼ
加熱ヒータ、αＧは電子放射源、 （１７＋は加速電極
である。蒸着の工程は以下のとおりである。まず、真空
容器（９）内を排気にしたのち、るつぼ加熱ヒータα９
にて、るつぼ（４１及び蒸着材料α４であるＡｕを加熱
する。加熱温度はＡｕの場合約１６００℃である。この
状態で。
るつぼ（４）を部に設けた小孔からＡｕクラスタが噴出
する。このクラスタのうち、一部は電子放射源ａｅから
発生される電子シャワーによってイオン化される。イオ
ン化されたクラスタは、加速電極αηによって運動エネ
ルギーを与えられ（１〜１０ＫＶ）。
する。このクラスタのうち、一部は電子放射源ａｅから
発生される電子シャワーによってイオン化される。イオ
ン化されたクラスタは、加速電極αηによって運動エネ
ルギーを与えられ（１〜１０ＫＶ）。
イオン化されなかった中性クラスタとともに、膜形成に
あずかる。ここで具体的な膜の特性を示す。
あずかる。ここで具体的な膜の特性を示す。
蒸着中真空度ｌＸ１０ Ｔｏｒｒ、加速電圧３ＫＶ。
イオン電流密度１μＡ／ｃｒＩＫ、基板温度８０Ｔｌ、
の条件で膜厚５００ＡのＡｕをポリイミドＬにクラスタ
イオンビーム蒸着したものについて、波長Ｂ＾のＸ線の
ビーム反射の散乱角分布を測定した。この結果９表面粗
さ４．１人、散乱成分の全反射成分に対する割合は１．
８９６．反射率は理論値の９１９６という優れた値を示
した。この値は、Ｘ線望遠鏡などへの応用を考えた場合
にその仕様を満足するものであった。
の条件で膜厚５００ＡのＡｕをポリイミドＬにクラスタ
イオンビーム蒸着したものについて、波長Ｂ＾のＸ線の
ビーム反射の散乱角分布を測定した。この結果９表面粗
さ４．１人、散乱成分の全反射成分に対する割合は１．
８９６．反射率は理論値の９１９６という優れた値を示
した。この値は、Ｘ線望遠鏡などへの応用を考えた場合
にその仕様を満足するものであった。
本発明は以りのように９表面粗さ（Ｒｗ）１０００以下
とした高分子材料よりなる中間層を介在させ。
とした高分子材料よりなる中間層を介在させ。
この中間層の上に薄膜を形成する構造としたので。
下地基板の凹凸の影響をうけず、従来超平滑加工が困難
であったセラミックス、鉄系材料等のより広い範囲の材
料を基板上して用いることができるようになる効果があ
る。
であったセラミックス、鉄系材料等のより広い範囲の材
料を基板上して用いることができるようになる効果があ
る。
又、中間層は、スピンコーティング法により形成できる
ので、従来用いられていたフロートポリジングといった
特殊な加工法を用いなくとも、Ｘ線ミラーを形成するこ
とが可能となるという効果を奏する。
ので、従来用いられていたフロートポリジングといった
特殊な加工法を用いなくとも、Ｘ線ミラーを形成するこ
とが可能となるという効果を奏する。
第１図は本発明の一実施例によるＸ線ミラーを示す模式
的断面図、第２図は本発明の一実施例によるＸ線ミラー
の製造に用いるスピンコーティング法置を示す断面構成
図、第３図（ａ）（ｂｌはコーティング法の違いによる
基板表面粗さの影響を示す模式的断面図、第４図は本発
明の一実施例によるＸ線ミラーの製造に用いるクラスタ
イオンビーム蒸着装置を示す構成図、及び第５図は従来
のＸ線ミラーの製造に用いる蒸着装置を示す構成図であ
る。 ＋１１・・・基板、（２）・・・中間層、（３）・・・
薄膜。 なお９図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
的断面図、第２図は本発明の一実施例によるＸ線ミラー
の製造に用いるスピンコーティング法置を示す断面構成
図、第３図（ａ）（ｂｌはコーティング法の違いによる
基板表面粗さの影響を示す模式的断面図、第４図は本発
明の一実施例によるＸ線ミラーの製造に用いるクラスタ
イオンビーム蒸着装置を示す構成図、及び第５図は従来
のＸ線ミラーの製造に用いる蒸着装置を示す構成図であ
る。 ＋１１・・・基板、（２）・・・中間層、（３）・・・
薄膜。 なお９図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）表面粗さ１０００Å以下の基板、この基板上に形
成された表面粗さ１００Å以下の高分子材料よりなる中
間層、及びこの中間層上に形成された薄膜を備えたＸ線
ミラー。 - （２）高分子材料をスピンコートすることにより中間層
を形成した請求項１記載のＸ線ミラーの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63028360A JPH01202700A (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | Ｘ線ミラー及びその製造方法 |
| US07/300,949 US4924490A (en) | 1988-02-09 | 1989-01-24 | X-ray mirror and production thereof |
| US07/704,847 US5122388A (en) | 1988-02-09 | 1991-05-20 | Method of producing an x-ray mirror by spin coating an intermediate layer onto a substrate and using cluster ion beam deposition to form a thin film in the spin coated layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63028360A JPH01202700A (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | Ｘ線ミラー及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01202700A true JPH01202700A (ja) | 1989-08-15 |
Family
ID=12246453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63028360A Pending JPH01202700A (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | Ｘ線ミラー及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4924490A (ja) |
| JP (1) | JPH01202700A (ja) |
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1988
- 1988-02-09 JP JP63028360A patent/JPH01202700A/ja active Pending
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1989
- 1989-01-24 US US07/300,949 patent/US4924490A/en not_active Expired - Fee Related
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- 1991-05-20 US US07/704,847 patent/US5122388A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015227959A (ja) * | 2014-05-30 | 2015-12-17 | 三菱樹脂株式会社 | 光反射体及びそれを用いた電子デバイス用表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5122388A (en) | 1992-06-16 |
| US4924490A (en) | 1990-05-08 |
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