JPH04214862A - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置Info
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- JPH04214862A JPH04214862A JP3028909A JP2890991A JPH04214862A JP H04214862 A JPH04214862 A JP H04214862A JP 3028909 A JP3028909 A JP 3028909A JP 2890991 A JP2890991 A JP 2890991A JP H04214862 A JPH04214862 A JP H04214862A
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- Japan
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- forming apparatus
- film forming
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、レーザアブレーショ
ン法を用いる成膜装置に関するもので、特に長時間連続
した成膜を可能とするための改良が図られた成膜装置に
関するものである。
ン法を用いる成膜装置に関するもので、特に長時間連続
した成膜を可能とするための改良が図られた成膜装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】レーザアブレーション法は、（１）ター
ゲットと析出された膜との間での組成のずれがない、（
２）低温でかつ高速の成膜が可能である、という特徴を
有しており、近年、酸化物超電導薄膜の製造方法として
注目されている。
ゲットと析出された膜との間での組成のずれがない、（
２）低温でかつ高速の成膜が可能である、という特徴を
有しており、近年、酸化物超電導薄膜の製造方法として
注目されている。
【０００３】レーザアブレーション法により成膜を行な
う場合、次のような成膜装置が用いられる。すなわち、
成膜装置は、レーザ光を通す窓が設けられた真空チャン
バを備える。真空チャンバ内には、ターゲットおよび基
板が互いに対向するように配置される。他方、真空チャ
ンバ外には、たとえばエキシマレーザ光を発生するレー
ザ発生装置が配置される。したがって、このような成膜
装置によれば、レーザ発生装置から放出されるレーザ光
を、窓を通してターゲットに照射することによって、タ
ーゲットからアブレーションにより粒子を飛散させる。 この飛散した粒子を基板上に堆積させることによって、
所定の膜が基板上に成膜される。たとえば、ターゲット
として、酸化膜超導電物質の成分を含むものを用いたと
き、酸化物超電導薄膜が基板上に成膜される。
う場合、次のような成膜装置が用いられる。すなわち、
成膜装置は、レーザ光を通す窓が設けられた真空チャン
バを備える。真空チャンバ内には、ターゲットおよび基
板が互いに対向するように配置される。他方、真空チャ
ンバ外には、たとえばエキシマレーザ光を発生するレー
ザ発生装置が配置される。したがって、このような成膜
装置によれば、レーザ発生装置から放出されるレーザ光
を、窓を通してターゲットに照射することによって、タ
ーゲットからアブレーションにより粒子を飛散させる。 この飛散した粒子を基板上に堆積させることによって、
所定の膜が基板上に成膜される。たとえば、ターゲット
として、酸化膜超導電物質の成分を含むものを用いたと
き、酸化物超電導薄膜が基板上に成膜される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したレーザアブレ
ーション法によって成膜するとき、アブレーションによ
ってターゲットから飛散した粒子が、窓にも付着し、窓
を汚染するという問題があった。
ーション法によって成膜するとき、アブレーションによ
ってターゲットから飛散した粒子が、窓にも付着し、窓
を汚染するという問題があった。
【０００５】このような窓の汚染はレーザ光を吸収また
は散乱させる。このため、ターゲット面に到達するレー
ザ光のエネルギ密度およびその分布に変化を生じさせ、
その結果、得られた膜の性能も変化してしまう。したが
って、真空チャンバに設けられる窓は、頻繁に清浄なも
のと交換されなければならず、また、汚染された窓は、
研摩するなどして再使用できる状態としておかなければ
ならない。
は散乱させる。このため、ターゲット面に到達するレー
ザ光のエネルギ密度およびその分布に変化を生じさせ、
その結果、得られた膜の性能も変化してしまう。したが
って、真空チャンバに設けられる窓は、頻繁に清浄なも
のと交換されなければならず、また、汚染された窓は、
研摩するなどして再使用できる状態としておかなければ
ならない。
【０００６】しかしながら、上述したような窓の交換は
、比較的短時間の成膜をバッチ式で行なう場合には適用
可能であるが、比較的長時間の連続成膜や繰返し成膜を
行なわなければならない場合には、容易には適用するこ
とができない。したがって、比較的長時間の連続成膜や
繰返し成膜を行なう場合には、優れた特性を有する膜を
形成し得るエネルギ密度およびその分布を初期に設定し
ておいても、時間の経過とともに、得られた膜の特性が
変化するという問題があった。そのため、たとえば、長
尺の基板上に、その長手方向にわたって、連続的に成膜
を安定した品質をもって実施することが困難であった。
、比較的短時間の成膜をバッチ式で行なう場合には適用
可能であるが、比較的長時間の連続成膜や繰返し成膜を
行なわなければならない場合には、容易には適用するこ
とができない。したがって、比較的長時間の連続成膜や
繰返し成膜を行なう場合には、優れた特性を有する膜を
形成し得るエネルギ密度およびその分布を初期に設定し
ておいても、時間の経過とともに、得られた膜の特性が
変化するという問題があった。そのため、たとえば、長
尺の基板上に、その長手方向にわたって、連続的に成膜
を安定した品質をもって実施することが困難であった。
【０００７】それゆえに、この発明の目的は、窓の汚れ
を防止し、それによって長時間、所定の特性を有する膜
を安定して得ることができる、成膜装置を提供すること
である。
を防止し、それによって長時間、所定の特性を有する膜
を安定して得ることができる、成膜装置を提供すること
である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、レーザアブ
レーション法を用いる成膜装置に向けられるものであっ
て、この成膜装置は、レーザ光を通す窓が設けられた真
空チャンバと、真空チャンバ内において互いに対向する
ように配置されるターゲットおよび基板と、真空チャン
バ外に配置されるレーザ発生装置とを備える。レーザ発
生装置から放出されるレーザ光は、窓を通して前記ター
ゲットに照射される。これによってターゲットにおける
レーザ光の照射スポットでアブレーションが生じ、この
アブレーションに基づきターゲットから飛散した粒子が
、基板上に堆積され、それによって成膜が達成される。
レーション法を用いる成膜装置に向けられるものであっ
て、この成膜装置は、レーザ光を通す窓が設けられた真
空チャンバと、真空チャンバ内において互いに対向する
ように配置されるターゲットおよび基板と、真空チャン
バ外に配置されるレーザ発生装置とを備える。レーザ発
生装置から放出されるレーザ光は、窓を通して前記ター
ゲットに照射される。これによってターゲットにおける
レーザ光の照射スポットでアブレーションが生じ、この
アブレーションに基づきターゲットから飛散した粒子が
、基板上に堆積され、それによって成膜が達成される。
【０００９】このような成膜装置において、この発明で
は上述した技術的課題を解決するため、ターゲット上の
レーザ光の照射スポットと窓との距離が６００ｍｍ以上
とされることを特徴としている。
は上述した技術的課題を解決するため、ターゲット上の
レーザ光の照射スポットと窓との距離が６００ｍｍ以上
とされることを特徴としている。
【００１０】窓は、たとえば、真空チャンバの本体部分
から突き出たポートの先端部に取付けられる。この場合
、前述した６００ｍｍ以上の距離のうち、２００ｍｍ以
上の距離は、ポートの長さによって与えられることが好
ましい。
から突き出たポートの先端部に取付けられる。この場合
、前述した６００ｍｍ以上の距離のうち、２００ｍｍ以
上の距離は、ポートの長さによって与えられることが好
ましい。
【００１１】また、この発明による成膜装置は、酸化物
超電導薄膜の成膜に有利に適用されることができる。
超電導薄膜の成膜に有利に適用されることができる。
【００１２】
【作用】レーザアブレーションによってターゲット面か
ら飛散した粒子は、ターゲット面にほぼ垂直方向を中心
とする分布状態をとりながら飛散する。このように飛散
した粒子のうち、できるだけ多数のものが、基板に到達
するように設計される。しかしながら、飛散した粒子の
一部は、基板には到達せず、不可避的に真空チャンバ内
に漂い、その一部が窓に付着してしまう。
ら飛散した粒子は、ターゲット面にほぼ垂直方向を中心
とする分布状態をとりながら飛散する。このように飛散
した粒子のうち、できるだけ多数のものが、基板に到達
するように設計される。しかしながら、飛散した粒子の
一部は、基板には到達せず、不可避的に真空チャンバ内
に漂い、その一部が窓に付着してしまう。
【００１３】このような状況下でターゲット上のレーザ
光の照射スポットと窓との距離を６００ｍｍ以上とすれ
ば、ターゲットから窓に向かって飛来しようとする粒子
が、窓に到達するまでの間に、真空チャンバ内の雰囲気
ガスによって衝突散乱される確率が高められ、それによ
って、粒子が窓にまで到達する確率を極めて低くするこ
とができる。
光の照射スポットと窓との距離を６００ｍｍ以上とすれ
ば、ターゲットから窓に向かって飛来しようとする粒子
が、窓に到達するまでの間に、真空チャンバ内の雰囲気
ガスによって衝突散乱される確率が高められ、それによ
って、粒子が窓にまで到達する確率を極めて低くするこ
とができる。
【００１４】
【発明の効果】したがって、この発明によれば、窓が、
レーザアブレーションによって飛散した粒子のために汚
されることが防止されるので、窓を、長時間にわたって
清浄に保つことができる。そのため、この発明に係る成
膜装置を用いて、長時間連続的にまたは多数回成膜を行
なっても、同じまたは実質的に同じ品質の膜を安定して
得ることができる。
レーザアブレーションによって飛散した粒子のために汚
されることが防止されるので、窓を、長時間にわたって
清浄に保つことができる。そのため、この発明に係る成
膜装置を用いて、長時間連続的にまたは多数回成膜を行
なっても、同じまたは実質的に同じ品質の膜を安定して
得ることができる。
【００１５】したがって、この発明による成膜装置を、
長尺の基板上に連続的に膜を形成する場合に適用したと
き、特に顕著な効果が発揮される。そのため、この発明
に係る成膜装置は、長尺の基板上に酸化物超電導薄膜を
形成して、酸化物超電導線材を得ようとする場合に適用
すれば、特に有利である。
長尺の基板上に連続的に膜を形成する場合に適用したと
き、特に顕著な効果が発揮される。そのため、この発明
に係る成膜装置は、長尺の基板上に酸化物超電導薄膜を
形成して、酸化物超電導線材を得ようとする場合に適用
すれば、特に有利である。
【００１６】なお、窓が、真空チャンバの本体部分から
突き出たポートの先端部に設けられる場合、前述した６
００ｍｍ以上の距離のうち、少なくとも２００ｍｍの距
離をポートの長さによって与えるようにすれば、真空チ
ャンバの本体部分が大きくなることを防止でき、成膜装
置の大型化を避けることができる。
突き出たポートの先端部に設けられる場合、前述した６
００ｍｍ以上の距離のうち、少なくとも２００ｍｍの距
離をポートの長さによって与えるようにすれば、真空チ
ャンバの本体部分が大きくなることを防止でき、成膜装
置の大型化を避けることができる。
【００１７】
【実施例】図１は、この発明の一実施例としての成膜装
置１を示す説明図である。
置１を示す説明図である。
【００１８】図１を参照して、真空チャンバ２内は、た
とえば酸素を含む雰囲気とされる。このような真空チャ
ンバ２内には、互いに対向するようにターゲット３およ
び基板４が配置される。ターゲット３は、矢印５で示す
ように回転する回転軸６によって保持され、それによっ
て、ターゲット３の主面のできるだけ広い領域がレーザ
光７の照射部分として利用され得るようにされる。基板
４は、基板台８上に載せられている。基板台８は、基板
４を加熱するためのヒータを内蔵している。
とえば酸素を含む雰囲気とされる。このような真空チャ
ンバ２内には、互いに対向するようにターゲット３およ
び基板４が配置される。ターゲット３は、矢印５で示す
ように回転する回転軸６によって保持され、それによっ
て、ターゲット３の主面のできるだけ広い領域がレーザ
光７の照射部分として利用され得るようにされる。基板
４は、基板台８上に載せられている。基板台８は、基板
４を加熱するためのヒータを内蔵している。
【００１９】真空チャンバ２の外部には、レーザ発生装
置９が配置される。レーザ発生装置９から放出されたレ
ーザ光７は、集光レンズ１０および窓１１を通って、タ
ーゲット３に照射される。窓１１は、たとえば石英また
はスプラジルから構成される。窓１１は、真空チャンバ
２の本体部分１２から突き出たポート１３の先端部に設
けられている。
置９が配置される。レーザ発生装置９から放出されたレ
ーザ光７は、集光レンズ１０および窓１１を通って、タ
ーゲット３に照射される。窓１１は、たとえば石英また
はスプラジルから構成される。窓１１は、真空チャンバ
２の本体部分１２から突き出たポート１３の先端部に設
けられている。
【００２０】以上述べた構成において、レーザ発生装置
９から放出されるレーザ光７が、窓１１を通してターゲ
ット３に照射される。これによって、ターゲット３上の
レーザ光７の照射スポット１４においてアブレーション
が生じ、ターゲット３から粒子が飛散する。この粒子は
、基板４上に堆積され、それによって、基板４上に所望
の膜が形成される。
９から放出されるレーザ光７が、窓１１を通してターゲ
ット３に照射される。これによって、ターゲット３上の
レーザ光７の照射スポット１４においてアブレーション
が生じ、ターゲット３から粒子が飛散する。この粒子は
、基板４上に堆積され、それによって、基板４上に所望
の膜が形成される。
【００２１】この実施例では、ポート１３の長さＬが２
００ｍｍ以上と長くされ、それによって、照射スポット
１４と窓１１との距離Ｄが６００ｍｍ以上とされる。こ
のように、距離Ｄを長くとることにより、ターゲット３
から飛散した粒子が、窓１１に付着して、窓１１が汚染
されることを防止しようとするものである。
００ｍｍ以上と長くされ、それによって、照射スポット
１４と窓１１との距離Ｄが６００ｍｍ以上とされる。こ
のように、距離Ｄを長くとることにより、ターゲット３
から飛散した粒子が、窓１１に付着して、窓１１が汚染
されることを防止しようとするものである。
【００２２】次に、この発明の効果を確認するために、
ＹＢａ２ Ｃｕ３ Ｏ７−Ｘの組成を有する超電導薄膜
を成膜した実験例について説明する。
ＹＢａ２ Ｃｕ３ Ｏ７−Ｘの組成を有する超電導薄膜
を成膜した実験例について説明する。
【００２３】実験例１
ＹＢａ２ Ｃｕ３ Ｏ７−Ｘからなるターゲットを用い
、次の成膜条件により、酸化物超電導薄膜の成膜を行な
った。
、次の成膜条件により、酸化物超電導薄膜の成膜を行な
った。
【００２４】
レーザ：ＫｒＦ（２４８ｎｍ）
エネルギ密度：２．３Ｊ／ｃｍ２
繰返し周波数：５Ｈｚ
酸素圧力：３００ｍＴｏｒｒ
基板温度：６５０℃
ターゲット・基板間距離：４５ｍｍ
成膜速度：３３オングストローム／分
レーザ光入射角：４５度
窓を交換せずに同じ成膜装置を用いながら、１回あたり
４時間の成膜時間で、複数回の成膜操作を繰返した。
４時間の成膜時間で、複数回の成膜操作を繰返した。
【００２５】まず、ターゲットのレーザ光照射スポット
と窓との距離が４５ｃｍの成膜装置を用いたとき、１回
目の成膜操作では、液体窒素（７７．３Ｋ）中での臨界
電流密度が９３×１０４ Ａ／ｃｍ２ の値を示すサン
プルが得られたが、２回目の成膜操作で得られたサンプ
ルは、ゼロ抵抗温度が７７．３Ｋ未満となり、液体窒素
中での臨界電流密度の測定が不可能であった。
と窓との距離が４５ｃｍの成膜装置を用いたとき、１回
目の成膜操作では、液体窒素（７７．３Ｋ）中での臨界
電流密度が９３×１０４ Ａ／ｃｍ２ の値を示すサン
プルが得られたが、２回目の成膜操作で得られたサンプ
ルは、ゼロ抵抗温度が７７．３Ｋ未満となり、液体窒素
中での臨界電流密度の測定が不可能であった。
【００２６】これに対して、窓を取付けているポートを
２０ｃｍ延ばして、ターゲットのレーザ光照射スポット
と窓との距離を６０ｃｍにまで延ばした成膜装置を用い
たところ、１回目の成膜操作で得られたサンプルは、１
５０×１０４ Ａ／ｃｍ２ の臨界電流密度を示し、３
回目の成膜操作によって得られたサンプルでも、１３０
×１０４ Ａ／ｃｍ２ の臨界電流密度を示した。
２０ｃｍ延ばして、ターゲットのレーザ光照射スポット
と窓との距離を６０ｃｍにまで延ばした成膜装置を用い
たところ、１回目の成膜操作で得られたサンプルは、１
５０×１０４ Ａ／ｃｍ２ の臨界電流密度を示し、３
回目の成膜操作によって得られたサンプルでも、１３０
×１０４ Ａ／ｃｍ２ の臨界電流密度を示した。
【００２７】実験例２
次の条件で、レーザアブレーション法により、Ｂｉ−Ｐ
ｂ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ高温酸化物超電導薄膜を作製
した。
ｂ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ高温酸化物超電導薄膜を作製
した。
【００２８】
ターゲット：Ｂｉ１．８ Ｐｂ０．６ Ｓｒ２ Ｃａ２
Ｃｕ３．４ Ｏｘ 焼結体 基板温度：２００℃ レーザ：Ｑ−スウィッチＮｄ：ＹＡＧレーザ（１０６４
ｎｍ） エネルギ密度：２Ｊ／ｃｍ２ 繰返し周波数：２００Ｈｚ 酸素圧力：２００ｍＴｏｒｒ ターゲット・基板間距離：３５ｍｍ 成膜速度：２００〜３００オングストローム／分成膜時
間：１時間 上述したレーザアブレーション法により得られた膜は、
アモルファスで、４．２Ｋでも超電導特性を示さなかっ
た。
Ｃｕ３．４ Ｏｘ 焼結体 基板温度：２００℃ レーザ：Ｑ−スウィッチＮｄ：ＹＡＧレーザ（１０６４
ｎｍ） エネルギ密度：２Ｊ／ｃｍ２ 繰返し周波数：２００Ｈｚ 酸素圧力：２００ｍＴｏｒｒ ターゲット・基板間距離：３５ｍｍ 成膜速度：２００〜３００オングストローム／分成膜時
間：１時間 上述したレーザアブレーション法により得られた膜は、
アモルファスで、４．２Ｋでも超電導特性を示さなかっ
た。
【００２９】そこで、大気中において、８５０℃で６０
時間の熱処理を実施した。入射窓のポートの長さを変え
ることにより、入射窓とターゲットとの間の距離を変え
て、成膜回数による臨界温度の変化を測定した。このと
き、集光レンズの焦点距離を変えて、ターゲット上での
エネルギ密度を一定とした。また、臨界温度は通常の４
端子法により測定した。
時間の熱処理を実施した。入射窓のポートの長さを変え
ることにより、入射窓とターゲットとの間の距離を変え
て、成膜回数による臨界温度の変化を測定した。このと
き、集光レンズの焦点距離を変えて、ターゲット上での
エネルギ密度を一定とした。また、臨界温度は通常の４
端子法により測定した。
【００３０】以下の表１に、入射窓とターゲット間の距
離を変えたときの、成膜回数による臨界温度の変化が示
されている。
離を変えたときの、成膜回数による臨界温度の変化が示
されている。
【００３１】
【表１】
【００３２】上記表１からわかるように、入射窓とター
ゲット間の距離が「７００ｍｍ」および「８００ｍｍ」
とされた試料Ｎｏ．２および３において、「４５０ｍｍ
」とされた試料Ｎｏ．１に比べて、優れた結果が得られ
ている。
ゲット間の距離が「７００ｍｍ」および「８００ｍｍ」
とされた試料Ｎｏ．２および３において、「４５０ｍｍ
」とされた試料Ｎｏ．１に比べて、優れた結果が得られ
ている。
【図１】この発明の一実施例による成膜装置１を示す説
明図である。
明図である。
１ 成膜装置
２ 真空チャンバ
３ ターゲット
４ 基板
７ レーザ光
９ レーザ発生装置
１１ 窓
１２ 本体部分
１３ ポート
１４ 照射スポット
Claims (3)
- 【請求項１】 レーザ光を通す窓が設けられた真空チ
ャンバと、前記真空チャンバ内において互いに対向する
ように配置されるターゲットおよび基板と、前記真空チ
ャンバ外に配置されるレーザ発生装置とを備え、前記レ
ーザ発生装置から放出されるレーザ光を前記窓を通して
前記ターゲットに照射することによって前記ターゲット
から飛散した粒子を、前記基板上に堆積させて成膜する
、レーザアブレーション法を用いる成膜装置において、
前記ターゲット上のレーザ光の照射スポットと前記窓と
の距離を６００ｍｍ以上としたことを特徴とする成膜装
置。 - 【請求項２】 前記窓は、前記真空チャンバの本体部
分から突き出たポートの先端部に設けられ、前記６００
ｍｍ以上の距離のうち、２００ｍｍ以上の距離は、前記
ポートの長さによって与えられる、請求項１に記載の成
膜装置。 - 【請求項３】 前記ターゲットが、酸化物超電導物質
の成分を含み、酸化物超電導薄膜の成膜に適用される、
請求項１または２に記載の成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3028909A JPH04214862A (ja) | 1990-02-23 | 1991-02-22 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4349590 | 1990-02-23 | ||
| JP2-43495 | 1990-02-23 | ||
| JP3028909A JPH04214862A (ja) | 1990-02-23 | 1991-02-22 | 成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04214862A true JPH04214862A (ja) | 1992-08-05 |
Family
ID=26367056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3028909A Withdrawn JPH04214862A (ja) | 1990-02-23 | 1991-02-22 | 成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04214862A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011060668A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-24 | Fujikura Ltd | レーザー蒸着法による長尺酸化物超電導導体の製造方法 |
| US20170304951A1 (en) * | 2016-04-20 | 2017-10-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Laser etching apparatus and a method of laser etching using the same |
-
1991
- 1991-02-22 JP JP3028909A patent/JPH04214862A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011060668A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-24 | Fujikura Ltd | レーザー蒸着法による長尺酸化物超電導導体の製造方法 |
| US20170304951A1 (en) * | 2016-04-20 | 2017-10-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Laser etching apparatus and a method of laser etching using the same |
| CN107303628A (zh) * | 2016-04-20 | 2017-10-31 | 三星显示有限公司 | 激光蚀刻设备及使用激光蚀刻设备进行激光蚀刻的方法 |
| US11065723B2 (en) | 2016-04-20 | 2021-07-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Laser etching apparatus and a method of laser etching using the same |
| US11370065B2 (en) | 2016-04-20 | 2022-06-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Laser etching apparatus and a method of laser etching using the same |
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