JPH04215429A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH04215429A JPH04215429A JP2410688A JP41068890A JPH04215429A JP H04215429 A JPH04215429 A JP H04215429A JP 2410688 A JP2410688 A JP 2410688A JP 41068890 A JP41068890 A JP 41068890A JP H04215429 A JPH04215429 A JP H04215429A
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- gas
- semiconductor substrates
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコン基板等の半導
体基板を洗浄又はエッチングする場合に使用する半導体
製造装置の改良に関するものである。
体基板を洗浄又はエッチングする場合に使用する半導体
製造装置の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来この種の半導体製造装置としては、
図３に示すような枚葉式洗浄装置が採用されている。図
において、１は円筒型の反応室、２は例えばシリコン基
板等の半導体基板であり、サセプター３によって支持さ
れている。４は例えば弗酸等のガスボンベであり、テフ
ロン配管５，５’，及び５’’によって反応室１と繋が
っている。６は弗酸ガス等の流量を制御するためにテフ
ロン配管５，５’に連結されたマスフローコントローラ
ー、７，７’，及び７’’は窒素ガスを流すための配管
であり、テフロン配管５’’に連結されている。８はテ
フロン配管５’，５’’に連結されたバルブ、９は配管
７’，７’’に連結されたバルブ、１０は窒素ガスの流
量を制御するためにテフロン配管７，７’に連結された
マスフローコントローラー、１１は真空ポンプであり、
配管１２，１２’を介して反応室１内部のガスや空気を
排気することができる。１３は配管１２，１２’に連結
されたバルブ、１４は反応室１を密閉するための蓋であ
る。
図３に示すような枚葉式洗浄装置が採用されている。図
において、１は円筒型の反応室、２は例えばシリコン基
板等の半導体基板であり、サセプター３によって支持さ
れている。４は例えば弗酸等のガスボンベであり、テフ
ロン配管５，５’，及び５’’によって反応室１と繋が
っている。６は弗酸ガス等の流量を制御するためにテフ
ロン配管５，５’に連結されたマスフローコントローラ
ー、７，７’，及び７’’は窒素ガスを流すための配管
であり、テフロン配管５’’に連結されている。８はテ
フロン配管５’，５’’に連結されたバルブ、９は配管
７’，７’’に連結されたバルブ、１０は窒素ガスの流
量を制御するためにテフロン配管７，７’に連結された
マスフローコントローラー、１１は真空ポンプであり、
配管１２，１２’を介して反応室１内部のガスや空気を
排気することができる。１３は配管１２，１２’に連結
されたバルブ、１４は反応室１を密閉するための蓋であ
る。
【０００３】このように構成された従来の半導体製造装
置においては、以下の手順で半導体基板を洗浄する。 （ａ） まず、蓋１４をあけた後、半導体基板２を反応
室１内のサセプター３上に載せる。 （ｂ） 蓋１４を閉めた後、バルブ８，９を閉じバルブ
１３は開けた状態で真空ポンプ１１を用いて反応室１内
部の空気を排気する。 （ｃ） 次にバルブ９を開け、反応室１内部を窒素ガス
で置換した後、バルブ８を開け例えば弗酸ガス等を反応
室１に導入する。弗酸ガス等により、半導体基板２を洗
浄した後、バルブ８を閉じることにより再び反応室１内
部を窒素ガスで置換する。 （ｄ） その後、バルブ１３を閉じ反応室１内部を窒素
ガスで大気圧に戻し、蓋１４を開けて半導体基板２を取
り出し、次に処理する半導体基板を反応室１内のサセプ
ター３上に載せる。蓋１４を閉めた後、再び（ｂ），（
ｃ） の処理を繰り返す。
置においては、以下の手順で半導体基板を洗浄する。 （ａ） まず、蓋１４をあけた後、半導体基板２を反応
室１内のサセプター３上に載せる。 （ｂ） 蓋１４を閉めた後、バルブ８，９を閉じバルブ
１３は開けた状態で真空ポンプ１１を用いて反応室１内
部の空気を排気する。 （ｃ） 次にバルブ９を開け、反応室１内部を窒素ガス
で置換した後、バルブ８を開け例えば弗酸ガス等を反応
室１に導入する。弗酸ガス等により、半導体基板２を洗
浄した後、バルブ８を閉じることにより再び反応室１内
部を窒素ガスで置換する。 （ｄ） その後、バルブ１３を閉じ反応室１内部を窒素
ガスで大気圧に戻し、蓋１４を開けて半導体基板２を取
り出し、次に処理する半導体基板を反応室１内のサセプ
ター３上に載せる。蓋１４を閉めた後、再び（ｂ），（
ｃ） の処理を繰り返す。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体製造装置
は以上のように構成されていたので、半導体基板２を１
枚ずつ洗浄するため、１枚の半導体基板２を反応室１内
に導入するたびに、反応室１内部の空気を排気し窒素ガ
スで置換する必要がある。この結果、１枚の半導体基板
を洗浄するために要する時間が長くかかり、半導体基板
を処理する能力（スループット）が低いという問題があ
った。
は以上のように構成されていたので、半導体基板２を１
枚ずつ洗浄するため、１枚の半導体基板２を反応室１内
に導入するたびに、反応室１内部の空気を排気し窒素ガ
スで置換する必要がある。この結果、１枚の半導体基板
を洗浄するために要する時間が長くかかり、半導体基板
を処理する能力（スループット）が低いという問題があ
った。
【０００５】本発明は以上のような問題点を解消するた
めになされたもので、半導体基板を洗浄するために要す
る時間が短縮され、半導体基板を処理する能力が高い半
導体製造装置を提供することを目的とする。
めになされたもので、半導体基板を洗浄するために要す
る時間が短縮され、半導体基板を処理する能力が高い半
導体製造装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体製造
装置は、複数の半導体基板を収納可能な反応室と、この
反応室の中に挿抜自在で複数の半導体基板を支持可能な
半導体基板支持具と、反応室内に弗酸ガス等のエッチン
グガスを供給する管体と反応室内部のガスや空気を排気
させる真空ポンプとを備えたものである。
装置は、複数の半導体基板を収納可能な反応室と、この
反応室の中に挿抜自在で複数の半導体基板を支持可能な
半導体基板支持具と、反応室内に弗酸ガス等のエッチン
グガスを供給する管体と反応室内部のガスや空気を排気
させる真空ポンプとを備えたものである。
【０００７】
【作用】本発明における半導体製造装置は、複数の半導
体基板を収納可能な反応室と、この容器の中に挿抜自在
で複数の半導体基板を支持可能な半導体基板支持具と、
反応室内に弗酸ガス等のエッチングガスを供給する管体
と、反応室内部のガスや空気を排気させる真空ポンプと
を備えたので、半導体基板を洗浄するために要する時間
が短縮され、１回の処理で複数の半導体基板をエッチン
グ処理することができる。
体基板を収納可能な反応室と、この容器の中に挿抜自在
で複数の半導体基板を支持可能な半導体基板支持具と、
反応室内に弗酸ガス等のエッチングガスを供給する管体
と、反応室内部のガスや空気を排気させる真空ポンプと
を備えたので、半導体基板を洗浄するために要する時間
が短縮され、１回の処理で複数の半導体基板をエッチン
グ処理することができる。
【０００８】
【実施例】図１及び図２はこの発明における一実施例に
よる半導体製造装置を示す断面図であり、図において、
２１は円筒型の反応室、２２は例えばシリコン基板等の
半導体基板であり、サセプター２３によって支持されて
いる。２４はサセプター２３を支持する支持台、４は例
えば弗酸等のガスボンベであり、配管２５，２５’，及
び２５’’によって反応室２１と繋がっている。６は弗
酸ガス等の流量を制御するために配管２５，２５’に連
結されたマスフローコントローラー、２７，２７’，及
び２７’’は窒素ガスを流すための配管であり、配管２
５’’に連結されている。８は配管２５’，２５’’に
連結されたバルブ、９は配管２７’，２７’’に連結さ
れたバルブ、１０は窒素ガスの流量を制御するために配
管２７，２７’に連結されたマスフローコントローラー
で、前述のガスボンベ４，マスフローコントローラー６
，配管２５，２５’，２５’’，２７，２７’，２７’
’，及びバルブ８，９とで管体を構成している。１１は
真空ポンプであり、配管３２，３２’を介して反応室２
１内部のガスや空気を排気することができる。１３は配
管３２，３２’に連結されたバルブ、３４は筐体３５に
固定されたマニュホールドであり、反応室２１を支持し
ている。３６はマニュホールド３４の貫通孔、３７は貫
通孔３６を密閉するための蓋、３８は蓋３７を支持する
アーム、３９はエレベーターで、アーム３８と，蓋３７
，支持台２４，及びサセプター２３とで半導体基板支持
具を構成し、半導体基板２２を上下させる。また４０は
反応室２１に設けられた排気管である。
よる半導体製造装置を示す断面図であり、図において、
２１は円筒型の反応室、２２は例えばシリコン基板等の
半導体基板であり、サセプター２３によって支持されて
いる。２４はサセプター２３を支持する支持台、４は例
えば弗酸等のガスボンベであり、配管２５，２５’，及
び２５’’によって反応室２１と繋がっている。６は弗
酸ガス等の流量を制御するために配管２５，２５’に連
結されたマスフローコントローラー、２７，２７’，及
び２７’’は窒素ガスを流すための配管であり、配管２
５’’に連結されている。８は配管２５’，２５’’に
連結されたバルブ、９は配管２７’，２７’’に連結さ
れたバルブ、１０は窒素ガスの流量を制御するために配
管２７，２７’に連結されたマスフローコントローラー
で、前述のガスボンベ４，マスフローコントローラー６
，配管２５，２５’，２５’’，２７，２７’，２７’
’，及びバルブ８，９とで管体を構成している。１１は
真空ポンプであり、配管３２，３２’を介して反応室２
１内部のガスや空気を排気することができる。１３は配
管３２，３２’に連結されたバルブ、３４は筐体３５に
固定されたマニュホールドであり、反応室２１を支持し
ている。３６はマニュホールド３４の貫通孔、３７は貫
通孔３６を密閉するための蓋、３８は蓋３７を支持する
アーム、３９はエレベーターで、アーム３８と，蓋３７
，支持台２４，及びサセプター２３とで半導体基板支持
具を構成し、半導体基板２２を上下させる。また４０は
反応室２１に設けられた排気管である。
【０００９】このように構成された半導体製造装置は、
以下の手順で半導体基板２２を洗浄する。 （ｅ） まず、エレベーター３９がアーム３８を介して
蓋３７，支持台２４，サセプター２３を下げた図１の状
態において、複数の半導体基板２２を水平，１列になる
よう、筐体３５内のサセプター２３上に載せる。 （ｆ） エレベーター３９がアーム３８を介して蓋３７
，支持台２４，サセプター２３を上げた図２の状態にお
いて、蓋３７を閉めた後、バルブ８，９を閉じバルブ１
３は開けた状態で真空ポンプ１１を用いて反応室２１内
部の空気を排気する。 （ｇ） 次にバルブ９を開け、反応室２１内部を窒素ガ
スで置換した後、バルブ８を開け例えば弗酸ガス等を反
応室２１に導入する。弗酸ガス等により半導体基板２２
を洗浄した後、バルブ８を閉じることにより再び反応室
２１内部を窒素ガスで置換する。 （ｈ） その後、バルブ１３を閉じて反応室２１内部を
窒素ガスで大気圧に戻し、蓋３７を開け、エレベーター
３９がアーム３８を介して蓋３７，支持台２４，サセプ
ター２３を下げた図１の状態において、半導体基板２２
を取り出し、次に処理する半導体基板をサセプター２３
上に載せる。蓋３７を閉めた後、再び（ｆ），（ｇ）
の処理を繰り返す。
以下の手順で半導体基板２２を洗浄する。 （ｅ） まず、エレベーター３９がアーム３８を介して
蓋３７，支持台２４，サセプター２３を下げた図１の状
態において、複数の半導体基板２２を水平，１列になる
よう、筐体３５内のサセプター２３上に載せる。 （ｆ） エレベーター３９がアーム３８を介して蓋３７
，支持台２４，サセプター２３を上げた図２の状態にお
いて、蓋３７を閉めた後、バルブ８，９を閉じバルブ１
３は開けた状態で真空ポンプ１１を用いて反応室２１内
部の空気を排気する。 （ｇ） 次にバルブ９を開け、反応室２１内部を窒素ガ
スで置換した後、バルブ８を開け例えば弗酸ガス等を反
応室２１に導入する。弗酸ガス等により半導体基板２２
を洗浄した後、バルブ８を閉じることにより再び反応室
２１内部を窒素ガスで置換する。 （ｈ） その後、バルブ１３を閉じて反応室２１内部を
窒素ガスで大気圧に戻し、蓋３７を開け、エレベーター
３９がアーム３８を介して蓋３７，支持台２４，サセプ
ター２３を下げた図１の状態において、半導体基板２２
を取り出し、次に処理する半導体基板をサセプター２３
上に載せる。蓋３７を閉めた後、再び（ｆ），（ｇ）
の処理を繰り返す。
【００１０】本実施例では上述のように、複数の半導体
基板２２を収納可能な反応室２１と、この反応室２１中
に挿抜自在で複数の半導体基板２２を支持可能な半導体
基板支持具と、反応室２１内に弗酸ガス等のエッチング
ガスを供給する管体と、反応室２１内部のガスや空気を
排気させる真空ポンプ１１とを備え、１枚の半導体基板
を反応室２１内に導入するたび毎に反応室２１内部の空
気を真空ポンプ１１で排気して配管２７からの窒素ガス
で置換していたのを、複数の半導体基板２２を反応室２
１内に導入後、反応室２１内部の空気を真空ポンプ１１
で排気し配管２７からの窒素ガスで置換させるようにし
たので、半導体基板２２の洗浄に要する時間を短縮でき
る。また、１回の処理で複数の半導体基板をエッチング
処理する場合、均一なエッチングを行うためには、エッ
チングガス種例えば弗酸分子が拡散によって半導体基板
間へ均一に回り込む必要があるが、本実施例では、低圧
下（０．１ 〜 ６００Ｔｏｒｒ） でエッチング処理
するので、弗酸分子の反応室内での平均自由行程が大き
くなって半導体基板間を拡散して均一に回り込めるため
、一度の処理で複数の半導体基板２２を均一にエッチン
グ処理することができる。
基板２２を収納可能な反応室２１と、この反応室２１中
に挿抜自在で複数の半導体基板２２を支持可能な半導体
基板支持具と、反応室２１内に弗酸ガス等のエッチング
ガスを供給する管体と、反応室２１内部のガスや空気を
排気させる真空ポンプ１１とを備え、１枚の半導体基板
を反応室２１内に導入するたび毎に反応室２１内部の空
気を真空ポンプ１１で排気して配管２７からの窒素ガス
で置換していたのを、複数の半導体基板２２を反応室２
１内に導入後、反応室２１内部の空気を真空ポンプ１１
で排気し配管２７からの窒素ガスで置換させるようにし
たので、半導体基板２２の洗浄に要する時間を短縮でき
る。また、１回の処理で複数の半導体基板をエッチング
処理する場合、均一なエッチングを行うためには、エッ
チングガス種例えば弗酸分子が拡散によって半導体基板
間へ均一に回り込む必要があるが、本実施例では、低圧
下（０．１ 〜 ６００Ｔｏｒｒ） でエッチング処理
するので、弗酸分子の反応室内での平均自由行程が大き
くなって半導体基板間を拡散して均一に回り込めるため
、一度の処理で複数の半導体基板２２を均一にエッチン
グ処理することができる。
【００１１】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、複数の
半導体基板を収納可能な反応室と、この反応室中に挿抜
自在で複数の半導体基板を支持可能な半導体基板支持具
と、反応室内に弗酸ガス等のエッチングガスを供給する
管体と、反応室内部のガスや空気を排気させる真空ポン
プとを備え、複数の半導体基板を反応室内に導入するた
び毎に反応室内部の空気を真空ポンプで排気して配管か
らの窒素ガスで置換し、低圧下でエッチング処理するの
で、半導体基板を洗浄するために要する時間が短縮され
る上に、１回の処理で複数の半導体基板を均一にエッチ
ング処理できる半導体製造装置を得られる効果がある。
半導体基板を収納可能な反応室と、この反応室中に挿抜
自在で複数の半導体基板を支持可能な半導体基板支持具
と、反応室内に弗酸ガス等のエッチングガスを供給する
管体と、反応室内部のガスや空気を排気させる真空ポン
プとを備え、複数の半導体基板を反応室内に導入するた
び毎に反応室内部の空気を真空ポンプで排気して配管か
らの窒素ガスで置換し、低圧下でエッチング処理するの
で、半導体基板を洗浄するために要する時間が短縮され
る上に、１回の処理で複数の半導体基板を均一にエッチ
ング処理できる半導体製造装置を得られる効果がある。
【図１】この発明における一実施例による半導体製造装
置における半導体基板導入前を示す断面図である。
置における半導体基板導入前を示す断面図である。
【図２】この発明における一実施例による半導体製造装
置における半導体基板導入後を示す断面図である。
置における半導体基板導入後を示す断面図である。
【図３】従来の半導体製造装置を示す断面図である。
４ ガスボンベ
６，１０ マスフローコントローラー８，９，１３
バルブ １１ 真空ポンプ ２１ 反応室 ２２ 半導体基板 ２３ サセプター ２４ 支持台 ２５，２５’，２５’’，２７，２７’，２７’’
配管３２，３２’ 配管 ３４ マニュホールド ３５ 筐体 ３６ 貫通孔 ３７ 蓋 ３８ アーム ３９ エレベーター ４０ 排気管
バルブ １１ 真空ポンプ ２１ 反応室 ２２ 半導体基板 ２３ サセプター ２４ 支持台 ２５，２５’，２５’’，２７，２７’，２７’’
配管３２，３２’ 配管 ３４ マニュホールド ３５ 筐体 ３６ 貫通孔 ３７ 蓋 ３８ アーム ３９ エレベーター ４０ 排気管
Claims (1)
- 【請求項１】 複数の半導体基板を収納可能な反応室
と、該反応室中に挿抜自在で、前記複数の半導体基板を
支持する半導体基板支持具と、前記反応室内にエッチン
グガス及び窒素ガスを供給する管体と、前記反応室内部
を排気させる真空ポンプとを備えたことを特徴とする半
導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2410688A JPH04215429A (ja) | 1990-12-13 | 1990-12-13 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2410688A JPH04215429A (ja) | 1990-12-13 | 1990-12-13 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04215429A true JPH04215429A (ja) | 1992-08-06 |
Family
ID=18519809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2410688A Pending JPH04215429A (ja) | 1990-12-13 | 1990-12-13 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04215429A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5658417A (en) * | 1992-12-08 | 1997-08-19 | Nec Corporation | HF vapor selective etching method and apparatus |
| EP1859077A4 (en) * | 2004-11-18 | 2010-03-31 | Primaxx Inc | SYSTEMS AND METHOD FOR ACHIEVING ISOTHERMAL CHARGE PROCESSING OF SUBSTRATES USED FOR THE MANUFACTURE OF MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS |
-
1990
- 1990-12-13 JP JP2410688A patent/JPH04215429A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5658417A (en) * | 1992-12-08 | 1997-08-19 | Nec Corporation | HF vapor selective etching method and apparatus |
| US6024888A (en) * | 1992-12-08 | 2000-02-15 | Nec Corporation | Vapor selective etching method and apparatus |
| EP1859077A4 (en) * | 2004-11-18 | 2010-03-31 | Primaxx Inc | SYSTEMS AND METHOD FOR ACHIEVING ISOTHERMAL CHARGE PROCESSING OF SUBSTRATES USED FOR THE MANUFACTURE OF MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS |
| US7771563B2 (en) | 2004-11-18 | 2010-08-10 | Sumitomo Precision Products Co., Ltd. | Systems and methods for achieving isothermal batch processing of substrates used for the production of micro-electro-mechanical-systems |
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