JPH0421570A - サイアロン焼結体およびその製造方法 - Google Patents

サイアロン焼結体およびその製造方法

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JPH0421570A
JPH0421570A JP2122697A JP12269790A JPH0421570A JP H0421570 A JPH0421570 A JP H0421570A JP 2122697 A JP2122697 A JP 2122697A JP 12269790 A JP12269790 A JP 12269790A JP H0421570 A JPH0421570 A JP H0421570A
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JP
Japan
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silicon nitride
sialon
powder
type silicon
type
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JP2122697A
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Masahiro Asayama
雅弘 浅山
Michiyasu Komatsu
通泰 小松
Tsuneji Kameda
常治 亀田
Yutaka Abe
豊 阿部
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、機械的強度や破壊靭性に優れたサイアロン焼
結体およびその製造方法に関する。
(従来の技術) 5i−AI−0−Nを主構成元素とするサイアロンは、
熱膨張係数が小さく、耐熱性、耐酸化特性、耐食性に優
れており、Si3N4焼結体系材料やSiC焼結体系材
料とともに、エンジン部材などを始め、各種の高強度耐
熱部品や高温耐食部品に応用することか試みられている
このようなサイアロンには、α型Si3N+と同一構造
を有するα型サイアロンと、β型Si3N4と同一構造
を有するβ型サイアロンとか知られており、上記β(β
′とも呼ぶ)型サイアロンは次のようにして作製されて
いる。
すなわちサイアロン焼結体は、Si3N4焼結体なとに
比べて焼結性か高いために、β型サイアロンではSi3
N 4−AIN −AI203 、Si3 N 4−A
IN −3jO;+ 、Si3N s −AIN −A
I203−8iO,+などの所定量の混合粉末を出発原
料として用い、プレス成形法などによって成形体を作製
し、この成形体に不活性ガス雰囲気中で常圧焼結や雰囲
気加圧焼結を施すことにより製造されている。
このように、β型サイアロン焼結体は比較的焼結性か高
いために、常圧焼結法や雰囲気加圧焼結法によって容易
に緻密質な焼結体を得ることかでき、かつ耐酸化特性や
耐食性に優れ、1400℃を超えるような高温下におい
ても機械的強度の低下かほとんどないなど、優れた特性
を有しているか、常圧焼結法や雰囲気加圧焼結法による
焼結体の機械的強度の絶対値自体は、Si3N4焼結体
やSiC焼結体に比べると劣り、また破壊靭性値も充分
に満足できる値には達していないのが現状である。
そこで、このようなβ型サイアロン焼結体の機械的強度
や破壊靭性値などの改善の試みとして、セラミックスウ
ィスカーなどを添加して繊維状物質による補強を行った
り、他のセラミックス焼結体と同様に希土類酸化物など
の添加物を加え、液相焼結による緻密化などの試みがな
されている。
(発明か解決しようとする課題) しかしながら、上述した強度改善方法のうち、たとえば
セラミックスウィスカーの添加は、ウィスカーの種類に
よってβ型サイアロン粉末とのなじみ性が悪いために焼
結性か低下し、得られる焼結体の密度か低下してしまい
、強度や耐熱衝撃性などの充分な改善効果か得られてい
ない。また、希土類酸化物などの添加は、耐酸化性や高
温における強度なとの高温特性の低下を招くという問題
があった。
一方、ホットプレス法によれば、ある程度緻密質で機械
的強度に優れたものか得られているか、このホットプレ
ス法は得られる形状が限定され、比較的高い焼結性を充
分に活かすことができず、また製造コストか高いなどの
問題かあった。
本発明はこのような課題に対処するためになされたもの
で、より高い靭性を有するサイアロン焼結体およびその
製造方法を提供することを目的とする。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) 本発明のサイアロン焼結体は、サイアロン焼結体全体と
しての平均粒径か3μm以上100μm以下であり、か
つアスペクト比か1:3〜1:20の範囲である針状の
結晶粒を含有することを特徴としている。
また、本発明のサイアロン焼結体の製造方法は、窒化ケ
イ素成分の出発原料としてα型窒化ケイ素粉末を用い、
このα型窒化ケイ素粉末を含有し、サイアロン組成を満
足するよう原料粉末を調製し、この原料粉末をα−β転
移温度下で所定時間保持して、前記α型窒化ケイ素の一
部をβ型窒化ケイ素に相転移させるとともに、このβ型
窒化ケイ素を針状に結晶成長させ、その後、前記出発原
料をサイアロン合成温度下で焼結させ、前記α型窒化ケ
イ素粉末の粒子形状に由来する粒状結晶粒と前記β型窒
化ケイ素の形状に由来する針状結晶粒とを混在させるこ
とを特徴としている。
また、本発明の第二の製造方法は、窒化ケイ素成分の出
発原料としてα型窒化ケイ素粉末と針状晶のβ型窒化ケ
イ素粉末とを混合したαβ混合粉末を用い、このαβ混
合粉末を含有し、サイアロン組成を満足するよう原料粉
末を調製し、アルミニウム、酸素および窒素の4元素か
含まれるよう原料粉末を調製し、この原料粉末をサイア
ロン合成温度下で焼結させ、前記α型窒化ケイ素粉末の
粒子形状に由来する粒状結晶粒と前記β型窒化ケイ素の
形状に由来する針状結晶粒とを混在させることを特徴と
している。
本発明のサイアロン焼結体において、焼結体中に含まれ
る針状の結晶粒は、その細長い形状によってクラックの
進展を妨げるもので、この針状結晶を含めた焼結体全体
としての平均粒径は3μ1以上100μm以下である。
ここで、平均粒径とは、サイアロン焼結体のランダムに
選択した断面における切り口線上の各粒子の幅の平均値
を取ったものである。
この平均粒径か3μ印未満では結晶粒か微細過ぎて、進
展してきたクラックを直線方向から曲げて逃がすことが
できず、100μmを超えると逆に結晶粒が大きすぎる
ため破壊の起点となり易く、強度低下を招くからである
また、このようなサイアロン焼結体中に含まれる針状の
結晶粒はアスペクト比か1=3〜l:20の範囲である
アスペクト比か1:3未満であると細長い形状が充分活
かされず、クラック進展の妨げ効果を発揮しない。一方
、アスペクト比か 1・20を超えると逆に結晶粒か細
長すぎるため、クラックか結晶粒を切断して直進し、編
方向に逃がすことかできなくなる。
このような針状の結晶粒を含有するサイアロン焼結体は
、本発明の製造方法によって得ることかできる。
その第一の製造方法は、α型窒化ケイ素粉末を窒化ケイ
素成分側の出発原料として酸化アルミニウムなどその他
の所定成分を混合してサイアロン合成の原料粉末とし、
この原料粉末をα−β転移温度下で所定時間保持してα
型窒化ケイ素の一部をβ型窒化ケイ素に相転移させ、同
時にこのβ型窒化ケイ素を針状に結晶成長させる方法で
あり、α−β転移温度すなわち1600〜1800℃の
下で、成長処理の時間を0.2〜10時間の範囲で変化
させることにより、得られるサイアロン焼結体の平均粒
径およびアスペクト比をコントロールする。
ここで用いるα型窒化ケイ素粉末は平均粉末粒子径か0
.2〜1.5μD程度であることが好ましい。
この粉末粒子径は、粉末としての粒子径であり、マイク
ロトラック方式測定装置を用いて測定したものである。
すなわち、原料粉末における平均粒子径と、上述したサ
イアロン焼結体における平均粒径とは意味か異なるもの
である。
本発明の第二のセラミックス焼結体の製造方法において
は、α型窒化ケイ素粉末と、針状晶のβ型窒化ケイ素粉
末とを混合したαβ混合粉末を窒化ケイ素成分としての
出発原料としている。
この出発原料のうち、α型窒化ケイ素は針状てなくアス
ペクト比がほぼ 1:1に近い粒状の結晶であり、この
α型窒化ケイ素と針状のβ型窒化ケイ素との混合粉末を
酸化アルミニウムなど他の成分と共に焼結させることに
より、粒状結晶と針状結晶とが混在したβ′型サイアロ
ンとなる。
この方法においては、α−β転移温度で特別に保持せず
、サイアロン合成温度まで直接加熱して焼結させるため
、出発原料中のα型成分は、その粒状の形状をほとんど
変えずにβ型窒化ケイ素を経てβ′サイアロン中の粒状
結晶として残り、もう一方のβ型成分はあらかしめ針状
結晶を用いているためこの針状のままβ′サイアロン中
の針状結晶として残る。
ここで出発原料として使用するα型窒化ケイ素粉末は平
均粒子径0.2〜15μ■程度が好ましく、針状のβ型
窒化ケイ素粉末は平均粒子径0.5〜3.5μm程度か
好ましい。
この平均粒子径は上述した第一の製造方法における出発
原料の平均粒子径と同じ方法で求めたものである。
出発原料のα型:β型の比率は99.1=595程度が
好ましく、β型窒化ケイ素粉末の針状の形状はアスペク
ト比がl:3〜1.20の範囲であることが好ましい。
アスペクト比が 1〜3未満であると細長い形状が充分
活かされず、クラック進展の妨げ効果を発揮しない。一
方、アスペクト比が1=20を超えると逆に結晶粒が細
長すぎるため、クラックか結晶粒を切断して直進し、脇
方向に逃がすことができなくなる。
このような出発原料を用いて、この混合粉末をプレス成
形法やスリップキャスティング法などの公知の成形法に
よって所要の形状に成形する。
次いで、不活性ガス雰囲気中で、1700〜1800℃
程度の温度で焼成する。
この際、出発原料のうち一方のα型窒化ケイ素粉末は焼
結とサイアロン合成が同時進行して、粒子形状にそれほ
どの変化を起こさずβ型に転移し、他方の針状晶のβ型
窒化ケイ素は針状形状をそのまま残して焼結し、結果と
して針状晶の絡みあった構造のβ′型サイアロンとなる
なお、焼成は常圧焼結法や雰囲気加圧焼結法によっても
緻密質で、機械的強度に優れ、高破壊靭性値を有するセ
ラミックス焼結体が得られるが、これらの焼結法に限定
されるものではなく、ホットプレス成形法や熱間静水圧
焼結法(HI P)などを適用してもよい。
二のようにして得られる本発明のセラミックス焼結体は
、球状品と針状晶とが混在したβ′型サイアロンとなる
(作 用) 本発明によれば、サイアロン焼結体は、焼結体全体とし
ての平均粒径が3μm以上100μm以下であり、かつ
アスペクト比が 1=3〜1.20の範囲である針状の
結晶粒を含有している。
ここで、針状の結晶粒は絡み合いの構造を形成し、焼結
体中を進展するクラックを進展方向から結晶粒の曲りく
ねった粒界に沿って別方向に曲げて逃がし、クラックの
進展を妨げる。
すなわち、従来のサイアロンは結晶粒が2μm程度と微
細であるため、−旦発生したクラックは焼結体中を止ま
らすに直進して焼結体を破壊していたのに対し、本発明
のサイアロン焼結体では、針状の結晶粒の存在によって
焼結体内の結晶粒の形状が不規則となり、絡み合い構造
を形成して機械的強度を向上させるとともに、結晶粒の
長さによってクラックの進展通路か塞かれ、脇方向に逃
げざるをえなくなるのである。
したかって、クラックの進展を途中で止めることかでき
、靭性の向上を図ることかできる。
(実施例) 次に、本発明の実施例について説明する。
実施例1〜4 ます、平均粒子径か0.4μmの窒化ケイ素粉末と、平
均粒子径0.9μmの酸化アルミニウム粉末IO重量%
とを、分散媒としてエタノールを用いポルミルにて24
時間混合を行い原料粉末を調製した。
次いで、この原料粉末100重量部に対してバインダを
所定量添加し、約1000kg/cJの成形圧で長さ5
0IIIIIl×幅50mmΔ厚さ5a++nの棒状成
形体を作製した。
次に、この成形体を窒素雰囲気中で700℃に加熱して
脱脂した後、窒素ガス雰囲気中において、1700℃の
もと 1時間〜10時間の条件で保持時間を変化させた
後、サイアロン合成温度で焼結させ、第1表に示すよう
に焼結体全体としての平均粒径、および焼結体中の針状
結晶の平均アスペクト比か異なる種々のサイアロン焼結
体を作製した。
なお、ここで焼結体全体としての平均粒径は、作製した
焼結体の2箇所をランダムに切断し、倍率1000倍の
顕微鏡観察によって求めた。
また、平均アスペクト比は、写真上でランダムに選定し
た粒子50個の短径と長径の比の平均を出すことによっ
て求めた。
このようにして得たサイアロン焼結体を鏡面加工した後
、破壊靭性値を測定した。これらの結果を第1表に示す
比較例1〜2 実施例1で使用した原料粉末を用い、実施例1と同一保
持温度のもと、0.1時間および15時間焼成を行って
それぞれ異なる平均粒径およびアスペクト比を有するサ
イアロン焼結体を作製した。
そして、実施例1と同一条件で破壊靭性値を測定した。
その結果を実施例の結果と併せて第1表に示す。
弔 表 破壊靭性値はマイクロインデンテーション法により測定
したものであり、単位はMPaJiである。
また、平均粒径の単位はμmである。
第1表の結果から明らかなように、実施例のサイアロン
焼結体は、クラック進展の防止に最も効果的な平均粒径
を備え、かつ所定のアスペクト比を有する針状の結晶粒
を含有することにより、靭性を大きく向上させることか
できた。
実施例5〜8 続いて、窒化ケイ素成分としてα型窒化ケイ素とβ型窒
化ケイ素との混合粉末を用いたサイアロン焼結体の製造
方法の実施例について述べる。
まず、α型窒化ケイ素粉末と、アスペクト比がI:20
以下である針状晶β型窒化ケイ素とを第2表に示すよう
な割合で混合し、出発原料を調製した。
さらに、次式で表されるβ型サイアロンの一般式:Si
  At  ON   (Z−0〜4,2)s−z  
z  z  s−z においでZ−1となるようにAt2  o3と^INと
を添加し、原料粉末を調製した。
このような原料粉末を用いて、実施例1と同一条件でサ
イアロン焼結体をそれぞれ作製した。
これらのサイアロン焼結体について、実施例]と同様に
して破壊靭性値を測定し、さらに抗折強度についても調
べた。その結果を第2表に示す。
比較例3〜6 α型窒化ケイ素粉末と針状晶β型窒化ケイ素とを第2表
に示すような割合で混合し、出発原料を調製した。
また、ここで用いた針状晶β型窒化ケイ素のアスペクト
比はそれぞれ第2表に示したとおりである。
これらのサイアロン焼結体について、実施例1と同様に
して破壊靭性値を測定し、さらに抗折強度についても調
べた。その結果を第2表に示す。
(以下余白) 第 つ 表 第2表の結果から明らかなように、比較例のようにβ型
窒化ケイ素粉末の混合量か少ない場合や混合したβ型窒
化ケイ素のアスペクト比が適切な値でない場合、サイア
ロン焼結体の強度並びに靭性は向上されない。
これに対して実施例の方法で作製したサイアロン焼結体
は焼結体内の粒子の絡み合いによって強度、靭性がとも
に向上していた。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、所定サイズの針
状晶粒子がサイアロン焼結体内に存在して絡み合い構造
を形成し、クラックの走りを逃がしているため、クラッ
クの大きな進展を防止することができる。
したかって、機械的強度および破壊靭性値に優れたもの
となり、より高品質のサイアロン焼結体を得ることかで
きる。
出願人     株式会社 東芝

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)サイアロン焼結体全体としての平均粒径が3μm
    以上100μm以下であり、 かつアスペクト比が1:3〜1:20の範囲である針状
    の結晶粒を含有する ことを特徴とするサイアロン焼結体。
  2. (2)窒化ケイ素成分の出発原料としてα型窒化ケイ素
    粉末を用い、 このα型窒化ケイ素粉末を含有し、サイアロン組成を満
    足するよう原料粉末を調製し、 この原料粉末をα−β転移温度下で所定時間保持して、
    前記α型窒化ケイ素の一部をβ型窒化ケイ素に相転移さ
    せるとともに、このβ型窒化ケイ素を針状に結晶成長さ
    せ、 その後、前記原料粉末をサイアロン合成温度下で焼結さ
    せ、 前記α型窒化ケイ素粉末の粒子形状に由来する粒状結晶
    粒と前記β型窒化ケイ素の形状に由来する針状結晶粒と
    を混在させる ことを特徴とするサイアロン焼結体の製造方法。
  3. (3)窒化ケイ素成分の出発原料としてα型窒化ケイ素
    粉末と針状晶のβ型窒化ケイ素粉末とを混合したαβ混
    合粉末を用い、 このαβ混合粉末を含有し、サイアロン組成を満足する
    よう原料粉末を調製し、 この原料粉末をサイアロン合成温度下で焼結させ、 前記α型窒化ケイ素粉末の粒子形状に由来する粒状結晶
    粒と前記β型窒化ケイ素の形状に由来する針状結晶粒と
    を混在させる ことを特徴とするサイアロン焼結体の製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004527434A (ja) * 2000-11-28 2004-09-09 ケンナメタル インコーポレイテッド イッテルビウムを含有するSiAlON及びその生成方法
US7858997B2 (en) 2002-11-29 2010-12-28 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting apparatus and light emitting method

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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