JPH0421676A - チオフェン誘導体 - Google Patents

チオフェン誘導体

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JPH0421676A
JPH0421676A JP12400990A JP12400990A JPH0421676A JP H0421676 A JPH0421676 A JP H0421676A JP 12400990 A JP12400990 A JP 12400990A JP 12400990 A JP12400990 A JP 12400990A JP H0421676 A JPH0421676 A JP H0421676A
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JP
Japan
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salt
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tetramer
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prepared
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JP12400990A
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English (en)
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Kazuko Takahashi
高橋 かず子
Masaaki Yoshifuji
吉藤 正明
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Mitsubishi Chemical Corp
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Mitsubishi Petrochemical Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、有機電導体として有用なチオフェン誘導体に
関する。
(従来の技術) テトラチアフルバレン・テトラシアノキノジメタン(T
TF −TCNQ)の電荷移動錯体が金属的性質を示す
ことが見い出されて以来、さらに優れた有機分子性金属
や高電導体の開発を目ざして、その構成成分となる電子
受容体や電子供与体かいろいろと分子設計され、合成さ
れ、その錯体やラジカル塩の電導性が研究の対象となっ
ている。
従来までの研究の結果、高電導性を発現させるために、
次に示すようないくつかの重要な分子設計上の要請があ
る。
(1)中性、アニオンラジカルまたはカチオンラジカル
、およびジアニオンまたはシカチオン状態で分子の平面
性が良いこと、 (2)イオンラジカル状態が安定であること、(3)ジ
アニオン状態またはシカチオン状態におけるクーロン斥
力が小さいこと、 (4)硫黄原子のようなカルコゲン原子を導入して、S
・・・Sコンタクトにより分離積層カラム内における分
子間相互作用を強めること (3)の要請を受けて、テトラシアノキノジメタン(T
CNQ)よりもさらにジアニオン状態におけるクーロン
斥力を小さくする目的で、すでにテトラシアノジフェノ
キノン(以下、TCNDQという)が合成されている。
TCNQ            TCNDQしかしT
CNDQにおいては、二つの6員環上のオルソ水素原子
相互の立体反発が大きいために、これを解消しようとし
て、二つの6員環がねしれて非平面構造をとりやすく、
(1)の要請が満足されないという欠点があった。
(発明が解決しようとする課題) 本発明者は、TCNDQにおけるこのような非平面性を
改良して平面性の良い分子を合成し、さらに電子移動の
過程で立体配座の変化を伴わず、さらに二つのジシアノ
メチレン基の間により長い共役系を導入して、ジアニオ
ン状態におけるクーロン斥力を小さくし、さらに(4)
の要請に応えるために分子の中央部に硫黄原子を導入す
ることを検討した結果、2.5−ビス(4−ジシアノメ
チレン−2,5−シクロへキサジエン−1−イリデン)
−2,5−ジヒドロチオフェンがその四量体、アニオン
ラジカル塩、およびジアニオン塩として安定に合成され
るとともに、とくにアニオンラジカル塩が高電導性を示
すことを見い出し、本発明に到達した。
(課題を解決するための手段) 本発明は、構造式 で表される2、5−ビス(4−ジシアノメチレン−2,
5−シクロへキサジエン−1−イリデン)=2.5−ジ
ヒドロチオフェン、別名、テトラシアノチエニル−拡張
型−ジフェノキノン(以下TCNTDQという)の四量
体、アニオンラジカル塩及びジアニオン塩を提供するこ
とにある。
以下、本発明について詳細に記述する。
本発明のチオフェン誘導体は、式(I)のTCNTDQ
の四量体、アニオンラジカル塩、ジアニオン塩として得
られる。
その製法は、1,4−ジブロモベンゼンを1モル当量の
ブチルリチウムと反応させ、リチウム化したのち、これ
をトリメチルクロロシランと反応させて、4−トリメチ
ルシリルブロモベンゼンを得る。これをブチルリチウム
でリチウム化した後、塩化亜鉛を加えてメタル交換を行
い、塩化p−トリメチルシリルフェニル亜鉛とした後、
これに触媒としてO価パラジウム錯体の存在下に、2.
5−ジブロモチオフェンを作用させ、を得る。
得られた生成物(II)に2モル当量のN−ヨウ化コハ
ク酸イミドを反応させて、ショート体である を得る。
得られた生成物 (II+ )にPdCβ(PPhS)。
触媒の存在下に、 マロン酸ニトリルのNa塩を反 応させて、 TCNTDQのジヒドロ体である を得る。
得られた生成物 (IV)にN−ヨウ化コハク酸 イミドを反応させて、 TCNTDQの四量体 を得る。
またTCNDQのジヒドロ体(IV)を水酸化ナトリウ
ム水溶液に溶解させ、テトラブチルアンモニウムヒドロ
キシド水溶液を作用させると、ジアニオン塩であるビス
(テトラブチルアンモニウム)塩 を得る。
さらに、TCNTDQの四量体(V)にヨウ化ナトリウ
ムを反応させると、TCNTDQのアニオンラジカル塩
である を得る。
このNaアニオンラジカル塩(■)は良好な電導性を示
す。
TCNTDQのアニオンラジカル塩が TCNDQのアニオンラジカル塩に比べて高い電導性を
示す理由として、次のことが挙げられる。
■ TCNTDQはTCNDQに比べて分子の平面性が
良いこと、 ■ TCNTDQはTCNDQに比べてジアニオン状態
[TCNTDQ] ”−におけるクーロン斥力が減少し
ていること、 ■ TCNTDQは分子の中心部に硫黄原子を有してお
り、この硫黄原子がアニオンラジカルやジアニオン状態
を電子的に安定化していること、■ 結晶状態でS・・
・Sコンタクトにより分子間相互作用を高めていること
、 [実施例] 以下、実施例及び比較例により本発明を具体的に説明す
る。
実施例1 [2,5−ビス(4−トリメチルシリルフェニル)チオ
フェンの合成] 1.4−ジブロモベンゼン40.0g(170,0mm
of)を無水ジエチルエーテル200−に溶解させた溶
液をO′Cに保ち、これに、ブチルリチウムの149M
ヘキサン溶液114m1’ (170,0mmof)を
滴下し、さらにO″Cで1時間撹拌した。これに、トリ
メチルクロロシラン432−(340,0mmof)を
滴下し、さらに室温で30分間撹拌した。反応液に水を
加え、ジエチルエテルで抽出した。ジエチルエーテル層
を水、ついて飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウム
を加えて乾燥した。溶媒を減圧で留去し、ヘキサンを用
いるシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより残渣を
分離精製すると、無色液体の4−トリメチルシリルブロ
モベンゼンが38.68g(168、8mmof)得ら
れた。収率は理論量に対して99.3%であった。
この化合物2、OOg(8,726mmof)を無水ジ
エチルエーテル12111に溶解させて得た溶液を0℃
に保ち、アルゴン気流下で、ブチルリチウムの150M
ヘキサン溶液58l−(8、726mmof)を滴下し
、さらに、1時間撹拌した。これを、無水塩化亜鉛11
9g(8、726mmofりを無水テトラヒドロフラン
12−に溶解させて得た溶液中に滴下し、さらに、1時
間撹拌して、相当するフェニル塩化亜鉛を得た。他方、
PdCj2a(PPhs)z 245mg(0、349
mmof)を無水テトラヒドロフラン12−に懸濁させ
て得た懸濁液にジイソブチルアルミニウムハイドライド
(DIBAH)の1Mヘキサン溶液0.698m/ (
0,698mmof)を加え、10分間撹拌して、Pd
 (0)触媒を調製した。この中に、2.5−ジブロモ
チオフェン844mg(3,491101)を、無水テ
トラヒドロフラン10.7部に溶解させて得た溶液と、
先に調製したフェニル塩化亜鉛のテトラヒドロフラン溶
液を滴下し、さらに1時間撹拌した。ついで反応液を水
に注ぎ、ジエチルエーテルで抽出した。ジエチルエーテ
ル層を水、ついで飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリ
ウムを加えて乾燥した。溶媒を減圧留去したのち、ヘキ
サンを用いるシリカゲルカラムクロマトグラフィーによ
り残渣を分離精製すると、126〜7°Cの白色結晶が
714mg得られた。
得られた白色結晶の’ HNMR(CDCff 、、2
00MHz)スペクトルを測定したところ、0.29p
pm  (18H,s)にメチル基のシグナル、7.3
1ppm  (2H,s)にチオフェン環上の水素のシ
グナル、7.53ppm  (4H,d、J=8.2H
z)と7.62ppm  (4H,d、J=8.2Hz
)にベンゼン環上の水素のシグナルが現われることから
、この白色結晶は2.5−ビス(トリメチルシリルフェ
ニル)チオフェン(II)(1、875mmof)であ
ることが確認された。収率は理論量に対して53.7%
であった。
実施例2 [2,5−ビス(4−ヨウ化フェニル)チオフェンの合
成 実施例1で得られた2、5−ビス(4−トリメチルシリ
ルフェニル)チオフェン3.20g(8,406闘of
)をクロロホルム80−に溶解させ、この溶液に酢酸8
0−とN−ヨウ化コハク酸イミド3.78g  (16
,81mmoi’)を加えて、室温で2時間攪拌した。
生成した沈殿を濾過し、水で洗浄すると、融点280−
285°Cの白色結晶が3.901g得られた。
得られた白色結晶の’ HNMR(CDCff 、、2
00MHz)スペクトルを測定したところ、7.28p
pmに水素2個分のやき幅広い一重線が現われ、チオフ
ェン環上の水素のシグナルと考えられた。また7、35
ppm  (4H,d、J=8.8Hz)と7.71p
pm  (4H,d、J=8.8Hz)にベンゼン環上
の水素のシグナルが現われた。また、マススペクトルを
測定したところ、m/e488に分子イオンビークがベ
ースビークとして現われた。これらの結果から、この白
色結晶は2.5−ビス(4−ヨウ化フェニル)チオフェ
ン(III)  (7、992mmof)であることが
確認された。収率は理論量に対して951%であった。
実施例3 [2,5−ビス(4−ジシアノメチルフェニル)チオフ
ェンの合成コ アルゴン気流下、水素化ナトリウム1.18g(49,
17mmof)を無水テトラヒドロフラン120Wd!
に懸濁させて懸濁液を得た。マロン酸ニトリル2.17
g  (32,78mmoJ)をテトラヒドロフラン4
0dに溶解させて得た溶液を上記の懸濁液に滴下し、室
温で、10分間撹拌した。これに、PdCfPdCff
−1PPh−)2575. 819mmo1)及び実施
例2で得られた2、5−ビス(4−ヨウ化フェニル)チ
オフェン4、 00g (8,195mmof)を加え
、21時間還流した。反応液を水に注ぎ、IN塩酸で酸
性にした後、塩化メチレンで抽出し、塩化メチレン層を
水、次いで飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムを
加えて乾燥した。
溶媒を減圧留去し、塩化メチレン 酢酸エチル21の混
合溶媒を用いるシリカゲルカラムクロマトグラフィーに
より残渣を分離し、クロロホルムを用いる再結晶により
精製すると、融点194−195°Cの黄土色結晶が2
.900g得られた。 得らハだ黄土色結晶の ’HN
MR(CDCI23.200MHz)スペクトルを測定
したところ、5.10ppm  (2H,s)にジシア
ノメチン水素によるシグナル、また7、39ppm(2
H,S)にチオフェン環上の水素のシグナル、7.54
ppm  (4H,d、J=8.3Hz)と7.75p
9rn  (4H,d、J=8.3Hz)にベンゼン環
上の水素のシグナルが現われた。
このことから、この黄土色結晶は2.5−ビス(4−ジ
シアノメチルフェニル)チオフェン(rV)  (7,
953mmof)であることが確認された。収率は理論
量に対して971%であった。
実施例4 [TCNTDQの四量体の合成] 実施例3で得られた2、5−ビス(4−ジシアノメチル
フェニル)チオフェン40mg(0,110mmon’
)を無水アセトニトリル4iに溶解し、アルゴン気流下
にN−ヨウ化コハク酸ニトリル39mg (0、176
mmoi’)を加え、室温で1時間撹拌した。沈殿をi
濾過し、残渣をアセトニトリルで洗浄すると、融点30
0℃以上の黄土色結晶が得られた。
得られた黄土色結晶のIRスペクトル(KBrセル)を
測定したところ、2205cm−’に共役していないC
N基の吸収が現われた。またゲル浸透カラムクロマトグ
ラフィーにかけ、その保持容量から分子量を求めたとこ
ろ、分子量は400〜1.500であった。これらのこ
とより、この黄土色結晶はTCNTDQの四量体(V)
であることが確認された6収率は理論量に対して80.
3%であった。
実施例5 [TCNTDQのナトリウムアニオンラジカル塩の合成
] 実施例4で得られたTCNTDQの四量体10mg (
0,0276mmoりを無水アセトニトリル4−に溶解
した。アルゴン気流下に、これに無水ヨウ化ナトリウム
12mg (0,080mmoI)を加え、さらに30
分間還流した。生成した沈殿をン濾過し、無水アセトニ
トリルで洗浄すると、融点300℃以上の濃緑色固体が
10mg得られた。
得られた緑色固体のIPスペクトル(KBrセル)を測
定したところ、2180cm−’に共役シアノ基の伸縮
振動が現われた。このことと、元素分析においてTCN
TDQ : Naの組成比がほぼ1:1であることから
、得られた濃緑色固体はTCNTDQのアニオンラジカ
ル塩(VT)と確認された。収率は理論量に対して94
0%であった。
TCNTDQ ・Naアニオンラジカル塩の 遍1ヱコ肚定 得られた[TCNTDQ]  ・Naアニオンラジカル
塩の微結晶をまとめて乾燥し、加圧可能な電導度測定装
置に入れ、圧力を20 kg/ cm2かけて加圧成形
し、二端子法で非抵抗値を測定したところ、1.5X1
0”Ω・cmの値を示した。
実施例6 [[TCNTDQ] ト・2 (Bu 4N”)、ジア
ニオン塩の合成] 実施例3で合成した2、5−ビス(4−ジシアノメチル
フェニル)チオフェン100mg(0,274mmof
)をアルゴンを通しながら1゜%NaOH水溶液4−中
に加え、室温で1o分間撹拌した。これに10%テトラ
ブチルアンモニウムヒドロキシド水溶液1−を加え、生
成した沈殿をγ濾過した。沈殿を無水ベンゼンで洗浄す
ると、融点133〜135℃の黄土色粉末162mgが
得られた。
得られた黄土色粉末のIPスペクトルを測定したところ
、2115cm−’に共役シアノ基による伸縮振動が現
われた。 ’HNMR(CD 、CN、200 MHz
)スペクトルを測定したところ、7.O8ppm  (
2H,s)にチオフェン環上水素によるシグナルが現わ
れ、6.841)I)m(4H、d 、 J = 8 
、8 Hz)と7.33ppm(4H,d、J=8.8
Hz)にベンゼン環上水素によるシグナルが現われた。
元素分析値もTCNTDQのビス(テトラブチルアンモ
ニウム)塩と良く一致していた。以上のことから、この
黄土色粉末はTCNTDQのビス(テトラブチルアンモ
ニウム塩(VI)であることが確認された。収率は理論
量の706%であった。
この化合物は強い蛍光を呈することが見出された。
サイク ラックポルタモグラムの測定 このようにして得られたビス (テトラブチル アンモニウム)塩をt  B u 4 N C氾04の
0.1Mアセトニトリル溶液に溶解させ、作用極と対極
に白金電極を、参照極に飽和カロメル電極を使用してサ
イクリックポルタモグラムを測定したところ、可逆性の
よい二電子−段階の酸化還元波が得られた。
この測定結果より、TCNTDQの第1半波還元電位と
して+〇 、  08 V(vs 5CE)を得た。
比較例I TCNQのNaアニオンラジカル塩を合成し、実施例5
と同様に加圧成形して二端子法で比抵抗値を測定したと
ころ、3.0XIO’Ω・amであり、実施例5のTC
NTDQのNaアニオンラジカル塩の方が高電導性であ
った。結果を比較して第1表に示す。
比較例2 TCNDQのNaアニオンラジカル塩を合成し、実施例
5と同様に加圧成形して二端子法で比抵抗値を測定した
ところ7.8X10”Ω・cmであり、実施例5のTC
NTDQのNaアニオンラジカル塩の方が高電導性であ
った。
て第1表に示す6 第  1  表 結果を比較し く発明の効果) 以上述べたように、本発明の化合物はそのNaラジカル
塩が高電導性であるので、単結晶化すれば、優れた高電
導体が得られる。また各種の電子受容体と錯体を形成さ
せ、電荷移動型錯体を生成することもできる。また本発
明の化合物は、そのジアニオン塩が強い蛍光発光を呈す
る6以上のことより、本発明の化合物は、有機電導体及
びエレクトロクロミズムを利用した電気・電子材料への
応用が可能である6

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 構造式 ▲数式、化学式、表等があります▼ で表されるチオフェン誘導体の四量体、アニオンラジカ
    ル塩及びジアニオン塩。
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