JPH042181A - 薄膜超電導体およびその製造方法 - Google Patents
薄膜超電導体およびその製造方法Info
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- JPH042181A JPH042181A JP2101616A JP10161690A JPH042181A JP H042181 A JPH042181 A JP H042181A JP 2101616 A JP2101616 A JP 2101616A JP 10161690 A JP10161690 A JP 10161690A JP H042181 A JPH042181 A JP H042181A
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- film
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、１００ ’に以上の高臨界温度が期待される
ビスマスを含む酸化物超電導体の薄膜およびその製造方
法に関するものである。
ビスマスを含む酸化物超電導体の薄膜およびその製造方
法に関するものである。
（従来の技術）
高温超電導体として、Ａ１５型２元系化合物として窒化
ニオブ（ＮｂＮ）やゲルマニウムニオブ（Ｎｂ３Ｇｅ）
などが知られていたが、これらの材料の超電導転移温度
はたかだか２３″にであった。一方、ペロブスカイト系
化合物は、さらに高い転移温度が期待され、Ｂ ａ−Ｌ
ａ−Ｃｕ−〇系の高温超電導体が提案された［ Ｊ
、Ｇ、 Ｂｅｄｎｏｒｚ ａｎｄ Ｋ、Ａ、Ｍｕｌｌｅ
ｒ。
ニオブ（ＮｂＮ）やゲルマニウムニオブ（Ｎｂ３Ｇｅ）
などが知られていたが、これらの材料の超電導転移温度
はたかだか２３″にであった。一方、ペロブスカイト系
化合物は、さらに高い転移温度が期待され、Ｂ ａ−Ｌ
ａ−Ｃｕ−〇系の高温超電導体が提案された［ Ｊ
、Ｇ、 Ｂｅｄｎｏｒｚ ａｎｄ Ｋ、Ａ、Ｍｕｌｌｅ
ｒ。
ツアイトシュリフト・フユア・フィジーク（Ｚｅｔｓｈ
ｒｉｆｔ Ｆｉｉｒ Ｐｈｙｓｉｋ Ｂ）−Ｃｏ
ｎｄｅｎｓｅｄＭａｔｔｅｒ、Ｖｏｌ、６４，１８９−
１９３ （１９８６）］。
ｒｉｆｔ Ｆｉｉｒ Ｐｈｙｓｉｋ Ｂ）−Ｃｏ
ｎｄｅｎｓｅｄＭａｔｔｅｒ、Ｖｏｌ、６４，１８９−
１９３ （１９８６）］。
さらに、 ］Ｂ１−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−〇の材料が１０
０ ’に以上の転移温度を示すことも発見された［ Ｈ
，Ｍａｅｄａ、 Ｙ 、 Ｔａｎａｋａ、 Ｍ、 Ｆｕ
ｋｕｔｏ＠ｉ ａｎｄ Ｔ 。
０ ’に以上の転移温度を示すことも発見された［ Ｈ
，Ｍａｅｄａ、 Ｙ 、 Ｔａｎａｋａ、 Ｍ、 Ｆｕ
ｋｕｔｏ＠ｉ ａｎｄ Ｔ 。
ＡｓａｎＯ＋ジャパニーズ″ジャーナル・オブ・アプラ
イド拳フィジックス（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａ
ｌ ｏｆ Ａｐ−ｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）Ｖｏ
ｌ、２７． Ｌ２０９−２１０ （１９８ｇ）コ。
イド拳フィジックス（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａ
ｌ ｏｆ Ａｐ−ｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）Ｖｏ
ｌ、２７． Ｌ２０９−２１０ （１９８ｇ）コ。
この種の材料の超電導機構の詳細は明らかではないが
、転移温度が室温以上に高くなる可能性があり、高温超
電導体として従来の２元系化合物より、より有望な特性
が期待される。
、転移温度が室温以上に高くなる可能性があり、高温超
電導体として従来の２元系化合物より、より有望な特性
が期待される。
さらに超電導体と磁性体とのを交互に積層することによ
り、より高い臨界電流密度およびより高い臨界磁場が従
来から期待されている。
り、より高い臨界電流密度およびより高い臨界磁場が従
来から期待されている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、Ｂ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系の材料は
、現在の技術では主として焼結という過程でしか形成で
きないため、セラミックの粉末あるいはブロックの形状
でしか得られない。一方、この種の材料を実用化する場
合、薄膜状に加工することが強く要望されているが、従
来の技術では、良好な超電導特性を有する薄膜作製は厳
しいものであった。
、現在の技術では主として焼結という過程でしか形成で
きないため、セラミックの粉末あるいはブロックの形状
でしか得られない。一方、この種の材料を実用化する場
合、薄膜状に加工することが強く要望されているが、従
来の技術では、良好な超電導特性を有する薄膜作製は厳
しいものであった。
すなわち、 Ｂ１−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−○系には超電導
転移温度の異なるいくつかの相が存在することが知られ
ているが、特に転移温度が１００″に以上の相を薄膜の
形態で達成するのは、非常に困難とされていた。
転移温度の異なるいくつかの相が存在することが知られ
ているが、特に転移温度が１００″に以上の相を薄膜の
形態で達成するのは、非常に困難とされていた。
また、従来のこのＢｉ系において良好な超電導特性を示
す薄膜を形成するためには少なくとも７００℃以上の熱
処理あるいは形成時の加熱が必要であり、そのため高い
臨界電流密度、高い臨界磁場が期待される磁性薄膜との
周期的な積層構造を得ることは極めて困難と考えられ、
またこの構造を利用した集積化デバイスを構成すること
もたいへん困難であるとされていた。
す薄膜を形成するためには少なくとも７００℃以上の熱
処理あるいは形成時の加熱が必要であり、そのため高い
臨界電流密度、高い臨界磁場が期待される磁性薄膜との
周期的な積層構造を得ることは極めて困難と考えられ、
またこの構造を利用した集積化デバイスを構成すること
もたいへん困難であるとされていた。
本発明の目的は、従来の欠点を解消し、 １００ ’に
以上の高臨界温度が期待されるビスマスを含む酸化物超
電導薄膜およびその製造方法を提供することである。
以上の高臨界温度が期待されるビスマスを含む酸化物超
電導薄膜およびその製造方法を提供することである。
（課題を解決するための手段）
本発明者らによる第１の発明の薄膜超電導体は。
主体成分が少なくともビスマス（Ｂｉ）、銅（Ｃｕ）、
およびアルカリ土類（ｎａ族）を含む層状酸化物超電導
薄膜と、ＥｕＯからなる磁性薄膜が交互に積層された構
造を持つものである。
およびアルカリ土類（ｎａ族）を含む層状酸化物超電導
薄膜と、ＥｕＯからなる磁性薄膜が交互に積層された構
造を持つものである。
さらに第２の発明の薄膜超電導体の製造方法は、基体上
に、少なくともＢｉを含む酸化物と少なくとも銅および
アルカリ土類（ｎａ族）を含む酸化物とを周期的に積層
させて形成する酸化物薄膜と。
に、少なくともＢｉを含む酸化物と少なくとも銅および
アルカリ土類（ｎａ族）を含む酸化物とを周期的に積層
させて形成する酸化物薄膜と。
ＥｕＯからなる磁性薄膜とを、交互に積層させて得る薄
膜超電導体の製造方法である。
膜超電導体の製造方法である。
ここでアルカリ土類は、ＩＩａ族元素のうち少なくとも
一種あるいは二種以上の元素を示す。
一種あるいは二種以上の元素を示す。
（作 用）
本発明者らによる第１の発明においては、安定なり１２
０２酸化膜層またはこれを主体とした層によりともに覆
われた結晶構造となっているところの、Ｂｉ系超電導薄
膜と、ＥｕＯからなる磁性薄膜とが、交互に積層された
構造をとることによって、超電導膜と磁性薄膜との間で
の相互拡散の少ない積層が可能となる。また、磁性薄膜
のもつ磁気モーメントまたはスピンと超電導体との相互
作用により、Ｂｉ系超電導薄膜における臨界電流密度お
よび臨界磁場の向上が実現されたものである。
０２酸化膜層またはこれを主体とした層によりともに覆
われた結晶構造となっているところの、Ｂｉ系超電導薄
膜と、ＥｕＯからなる磁性薄膜とが、交互に積層された
構造をとることによって、超電導膜と磁性薄膜との間で
の相互拡散の少ない積層が可能となる。また、磁性薄膜
のもつ磁気モーメントまたはスピンと超電導体との相互
作用により、Ｂｉ系超電導薄膜における臨界電流密度お
よび臨界磁場の向上が実現されたものである。
さらに第２の発明においては上記構造を達成するため、
少なくともＢｉを含む酸化物と、少なくとも銅およびア
ルカリ土類（ＩＩａ族）を含む酸化物あるいはＥｕＯと
を、周期的に積層させて分子レベルの制御による薄膜の
作製を行うことによって、再現性良＜Ｂｉ系超電導薄膜
と磁性薄膜との積層を得ることに成功したものである。
少なくともＢｉを含む酸化物と、少なくとも銅およびア
ルカリ土類（ＩＩａ族）を含む酸化物あるいはＥｕＯと
を、周期的に積層させて分子レベルの制御による薄膜の
作製を行うことによって、再現性良＜Ｂｉ系超電導薄膜
と磁性薄膜との積層を得ることに成功したものである。
（実施例）
まず、Ｂｉ系超電導薄膜と磁性薄膜との周期的な積層構
造を実現するため、Ｂｉ系超電導薄膜と種々の磁性薄膜
との界面での相互作用について検討した。
造を実現するため、Ｂｉ系超電導薄膜と種々の磁性薄膜
との界面での相互作用について検討した。
通常、Ｂｉ系超電導薄膜は５００〜７００℃に加熱した
基体上に蒸着して得る。蒸着後、そのままでも薄膜は超
電導特性を示すが、そののち８００〜９５０℃の熱処理
を施し、超電導特性を向上させる。
基体上に蒸着して得る。蒸着後、そのままでも薄膜は超
電導特性を示すが、そののち８００〜９５０℃の熱処理
を施し、超電導特性を向上させる。
しかしながら、基体温度が高いときに磁性薄膜をＢｉ系
超電導薄膜に続いて積層したり、磁性薄膜を形成後熱処
理を行った場合、超電導薄膜と磁性薄膜との間で、元素
の相互拡散が起こり超電導特性が大きく劣化することが
判明した。相互拡散を起こさないためには、超電導薄膜
、磁性薄膜の結晶性が優れていること、超電導薄膜、磁
性薄膜間での格子の整合性が優れていること、磁性薄膜
が８００〜９５０℃の熱処理に対して安定であることが
不可欠と考えられる。
超電導薄膜に続いて積層したり、磁性薄膜を形成後熱処
理を行った場合、超電導薄膜と磁性薄膜との間で、元素
の相互拡散が起こり超電導特性が大きく劣化することが
判明した。相互拡散を起こさないためには、超電導薄膜
、磁性薄膜の結晶性が優れていること、超電導薄膜、磁
性薄膜間での格子の整合性が優れていること、磁性薄膜
が８００〜９５０℃の熱処理に対して安定であることが
不可欠と考えられる。
種々の検討を行った結果、ＥｕＯが磁性薄膜として適し
ていることを見いだした。この理由としては明らかでは
ないが、ＥｕＯは、Ｂｉ系超電導体との格子の整合性が
きわめて優れており、また高温の熱処理においても、Ｂ
ｉ系超電導体との界面が非常に安定であると考えられる
。
ていることを見いだした。この理由としては明らかでは
ないが、ＥｕＯは、Ｂｉ系超電導体との格子の整合性が
きわめて優れており、また高温の熱処理においても、Ｂ
ｉ系超電導体との界面が非常に安定であると考えられる
。
さらにＢｉ系超電導薄膜とＥｕ○薄膜を周期的に積層し
たとき、Ｂｉ系超超電導薄膜本来臨界電流密度および臨
界磁場が向上することを見いだした。
たとき、Ｂｉ系超超電導薄膜本来臨界電流密度および臨
界磁場が向上することを見いだした。
第１の発明の内容を更に深く理解されるために、第１図
を用い具体的な実施例を示す６ （実施例１） 第１図は、本実施例で用いた高周波二元マグネトロンス
パッタ装置内部の概略図であり、１１はＢ１−８ｒ−Ｃ
ａ−Ｃｕ−○ターゲット、１２はＥｕＯターゲット、１
３はシャッター、１４はアパーチャー、１５は基体、１
６は基体加熱用ヒーターを示す。焼結体をプレス成形加
工して作製した２個のターゲット１１、１２を用い、第
１図に示すように配置させた。
を用い具体的な実施例を示す６ （実施例１） 第１図は、本実施例で用いた高周波二元マグネトロンス
パッタ装置内部の概略図であり、１１はＢ１−８ｒ−Ｃ
ａ−Ｃｕ−○ターゲット、１２はＥｕＯターゲット、１
３はシャッター、１４はアパーチャー、１５は基体、１
６は基体加熱用ヒーターを示す。焼結体をプレス成形加
工して作製した２個のターゲット１１、１２を用い、第
１図に示すように配置させた。
すなわち、ＭｇＯ（１００）基体１５に焦点を結ぶよう
に各ターゲットが約３０°傾いて設置されている。ター
ゲットの前方には回転するシャッター１３があり、その
中にはアパーチャー１４が設けられている。シャッター
１３の回転をパルスモータで制御することにより、アパ
ーチャー１４をＢ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０ターゲツト
またはＥｕＯターゲット上に停止させることができる。
に各ターゲットが約３０°傾いて設置されている。ター
ゲットの前方には回転するシャッター１３があり、その
中にはアパーチャー１４が設けられている。シャッター
１３の回転をパルスモータで制御することにより、アパ
ーチャー１４をＢ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０ターゲツト
またはＥｕＯターゲット上に停止させることができる。
このようにして、Ｂ１−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−〇→Ｅ ｕ
ｏ−４Ｂ ｉ−Ｓ ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０−＋ ＥｕＯ→
Ｂ１−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−〇のサイクルでスパッタ蒸気
を行うことができる。Ｂ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−○膜、
ＥｕＯ膜の積層の様子を概念的に第２図に示す。
ｏ−４Ｂ ｉ−Ｓ ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０−＋ ＥｕＯ→
Ｂ１−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−〇のサイクルでスパッタ蒸気
を行うことができる。Ｂ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−○膜、
ＥｕＯ膜の積層の様子を概念的に第２図に示す。
同図において、２１はＥｕＯ膜、２２はＢ１−８ｒ−Ｃ
ａ−Ｃｕ−○膜を示す。ターゲット１１．１２への入力
電力、およびそれぞれのターゲットのスパッタ時間を制
御することにより、基体１５上に蒸着するＥｕ○膜２１
、Ｂ１−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０膜２２の膜厚を変えるこ
とができる。基体１５をヒーター１６で約７００℃に加
熱し、アルゴン・酸素（１： １）混合雰囲気０．５Ｐ
ａのガス中の各ターゲットのスパッタリングを行なった
。薄膜作製後は酸素雰囲気中において、８００’Ｃの熱
処理を２時間施した。本実施例では、各ターゲットのス
パッタ電力を、Ｂ１−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０：１５０ｗ
、ＥｕＯ：１００ｗとし、ターゲット１１．１２のスパ
ッタ時間を制御した。Ｂ１−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−○膜２
２の元素の組成比率がＢｉ： Ｓｒ： Ｃａ： Ｃｕ＝
２ ：２：２：３になるよう、ターゲット１１の元素組
成比率を調整した。また、ＥｕＯ膜の組成比率がＥｕ：
○＝１：１になるようスパッタ条件を最適化した。Ｂ
ｉ−Ｓ ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０膜２２をＥｕＯ膜２１と積
層せずに基体１５上に形成した場合、すなわちＢ１−５
ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０膜２２そのものの特性は、１１０Ｘ
で超電導転移を起こし、１００ ’にで抵抗値がゼロに
なるものであった。また、ＥｕＯ，膜だけを成膜し、磁
化を測定したところ磁化容易軸は膜面に平行であった。
ａ−Ｃｕ−○膜を示す。ターゲット１１．１２への入力
電力、およびそれぞれのターゲットのスパッタ時間を制
御することにより、基体１５上に蒸着するＥｕ○膜２１
、Ｂ１−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０膜２２の膜厚を変えるこ
とができる。基体１５をヒーター１６で約７００℃に加
熱し、アルゴン・酸素（１： １）混合雰囲気０．５Ｐ
ａのガス中の各ターゲットのスパッタリングを行なった
。薄膜作製後は酸素雰囲気中において、８００’Ｃの熱
処理を２時間施した。本実施例では、各ターゲットのス
パッタ電力を、Ｂ１−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０：１５０ｗ
、ＥｕＯ：１００ｗとし、ターゲット１１．１２のスパ
ッタ時間を制御した。Ｂ１−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−○膜２
２の元素の組成比率がＢｉ： Ｓｒ： Ｃａ： Ｃｕ＝
２ ：２：２：３になるよう、ターゲット１１の元素組
成比率を調整した。また、ＥｕＯ膜の組成比率がＥｕ：
○＝１：１になるようスパッタ条件を最適化した。Ｂ
ｉ−Ｓ ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０膜２２をＥｕＯ膜２１と積
層せずに基体１５上に形成した場合、すなわちＢ１−５
ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０膜２２そのものの特性は、１１０Ｘ
で超電導転移を起こし、１００ ’にで抵抗値がゼロに
なるものであった。また、ＥｕＯ，膜だけを成膜し、磁
化を測定したところ磁化容易軸は膜面に平行であった。
また磁化の値はバルクの値と同一であった。ＥｕＯ膜お
よびＢｉ、５ｒ２Ｃａ、Ｃｕ、０．膜の膜厚をそれぞれ
５００人とし１層ずつ積層した。この積層膜の磁化を測
定したところ当然のことなからＥｕＯだけの膜の値と同
じであった。この膜の抵抗の温度特性を第３図に示す。
よびＢｉ、５ｒ２Ｃａ、Ｃｕ、０．膜の膜厚をそれぞれ
５００人とし１層ずつ積層した。この積層膜の磁化を測
定したところ当然のことなからＥｕＯだけの膜の値と同
じであった。この膜の抵抗の温度特性を第３図に示す。
超電導転移温度（オンセット温度）は、１１０ ’にで
ありＥｕＯ膜を積層していない場合とかわらなかった。
ありＥｕＯ膜を積層していない場合とかわらなかった。
外部磁場１０ｋｏｅを積層膜の膜面に平行に印加し、磁
性体膜を磁化させたのちに外部磁場を取り除いた状態で
測定した臨界電流密度の温度依存性を第４図に示す。臨
界電流密度は磁界をかける前の値に対して各温度におい
て約２０％大きくなっている。第５図には外部磁場を印
加した状態における電気抵抗の温度特性を示す、ＥｕＯ
膜を積層していないＢｉ−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−○膜自身
の結果を比較すると積層膜においては、磁場による超電
導転移温度領域の広がりが小さくなることがわかった。
性体膜を磁化させたのちに外部磁場を取り除いた状態で
測定した臨界電流密度の温度依存性を第４図に示す。臨
界電流密度は磁界をかける前の値に対して各温度におい
て約２０％大きくなっている。第５図には外部磁場を印
加した状態における電気抵抗の温度特性を示す、ＥｕＯ
膜を積層していないＢｉ−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−○膜自身
の結果を比較すると積層膜においては、磁場による超電
導転移温度領域の広がりが小さくなることがわかった。
このことは上部臨界磁場の向上を意味している。これら
の臨界電流密度および上部臨界磁界の向上の理由は明ら
かではないがＥｕＯ膜の磁化またはスピンがＢ１−８
ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−○膜の超電導機構に影響をもたらした
結果であると考えられる。また、ＥｕＯ膜およびＢ１−
８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０膜単独で成膜したとき、膜厚がそ
れぞれ１００人および５０Å以上のとき結晶性の薄膜が
得られることがわかった。第２図において、ＥｕＯ膜２
１の膜厚を１００人としてＢ１−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０
膜２２の膜厚が１００人、３００人、５００人、繰り返
し回数を２０回としたときの特性をそれぞれ第６図にお
いて、特性６１．６２．６３に示す。特性６１において
はゼロ抵抗温度が約３０ ’にとＢ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃ
ｕ−０膜２２の特性が劣化することがわかった。この理
由として、Ｂ１−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０膜２２とＥｕＯ
膜２１との間で元素の相互拡散による膜２１．２２の結
晶性の破壊が考えられる。さらに特性６３においては、
ＥｕＯ膜２１との周期的な積層なしに基体１５上につけ
たときのＢ１−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０膜２２本来の超電
導特性とほとんど同じであり、磁性薄膜ＥｕＯ膜２１と
の積層効果は確認されなかった。しかし、特性６２にお
いて、臨界電流密度は磁性膜を積層していない膜と比較
して約２０％向上し、７７ ’にで３２０万Ａ１０とな
った。上記臨界磁場はＢ１−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０膜本
来のものより約２０％向上した。４．２″Ｋにおいて、
Ｃ軸に平行方向に磁場を加えたときの値は３０テスラ、
またＣ軸に垂直方向では４５０テスラであった。現在、
これらの効果の詳細な理由については未だ不明であるが
、Ｅｕ○膜２１が持つ磁気モーメントまたはスピンの影
響、または、薄いＥｕＯ膜２１を介して複数のＢ１−５
ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０膜２２を積層することによりＢ１−
５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０膜２２において超電導機構になん
らかの変化が引き起こされたことが考えられる。
の臨界電流密度および上部臨界磁界の向上の理由は明ら
かではないがＥｕＯ膜の磁化またはスピンがＢ１−８
ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−○膜の超電導機構に影響をもたらした
結果であると考えられる。また、ＥｕＯ膜およびＢ１−
８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０膜単独で成膜したとき、膜厚がそ
れぞれ１００人および５０Å以上のとき結晶性の薄膜が
得られることがわかった。第２図において、ＥｕＯ膜２
１の膜厚を１００人としてＢ１−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０
膜２２の膜厚が１００人、３００人、５００人、繰り返
し回数を２０回としたときの特性をそれぞれ第６図にお
いて、特性６１．６２．６３に示す。特性６１において
はゼロ抵抗温度が約３０ ’にとＢ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃ
ｕ−０膜２２の特性が劣化することがわかった。この理
由として、Ｂ１−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０膜２２とＥｕＯ
膜２１との間で元素の相互拡散による膜２１．２２の結
晶性の破壊が考えられる。さらに特性６３においては、
ＥｕＯ膜２１との周期的な積層なしに基体１５上につけ
たときのＢ１−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０膜２２本来の超電
導特性とほとんど同じであり、磁性薄膜ＥｕＯ膜２１と
の積層効果は確認されなかった。しかし、特性６２にお
いて、臨界電流密度は磁性膜を積層していない膜と比較
して約２０％向上し、７７ ’にで３２０万Ａ１０とな
った。上記臨界磁場はＢ１−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０膜本
来のものより約２０％向上した。４．２″Ｋにおいて、
Ｃ軸に平行方向に磁場を加えたときの値は３０テスラ、
またＣ軸に垂直方向では４５０テスラであった。現在、
これらの効果の詳細な理由については未だ不明であるが
、Ｅｕ○膜２１が持つ磁気モーメントまたはスピンの影
響、または、薄いＥｕＯ膜２１を介して複数のＢ１−５
ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０膜２２を積層することによりＢ１−
５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０膜２２において超電導機構になん
らかの変化が引き起こされたことが考えられる。
なお、ターゲット１１．もしくは１２に鉛（ｐｂ）を添
加してスパッタしたとき、基体１５の温度が上記実施例
よりも約１００℃低くても、上記実施例と同等な結果が
得られることを見いだした。
加してスパッタしたとき、基体１５の温度が上記実施例
よりも約１００℃低くても、上記実施例と同等な結果が
得られることを見いだした。
さらに、Ｂｉの酸化物と、Ｓｒ、Ｃａ、Ｃｕめ酸化物を
異なる蒸発源から真空中で別々に蒸発させ。
異なる蒸発源から真空中で別々に蒸発させ。
基体上にＢ １−０− Ｓ ｒ−Ｃｕ−０−Ｃａ−Ｃｕ
−０−Ｓ ｒ−Ｃｕ−Ｏ−Ｂｉ−０の順に周期的に積層
させた場合、ざらにＥｕ○ターゲットを用いて真空中で
蒸発させ、積層させた場合、（実施例１）に示した積層
構造作製方法より極めて制御性良く、安定した膜質の、
しかも膜表面が極めて平坦なり１−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−
０超電導薄膜およびＥｕＯ磁性薄膜が得られることを見
いだした。
−０−Ｓ ｒ−Ｃｕ−Ｏ−Ｂｉ−０の順に周期的に積層
させた場合、ざらにＥｕ○ターゲットを用いて真空中で
蒸発させ、積層させた場合、（実施例１）に示した積層
構造作製方法より極めて制御性良く、安定した膜質の、
しかも膜表面が極めて平坦なり１−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−
０超電導薄膜およびＥｕＯ磁性薄膜が得られることを見
いだした。
さらに、Ｂ１−０．５ｒ−Ｃｕ−０、Ｃａ−Ｃｕ−０、
ＥｕＯを別々の蒸発源から蒸発させ、Ｂ１−８ｒ−Ｃａ
−Ｃｕ−０超電導薄膜とＥｕＯ磁性薄膜を周期的に積層
したとき、極めて制御性良＜ｍ（Ｂｉ−５ｒ−Ｃａ−Ｃ
ｕ−０）・ｎ（ＥｕＯ）の周期構造を持つ薄膜を形成で
きることを見いだした。ここでｍ、ｎはそれぞれ少なく
とも１以上の正の整数を示す。さらに。
ＥｕＯを別々の蒸発源から蒸発させ、Ｂ１−８ｒ−Ｃａ
−Ｃｕ−０超電導薄膜とＥｕＯ磁性薄膜を周期的に積層
したとき、極めて制御性良＜ｍ（Ｂｉ−５ｒ−Ｃａ−Ｃ
ｕ−０）・ｎ（ＥｕＯ）の周期構造を持つ薄膜を形成で
きることを見いだした。ここでｍ、ｎはそれぞれ少なく
とも１以上の正の整数を示す。さらに。
このｍ（Ｂｉ−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０） ・ｎ（ＥｕＯ
）薄膜は。
）薄膜は。
（実施例１）に示したＢ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０を同
時に蒸着して得る超電導薄膜と、ＥｕＯを同時に蒸着し
て得る酸化物磁性薄膜とを周期的に積層して得た薄膜に
比べて、はるかに結晶性が優れ、臨界電流密度および上
部臨界磁場の特性において勝っていることも併せて見い
だした。さらに、上記の方法で作製したＢ ｉ−Ｓ ｒ
−Ｃａ−Ｃｕ−０超電導薄膜とＥｕＯ磁性薄膜ともに薄
膜表面が極めて平坦であることを見いだした。
時に蒸着して得る超電導薄膜と、ＥｕＯを同時に蒸着し
て得る酸化物磁性薄膜とを周期的に積層して得た薄膜に
比べて、はるかに結晶性が優れ、臨界電流密度および上
部臨界磁場の特性において勝っていることも併せて見い
だした。さらに、上記の方法で作製したＢ ｉ−Ｓ ｒ
−Ｃａ−Ｃｕ−０超電導薄膜とＥｕＯ磁性薄膜ともに薄
膜表面が極めて平坦であることを見いだした。
これらのことは、異なる元素を別々に順次積層していく
ことにより、基体表面に対し平行な面内だけで積層され
た蒸着元素が動くだけで、基体表面に対し垂直方向への
元素が移動がないことによるものと考えられる。
ことにより、基体表面に対し平行な面内だけで積層され
た蒸着元素が動くだけで、基体表面に対し垂直方向への
元素が移動がないことによるものと考えられる。
さらに、良好な超電導特性を得るに必要な基体の温度、
熱処理温度も、従来より低いことを見いだした。
熱処理温度も、従来より低いことを見いだした。
Ｂ１−０，５ｒ−Ｃｕ−０，Ｃａ−Ｃｕ−０，Ｅｕ−○
を周期的に積層させる方法としては、いくつか考えられ
る。一般に、ＭＢＥ装置あるいは多元のＥＢ蒸着装置で
蒸発源の前を開閉シャッターで制御したリ、気相成長法
で作製する際にガスの種類を切り替えたりすることによ
り、周期的積層を達成することができる。しかしこの種
の非常に薄い層の積層には従来スパッタリング蒸着は不
向きとされていた。この理由は、成膜中のガス圧の高さ
に起因する不純物の混入およびエネルギーの高い粒子に
よるダメージと考えられている。しかし、このＢｉ系酸
化物超電導体に対してスパッタリングによる異なる薄い
層の積層を行なったところ、意外にも良好な積層膜作製
が可能なことを発見した。
を周期的に積層させる方法としては、いくつか考えられ
る。一般に、ＭＢＥ装置あるいは多元のＥＢ蒸着装置で
蒸発源の前を開閉シャッターで制御したリ、気相成長法
で作製する際にガスの種類を切り替えたりすることによ
り、周期的積層を達成することができる。しかしこの種
の非常に薄い層の積層には従来スパッタリング蒸着は不
向きとされていた。この理由は、成膜中のガス圧の高さ
に起因する不純物の混入およびエネルギーの高い粒子に
よるダメージと考えられている。しかし、このＢｉ系酸
化物超電導体に対してスパッタリングによる異なる薄い
層の積層を行なったところ、意外にも良好な積層膜作製
が可能なことを発見した。
スパッタ中の高い酸素ガス圧をおよびスパッタ放電が、
Ｂｉ系の１００″に以上の臨界温度を持つ相の形成、お
よびＥｕＯ絶緻膜の形成に都合がよいためではなかろう
かと考えられる。
Ｂｉ系の１００″に以上の臨界温度を持つ相の形成、お
よびＥｕＯ絶緻膜の形成に都合がよいためではなかろう
かと考えられる。
スパッタ蒸着で異なる物質を積層させる方法としては１
組成分布を設けた１個のスパッタリングターゲットの放
電位置を周期的に制御するという方法があるが１組成の
異なる複数個のターゲットのスパッタリングという方法
を用いると比較的簡単に達成することができる。この場
合、複数個のターゲットの各々のスパッタ量を周期的に
制御したり、あるいはターゲットの前にシャッターを設
けて周期的に開閉したりして、周期的積層膜を作製する
ことができる。また基板を周期的運動させて各々ターゲ
ットの上を移動させる方法でも作製が可能である。レー
ザースパッタあるいはイオンビームスパッタを用いた場
合には、複数個のターゲットを周期運動させてビームの
照射するターゲットを周期的に変えれば、周期的積層膜
が実現される。このような複数個のターゲットを用いた
スパッタリングにより比較的簡単にＢｉ系酸化物の周期
的積層が作製可能となる。
組成分布を設けた１個のスパッタリングターゲットの放
電位置を周期的に制御するという方法があるが１組成の
異なる複数個のターゲットのスパッタリングという方法
を用いると比較的簡単に達成することができる。この場
合、複数個のターゲットの各々のスパッタ量を周期的に
制御したり、あるいはターゲットの前にシャッターを設
けて周期的に開閉したりして、周期的積層膜を作製する
ことができる。また基板を周期的運動させて各々ターゲ
ットの上を移動させる方法でも作製が可能である。レー
ザースパッタあるいはイオンビームスパッタを用いた場
合には、複数個のターゲットを周期運動させてビームの
照射するターゲットを周期的に変えれば、周期的積層膜
が実現される。このような複数個のターゲットを用いた
スパッタリングにより比較的簡単にＢｉ系酸化物の周期
的積層が作製可能となる。
以下筒２の発明の内容をさらに深く理解するために、具
体的な実施例を示す。
体的な実施例を示す。
（実施例２）
第７図に本実施例で用いた４元マグネトロンスパッタ装
置の概略図を示す。第７図において、７１はＢｉメタ−
ット、７２は５ｒＣｕ合金ターゲット。
置の概略図を示す。第７図において、７１はＢｉメタ−
ット、７２は５ｒＣｕ合金ターゲット。
７３はＣａ Ｃｕ合金ターゲット、７４はＥｕターゲッ
ト、７５はシャッター、７６はアパーチャー、７７は基
体、７８は基体加熱用ヒーターを示す。計４個のターゲ
ット７１．７２．７３．７４は第７図に示すのと同様に
配置させた。すなわち、 Ｍｇ０（１００）基体７７に
焦点を結ぶように各ターゲットが約３０°傾いて設置さ
れている。ターゲットの前方には回転するシャッター７
５があり、パルスモータで駆動することによりその中に
設けられたアパーチャー７６の回転が制御され、各ター
ゲットのサイクルおよびスパッタ時間を設定することが
できる。基体７７のヒーター７８で約６００℃に加熱し
、アルゴン・酸素（５：１）混合雰囲気３Ｐａのガス中
でＢｉ、５ｒＣｕおよびＣａＣｕターゲットのスパッタ
リングを行なった。
ト、７５はシャッター、７６はアパーチャー、７７は基
体、７８は基体加熱用ヒーターを示す。計４個のターゲ
ット７１．７２．７３．７４は第７図に示すのと同様に
配置させた。すなわち、 Ｍｇ０（１００）基体７７に
焦点を結ぶように各ターゲットが約３０°傾いて設置さ
れている。ターゲットの前方には回転するシャッター７
５があり、パルスモータで駆動することによりその中に
設けられたアパーチャー７６の回転が制御され、各ター
ゲットのサイクルおよびスパッタ時間を設定することが
できる。基体７７のヒーター７８で約６００℃に加熱し
、アルゴン・酸素（５：１）混合雰囲気３Ｐａのガス中
でＢｉ、５ｒＣｕおよびＣａＣｕターゲットのスパッタ
リングを行なった。
また、Ｅｕターゲットのスパッタリング時にＥｕターゲ
ットの酸化を防止するため、雰囲気ガスをＡｒだけにし
た。そののち、酸素ガスを導入し成膜したＥｕを酸化し
ＥｕＯとした。各ターゲットのスッパタ電流を、Ｂ ｉ
： ３０ｍＡ 、 Ｓ ｒＣｕ ： ８０ｍＡ 。
ットの酸化を防止するため、雰囲気ガスをＡｒだけにし
た。そののち、酸素ガスを導入し成膜したＥｕを酸化し
ＥｕＯとした。各ターゲットのスッパタ電流を、Ｂ ｉ
： ３０ｍＡ 、 Ｓ ｒＣｕ ： ８０ｍＡ 。
ＣａＣｕ ： ３００＋ｎＡ 、 Ｅｕ ： ８０ｍＡ
にして実験を行った。
にして実験を行った。
Ｂｉ−＋５ｒＣｕ−＋ＣａＣｕ−＋５ｒＣｕ−＋Ｂｉサ
イクルでスパッタし、Ｂ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０膜の
元素の組成比率がＢｉ： Ｓｒ：Ｃａ： Ｃｕ＝２ ：
２ ： ２ ： ３となる各ターゲットのスパッタ時
間を調整し、上記サイクルを２０４期行った結果、１１
０″に以上の臨界温度を持つ相を作製することができた
。このまま状態でもこのＢ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−〇膜
は１１０Ｘ以上の超電導転移を示したが、さらに酸素中
で６００℃、１時間の熱処理を行うと非常に再現性がよ
くなり、超電導転移温度は１１５ ’にで抵抗値がゼロ
になる温度は１００ ’Ｋになった。超電導転移温度が
１００ ’Ｋを超す相は金属元素がＢ１−８ｒ−Ｃｕ−
Ｃａ−Ｃｕ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｓｒ−Ｂｉの順序で並んだ酸
化物の層から成り立っているとも言われており１本発明
の製造方法がこの構造を作るのに非常に役だっているの
ではないかと考えられる。
イクルでスパッタし、Ｂ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０膜の
元素の組成比率がＢｉ： Ｓｒ：Ｃａ： Ｃｕ＝２ ：
２ ： ２ ： ３となる各ターゲットのスパッタ時
間を調整し、上記サイクルを２０４期行った結果、１１
０″に以上の臨界温度を持つ相を作製することができた
。このまま状態でもこのＢ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−〇膜
は１１０Ｘ以上の超電導転移を示したが、さらに酸素中
で６００℃、１時間の熱処理を行うと非常に再現性がよ
くなり、超電導転移温度は１１５ ’にで抵抗値がゼロ
になる温度は１００ ’Ｋになった。超電導転移温度が
１００ ’Ｋを超す相は金属元素がＢ１−８ｒ−Ｃｕ−
Ｃａ−Ｃｕ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｓｒ−Ｂｉの順序で並んだ酸
化物の層から成り立っているとも言われており１本発明
の製造方法がこの構造を作るのに非常に役だっているの
ではないかと考えられる。
Ｂｉ−＋５ｒＣｕ−＋ＣａＣｕ−＋５ｒＣｕの積層を１
周期としてｎ周期積層しその上にＥｕＯを膜厚ｄ（人）
になるよう各ターゲットをスパッタし、ｎ（Ｂｉ−５ｒ
−Ｃａ−Ｃｕ−０） ・ｄ（ＥｕＯ）薄膜を基体７７上
に作製した。ここでｎは１以上の正の整数を示す。ｎ＝
１０のとき、ＥｕＯ薄膜の膜厚ｄを変化させて積層して
得た膜の超電導特性を調へた。このときＢ１−５ｒ−Ｃ
ａ−Ｃｕ−０薄膜／Ｅｕ○薄膜の積層繰り返し回数は１
０回とした。第８図にｄ ＝７ｏ、 ２００゜１０００
人のときに得た多層膜の抵抗の温度変化をそれぞれ特性
８１．８２．８３に示す。第８図において、ｄ＝２００
人のとき、最も高い超電導転移温度およびゼロ抵抗温度
、すなわち特性８２が得られた。特性８２の超電導転移
温度、ゼロ抵抗温度はＢ ｉ−Ｓ ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０
膜本来のそれらの値と同等である。臨界電流密度は７７
”Ｋにおいて、３６０万Ａ１０となり、磁性体薄膜を
積層していない薄膜の値より４５％高くなった。また、
上部臨界磁場はＢ１−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０膜本来のも
のより約３０％向上する。４．２″Ｋにおいて、Ｃ軸に
平行方向に磁場を加えたときの値は３３テスラ、またＣ
軸に垂直方向では４９０テスラであった。この効果の詳
細な理由については未だ不明であるが、本実施例に示し
た方法でＢ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０膜とＥｕＯ膜とを
周期的に積層することによって、Ｂ１−８ｒ−Ｃａ−Ｃ
ｕ−０膜とＥｕ○膜がエピタキシャル成長していること
により積層界面での元素の相互拡散の影響がなく、かつ
結晶性に優れた薄いＥｕＯ膜を介して同じく結晶性に優
れたＢ１−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０膜を積層することによ
りＢ ｉ−Ｓ ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−○膜において超電導機
構になんらかの変化が引き起こされたことが考えられる
。
周期としてｎ周期積層しその上にＥｕＯを膜厚ｄ（人）
になるよう各ターゲットをスパッタし、ｎ（Ｂｉ−５ｒ
−Ｃａ−Ｃｕ−０） ・ｄ（ＥｕＯ）薄膜を基体７７上
に作製した。ここでｎは１以上の正の整数を示す。ｎ＝
１０のとき、ＥｕＯ薄膜の膜厚ｄを変化させて積層して
得た膜の超電導特性を調へた。このときＢ１−５ｒ−Ｃ
ａ−Ｃｕ−０薄膜／Ｅｕ○薄膜の積層繰り返し回数は１
０回とした。第８図にｄ ＝７ｏ、 ２００゜１０００
人のときに得た多層膜の抵抗の温度変化をそれぞれ特性
８１．８２．８３に示す。第８図において、ｄ＝２００
人のとき、最も高い超電導転移温度およびゼロ抵抗温度
、すなわち特性８２が得られた。特性８２の超電導転移
温度、ゼロ抵抗温度はＢ ｉ−Ｓ ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０
膜本来のそれらの値と同等である。臨界電流密度は７７
”Ｋにおいて、３６０万Ａ１０となり、磁性体薄膜を
積層していない薄膜の値より４５％高くなった。また、
上部臨界磁場はＢ１−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０膜本来のも
のより約３０％向上する。４．２″Ｋにおいて、Ｃ軸に
平行方向に磁場を加えたときの値は３３テスラ、またＣ
軸に垂直方向では４９０テスラであった。この効果の詳
細な理由については未だ不明であるが、本実施例に示し
た方法でＢ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０膜とＥｕＯ膜とを
周期的に積層することによって、Ｂ１−８ｒ−Ｃａ−Ｃ
ｕ−０膜とＥｕ○膜がエピタキシャル成長していること
により積層界面での元素の相互拡散の影響がなく、かつ
結晶性に優れた薄いＥｕＯ膜を介して同じく結晶性に優
れたＢ１−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０膜を積層することによ
りＢ ｉ−Ｓ ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−○膜において超電導機
構になんらかの変化が引き起こされたことが考えられる
。
さらに、ターゲット７Ｉ、もしくは７４に鉛（ｐｂ）を
添加してスパッタしたとき、基体７７の温度が上記実施
例よりも約１００℃低くても、上記実施例と同等な結果
が得られることを見いだした。
添加してスパッタしたとき、基体７７の温度が上記実施
例よりも約１００℃低くても、上記実施例と同等な結果
が得られることを見いだした。
（発明の効果）
第１の発明の薄膜超電導体は、Ｂｉ系薄膜超電導体の臨
界電流密度、臨界磁場の向上をはかる構造を提供するも
のであり、第２の発明の薄膜超電導体の製造方法は第１
の発明をより効果的に実現し、デバイス等の応用には必
須の低温でのプロセスを確立したものであり１本発明の
工業的価値は大きい。
界電流密度、臨界磁場の向上をはかる構造を提供するも
のであり、第２の発明の薄膜超電導体の製造方法は第１
の発明をより効果的に実現し、デバイス等の応用には必
須の低温でのプロセスを確立したものであり１本発明の
工業的価値は大きい。
第１図は第１の発明の実施例における薄膜の製造装置の
概略図、第２図は第１の発明の構造概念図、第３図、第
６図は第１図の装置により得た薄膜における抵抗値の温
度特性図、第４図は第１図の装置により得た薄膜におけ
る臨界電流密度の温度依存性を示す図、第５図は第１図
の装置により得た薄膜における外部磁場下における抵抗
値の温度特性図、第７図は第２の発明の実施例における
薄膜の製造装置の概略図、第８図は第７図の装置により
得た薄膜における抵抗値の温度特性図である。 ＩＩ、 １２．７１．７２．７３．７４・・・スパッタ
リングターゲット、 １３．７５・・・シャッター１４
．７６・・・アパーチャー、１５．７７・・・ＭｇＯ基
体、１６．７８・・・ ヒーター、２１−＝ ＥｕＯ膜
、 ２２− Ｂ１−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０膜、６１．
６２．６３．８１．８２．８３・・・薄膜の抵抗の温度
特性。 特許出願人 松下電器産業株式会社 松下電工株式会社 第 図
概略図、第２図は第１の発明の構造概念図、第３図、第
６図は第１図の装置により得た薄膜における抵抗値の温
度特性図、第４図は第１図の装置により得た薄膜におけ
る臨界電流密度の温度依存性を示す図、第５図は第１図
の装置により得た薄膜における外部磁場下における抵抗
値の温度特性図、第７図は第２の発明の実施例における
薄膜の製造装置の概略図、第８図は第７図の装置により
得た薄膜における抵抗値の温度特性図である。 ＩＩ、 １２．７１．７２．７３．７４・・・スパッタ
リングターゲット、 １３．７５・・・シャッター１４
．７６・・・アパーチャー、１５．７７・・・ＭｇＯ基
体、１６．７８・・・ ヒーター、２１−＝ ＥｕＯ膜
、 ２２− Ｂ１−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０膜、６１．
６２．６３．８１．８２．８３・・・薄膜の抵抗の温度
特性。 特許出願人 松下電器産業株式会社 松下電工株式会社 第 図
Claims (4)
- （１）主体成分が少なくともビスマス（Ｂｉ）、銅（Ｃ
ｕ）、およびアルカリ土類（IIａ族）を含む層状酸化物
超電導薄膜と、ＥｕＯからなる磁性薄膜が交互に積層さ
れた構造を持つことを特徴とする薄膜超電導体。 ここでアルカリ土類は、IIａ族元素のうち少なくとも一
種あるいは二種以上の元素を示す。 - （２）基体上に、少なくともＢｉを含む酸化物と少なく
とも銅およびアルカリ土類（IIａ族）を含む酸化物とを
周期的に積層させて形成する酸化物薄膜と、ＥｕＯから
なる磁性薄膜とを、交互に積層させて得ることを特徴と
する薄膜超電導体の製造方法。 ここでアルカリ土類は、IIａ族元素のうちの少なくとも
一種あるいは二種以上の元素を示す。 - （３）積層物質の蒸発を少なくとも二種以上の蒸発源で
行うことを特徴とする請求項（２）記載の薄膜超電導体
の製造方法。 - （４）積層物質の蒸発をスパッタリングで行なうことを
特徴とする請求項（２）記載の薄膜超電導体の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2101616A JP2741277B2 (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 薄膜超電導体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2101616A JP2741277B2 (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 薄膜超電導体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH042181A true JPH042181A (ja) | 1992-01-07 |
| JP2741277B2 JP2741277B2 (ja) | 1998-04-15 |
Family
ID=14305341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2101616A Expired - Lifetime JP2741277B2 (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 薄膜超電導体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2741277B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9637051B2 (en) | 2006-01-20 | 2017-05-02 | Winplus North America, Inc. | System for monitoring an area adjacent a vehicle |
| KR20190065415A (ko) * | 2016-10-31 | 2019-06-11 | 베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디. | 자성 박막 적층 구조의 증착 방법, 자성 박막 적층 구조 및 마이크로 인덕터 소자 |
-
1990
- 1990-04-19 JP JP2101616A patent/JP2741277B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9637051B2 (en) | 2006-01-20 | 2017-05-02 | Winplus North America, Inc. | System for monitoring an area adjacent a vehicle |
| KR20190065415A (ko) * | 2016-10-31 | 2019-06-11 | 베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디. | 자성 박막 적층 구조의 증착 방법, 자성 박막 적층 구조 및 마이크로 인덕터 소자 |
| US11699541B2 (en) | 2016-10-31 | 2023-07-11 | Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. | Magnetic thin film laminated structure deposition method |
| US12424363B2 (en) | 2016-10-31 | 2025-09-23 | Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. | Magnetic thin film laminated structure and micro-inductive device thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2741277B2 (ja) | 1998-04-15 |
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