JPH04219913A - 電子素子のロウ金属二重構造、およびロウ金属二重構造電子素子の製造方法 - Google Patents
電子素子のロウ金属二重構造、およびロウ金属二重構造電子素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH04219913A JPH04219913A JP41243390A JP41243390A JPH04219913A JP H04219913 A JPH04219913 A JP H04219913A JP 41243390 A JP41243390 A JP 41243390A JP 41243390 A JP41243390 A JP 41243390A JP H04219913 A JPH04219913 A JP H04219913A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、小型電気素子を固着性
良くハンダ付けできる、電気素子のロウ2層構造電極に
関するものである。
良くハンダ付けできる、電気素子のロウ2層構造電極に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、電子素子の小型化が進み、あるい
は1つの製品に使用される電子素子の数が極端に多くな
ってきたために、電子素子1つ1つを基盤にハンダ付け
することは非常に困難かつ非効率になってきている。こ
のため、ある種の電子素子、例えばセラミック固定抵抗
器やセラミックなどは、その電極表面にハンダ材などの
軟ロウ材をメッキして層着し、該電子素子を基盤上に仮
止めして加熱するだけで、全ての電子素子が一挙にハン
ダ付けできるような構造にしてある。
は1つの製品に使用される電子素子の数が極端に多くな
ってきたために、電子素子1つ1つを基盤にハンダ付け
することは非常に困難かつ非効率になってきている。こ
のため、ある種の電子素子、例えばセラミック固定抵抗
器やセラミックなどは、その電極表面にハンダ材などの
軟ロウ材をメッキして層着し、該電子素子を基盤上に仮
止めして加熱するだけで、全ての電子素子が一挙にハン
ダ付けできるような構造にしてある。
【0003】しかし、電子素子の電極にハンダを層着し
ただけでは、満足のいくハンダ付けが行えなかった。こ
れを特にセラミック固定抵抗器を例にとって説明すれば
、セラミック固定抵抗器を対象とする基盤にハンダ付け
するときに、その際に加わる熱で電極表面のロウ材が溶
け出し、当該ロウ材が、電極のセラミック基板側面と、
セラミック基板上面の2箇所に分離して固まってしまい
、結局、ハンダ付けに係わるロウ材は、基盤と電極のセ
ラミック基板側面部分に接するだけになって、満足のい
く接合力が得られなかったからである(図4参照)。
ただけでは、満足のいくハンダ付けが行えなかった。こ
れを特にセラミック固定抵抗器を例にとって説明すれば
、セラミック固定抵抗器を対象とする基盤にハンダ付け
するときに、その際に加わる熱で電極表面のロウ材が溶
け出し、当該ロウ材が、電極のセラミック基板側面と、
セラミック基板上面の2箇所に分離して固まってしまい
、結局、ハンダ付けに係わるロウ材は、基盤と電極のセ
ラミック基板側面部分に接するだけになって、満足のい
く接合力が得られなかったからである(図4参照)。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の電子
素子のハンダ付けに上記のような問題点があったことに
鑑みてなされたもので、ハンダ付け加工が施される際の
被熱によって電極部を被覆しているロウ材が流動化する
ことなく、信頼性の高いハンダ付けが行えるような電子
素子のロウ材被覆電極を提供することを技術的課題とす
るものである。
素子のハンダ付けに上記のような問題点があったことに
鑑みてなされたもので、ハンダ付け加工が施される際の
被熱によって電極部を被覆しているロウ材が流動化する
ことなく、信頼性の高いハンダ付けが行えるような電子
素子のロウ材被覆電極を提供することを技術的課題とす
るものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明において、上記課
題解決のために採用された手段は、セラミック固定抵抗
器、セラミックコンデンサなどの電子素子の電極3・3
において、電極3・3に対し、高温溶融ロウ金属層33
を設け、この上層に最外層として低温溶融ロウ金属層3
4を設け、前記高温溶融ロウ金属層33には、低温溶融
ロウ金属の構成金属中の少なくとも1種類と、同種の金
属か、または合金を形成することができる金属を含ませ
るようにするという手段を採用することによって、低温
溶融ロウ金属層34が溶融してハンダ付けが行われたと
きに、下層の高温溶融ロウ層33が溶け出すことなく低
温溶融ロウ金属層34と混和することにより、ロウ材全
体として2か所に分離したりすることがなく、当該電子
素子をしっかりと基盤にハンダ付けできるようにしたと
いうものである。
題解決のために採用された手段は、セラミック固定抵抗
器、セラミックコンデンサなどの電子素子の電極3・3
において、電極3・3に対し、高温溶融ロウ金属層33
を設け、この上層に最外層として低温溶融ロウ金属層3
4を設け、前記高温溶融ロウ金属層33には、低温溶融
ロウ金属の構成金属中の少なくとも1種類と、同種の金
属か、または合金を形成することができる金属を含ませ
るようにするという手段を採用することによって、低温
溶融ロウ金属層34が溶融してハンダ付けが行われたと
きに、下層の高温溶融ロウ層33が溶け出すことなく低
温溶融ロウ金属層34と混和することにより、ロウ材全
体として2か所に分離したりすることがなく、当該電子
素子をしっかりと基盤にハンダ付けできるようにしたと
いうものである。
【0006】
【実施例】以下、本発明を、図1に示す第1実施例、及
び図3に示す第2実施例に基づいて説明する。
び図3に示す第2実施例に基づいて説明する。
【0007】第1実施例のセラミック固定抵抗器を製造
するには、まず、セラミック抵抗器の半製品 (縱1.
6mm,横0.8mm,高さ0.4mm)を良く洗浄し
てからニッケルメッキを施すことから始める。
するには、まず、セラミック抵抗器の半製品 (縱1.
6mm,横0.8mm,高さ0.4mm)を良く洗浄し
てからニッケルメッキを施すことから始める。
【0008】この半製品(松下電器社製)は、直方体形
状のセラミックス抵抗基板1(株式会社万越製)の上面
に、ルテニウムを主成分とする抵抗器本体2を載設し、
抵抗器本体2両端から基板1下縁に向って銀−ガラス混
合物を塗布焼着し、銀が焼着された部分を除く部分にガ
ラスコートを施して製造されたものである。この半製品
においては、銀−ガラス混合物の焼着後、およそ 20
0〜 300ミクロンの厚さの銀層31を形成している
。なお、このとき、電極金属として銀を使用する理由は
、焼着に伴う温度上昇によって金属が酸化腐蝕されない
ようにするためである。
状のセラミックス抵抗基板1(株式会社万越製)の上面
に、ルテニウムを主成分とする抵抗器本体2を載設し、
抵抗器本体2両端から基板1下縁に向って銀−ガラス混
合物を塗布焼着し、銀が焼着された部分を除く部分にガ
ラスコートを施して製造されたものである。この半製品
においては、銀−ガラス混合物の焼着後、およそ 20
0〜 300ミクロンの厚さの銀層31を形成している
。なお、このとき、電極金属として銀を使用する理由は
、焼着に伴う温度上昇によって金属が酸化腐蝕されない
ようにするためである。
【0009】また、前記ニッケルメッキは、バレルメッ
キ法、ニッケルワット浴で行う。このとき、使用するメ
ッキ液は、水1リットル当り、硫酸ニッケル 150〜
350グラム、塩化ニッケル40〜70グラム、ホウ
酸40〜70グラムを溶かし込んだものであって、メッ
キの進行と共にメッキ液の濃度を薄めながら行い、メッ
キ終了後、厚さ5ミクロン前後のニッケル層32が形成
されるようにする。 なお、このニッケル層32を形成する理由は、製品完成
後のハンダ付けによる熱で、銀層31が溶融流失しない
ようにするためである。
キ法、ニッケルワット浴で行う。このとき、使用するメ
ッキ液は、水1リットル当り、硫酸ニッケル 150〜
350グラム、塩化ニッケル40〜70グラム、ホウ
酸40〜70グラムを溶かし込んだものであって、メッ
キの進行と共にメッキ液の濃度を薄めながら行い、メッ
キ終了後、厚さ5ミクロン前後のニッケル層32が形成
されるようにする。 なお、このニッケル層32を形成する理由は、製品完成
後のハンダ付けによる熱で、銀層31が溶融流失しない
ようにするためである。
【0010】ニッケルメッキが終わったところで、次に
高温溶融ロウ金属層33を層着する。このロウ金属層3
3の層着は、スズ含有量94%のハンダを溶液1リット
ル当り10〜30グラム程度溶かし込んだアルカノール
スルホン酸溶液を使用し、ニッケルメッキ同様、メッキ
の進行と共にメッキ濃度を薄めながらバレルメッキ法で
厚さ5ミクロン前後のハンダ層を形成することによって
行われる。
高温溶融ロウ金属層33を層着する。このロウ金属層3
3の層着は、スズ含有量94%のハンダを溶液1リット
ル当り10〜30グラム程度溶かし込んだアルカノール
スルホン酸溶液を使用し、ニッケルメッキ同様、メッキ
の進行と共にメッキ濃度を薄めながらバレルメッキ法で
厚さ5ミクロン前後のハンダ層を形成することによって
行われる。
【0011】続いて、スズ含有量63%のハンダを溶液
1リットル当り10〜30グラム程度溶かし込んだアル
カノールスルホン酸溶液を用いて、再度ハンダメッキを
行う。 このハンダメッキによって、厚さ5ミクロン程度の低温
溶融ロウ金属層34を形成するのである。
1リットル当り10〜30グラム程度溶かし込んだアル
カノールスルホン酸溶液を用いて、再度ハンダメッキを
行う。 このハンダメッキによって、厚さ5ミクロン程度の低温
溶融ロウ金属層34を形成するのである。
【0012】こうして、完成されたセラミック固定抵抗
器の電極3・3に被覆されるロウ材層33・34の融点
は、それぞれ、スズ含有量94%のハンダからなる高温
溶融ロウ金属層33が融点約 224℃、スズ含有量6
3%のハンダからなる低温溶融ロウ金属層34が融点約
184℃である。
器の電極3・3に被覆されるロウ材層33・34の融点
は、それぞれ、スズ含有量94%のハンダからなる高温
溶融ロウ金属層33が融点約 224℃、スズ含有量6
3%のハンダからなる低温溶融ロウ金属層34が融点約
184℃である。
【0013】このセラミック固定抵抗器を比較的低温(
190℃前後)で基盤Bにハンダ付けすると、最外層
の低温溶融ロウ金属層34(融点約 184℃)は溶湯
状態になって、電極の抵抗器上面に接する部分と抵抗器
側面に接する部分の2つに分かれながら、基盤と抵抗器
を接続するが、低温溶融ロウ金属層34下層の高温溶融
ロウ金属層33(融点約 224℃)は熱溶融せず、高
温溶融ロウ金属層33中の鉛の一部が熱溶融した低温溶
融ロウ金属に融解し、融解した低温溶融ロウ金属中のス
ズは高温溶融ロウ金属層33中に浸透するようにしなが
ら、両ハンダ材が混ざり合い、両ロウ材層の境界面で鉛
とスズの新らた共晶相を形成するようにして、低温溶融
ロウ金属と高温溶融ロウ金属が一体化するので、ロウ金
属全体として電極の基板上面から電極の基板側面にわた
って略逆L字形の一体化ロウ金属層35を形成し、抵抗
器と基盤とを強固にハンダ付けできるのである(図2参
照)。
190℃前後)で基盤Bにハンダ付けすると、最外層
の低温溶融ロウ金属層34(融点約 184℃)は溶湯
状態になって、電極の抵抗器上面に接する部分と抵抗器
側面に接する部分の2つに分かれながら、基盤と抵抗器
を接続するが、低温溶融ロウ金属層34下層の高温溶融
ロウ金属層33(融点約 224℃)は熱溶融せず、高
温溶融ロウ金属層33中の鉛の一部が熱溶融した低温溶
融ロウ金属に融解し、融解した低温溶融ロウ金属中のス
ズは高温溶融ロウ金属層33中に浸透するようにしなが
ら、両ハンダ材が混ざり合い、両ロウ材層の境界面で鉛
とスズの新らた共晶相を形成するようにして、低温溶融
ロウ金属と高温溶融ロウ金属が一体化するので、ロウ金
属全体として電極の基板上面から電極の基板側面にわた
って略逆L字形の一体化ロウ金属層35を形成し、抵抗
器と基盤とを強固にハンダ付けできるのである(図2参
照)。
【0014】これに対し、図3に示す第2実施例のセラ
ミックコンデンサは、パラジウムとガラスを主成分とす
る蓄電材40・40・…と、セラミック材41・41・
…を積層し、焼結一体化した上で、蓄電材40・40・
…の一層ごとに左右両電極3・3に接続して構成される
もので、電極3・3は第1実施例のセラミック固定抵抗
器同様にして銀層31、ニッケル層32、高温溶融ロウ
金属層33、低温溶融ロウ金属層34が積層されて形成
されている。しかして、このセラミックコンデンサを基
盤上にハンダ付けすると、第1実施例のセラミック固定
抵抗器同様、高温溶融ロウ金属、低温溶融ロウ金属が混
ざり合い、一体化して強固にハンダ付けできるのである
。
ミックコンデンサは、パラジウムとガラスを主成分とす
る蓄電材40・40・…と、セラミック材41・41・
…を積層し、焼結一体化した上で、蓄電材40・40・
…の一層ごとに左右両電極3・3に接続して構成される
もので、電極3・3は第1実施例のセラミック固定抵抗
器同様にして銀層31、ニッケル層32、高温溶融ロウ
金属層33、低温溶融ロウ金属層34が積層されて形成
されている。しかして、このセラミックコンデンサを基
盤上にハンダ付けすると、第1実施例のセラミック固定
抵抗器同様、高温溶融ロウ金属、低温溶融ロウ金属が混
ざり合い、一体化して強固にハンダ付けできるのである
。
【0015】本実施例は以上のように構成されるが、本
発明が上記実施例にのみ限定されるものではないことは
当然であり、特に、高温溶融ロウ金属としてメッキ容易
なスズ単体を用い、低温溶融ロウ金属としてハンダ材を
用いることも可能で、このときは、ハンダ付け時にハン
ダ材中の鉛がスズ単体中に浸透するようにして、ウイス
カー現象を防ぎながらハンダ付けできるといった効果も
得られる。
発明が上記実施例にのみ限定されるものではないことは
当然であり、特に、高温溶融ロウ金属としてメッキ容易
なスズ単体を用い、低温溶融ロウ金属としてハンダ材を
用いることも可能で、このときは、ハンダ付け時にハン
ダ材中の鉛がスズ単体中に浸透するようにして、ウイス
カー現象を防ぎながらハンダ付けできるといった効果も
得られる。
【0016】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、熱溶融
する低温ロウ金属と熱溶融しない高温ロウ金属とが融解
により一体化するので、熱溶融したハンダ材が2箇所に
分離してしまうようなことがなく、電子素子と基盤とを
強固にハンダ付けすることができる。このように、本発
明のロウ2層構造電極は、産業上の利用価値が頗る高い
。
する低温ロウ金属と熱溶融しない高温ロウ金属とが融解
により一体化するので、熱溶融したハンダ材が2箇所に
分離してしまうようなことがなく、電子素子と基盤とを
強固にハンダ付けすることができる。このように、本発
明のロウ2層構造電極は、産業上の利用価値が頗る高い
。
【図1】第1実施例のセラミック固定抵抗器の模式的な
断面図である。
断面図である。
【図2】同抵抗器を基盤上にハンダ付けしたところの模
式的な断面図である。
式的な断面図である。
【図3】第2実施例のセラミックコンデンサの断面図で
ある。
ある。
【図4】従来のセラミック固定抵抗器を基盤上にハンダ
付けしたところの模式的な断面図である。
付けしたところの模式的な断面図である。
1 セラミック基板
2 抵抗器本体
3 電極
31 銀層
32 ニッケル層
33 高温溶融ロウ金属層
34 低温溶融ロウ金属層
35 一体化ロウ金属
36 ハンダ層
40 蓄電材
41 セラミック材
B 基盤
Claims (1)
- 【請求項1】 セラミック固定抵抗器、セラミックコ
ンデンサなどの電子素子の電極3・3において、電極3
・3が、最外層には低温溶融ロウ金属層34を、低温溶
融ロウ金属層34の下層には高温溶融ロウ金属層33を
有し、前記高温溶融ロウ金属層33は、低温溶融ロウ金
属の構成金属中の少なくとも1種類と、同種の金属か、
または合金を形成することができる金属を含んでいるこ
とを特徴とする電子素子のロウ2層構造電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41243390A JPH04219913A (ja) | 1990-12-19 | 1990-12-19 | 電子素子のロウ金属二重構造、およびロウ金属二重構造電子素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41243390A JPH04219913A (ja) | 1990-12-19 | 1990-12-19 | 電子素子のロウ金属二重構造、およびロウ金属二重構造電子素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04219913A true JPH04219913A (ja) | 1992-08-11 |
Family
ID=18521270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP41243390A Pending JPH04219913A (ja) | 1990-12-19 | 1990-12-19 | 電子素子のロウ金属二重構造、およびロウ金属二重構造電子素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04219913A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0217601A (ja) * | 1988-07-06 | 1990-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップ部品 |
| JPH02265201A (ja) * | 1989-04-05 | 1990-10-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップ部品 |
| JPH02296314A (ja) * | 1989-05-10 | 1990-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップ部品の製造方法 |
-
1990
- 1990-12-19 JP JP41243390A patent/JPH04219913A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0217601A (ja) * | 1988-07-06 | 1990-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップ部品 |
| JPH02265201A (ja) * | 1989-04-05 | 1990-10-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップ部品 |
| JPH02296314A (ja) * | 1989-05-10 | 1990-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップ部品の製造方法 |
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