JPH04219965A - 半導体モジュール - Google Patents
半導体モジュールInfo
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- JPH04219965A JPH04219965A JP3065359A JP6535991A JPH04219965A JP H04219965 A JPH04219965 A JP H04219965A JP 3065359 A JP3065359 A JP 3065359A JP 6535991 A JP6535991 A JP 6535991A JP H04219965 A JPH04219965 A JP H04219965A
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- Japan
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- lead frame
- chip
- terminal
- semiconductor chip
- recessed
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/421—Shapes or dispositions
- H10W70/424—Cross-sectional shapes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体チップをソケ
ットまたはプリント回路基板に取り付けるために使用さ
れる独特の形状のリードフレーム導体から成る改良型導
体アッセンブリに関するものである。この発明による各
リードフレーム導体は、ランドまたはワイヤボンディン
グ領域を構成する凹部を設けた一端を有し、各々がチッ
プの面上に延在してこれと結合するように配設されてい
る。
ットまたはプリント回路基板に取り付けるために使用さ
れる独特の形状のリードフレーム導体から成る改良型導
体アッセンブリに関するものである。この発明による各
リードフレーム導体は、ランドまたはワイヤボンディン
グ領域を構成する凹部を設けた一端を有し、各々がチッ
プの面上に延在してこれと結合するように配設されてい
る。
【０００２】
【従来の技術】この発明と同一譲受人に譲渡された米国
特許第４，８６２，２４５号は、リードフレームをチッ
プの面上に延在させることによって、チップを保護コー
ティングで封止する前に、半導体チップに対してリード
を配置して固着するための技術を開示している。
特許第４，８６２，２４５号は、リードフレームをチッ
プの面上に延在させることによって、チップを保護コー
ティングで封止する前に、半導体チップに対してリード
を配置して固着するための技術を開示している。
【０００３】このような封止されたデバイスに使用され
るリードフレームを作製するための形成過程において、
リードフレームフィンガの表面は王冠状にされる。すな
わち、カバーは丸みをつけられ、半球形にされる。これ
らの王冠状の面にワイヤをボンディングすることは難し
いことがわかった。従って、チップ上のパッドと米国特
許第４，８６２，２４５号に教示されたリードフレーム
との間にワイヤがボンディングされる過程において、欠
陥が発生することがある。
るリードフレームを作製するための形成過程において、
リードフレームフィンガの表面は王冠状にされる。すな
わち、カバーは丸みをつけられ、半球形にされる。これ
らの王冠状の面にワイヤをボンディングすることは難し
いことがわかった。従って、チップ上のパッドと米国特
許第４，８６２，２４５号に教示されたリードフレーム
との間にワイヤがボンディングされる過程において、欠
陥が発生することがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この発明の目的は、改
良されたランドまたはワイヤボンディング領域が上面に
設けられた改良型リードフレーム導体を提供することに
ある。
良されたランドまたはワイヤボンディング領域が上面に
設けられた改良型リードフレーム導体を提供することに
ある。
【０００５】この発明の他の目的は、絶縁層に完全に結
合することができる改良型リードフレーム導体を作製す
ることにある。
合することができる改良型リードフレーム導体を作製す
ることにある。
【０００６】この発明の更に他の目的は、改良型ランド
またはワイヤボンディング領域が設けられたリードフレ
ーム部材と接続されたとき、下層の半導体チップとリー
ドフレームとの強化された電気的及び熱的結合と、封止
材に対するリードフレームの改良された機械的固定とが
達成されるプラスチック封止半導体パッケージを提供す
ることにある。
またはワイヤボンディング領域が設けられたリードフレ
ーム部材と接続されたとき、下層の半導体チップとリー
ドフレームとの強化された電気的及び熱的結合と、封止
材に対するリードフレームの改良された機械的固定とが
達成されるプラスチック封止半導体パッケージを提供す
ることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明の上記目的及び
他の目的は、半導体チップに対する接続のための改良型
ランドが設けられたリードフレームによって達成される
。このリードフレームは、それぞれの先端が所定間隔を
置いた所望のパターンに配置され、半導体チップから延
出するワイヤをボンディングするのに適したランド領域
が設けられた複数の所定形状の導体から成る。これらの
導体の基端は所定の形状に広がっており、電圧を外部の
信号及び電圧ラインに接続するようになっている。
他の目的は、半導体チップに対する接続のための改良型
ランドが設けられたリードフレームによって達成される
。このリードフレームは、それぞれの先端が所定間隔を
置いた所望のパターンに配置され、半導体チップから延
出するワイヤをボンディングするのに適したランド領域
が設けられた複数の所定形状の導体から成る。これらの
導体の基端は所定の形状に広がっており、電圧を外部の
信号及び電圧ラインに接続するようになっている。
【０００８】
【実施例】図１はこの発明の一実施例の分解図であり、
互いに結合されるリードフレーム１０と所定形状の絶縁
層１１と半導体チップ１２との空間的関係を示している
。リードフレーム１０は、金属シート素材から形成され
、先端１６ａがクロスバー１７と縁部条帯１８とによっ
て所定位置に保持された複数の導体１６が設けられてい
る。導体の先端１６ｂは浮遊状態にある。リードフレー
ムの各辺の最も外側の導体は、延出されたバスバー１９
によって相互に接続され得る。これらのバスバー１９は
、チップパッド１４の中央に配置された列に対して全体
的に平行となるように配置されている。リードフレーム
を形成するシート素材は、従来使用されている他の合金
または金属も容易に使用可能であるが、好ましくは銅ま
たはアルミニウムである。ここで使用するリードフレー
ムの用語は当該技術分野で良く知られており、このリー
ドフレームの材料厚さ、強度等は良く知られ、このリー
ドフレームと云う用語を使用すれば多数の市販源からこ
のような品目を入手することができる。当該技術分野で
は、このリードフレームと云う用語は、金属シート素材
から、特定の機械的強度基準に合致した十分な寸法と強
度とに形成された金属構造を意味する。典型的には、こ
のようなリードフレームを使用するためのパッケージか
ら延出する導体は、厚さが０．０２ミリメートルないし
０．２ミリメートル、幅が約０．２ミリメートルないし
０．３８ミリメートルで、若干の整列のずれがあっても
ゆがみや反りを生じさせることなく、ソケットに具合よ
く挿入でき、あるいは表面実装プリント回路基板に固定
できる強度を持つ。このようなリードフレームは、半導
体集積回路の技術分野で広く使用され、知られており、
多数の業者によって製造されている。
互いに結合されるリードフレーム１０と所定形状の絶縁
層１１と半導体チップ１２との空間的関係を示している
。リードフレーム１０は、金属シート素材から形成され
、先端１６ａがクロスバー１７と縁部条帯１８とによっ
て所定位置に保持された複数の導体１６が設けられてい
る。導体の先端１６ｂは浮遊状態にある。リードフレー
ムの各辺の最も外側の導体は、延出されたバスバー１９
によって相互に接続され得る。これらのバスバー１９は
、チップパッド１４の中央に配置された列に対して全体
的に平行となるように配置されている。リードフレーム
を形成するシート素材は、従来使用されている他の合金
または金属も容易に使用可能であるが、好ましくは銅ま
たはアルミニウムである。ここで使用するリードフレー
ムの用語は当該技術分野で良く知られており、このリー
ドフレームの材料厚さ、強度等は良く知られ、このリー
ドフレームと云う用語を使用すれば多数の市販源からこ
のような品目を入手することができる。当該技術分野で
は、このリードフレームと云う用語は、金属シート素材
から、特定の機械的強度基準に合致した十分な寸法と強
度とに形成された金属構造を意味する。典型的には、こ
のようなリードフレームを使用するためのパッケージか
ら延出する導体は、厚さが０．０２ミリメートルないし
０．２ミリメートル、幅が約０．２ミリメートルないし
０．３８ミリメートルで、若干の整列のずれがあっても
ゆがみや反りを生じさせることなく、ソケットに具合よ
く挿入でき、あるいは表面実装プリント回路基板に固定
できる強度を持つ。このようなリードフレームは、半導
体集積回路の技術分野で広く使用され、知られており、
多数の業者によって製造されている。
【０００９】絶縁層１１は、図示したように、中央に設
けられた開口１３を有する単一の部材とすることができ
、あるいは、米国特許第４，８６２，２４５号に示され
たような２個の離れた突出部として形成することができ
る。図３及び図４に示したこの絶縁層１１は、典型的に
は、両側を０．０２ミリメートルの厚さの接着層１１ｂ
及び１１ｃで被覆した０．０２５ミリメートルの厚さの
ポリイミドフィルムである絶縁性基材またはフィルムで
形成される。このフィルムは、２７５℃より高い溶融温
度を有し、ハライドのようなイオン化可能な種、または
ナトリウムのような活性金属を含まない。このような目
的に適したポリイミドの一例は、ＫＡＰＴＯＮの商品名
でＥ．Ｉ．ＤｕＰｏｎｔ Ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ ＆
Ｃｏ． により販売されている。
けられた開口１３を有する単一の部材とすることができ
、あるいは、米国特許第４，８６２，２４５号に示され
たような２個の離れた突出部として形成することができ
る。図３及び図４に示したこの絶縁層１１は、典型的に
は、両側を０．０２ミリメートルの厚さの接着層１１ｂ
及び１１ｃで被覆した０．０２５ミリメートルの厚さの
ポリイミドフィルムである絶縁性基材またはフィルムで
形成される。このフィルムは、２７５℃より高い溶融温
度を有し、ハライドのようなイオン化可能な種、または
ナトリウムのような活性金属を含まない。このような目
的に適したポリイミドの一例は、ＫＡＰＴＯＮの商品名
でＥ．Ｉ．ＤｕＰｏｎｔ Ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ ＆
Ｃｏ． により販売されている。
【００１０】適当な接着材は、ブチラルフェノール、エ
ポキシまたはアクリル系のものである。
ポキシまたはアクリル系のものである。
【００１１】チップ１２は、その面１５上に、中央に配
置されたパッド１４の列を有する。図示したように、チ
ップの縁端上に付加的なパッドを配設することができる
。
置されたパッド１４の列を有する。図示したように、チ
ップの縁端上に付加的なパッドを配設することができる
。
【００１２】図２は、この発明を用いた完成状態のパッ
ケージ２０を示し、解りやすくするためと、組立後のリ
ードフレーム１０、絶縁層１１及び半導体チップ１２の
内部構造及び配置を示すためとにより、封止材料２１が
部分的に除去されている。封止後、図１に示したリード
フレームの縁部条帯１８及びクロスバー１７は除去され
、パッケージから延出する導体１６の先端１６ａは所望
の形状に成形される。
ケージ２０を示し、解りやすくするためと、組立後のリ
ードフレーム１０、絶縁層１１及び半導体チップ１２の
内部構造及び配置を示すためとにより、封止材料２１が
部分的に除去されている。封止後、図１に示したリード
フレームの縁部条帯１８及びクロスバー１７は除去され
、パッケージから延出する導体１６の先端１６ａは所望
の形状に成形される。
【００１３】図３に詳細に示すように、半導体チップ上
のボンディングパッドに隣接するリードフレーム導体の
先端１６ｂは、チップパッド１４と導体１６との間に接
続された金ワイヤ２４のためのより良いボンディング領
域となる均一の面積と厚さとのランドを構成するように
成形または型押し加工される。
のボンディングパッドに隣接するリードフレーム導体の
先端１６ｂは、チップパッド１４と導体１６との間に接
続された金ワイヤ２４のためのより良いボンディング領
域となる均一の面積と厚さとのランドを構成するように
成形または型押し加工される。
【００１４】先端１６ｂ上の成形ランドの一実施例を図
３により詳細に示す。図３において、リードフレーム導
体１６の先端１６ｂは、ワイヤボンディングのための均
一に平坦なランドを形成するように型押し加工される。 型押し加工または刻印加工により、各導体１６の先端１
６ｂは、例えばリードの元の厚さの１／２の厚さに実質
的に減少される。各導体１６の端１６ｂがこのように型
押し加工あるいは刻印加工された後、リードフレーム導
体１６及びバスバー１９は、下層の半導体チップ１２の
主面１５に接着される。これは、接着材で被覆された絶
縁層１１ａをリードフレームとチップとの間に設け、チ
ップ１２と被覆された絶縁層１１とリードフレーム導体
１６とから成るアッセンブリ上にサーモード３１を置き
、リードフレーム導体１６とバスバー１９とを上方の接
着層１１ｂに押圧することによって行われる。
３により詳細に示す。図３において、リードフレーム導
体１６の先端１６ｂは、ワイヤボンディングのための均
一に平坦なランドを形成するように型押し加工される。 型押し加工または刻印加工により、各導体１６の先端１
６ｂは、例えばリードの元の厚さの１／２の厚さに実質
的に減少される。各導体１６の端１６ｂがこのように型
押し加工あるいは刻印加工された後、リードフレーム導
体１６及びバスバー１９は、下層の半導体チップ１２の
主面１５に接着される。これは、接着材で被覆された絶
縁層１１ａをリードフレームとチップとの間に設け、チ
ップ１２と被覆された絶縁層１１とリードフレーム導体
１６とから成るアッセンブリ上にサーモード３１を置き
、リードフレーム導体１６とバスバー１９とを上方の接
着層１１ｂに押圧することによって行われる。
【００１５】サーモード３１は、リードフレーム導体１
６を加熱し、圧力を加える。サーモードによって加えら
れる圧力及び熱は、リードフレーム導体の下の下層の接
着層１１ａ及び１１ｂを部分的に溶かし、フィルムをリ
ードフレーム及びチップ面１５に接着させる。接着層１
１ｂが導体１６の下で溶けると、この導体は上方の接着
層１１ａに押圧される。図３に示すようなサーモードが
使用されたときは、導体１６の成形された先端はサーモ
ードと直接には接触せず、図３に示すように、下層の接
着剤の力により上方に曲げられることがある。このよう
に変形されたボンディング領域は、ワイヤ２４がこれに
ボンディングされると問題を生じさせる。すなわち、こ
れらのランドの曲がり及びゆがみは、ワイヤボンディン
グの歩留まり低下及びワイヤボンディングの低信頼性の
直接の原因となる。これらの変形されたランドは好まし
くない。
６を加熱し、圧力を加える。サーモードによって加えら
れる圧力及び熱は、リードフレーム導体の下の下層の接
着層１１ａ及び１１ｂを部分的に溶かし、フィルムをリ
ードフレーム及びチップ面１５に接着させる。接着層１
１ｂが導体１６の下で溶けると、この導体は上方の接着
層１１ａに押圧される。図３に示すようなサーモードが
使用されたときは、導体１６の成形された先端はサーモ
ードと直接には接触せず、図３に示すように、下層の接
着剤の力により上方に曲げられることがある。このよう
に変形されたボンディング領域は、ワイヤ２４がこれに
ボンディングされると問題を生じさせる。すなわち、こ
れらのランドの曲がり及びゆがみは、ワイヤボンディン
グの歩留まり低下及びワイヤボンディングの低信頼性の
直接の原因となる。これらの変形されたランドは好まし
くない。
【００１６】図４はこの発明の好ましい実施例を示し、
リードフレーム導体１６を断面で示している。リードフ
レーム導体１６は、凹状に加工されていない小さなアイ
ランド領域４１によって、導体１６の先端から離隔され
た凹状のボンディング領域４０を形成するように成形加
工されている。これによって、図３に関連して上述され
たように、リードの基端の曲がり及びゆがみを生じさせ
ることなく、層１１、１１ａ及び１１ｂを介してリード
フレーム導体をチップの表面に接着するのに、平坦なサ
ーモードを使用できるようになる。
リードフレーム導体１６を断面で示している。リードフ
レーム導体１６は、凹状に加工されていない小さなアイ
ランド領域４１によって、導体１６の先端から離隔され
た凹状のボンディング領域４０を形成するように成形加
工されている。これによって、図３に関連して上述され
たように、リードの基端の曲がり及びゆがみを生じさせ
ることなく、層１１、１１ａ及び１１ｂを介してリード
フレーム導体をチップの表面に接着するのに、平坦なサ
ーモードを使用できるようになる。
【００１７】図４において、リードフレーム導体１６に
は、その先端に近接して、成形加工されていない小さな
アイランド領域４１によって各リードフレーム導体１６
の先端から離隔された凹状に加工されたランド４０が形
成されている。これらのアイランド領域は元の厚さを保
持し、サーモード３１がリードフレーム導体４６と接触
させられたとき、サーモード３１は、リードフレーム導
体４６の端部を加熱し、各リードフレーム導体の残余部
分に加えるのと同じ圧力を加え、各リードフレーム導体
の全長を接着層１１ｂに均一に押圧する。従って、これ
らのアイランド４１は、サーモード３１が、各リードフ
レーム先端に対し、端部または凹状に加工されたランド
の曲がりを生じさせないような十分な圧力と熱とを加え
ることを確実にする圧力点となる。
は、その先端に近接して、成形加工されていない小さな
アイランド領域４１によって各リードフレーム導体１６
の先端から離隔された凹状に加工されたランド４０が形
成されている。これらのアイランド領域は元の厚さを保
持し、サーモード３１がリードフレーム導体４６と接触
させられたとき、サーモード３１は、リードフレーム導
体４６の端部を加熱し、各リードフレーム導体の残余部
分に加えるのと同じ圧力を加え、各リードフレーム導体
の全長を接着層１１ｂに均一に押圧する。従って、これ
らのアイランド４１は、サーモード３１が、各リードフ
レーム先端に対し、端部または凹状に加工されたランド
の曲がりを生じさせないような十分な圧力と熱とを加え
ることを確実にする圧力点となる。
【００１８】
【発明の効果】半導体チップとリードフレームとの電気
的及び熱的結合を強化することができるとともに、封止
材に対するリードフレームの機械的固定を良好に行うこ
とができる。
的及び熱的結合を強化することができるとともに、封止
材に対するリードフレームの機械的固定を良好に行うこ
とができる。
【図１】チップと絶縁層とこの発明によるリードフレー
ムアッセンブリとの間の空間的関係を示す、この発明の
一実施例の分解図である。
ムアッセンブリとの間の空間的関係を示す、この発明の
一実施例の分解図である。
【図２】主面上に設けられたこの発明によるリードフレ
ームを有する半導体チップの一部破断図である。
ームを有する半導体チップの一部破断図である。
【図３】サーモードによってリードフレームを半導体チ
ップ表面に絶縁層を介して接着するときのリードフレー
ムフィンガを示す、最端部が凹状に加工されたリードフ
レーム導体またはフィンガの一部断面図である。
ップ表面に絶縁層を介して接着するときのリードフレー
ムフィンガを示す、最端部が凹状に加工されたリードフ
レーム導体またはフィンガの一部断面図である。
【図４】サーモードによってリードフレームを半導体チ
ップの表面に絶縁層を介して接着するときのリードフレ
ームフィンガを示す、この発明の好ましい実施例による
凹状に加工されたリードフレームフィンガの一部断面図
である。
ップの表面に絶縁層を介して接着するときのリードフレ
ームフィンガを示す、この発明の好ましい実施例による
凹状に加工されたリードフレームフィンガの一部断面図
である。
１０ リードフレーム
１１ 絶縁体
１２ 半導体チップ
１４ パッド
１６ リードフレーム導体
１６ａ 基端
２０ パッケージ
２１ 封止材料
２４ ワイヤ
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体チップ上の選択された接点に接
着されるように所望のパターンに配置された複数の導電
性フィンガを有し、上記フィンガの先端は所定の間隔を
置いて配置され、半導体チップ上のパッドに接続すべき
ワイヤのためのワイヤボンディング接続領域を構成する
凹状ボンディング領域が形成され、上記フィンガの基端
は信号及び電圧ラインと接続するように広がっており、
上記フィンガの上記各先端上の凹状ボンディング領域が
凹んでいない領域によって上記フィンガの最先端から分
離されていることを特徴とする、半導体チップへの接続
用リードフレーム。 - 【請求項２】 上面に端子が設けられ、封止材料内に
収められた主面を有する半導体チップと、上記端子から
離れた位置の上記チップの上記主面上に延在する金属シ
ート素材で形成された、それぞれ自立性で単体の連続し
た複数のリードフレーム導電性フィンガから成るリード
フレームとを有し、上記フィンガの先端は所定の間隔を
置いて配置され、ワイヤボンディング接続領域を構成す
る凹状ボンディング領域が形成され、上記フィンガの基
端は上記チップ及び上記封止材料から扇形に広がり、信
号及び電圧ラインと接続するようになっており、上記フ
ィンガの上記各基端上の凹状ボンディング領域が凹んで
いない領域によって上記フィンガの最先端から分離され
ており、上記導電性フィンガ上の凹状ボンディング領域
と上記端子とに電気的ワイヤ手段がボンディングされ、
上記導電性フィンガを上記端子に接続していることを特
徴とする、封止された半導体モジュール。 - 【請求項３】 上面に端子が設けられ、封止材料内に
収められた半導体チップと、それぞれ自立性で単体の連
続した複数のリードフレーム導体から成り、金属シート
素材で形成され、上記チップ上に延在し、上記端子との
接触を回避する位置に配設されたリードフレームと、上
記導体の先端は所定の間隔を置いて上記端子に隣接して
配置され、半導体チップとの接点を構成する凹状のボン
ディング領域が形成されており、上記導体の基端は上記
チップから扇形に広がり、上記封止材料から外側に片持
ち支持され、信号及び電圧ラインと接続するようになっ
ており、上記フィンガの上記各先端上の凹状ボンディン
グ領域が凹んでいない領域によって上記フィンガの最先
端から分離されており、電気的絶縁材料が上記チップと
上記複数のリードフレーム導体との間に配設され、上記
複数のリードフレーム導体及び上記半導体チップに付着
されており、別体の導電ワイヤ手段が導体上の凹状ボン
ディング領域及び上記チップ上の各端子にボンディング
され、上記導体を上記端子に電気的に接続していること
を特徴とする、封止された半導体モジュール。 - 【請求項４】 上記絶縁材料が接着層で被覆されたポ
リイミドフィルムから成ることを特徴とする請求項３記
載の半導体モジュール。 - 【請求項５】 上記チップ端子に平行で、上記端子上
の上記導体の上記先端間に横たわる上記リードフレーム
の直線状バスバーが更に設けられていることを特徴とす
る請求項３記載の半導体モジュール。 - 【請求項６】 上記バスバーに凹状ボンディング領域
が設けられていることを特徴とする請求項５記載の半導
体モジュール。 - 【請求項７】 上記凹状ボンディング領域は、上記導
体の残余部の全体の厚さよりも小さい厚さに形成されて
いることを特徴とする請求項１記載の半導体モジュール
。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US49365490A | 1990-03-15 | 1990-03-15 | |
| US493654 | 1990-03-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04219965A true JPH04219965A (ja) | 1992-08-11 |
| JPH0812897B2 JPH0812897B2 (ja) | 1996-02-07 |
Family
ID=23961164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3065359A Expired - Lifetime JPH0812897B2 (ja) | 1990-03-15 | 1991-03-07 | 半導体モジュール |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0448942A1 (ja) |
| JP (1) | JPH0812897B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08111498A (ja) * | 1994-10-07 | 1996-04-30 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
Citations (1)
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- 1991-02-11 EP EP91101853A patent/EP0448942A1/en not_active Withdrawn
- 1991-03-07 JP JP3065359A patent/JPH0812897B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0448942A1 (en) | 1991-10-02 |
| JPH0812897B2 (ja) | 1996-02-07 |
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