JPH04219989A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH04219989A JPH04219989A JP41386090A JP41386090A JPH04219989A JP H04219989 A JPH04219989 A JP H04219989A JP 41386090 A JP41386090 A JP 41386090A JP 41386090 A JP41386090 A JP 41386090A JP H04219989 A JPH04219989 A JP H04219989A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- ridge
- mask
- gaas
- gainp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
- H01S5/2206—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers based on III-V materials
- H01S5/2209—GaInP based
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
- H01S5/32325—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm red laser based on InGaP
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体レーザ装置に関
し、特に可視光半導体レーザ装置に関するものである。
し、特に可視光半導体レーザ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来の可視光半導体レーザ装置
の構造を示す断面図である。図において、１はｎ−Ｇａ
Ａｓ基板、２はｎ−ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層、３は
アンドープＧａＩｎＰ活性層、４はｐ−ＡｌＧａＩｎＰ
上クラッド層、５はｐ−ＧａＡｓキャップ層、１１ａは
ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層、１２はｐ−ＧａＡｓコン
タクト層、８はｐ側電極、９はｎ側電極、１０はリッジ
である。
の構造を示す断面図である。図において、１はｎ−Ｇａ
Ａｓ基板、２はｎ−ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層、３は
アンドープＧａＩｎＰ活性層、４はｐ−ＡｌＧａＩｎＰ
上クラッド層、５はｐ−ＧａＡｓキャップ層、１１ａは
ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層、１２はｐ−ＧａＡｓコン
タクト層、８はｐ側電極、９はｎ側電極、１０はリッジ
である。
【０００３】次に動作について説明する。ｐ側電極８と
ｎ側電極９の間に順方向電圧を印加すると、電流ブロッ
ク層１１ａがあるために電流はキャップ層５を介してリ
ッジ部１０のみを流れる。下クラッド層２，活性層３，
上クラッド層４はダブルヘテロ構造をなしているので、
リッジ部１０から注入された電流によって、活性層３の
リッジ付近の部分が発光し、レーザ発振する。
ｎ側電極９の間に順方向電圧を印加すると、電流ブロッ
ク層１１ａがあるために電流はキャップ層５を介してリ
ッジ部１０のみを流れる。下クラッド層２，活性層３，
上クラッド層４はダブルヘテロ構造をなしているので、
リッジ部１０から注入された電流によって、活性層３の
リッジ付近の部分が発光し、レーザ発振する。
【０００４】次に、この半導体レーザ装置の製造工程に
ついて説明する。図５に製造工程を順に示す。まず、図
５（ａ） に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板１上へｎ−
ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層２、アンドープＧａＩｎＰ
活性層３、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層４、ｐ−Ｇ
ａＡｓキャップ層５を順次成長する。次に、図５（ｂ）
に示すように、ｐ−ＧａＡｓキャップ層５上に約８μ
ｍ幅のＳｉＮ，ＳｉＯ２ 等の絶縁膜１３を形成する。 次に、図５（ｃ） に示すように、絶縁膜１３をマスク
として、キャップ層５，上クラッド層４の一部をエッチ
ングしてリッジ１０を形成する。次に図５（ｄ） に示
すように、絶縁膜１３をマスクとして、ｎ−ＧａＡｓ電
流ブロック層１１ａを選択成長する。その後、図５（ｅ
） に示すように、絶縁膜１３を除去し、ｐ−ＧａＡｓ
コンタクト層１２を成長する。最後に、図５（ｆ） に
示すように、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１２の上面ｐ側
電極８，及びｎ−ＧａＡｓ基板１の下面にｎ側電極９を
蒸着して、図４に示した可視光半導体レーザ装置を完成
する。
ついて説明する。図５に製造工程を順に示す。まず、図
５（ａ） に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板１上へｎ−
ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層２、アンドープＧａＩｎＰ
活性層３、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層４、ｐ−Ｇ
ａＡｓキャップ層５を順次成長する。次に、図５（ｂ）
に示すように、ｐ−ＧａＡｓキャップ層５上に約８μ
ｍ幅のＳｉＮ，ＳｉＯ２ 等の絶縁膜１３を形成する。 次に、図５（ｃ） に示すように、絶縁膜１３をマスク
として、キャップ層５，上クラッド層４の一部をエッチ
ングしてリッジ１０を形成する。次に図５（ｄ） に示
すように、絶縁膜１３をマスクとして、ｎ−ＧａＡｓ電
流ブロック層１１ａを選択成長する。その後、図５（ｅ
） に示すように、絶縁膜１３を除去し、ｐ−ＧａＡｓ
コンタクト層１２を成長する。最後に、図５（ｆ） に
示すように、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１２の上面ｐ側
電極８，及びｎ−ＧａＡｓ基板１の下面にｎ側電極９を
蒸着して、図４に示した可視光半導体レーザ装置を完成
する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の可視光半導体レ
ーザ装置は、図５（ｃ） に示したようにＳｉＮ，Ｓｉ
Ｏ２ 等の絶縁膜１３をマスクとしてｎ−ＧａＡｓ電流
ブロック層１１ａを選択成長する製造工程を有している
。ところが、ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層１１ａの選択
成長の温度は約７００℃と高温であるため、成長中にＳ
ｉＮ，ＳｉＯ２ 等の絶縁膜１３が変質したり、絶縁膜
１３とｐ−ＧａＡｓキャップ層の界面に変成層が生成さ
れたりし、その結果、次の絶縁膜除去工程で絶縁膜が完
全に除去されなかったり、ｐ−ＧａＡｓキャップ層の表
面に変成層が残存したりすることがある。先に説明した
ようにｐ−ＧａＡｓキャップ層５はレーザの電流通路に
あたるため、その表面に絶縁膜１３が残存したり、変成
層が生成されたりしていると、特性を悪化させる原因と
なる。
ーザ装置は、図５（ｃ） に示したようにＳｉＮ，Ｓｉ
Ｏ２ 等の絶縁膜１３をマスクとしてｎ−ＧａＡｓ電流
ブロック層１１ａを選択成長する製造工程を有している
。ところが、ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層１１ａの選択
成長の温度は約７００℃と高温であるため、成長中にＳ
ｉＮ，ＳｉＯ２ 等の絶縁膜１３が変質したり、絶縁膜
１３とｐ−ＧａＡｓキャップ層の界面に変成層が生成さ
れたりし、その結果、次の絶縁膜除去工程で絶縁膜が完
全に除去されなかったり、ｐ−ＧａＡｓキャップ層の表
面に変成層が残存したりすることがある。先に説明した
ようにｐ−ＧａＡｓキャップ層５はレーザの電流通路に
あたるため、その表面に絶縁膜１３が残存したり、変成
層が生成されたりしていると、特性を悪化させる原因と
なる。
【０００６】上記の問題点を回避する構造として、図６
に示すように絶縁膜をマスクとした選択成長をしないで
、そのかわりにｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層１１ｂをリ
ッジ１０を覆うように全面に成長した後、Ｚｎ拡散によ
りＺｎ拡散領域７を形成し電流通路を設けた構造がある
。しかしながら、この構造ではＺｎ拡散領域７がリッジ
１０の表面のｐ−ＧａＡｓ層５に到達した時点で制御性
良く拡散を停止させるのが非常に難しく、最悪の場合、
このＺｎ拡散領域７が活性層３まで到達してしまい、歩
留り良く作製するのが非常に困難であるという問題点が
あった。
に示すように絶縁膜をマスクとした選択成長をしないで
、そのかわりにｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層１１ｂをリ
ッジ１０を覆うように全面に成長した後、Ｚｎ拡散によ
りＺｎ拡散領域７を形成し電流通路を設けた構造がある
。しかしながら、この構造ではＺｎ拡散領域７がリッジ
１０の表面のｐ−ＧａＡｓ層５に到達した時点で制御性
良く拡散を停止させるのが非常に難しく、最悪の場合、
このＺｎ拡散領域７が活性層３まで到達してしまい、歩
留り良く作製するのが非常に困難であるという問題点が
あった。
【０００７】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、リッジ表面に絶縁膜が残存し
たり、変成層が生成されることがなく、かつ電流通路の
形成を制御性良く行うことのできる半導体レーザ装置を
得ることを目的とする。
るためになされたもので、リッジ表面に絶縁膜が残存し
たり、変成層が生成されることがなく、かつ電流通路の
形成を制御性良く行うことのできる半導体レーザ装置を
得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体レ
ーザ装置は、化合物半導体基板上に（ＡｌｘＧａ１−ｘ
）ｙ Ｉｎ１−ｙ Ｐからなる第１クラッド層，活性
層，第２クラッド層と、ＧａＡｓからなるキャップ層を
この順に有し、該キャップ層を貫通して該第２クラッド
層中に底部があるようなリッジを有するものにおいて、
電流ブロック層としてｎ−ＧａＩｎＰを採用し、ｎ−Ｇ
ａＩｎＰ電流ブロック層をリッジを覆うように全面に成
長した後、Ｚｎ拡散領域をリッジに到達するように形成
することにより、電流通路を形成してなるものである。
ーザ装置は、化合物半導体基板上に（ＡｌｘＧａ１−ｘ
）ｙ Ｉｎ１−ｙ Ｐからなる第１クラッド層，活性
層，第２クラッド層と、ＧａＡｓからなるキャップ層を
この順に有し、該キャップ層を貫通して該第２クラッド
層中に底部があるようなリッジを有するものにおいて、
電流ブロック層としてｎ−ＧａＩｎＰを採用し、ｎ−Ｇ
ａＩｎＰ電流ブロック層をリッジを覆うように全面に成
長した後、Ｚｎ拡散領域をリッジに到達するように形成
することにより、電流通路を形成してなるものである。
【０００９】
【作用】この発明における半導体レーザ装置は、ＳｉＮ
，ＳｉＯ２ 等の絶縁膜をマスクとした選択成長を行う
必要がないので、リッジ上での絶縁膜の残存，あるいは
リッジ表面における変成層の生成を防ぐことができる。
，ＳｉＯ２ 等の絶縁膜をマスクとした選択成長を行う
必要がないので、リッジ上での絶縁膜の残存，あるいは
リッジ表面における変成層の生成を防ぐことができる。
【００１０】また、電流ブロック層としてｎ−ＧａＩｎ
Ｐを採用しており、またリッジ上のキャップ層には従来
と同様にｐ−ＧａＡｓを用いる。このため、Ｚｎ拡散に
よる電流通路の形成の際には、ＧａＩｎＰ中とＧａＡｓ
中でのＺｎ拡散速度の差を利用して制御性良くＺｎ拡散
領域を形成することができる。つまり、ＧａＡｓ中での
Ｚｎ拡散速度は、ＧａＩｎＰ中でのＺｎ拡散速度の数十
分の１なので、ＧａＩｎＰ中のＺｎ拡散領域がリッジ上
のＧａＡｓキャップ層に到達した時点で自動的に拡散が
停止する。
Ｐを採用しており、またリッジ上のキャップ層には従来
と同様にｐ−ＧａＡｓを用いる。このため、Ｚｎ拡散に
よる電流通路の形成の際には、ＧａＩｎＰ中とＧａＡｓ
中でのＺｎ拡散速度の差を利用して制御性良くＺｎ拡散
領域を形成することができる。つまり、ＧａＡｓ中での
Ｚｎ拡散速度は、ＧａＩｎＰ中でのＺｎ拡散速度の数十
分の１なので、ＧａＩｎＰ中のＺｎ拡散領域がリッジ上
のＧａＡｓキャップ層に到達した時点で自動的に拡散が
停止する。
【００１１】
【実施例】図１はこの発明の一実施例による半導体レー
ザ装置の構造を示す断面図であり、図において、６はｎ
−ＧａＩｎＰ電流ブロック層、７はＺｎ拡散領域である
。図中、図４，図６と同一符号は同一又は相当部分を示
す。
ザ装置の構造を示す断面図であり、図において、６はｎ
−ＧａＩｎＰ電流ブロック層、７はＺｎ拡散領域である
。図中、図４，図６と同一符号は同一又は相当部分を示
す。
【００１２】次に動作について説明する。Ｐ側電極８と
ｎ側電極９の間に順方向電圧を印加すると、電流はＺｎ
拡散領域７を通ってリッジ部１０に流れる。従来と同様
に下クラッド層２，活性層３，上クラッド層４はダブル
ヘテロ構造をなしているので、リッジ部１０から注入さ
れた電流によって活性層３のリッジ付近の部分が発光し
レーザ発振する。
ｎ側電極９の間に順方向電圧を印加すると、電流はＺｎ
拡散領域７を通ってリッジ部１０に流れる。従来と同様
に下クラッド層２，活性層３，上クラッド層４はダブル
ヘテロ構造をなしているので、リッジ部１０から注入さ
れた電流によって活性層３のリッジ付近の部分が発光し
レーザ発振する。
【００１３】次にこの半導体レーザ装置の製造工程につ
いて説明する。図２は図１の半導体レーザ装置の製造工
程を順に示したものである。まず、図２（ａ）に示すよ
うに、ｎ−ＧａＡｓ基板１上へ従来と同様にｎ−ＡｌＧ
ａＩｎＰ下クラッド層２，アンドープＧａＩｎＰ活性層
３，Ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層４，Ｐ−ＧａＡｓ
キャップ層５を順次成長する。
いて説明する。図２は図１の半導体レーザ装置の製造工
程を順に示したものである。まず、図２（ａ）に示すよ
うに、ｎ−ＧａＡｓ基板１上へ従来と同様にｎ−ＡｌＧ
ａＩｎＰ下クラッド層２，アンドープＧａＩｎＰ活性層
３，Ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層４，Ｐ−ＧａＡｓ
キャップ層５を順次成長する。
【００１４】次に図２（ｂ） に示すように、Ｐ−Ｇａ
Ａｓキャップ層５上に、リッジ形成用のマスク１４を形
成する。このマスク１４はリッジ形成のためのエッチン
グ用マスクとして用いるだけなので、必ずしもＳｉＮ，
ＳｉＯ２等の絶縁膜である必要はなく、剥離の容易なレ
ジストでもよい。
Ａｓキャップ層５上に、リッジ形成用のマスク１４を形
成する。このマスク１４はリッジ形成のためのエッチン
グ用マスクとして用いるだけなので、必ずしもＳｉＮ，
ＳｉＯ２等の絶縁膜である必要はなく、剥離の容易なレ
ジストでもよい。
【００１５】次に図２（ｃ） に示すように、エッチン
グマスク１４を用いてキャップ層５，上クラッド層４の
一部をエッチングしてリッジ１０を形成する。
グマスク１４を用いてキャップ層５，上クラッド層４の
一部をエッチングしてリッジ１０を形成する。
【００１６】次に図２（ｄ） に示すようにエッチング
マスク１４を除去した後、ｎ−ＧａＩｎＰ電流ブロック
層６を全面に成長する。この時、エッチングマスク１４
はリッジエッチングの際のマスクとして用いただけで、
従来の選択成長のような高温プロセスを通っていないの
で、マスクが変質することはなく、完全に除去すること
ができる。
マスク１４を除去した後、ｎ−ＧａＩｎＰ電流ブロック
層６を全面に成長する。この時、エッチングマスク１４
はリッジエッチングの際のマスクとして用いただけで、
従来の選択成長のような高温プロセスを通っていないの
で、マスクが変質することはなく、完全に除去すること
ができる。
【００１７】次に図２（ｅ） に示すように、ＳｉＮ，
ＳｉＯ２ 等の拡散マスク１５を形成し、リッジの上に
相当する位置に設けられたストライプ状の開口部１６か
らＺｎを拡散してＺｎ拡散領域７を形成する。ところで
、ＧａＡｓ中でのＺｎ拡散速度はＧａＩｎＰ中でのＺｎ
拡散速度に比べて格段に遅い。図３にＧａＡｓ中とＧａ
ＩｎＰ中の各々について、拡散温度をＴ、拡散時間をｔ
、拡散深さをｘｊとしたときの、（１／Ｔ）と（ｘｊ２
／ｔ）の関係を示す。ここでｘｊ２ ／ｔは拡散定数
と正比例するパラメータである。
ＳｉＯ２ 等の拡散マスク１５を形成し、リッジの上に
相当する位置に設けられたストライプ状の開口部１６か
らＺｎを拡散してＺｎ拡散領域７を形成する。ところで
、ＧａＡｓ中でのＺｎ拡散速度はＧａＩｎＰ中でのＺｎ
拡散速度に比べて格段に遅い。図３にＧａＡｓ中とＧａ
ＩｎＰ中の各々について、拡散温度をＴ、拡散時間をｔ
、拡散深さをｘｊとしたときの、（１／Ｔ）と（ｘｊ２
／ｔ）の関係を示す。ここでｘｊ２ ／ｔは拡散定数
と正比例するパラメータである。
【００１８】図３に示したグラフからわかるように、拡
散温度（Ｔ）が等しい場合、ＧａＡｓの拡散定数はＧａ
ＩｎＰの拡散定数の３桁も小さい。これを拡散速度に換
算すると、ＧａＡｓ中でのＺｎ拡散速度はＧａＩｎＰ中
での拡散速度の数十分の一となる。
散温度（Ｔ）が等しい場合、ＧａＡｓの拡散定数はＧａ
ＩｎＰの拡散定数の３桁も小さい。これを拡散速度に換
算すると、ＧａＡｓ中でのＺｎ拡散速度はＧａＩｎＰ中
での拡散速度の数十分の一となる。
【００１９】従って、図２（ｅ） に示したＺｎ拡散工
程において、Ｚｎ拡散領域がｎ−ＧａＩｎＰ電流ブロッ
ク層６の中を進んでいってＰ−ＧａＡｓキャップ層５に
到達すると、その時点で拡散速度が数十分の一に遅くな
るので、拡散深さの制御を容易に行うことができる。
程において、Ｚｎ拡散領域がｎ−ＧａＩｎＰ電流ブロッ
ク層６の中を進んでいってＰ−ＧａＡｓキャップ層５に
到達すると、その時点で拡散速度が数十分の一に遅くな
るので、拡散深さの制御を容易に行うことができる。
【００２０】最後に、図２（ｆ） に示すように、ｐ側
電極８およびｎ側電極９を蒸着して、図１に示した本実
施例の半導体レーザ装置を完成する。
電極８およびｎ側電極９を蒸着して、図１に示した本実
施例の半導体レーザ装置を完成する。
【００２１】このような本実施例においては、電流ブロ
ック層をｎ型ＧａＡｓから構成し、リッジ１０上全面に
ｎＧａＡｓＰ電流ブロック層１１ｂを設け、リッジ１０
上のｐ−ＧａＡｓキャップ層５とｎ−ＧａＡｓＰ電流ブ
ロック層１１ｂ中でのＺｎの拡散速度の差を利用して、
Ｚｎ拡散によりｎ−ＧａＡｓＰ電流ブロック層１１ｂ中
にＰ−ＧａＡｓキャップ層５に達するＺｎ拡散領域を設
け、これにより電流通路を形成したので、極めて制御性
よく電流通路を形成することができる。また、従来のよ
うに電流ブロック層１１ｂの形成のために、ＳｉＮ，Ｓ
ｉＯ２ 等の絶縁膜をマスクとした選択成長をする必要
がないので、リッジ１０上に絶縁膜が残存したり、変質
層が形成されたりすることがなく、特性の良好なものが
得られる。
ック層をｎ型ＧａＡｓから構成し、リッジ１０上全面に
ｎＧａＡｓＰ電流ブロック層１１ｂを設け、リッジ１０
上のｐ−ＧａＡｓキャップ層５とｎ−ＧａＡｓＰ電流ブ
ロック層１１ｂ中でのＺｎの拡散速度の差を利用して、
Ｚｎ拡散によりｎ−ＧａＡｓＰ電流ブロック層１１ｂ中
にＰ−ＧａＡｓキャップ層５に達するＺｎ拡散領域を設
け、これにより電流通路を形成したので、極めて制御性
よく電流通路を形成することができる。また、従来のよ
うに電流ブロック層１１ｂの形成のために、ＳｉＮ，Ｓ
ｉＯ２ 等の絶縁膜をマスクとした選択成長をする必要
がないので、リッジ１０上に絶縁膜が残存したり、変質
層が形成されたりすることがなく、特性の良好なものが
得られる。
【００２２】なお、上記実施例では気相拡散によってＺ
ｎ拡散領域を形成する場合について述べたが、固相拡散
でＺｎ拡散領域を形成してもよく、この場合においても
上記実施例と同様の効果を奏する。
ｎ拡散領域を形成する場合について述べたが、固相拡散
でＺｎ拡散領域を形成してもよく、この場合においても
上記実施例と同様の効果を奏する。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば電流ブロ
ック層の形成において、ＳｉＮ，ＳｉＯ２ 等の絶縁膜
をマスクとした選択成長をする必要がないので、選択成
長時に絶縁膜が変質してリッジ上に残存したり、あるい
はリッジ上に変成層が形成されたりすることがなく、そ
の結果、特性の向上を図ることができるという効果があ
る。
ック層の形成において、ＳｉＮ，ＳｉＯ２ 等の絶縁膜
をマスクとした選択成長をする必要がないので、選択成
長時に絶縁膜が変質してリッジ上に残存したり、あるい
はリッジ上に変成層が形成されたりすることがなく、そ
の結果、特性の向上を図ることができるという効果があ
る。
【００２４】また、本発明によれば、ＧａＩｎＰ中とＧ
ａＡｓ中でのＺｎ拡散速度の差を利用して、Ｚｎ拡散領
域を制御性よく形成することができるので、歩留りを向
上させることができるという効果もある。
ａＡｓ中でのＺｎ拡散速度の差を利用して、Ｚｎ拡散領
域を制御性よく形成することができるので、歩留りを向
上させることができるという効果もある。
【図１】この発明の一実施例による半導体レーザ装置を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】この発明の半導体レーザ装置の製造工程を示す
図である。
図である。
【図３】ＧａＩｎＰとＧａＡｓの拡散速度の差を示す図
である。
である。
【図４】従来の半導体レーザ装置を示す断面図である。
【図５】従来の半導体レーザ装置の製造工程を示す図で
ある。
ある。
【図６】従来の半導体レーザ装置の他の例を示す断面図
である。
である。
１ ｎ−ＧａＡｓ基板
２ ｎ−ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層３
アンドープＧａＩｎＰ活性層４ ｐ−ＡｌＧａＩ
ｎＰ上クラッド層５ ｐ−ＧａＡｓキャップ層 ６ ｎ−ＧａＩｎＰ電流ブロック層７ Ｚ
ｎ拡散領域 １０ リッジ １４ エッチングマスク １５ 拡散マスク
アンドープＧａＩｎＰ活性層４ ｐ−ＡｌＧａＩ
ｎＰ上クラッド層５ ｐ−ＧａＡｓキャップ層 ６ ｎ−ＧａＩｎＰ電流ブロック層７ Ｚ
ｎ拡散領域 １０ リッジ １４ エッチングマスク １５ 拡散マスク
Claims (1)
- 【請求項１】 化合物半導体基板上に、（Ａｌｘ Ｇ
ａ１−ｘ ）ｙ Ｉｎ１−ｙ Ｐからなる第１クラッド
層，活性層，第２クラッド層と、ＧａＡｓからなるキャ
ップ層をこの順に有し、該キャップ層を貫通して上記第
２クラッド層中に底部があるようなリッジを有し、該リ
ッジを覆って全面に形成された電流ブロック層を有し、
上記電流ブロック層を貫通して、該キャップ層に到達す
るＺｎ拡散領域を有する半導体レーザ装置において、上
記電流ブロック層はＧａＩｎＰからなることを特徴とす
る半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41386090A JPH04219989A (ja) | 1990-12-19 | 1990-12-19 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41386090A JPH04219989A (ja) | 1990-12-19 | 1990-12-19 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04219989A true JPH04219989A (ja) | 1992-08-11 |
Family
ID=18522415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP41386090A Pending JPH04219989A (ja) | 1990-12-19 | 1990-12-19 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04219989A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5588016A (en) * | 1994-09-06 | 1996-12-24 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
-
1990
- 1990-12-19 JP JP41386090A patent/JPH04219989A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5588016A (en) * | 1994-09-06 | 1996-12-24 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| US5648295A (en) * | 1994-09-06 | 1997-07-15 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Method of making a semiconductor laser device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2656397B2 (ja) | 可視光レーザダイオードの製造方法 | |
| JPH06291416A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JP2752423B2 (ja) | 化合物半導体へのＺｎ拡散方法 | |
| JPS6343387A (ja) | 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 | |
| EP0275209B1 (en) | A semi conductor laser device | |
| US20020043209A1 (en) | Method of fabricating compound semiconductor device | |
| JPS62200785A (ja) | 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 | |
| JPH04219989A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| US4783425A (en) | Fabrication process of semiconductor lasers | |
| JPS6349396B2 (ja) | ||
| JPS63179590A (ja) | ＡｌＧａＩｎＰ半導体発光素子 | |
| JP3472739B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP2911270B2 (ja) | 可視光レーザダイオード及びその製造方法 | |
| JP2000216495A (ja) | 半導体光素子の製造方法 | |
| KR100261243B1 (ko) | 레이저 다이오드 및 그의 제조방법 | |
| JPH08222808A (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| JPH07112092B2 (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JPH04130692A (ja) | 半導体レーザ装置とその製造方法 | |
| JP3026389B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JPH11354880A (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| KR100290861B1 (ko) | 반도체레이저다이오드의제조방법 | |
| JPH06151881A (ja) | 量子効果デバイスの製造方法 | |
| JPH04261082A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JP2001024278A (ja) | 半導体薄膜の成長方法、および半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JPH0590641A (ja) | 半導体発光素子 |