JPH04221428A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH04221428A JPH04221428A JP2404135A JP40413590A JPH04221428A JP H04221428 A JPH04221428 A JP H04221428A JP 2404135 A JP2404135 A JP 2404135A JP 40413590 A JP40413590 A JP 40413590A JP H04221428 A JPH04221428 A JP H04221428A
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- Japan
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- recording medium
- magnetic recording
- magnetic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、真空蒸着法の条件を適
切に設定することにより、記録再生特性を向上する磁気
記録媒体の製造方法に関する。
切に設定することにより、記録再生特性を向上する磁気
記録媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】高密度磁気記録媒体としてＣｏ−Ｃｒ，
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の垂直磁気記録媒体が盛んに研究さ
れている。垂直磁気記録媒体は、従来の面内記録媒体と
異なり、媒体に記録された磁化が媒体の表面に垂直な方
向を向くので、高密度になるほど反磁界が減少し、原理
的に高密度記録に適した記録方法である。しかしながら
、現在一般に使用されているリング型磁気ヘッドを用い
て記録すると、ヘッドから漏れる磁束の垂直成分が弱い
ために、特に低い記録密度において高いＣ／Ｎ比を得る
ことが出来なかった。そこで、垂直磁気記録媒体を真空
蒸着法で形成する際、蒸着原子の基板への入射角を基板
の法線方向から傾けることにより、垂直磁気記録媒体の
磁化容易軸を垂直方向から傾斜させ、特に低記録密度に
おけるＣ／Ｎ比を改善することが提案されている。 （越後，東間，杉田，太田：電子情報通信学会，磁気記
録研究会資料，ＭＲ９０−１５，Ｐ３９，１９９０年，
垂直磁気テープを用いた画像データ記録）。
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の垂直磁気記録媒体が盛んに研究さ
れている。垂直磁気記録媒体は、従来の面内記録媒体と
異なり、媒体に記録された磁化が媒体の表面に垂直な方
向を向くので、高密度になるほど反磁界が減少し、原理
的に高密度記録に適した記録方法である。しかしながら
、現在一般に使用されているリング型磁気ヘッドを用い
て記録すると、ヘッドから漏れる磁束の垂直成分が弱い
ために、特に低い記録密度において高いＣ／Ｎ比を得る
ことが出来なかった。そこで、垂直磁気記録媒体を真空
蒸着法で形成する際、蒸着原子の基板への入射角を基板
の法線方向から傾けることにより、垂直磁気記録媒体の
磁化容易軸を垂直方向から傾斜させ、特に低記録密度に
おけるＣ／Ｎ比を改善することが提案されている。 （越後，東間，杉田，太田：電子情報通信学会，磁気記
録研究会資料，ＭＲ９０−１５，Ｐ３９，１９９０年，
垂直磁気テープを用いた画像データ記録）。
【０００３】また薄膜磁性層として、Ｃｏ−Ｏ，Ｃｏ−
Ｎｉ−Ｏ等を真空蒸着法により形成する場合は、蒸着原
子の基板への入射角を基板の法線方向から傾けることに
より、磁化容易軸が面内成分と垂直成分からできるよう
調整され、金属薄膜型磁気テープいわゆるＭＥテープと
して市販されている。
Ｎｉ−Ｏ等を真空蒸着法により形成する場合は、蒸着原
子の基板への入射角を基板の法線方向から傾けることに
より、磁化容易軸が面内成分と垂直成分からできるよう
調整され、金属薄膜型磁気テープいわゆるＭＥテープと
して市販されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】一方、Ｃｏ−Ｃｒ系膜
で長波長記録のＣ／Ｎ比を改善するため、斜方入射蒸着
で作成された磁性層では、ｈｃｐのｃ軸の結晶配向性が
乱され、結晶磁気異方性が低下するために、十分高いＣ
／Ｎ比を実現することができなかった。
で長波長記録のＣ／Ｎ比を改善するため、斜方入射蒸着
で作成された磁性層では、ｈｃｐのｃ軸の結晶配向性が
乱され、結晶磁気異方性が低下するために、十分高いＣ
／Ｎ比を実現することができなかった。
【０００５】本発明は上記課題を解決し、長波長から短
波長まで広範囲にわたり、高いＣ／Ｎ比をもつ磁気記録
媒体の製造方法を提供することを目的とする。
波長まで広範囲にわたり、高いＣ／Ｎ比をもつ磁気記録
媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、高分子基板上に平均膜厚５ｎｍ以上３０ｎ
ｍ以下の島状形状を有する薄膜下地層をＡｌまたはＣｕ
などを用いて形成した後、少なくともＣｏとＣｒまたは
ＣｏとＣｒとＮｉを主成分とし、真空蒸着法において基
板の法線に対する蒸発原子の初期入射角を４０°以上９
０°以下で磁性層を形成するものであり、また前記下地
層を形成するとき、基板の温度を２００℃以上に保つこ
と、さらには前記磁性層の上に蒸着原子の初期入射角が
０°以上６０°以下として第２磁性層を形成するもので
ある。
するために、高分子基板上に平均膜厚５ｎｍ以上３０ｎ
ｍ以下の島状形状を有する薄膜下地層をＡｌまたはＣｕ
などを用いて形成した後、少なくともＣｏとＣｒまたは
ＣｏとＣｒとＮｉを主成分とし、真空蒸着法において基
板の法線に対する蒸発原子の初期入射角を４０°以上９
０°以下で磁性層を形成するものであり、また前記下地
層を形成するとき、基板の温度を２００℃以上に保つこ
と、さらには前記磁性層の上に蒸着原子の初期入射角が
０°以上６０°以下として第２磁性層を形成するもので
ある。
【０００７】
【作用】上記手段のように、高分子基板上に島状形状を
有する薄膜下地層を形成した後、例えばＣｏ−Ｃｒ膜を
斜法入射で形成すると、ＣｏおよびＣｒの蒸着原子の入
射方向に対して垂直に近い面が基板上で増加するために
、平坦な基板上にＣｏ−Ｃｒ膜を形成するのに比べて、
ｈｃｐのｃ軸が斜め方向に配向し易く、斜め方向の結晶
磁気異方性が向上する。また下地層により予め島状形状
を基板に付与することにより、磁性層を斜法入射で形成
した際の陰影効果が大きくなり、空隙が磁性層に発生す
るために斜め方向の形状磁気異方性が増大する。すなわ
ち結晶磁気異方性および形状磁気異方性がともに磁性層
の結晶成長方向に異方性を増大させる傾向にあるので、
この方向の異方性が増大する。そこで島状形状下地層の
上に斜方入射で磁性層を形成すると、記録再生時に高い
Ｃ／Ｎ比を実現することができる。
有する薄膜下地層を形成した後、例えばＣｏ−Ｃｒ膜を
斜法入射で形成すると、ＣｏおよびＣｒの蒸着原子の入
射方向に対して垂直に近い面が基板上で増加するために
、平坦な基板上にＣｏ−Ｃｒ膜を形成するのに比べて、
ｈｃｐのｃ軸が斜め方向に配向し易く、斜め方向の結晶
磁気異方性が向上する。また下地層により予め島状形状
を基板に付与することにより、磁性層を斜法入射で形成
した際の陰影効果が大きくなり、空隙が磁性層に発生す
るために斜め方向の形状磁気異方性が増大する。すなわ
ち結晶磁気異方性および形状磁気異方性がともに磁性層
の結晶成長方向に異方性を増大させる傾向にあるので、
この方向の異方性が増大する。そこで島状形状下地層の
上に斜方入射で磁性層を形成すると、記録再生時に高い
Ｃ／Ｎ比を実現することができる。
【０００８】
【実施例】（実施例１）以下本発明の一実施例の磁気記
録媒体の製造方法について、図面を参照しながら説明す
る。
録媒体の製造方法について、図面を参照しながら説明す
る。
【０００９】図１は、本発明の製造方法により製造され
た一実施例の磁気記録媒体の断面図であり、高分子基板
１上に、平均膜厚５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の島状下地層
２が形成され、さらにその上にＣｏ−Ｃｒ層３が形成さ
れている。高分子基板１としては、ポリエチレンテレフ
タレート，ポリエチレンナフタレート，アラミド，ポリ
イミド等のフィルム基板がある。また島状下地層２は、
ＡｌやＡｌ−Ｃｕ合金のように、比較的融点の低い金属
を２００℃以上の高温度の基板に形成させる。このとき
島状下地層の平均膜厚としては、５ｎｍ以上３０ｎｍ以
下が望ましい。膜厚が５ｎｍ未満では、島が十分成長せ
ず効果が薄い。また膜厚が３０ｎｍを超えると、島同士
が互いにくっついて連続膜となる。島状下地層の上にＣ
ｏ−Ｃｒ膜３を初期入射角４０°以上９０°以下で作製
すると、図１に示すように、Ｃｏ−Ｃｒ膜３の結晶柱状
粒は膜の法線から傾いた方向に成長する。従来の方法で
は、図４に示すように高分子基板１上に直接Ｃｏ−Ｃｒ
膜３を形成する。この場合、結晶柱状粒の成長する向き
は基板に対して大きく傾いているので、Ｃｏのｈｃｐの
ｃ軸の向きは結晶柱状粒の向きよりは、面内方向を向き
やすい。また自己陰影効果により空隙ができるだけなの
で、形状による異方性も小さい。これに対して図１に示
すように、島状下地層２上にＣｏ−Ｃｒ膜３を作製する
と、蒸着原子の方向に対し下地膜の法線方向が一致する
部分があるので、Ｃｏのｈｃｐのｃ軸が柱状結晶粒の方
向を向き易い。また島状下地による陰影効果で、結晶粒
間に空隙が出来易い。したがって形状による異方性も、
図１の媒体の方が図４の媒体よりも大きい。
た一実施例の磁気記録媒体の断面図であり、高分子基板
１上に、平均膜厚５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の島状下地層
２が形成され、さらにその上にＣｏ−Ｃｒ層３が形成さ
れている。高分子基板１としては、ポリエチレンテレフ
タレート，ポリエチレンナフタレート，アラミド，ポリ
イミド等のフィルム基板がある。また島状下地層２は、
ＡｌやＡｌ−Ｃｕ合金のように、比較的融点の低い金属
を２００℃以上の高温度の基板に形成させる。このとき
島状下地層の平均膜厚としては、５ｎｍ以上３０ｎｍ以
下が望ましい。膜厚が５ｎｍ未満では、島が十分成長せ
ず効果が薄い。また膜厚が３０ｎｍを超えると、島同士
が互いにくっついて連続膜となる。島状下地層の上にＣ
ｏ−Ｃｒ膜３を初期入射角４０°以上９０°以下で作製
すると、図１に示すように、Ｃｏ−Ｃｒ膜３の結晶柱状
粒は膜の法線から傾いた方向に成長する。従来の方法で
は、図４に示すように高分子基板１上に直接Ｃｏ−Ｃｒ
膜３を形成する。この場合、結晶柱状粒の成長する向き
は基板に対して大きく傾いているので、Ｃｏのｈｃｐの
ｃ軸の向きは結晶柱状粒の向きよりは、面内方向を向き
やすい。また自己陰影効果により空隙ができるだけなの
で、形状による異方性も小さい。これに対して図１に示
すように、島状下地層２上にＣｏ−Ｃｒ膜３を作製する
と、蒸着原子の方向に対し下地膜の法線方向が一致する
部分があるので、Ｃｏのｈｃｐのｃ軸が柱状結晶粒の方
向を向き易い。また島状下地による陰影効果で、結晶粒
間に空隙が出来易い。したがって形状による異方性も、
図１の媒体の方が図４の媒体よりも大きい。
【００１０】次に本発明の磁気記録媒体の製造方法の実
施例について、より具体的に説明する。
施例について、より具体的に説明する。
【００１１】図２は本発明の磁気記録媒体の製造装置の
一例である。ロール５から巻出された高分子基板１は円
筒状キャン７の周面に沿って矢印Ａの方向に走行し、ロ
ール６に巻取られる。坩堝９に入った蒸発源１０は電子
ビームにより加熱されて蒸発し、蒸発原子１１は高分子
基板１の表面に蒸着される。このとき蒸着原子の基板へ
の入射角は、遮蔽板８により規制されている。図２に示
すような真空蒸着装置を用いて、厚さ１０μｍのポリイ
ミド基板上に、平均膜厚１５ｎｍのＡｌ薄膜を形成した
。 このとき、円筒状キャン７の温度を３００℃、基板の搬
送速度は１０ｍ／ｍｉｎとした。島状下地層を形成する
際の入射角は、０°を中心として広い範囲でよい。次に
Ｃｏ−Ｃｒ層を形成するために、蒸発源１０をＣｏ−Ｃ
ｒ合金に変更し、入射角が５５°から２０°の範囲にな
るように遮蔽板８を変更した。また円筒状キャン７の温
度は２５０℃とし、ロール６から巻出して矢印Ａとは反
対方向に走行させ、Ｃｏ−Ｃｒ層を約２００ｎｍ形成し
、ロール５に巻取った。このあと形成したＣｏ−Ｃｒ膜
の耐久性を向上させるため、プラズマＣＶＤ法により約
１０ｎｍのダイヤモンド状カーボン層を形成した後、弗
素系の潤滑剤を塗布した。このようにして作製したＣｏ
−Ｃｒ磁気テープを、市販の８ミリデッキを一部改造し
たデッキを用いて評価した。このとき使用したヘッドは
、ギャップ長０．１μｍ，トラック幅１０μｍのアモル
ファスヘッドである。この結果を（表１）に示す。
一例である。ロール５から巻出された高分子基板１は円
筒状キャン７の周面に沿って矢印Ａの方向に走行し、ロ
ール６に巻取られる。坩堝９に入った蒸発源１０は電子
ビームにより加熱されて蒸発し、蒸発原子１１は高分子
基板１の表面に蒸着される。このとき蒸着原子の基板へ
の入射角は、遮蔽板８により規制されている。図２に示
すような真空蒸着装置を用いて、厚さ１０μｍのポリイ
ミド基板上に、平均膜厚１５ｎｍのＡｌ薄膜を形成した
。 このとき、円筒状キャン７の温度を３００℃、基板の搬
送速度は１０ｍ／ｍｉｎとした。島状下地層を形成する
際の入射角は、０°を中心として広い範囲でよい。次に
Ｃｏ−Ｃｒ層を形成するために、蒸発源１０をＣｏ−Ｃ
ｒ合金に変更し、入射角が５５°から２０°の範囲にな
るように遮蔽板８を変更した。また円筒状キャン７の温
度は２５０℃とし、ロール６から巻出して矢印Ａとは反
対方向に走行させ、Ｃｏ−Ｃｒ層を約２００ｎｍ形成し
、ロール５に巻取った。このあと形成したＣｏ−Ｃｒ膜
の耐久性を向上させるため、プラズマＣＶＤ法により約
１０ｎｍのダイヤモンド状カーボン層を形成した後、弗
素系の潤滑剤を塗布した。このようにして作製したＣｏ
−Ｃｒ磁気テープを、市販の８ミリデッキを一部改造し
たデッキを用いて評価した。このとき使用したヘッドは
、ギャップ長０．１μｍ，トラック幅１０μｍのアモル
ファスヘッドである。この結果を（表１）に示す。
【００１２】
【表１】
【００１３】（表１）ではＡは、以上のようにして作製
した本発明の実施例の媒体であり、比較例Ｂは島状下地
層を形成しない以外は実施例Ａと全く同じ方法で作製し
た場合である。（表１）で示すＣ／Ｎ比は、実施例Ａの
値を基準にして示してある。（表１）より本発明の実施
例の媒体Ａが、優れた記録再生特性を示していることが
わかる。以上磁性層としてＣｏ−Ｃｒ膜を用いた場合に
ついて説明したが、磁性層としてＣｏ−Ｃｒ−Ｎｉ膜を
用いた場合にもほぼ同様の結果が得られた。
した本発明の実施例の媒体であり、比較例Ｂは島状下地
層を形成しない以外は実施例Ａと全く同じ方法で作製し
た場合である。（表１）で示すＣ／Ｎ比は、実施例Ａの
値を基準にして示してある。（表１）より本発明の実施
例の媒体Ａが、優れた記録再生特性を示していることが
わかる。以上磁性層としてＣｏ−Ｃｒ膜を用いた場合に
ついて説明したが、磁性層としてＣｏ−Ｃｒ−Ｎｉ膜を
用いた場合にもほぼ同様の結果が得られた。
【００１４】（実施例２）次に本発明の別の実施例につ
いて図３を用いて説明する。高分子基板１上に島状下地
層２を形成するまでは実施例１と全く同様である。次に
Ｃｏ−Ｃｒ層３を形成する際、入射角を７０°から４０
°の範囲として膜厚約１００ｎｍ形成した。このときの
初期入射角は６５°以上９０°以下とするのがよい。こ
の場合初期入射角が６５°未満では低記録密度でのＣ／
Ｎ比が低下するからである。この後Ｃｏ−Ｃｒ層３の上
にさらに第２の磁性層としてＣｏ−Ｏ層４を７０ｎｍ形
成した。このときの円筒状キャン７の温度は１００℃と
し、蒸発源１０としてはＣｏを用い、Ｏ２を５０ｃｃ／
ｍｉｎで真空槽内に導入し、基板の搬送速度は１０ｍ／
ｍｉｎとした。 また入射角は５０°から１５°の範囲とした。Ｃｏ−Ｏ
層形成の際の初期入射角としては、０°以上６０°以下
とするのがよい。初期入射角を６０°を超える値とする
と、Ｃｏ−Ｏ層の垂直磁気異方性が低下し、高記録密度
でのＣ／Ｎ比が低下する。Ｃｏ−Ｏ層の膜厚としては３
０ｎｍ以上１００ｎｍ以下が適当である。３０ｎｍ未満
ではＣｏ−Ｏ層の磁気特性が悪く、１００ｎｍを超える
値ではＣｏ−Ｃｒ層の特徴が失われてしまう。図３に示
す媒体においては、Ｃｏ−Ｃｒ層は磁化容易方向は比較
的膜面内に近い方向を向いており、Ｃｏ−Ｏ層の磁化容
易方向は膜法線に近い方向を向いている。このためＣｏ
−Ｃｒ層は低記録密度での記録再生特性に大きく寄与し
、Ｃｏ−Ｏ層は高記録密度での記録再生特性に大きく寄
与する。 図３に示す実施例においても、図１に示す実施例の場合
と同様、島状下地層２はＣｏ−Ｃｒ層の柱状結晶粒成長
方向の異方性を高める効果がある。ただ図３においては
Ｃｏ−Ｃｒ層の入射角が図１に比べて大きいために、異
方性の方向はより面内方向に近くなる。このようにして
作製した媒体を実施例１の場合と全く同様にして、ダイ
ヤモンド状カーボン層を形成した後、潤滑剤を塗布して
８ミリデッキで評価した。（表１）のＣは本実施例２の
媒体である。比較例Ｄは、島状下地層２がない点を除い
ては、実施例Ｃと全く同じ方法で作製した媒体である。 （表１）により、実施例Ｃは比較例Ｄに比べて高いＣ／
Ｎ比を有していることがわかる。以上は磁性層として、
Ｃｏ−Ｃｒ層およびＣｏ−Ｏ層を用いた場合について述
べたが、それぞれの代りにＣｏ−Ｃｒ−Ｎｉ層およびＣ
ｏ−Ｎｉ−Ｏ層を用いてもほぼ同様の結果が得られる。
いて図３を用いて説明する。高分子基板１上に島状下地
層２を形成するまでは実施例１と全く同様である。次に
Ｃｏ−Ｃｒ層３を形成する際、入射角を７０°から４０
°の範囲として膜厚約１００ｎｍ形成した。このときの
初期入射角は６５°以上９０°以下とするのがよい。こ
の場合初期入射角が６５°未満では低記録密度でのＣ／
Ｎ比が低下するからである。この後Ｃｏ−Ｃｒ層３の上
にさらに第２の磁性層としてＣｏ−Ｏ層４を７０ｎｍ形
成した。このときの円筒状キャン７の温度は１００℃と
し、蒸発源１０としてはＣｏを用い、Ｏ２を５０ｃｃ／
ｍｉｎで真空槽内に導入し、基板の搬送速度は１０ｍ／
ｍｉｎとした。 また入射角は５０°から１５°の範囲とした。Ｃｏ−Ｏ
層形成の際の初期入射角としては、０°以上６０°以下
とするのがよい。初期入射角を６０°を超える値とする
と、Ｃｏ−Ｏ層の垂直磁気異方性が低下し、高記録密度
でのＣ／Ｎ比が低下する。Ｃｏ−Ｏ層の膜厚としては３
０ｎｍ以上１００ｎｍ以下が適当である。３０ｎｍ未満
ではＣｏ−Ｏ層の磁気特性が悪く、１００ｎｍを超える
値ではＣｏ−Ｃｒ層の特徴が失われてしまう。図３に示
す媒体においては、Ｃｏ−Ｃｒ層は磁化容易方向は比較
的膜面内に近い方向を向いており、Ｃｏ−Ｏ層の磁化容
易方向は膜法線に近い方向を向いている。このためＣｏ
−Ｃｒ層は低記録密度での記録再生特性に大きく寄与し
、Ｃｏ−Ｏ層は高記録密度での記録再生特性に大きく寄
与する。 図３に示す実施例においても、図１に示す実施例の場合
と同様、島状下地層２はＣｏ−Ｃｒ層の柱状結晶粒成長
方向の異方性を高める効果がある。ただ図３においては
Ｃｏ−Ｃｒ層の入射角が図１に比べて大きいために、異
方性の方向はより面内方向に近くなる。このようにして
作製した媒体を実施例１の場合と全く同様にして、ダイ
ヤモンド状カーボン層を形成した後、潤滑剤を塗布して
８ミリデッキで評価した。（表１）のＣは本実施例２の
媒体である。比較例Ｄは、島状下地層２がない点を除い
ては、実施例Ｃと全く同じ方法で作製した媒体である。 （表１）により、実施例Ｃは比較例Ｄに比べて高いＣ／
Ｎ比を有していることがわかる。以上は磁性層として、
Ｃｏ−Ｃｒ層およびＣｏ−Ｏ層を用いた場合について述
べたが、それぞれの代りにＣｏ−Ｃｒ−Ｎｉ層およびＣ
ｏ−Ｎｉ−Ｏ層を用いてもほぼ同様の結果が得られる。
【００１５】
【発明の効果】以上の実施例から明らかなように本発明
の磁気記録媒体の製造方法によれば、記録再生特性に優
れた磁気記録媒体を容易に製造することが可能である。
の磁気記録媒体の製造方法によれば、記録再生特性に優
れた磁気記録媒体を容易に製造することが可能である。
【図１】本発明の一実施例の製造方法により製造された
磁気記録媒体の断面図
磁気記録媒体の断面図
【図２】本発明の磁気記録媒体の製造装置の一例の要部
概略断面図
概略断面図
【図３】本発明の別の実施例の製造方法により製造され
た磁気記録媒体の断面図
た磁気記録媒体の断面図
【図４】従来の製造方法により製造された磁気記録媒体
の断面図
の断面図
１ 高分子基板
２ 島状下地層（薄膜下地層）
３ Ｃｏ−Ｃｒ層（磁性層）
Claims (4)
- 【請求項１】 高分子基板上に平均膜厚５ｎｍ以上３
０ｎｍ以下の島状形状を有する薄膜下地層を形成した後
、少なくともＣｏとＣｒまたはＣｏとＣｒとＮｉを主成
分とし、真空蒸着法において基板の法線に対する蒸発原
子の初期入射角を４０°以上９０°以下で磁性層を形成
することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 膜薄下地層がＡｌまたはＡｌとＣｕを
主成分とする層であることを特徴とする請求項１記載の
磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】 薄膜下地層が真空蒸着法で基板温度２
００℃以上で形成されることを特徴とする請求項１また
は２記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項４】 磁性層を形成した後に、真空蒸着法に
より基板の法線に対する蒸着原子の初期入射角を０°以
上６０°以下として第２の磁性層を形成することを特徴
とする請求項１，２または３記載の磁気記録媒体の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2404135A JPH04221428A (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2404135A JPH04221428A (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04221428A true JPH04221428A (ja) | 1992-08-11 |
Family
ID=18513828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2404135A Pending JPH04221428A (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04221428A (ja) |
-
1990
- 1990-12-20 JP JP2404135A patent/JPH04221428A/ja active Pending
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