JPH0422157A

JPH0422157A - 高周波加熱装置

Info

Publication number: JPH0422157A
Application number: JP2127099A
Authority: JP
Inventors: Tatsumi Okamoto; 岡本　辰美; Minao Isayama; 皆夫諫山
Original assignee: Mitsui High Tec Inc
Current assignee: Mitsui High Tec Inc
Priority date: 1990-05-17
Filing date: 1990-05-17
Publication date: 1992-01-27
Anticipated expiration: 2012-09-17
Also published as: JP2654712B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の目的〕（産業上の利用分野）本発明は、高周波加熱装置に関する。

（従来の技術）半導体装置の高密度化および高集積化に伴い、リードピ
ン数は増加するものの、パラケーンは従来通りかもしく
は小型化の傾向にある。

同一面積内においてインナーリートの本数か増加すれば
、当然ながらインナーリートの幅および隣接するインナ
ーリートとの間隔は狭くなる。このため、強度の低下に
よるインナーリートの変ｉｆｆおよびその変形によるイ
ンナーツー１間の短絡を生しる二とかある。

特に、リードフレームかスタンピンクにより成型されて
いる場合、板厚０．１５ｍｍに対し、０１〜０．１−２
ｍｍ幅の打ち抜きを行う必要かあり、スタンピンクか問
題なく行われた場合においても、内部残留応力の影響も
あり、後続１稈において微小な外力を受けたたけて変形
、短絡を生してしまうことがある。

これは、エノチンクによる形状加工を行った場合にも、
問題となっている。

しかしながら、近年半導体装置は小形化の一途を辿って
おり、薄くかつ微細になるインナーリードの変形を十分
におさえることは不可能となってきている。

そこで、このような内部残留応力の除去および表面硬化
を行うため、形状加工後、リードフレームを中性雰囲気
炉内で加熱し、徐冷あるいは急冷する方法か提案されて
いる。

この加熱手段としては、第７図に示すような高周波誘導
加熱方式の加熱装置が用いられている。

この装置は、ダストコア１に巻回された加熱コイル２に
よって、所定の空間を挟み、この空間内で被加熱体であ
るリードフレームを走行させるように構成されている。

しかしながら、このような従来の装置では、リードフレ
ームの形状寸法（幅、面積）が部分的に異なることから
、均一な加熱を行うことかできす、かえって、熱応力に
よる歪を生しる等の欠点かあった。また、せいぜい１５
０〜２００℃までしか昇温することかできす、十分な表
面硬化を行うことがてきないという問題があった。

また、昇温に時間がかかり、熱効率か悪いうえ、ねしれ
が生した場合にもそのまま硬化してしまうという問題が
あった。

（発明が解決しようとする課題）このように、半導体装置の高集積化に伴い、リード幅お
よび間隔は小さくなる一方であり、十分な内部残留応力
の除去、ねじれ等の変形の矯正および表面硬化を行う熱
処理方法か望まれていた。

これは、リードフレームのみならす、微細加工を必要と
する他の装置の形成に際しても、問題となっていた。

本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、微細寸法
の物体を形状を高精度に維持しつつ、効率よく均一に加
熱することのできる小型の加熱装置を提供することを目
的とする。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段）そこで本発明の加熱装置では、誘導加熱コイルの一面に
強磁性体からなる加熱板を当接せしめて構成した加熱手
段を具備し、この加熱手段の加熱板を、被加熱体の所定
の位置を押し付け、加熱を行うように構成している。

望ましくは、誘導加熱コイルの一面に強磁性体からなる
加熱板を当接せしめて構成した第１および第２の加熱手
段を相対向して配設し、これら第１および第２の加熱手
段の加熱板の少なくとも一方を、被加熱体の所定の位置
に押し付け、加熱を行うように構成されている。

（作用）本発明によれば、強磁性体からなる加熱板を被加熱体の
所定の位置に押し付け、加熱を行うように構成されてい
るため、効率よく加熱することか可能であるうえ、幅、
面積なとか局所的になるような被加熱体に対しても、均
一な加熱を行うことか可能となる。また、固定した状態
で加熱されるため、変形も少ないうえ、ねじれ等があっ
た場合にも、矯正かなされ、良好な形状を得ることか可
能となる。

また、高周波加熱によって加熱された加熱板に接触させ
ることによって、効率よく加熱する二とかできるため、
加熱領域を小さくすることができ、小型で信頼性の高い
加熱装置を得ることか可能となる。

（実施例）以下、本発明の実施例について、図面を参照しつつ詳細
に説明する。

第１図は、本発明実施例の高周波加熱装置を示す説明図
である。

この加熱装置は、テンンヨン付加機能を有する巻きたし
装置（図示せす）と、テンンヨン付加機能を有する巻き
とり装置（図示せず）との間を、形状加工のなされたり
一トフレームＦを間欠的に搬送しつつ、リードフレーム
の所定の領域に高周波加熱を行うようにしたもので、高
周波加熱部１０と、冷却部２０とから構成されている。

高周波加熱部１０は、第２図に要部拡大断面図を示すよ
うに、ダストコア１に巻回された中空の平角銅線からな
る誘導加熱コイル２の一面にＣｒ強磁性体からなる加熱
板４を当接せしめて構成した加熱手段５と、この加熱手
段５に相対向して配設され、アクチュエータ２１によっ
てリードフレームを加熱手段５の方向に押圧可能なよう
に構成された抑圧プレート６とから構成され、この抑圧
プレート６を加熱手段の加熱板４の方向に移動し、リー
ドフレームのサイトレールを除く領域を押圧しながら、
加熱するように構成されている。

また、冷却部は、第１の冷却プレート２０ａと、この第
１の冷却プレート２０ａに相対向して配設され、アクチ
ュエータ２１によってリードフレームを第１の冷却プレ
ート２０ａの方向に抑圧可能なように構成された第２の
冷却プレート２０ｂとから構成され、第２の冷却プレー
ト２０ｂを第１の冷却プレート２０ａの方向に移動し、
リードフレームの加熱された領域を押圧しながら、冷却
するように構成されている。

ここで７はガイドピン、８は、所望の領域のみを加熱す
るためのマスクプレート、９は支持プレートである。

次にこの加熱装置を用いたリードフレームの製造方法に
ついて説明する。

第３図（ａ）乃至第３図（ｅ）は、本発明実施例のリー
ドフレームの製造工程を示す図である。

まず、第３図（ａ）に示すように、スタンピンク法によ
り、帯状材料を加工し、ダイパッド２２と対峙するイン
ナーリート２４の先端を、隣接するインナーリードと連
結片Ｔによって僅かに接続するように成型する。

次いて、コイニング処理を行い、インナーリード先端部
の平坦幅を確保したのち、第１図に示した高周波加熱装
置に、このリードフレームＦを装着する。ここでコイニ
ンク後のインナーリート先端の厚さは０．１２ｍｍとす
る。

そして、この装置のテンション付加機能を有する巻きた
し装置と、テンション付加機能を有する巻きとり装置と
の間を、このリードフレームＦを間欠的に搬送しつつ、
加熱を行う。ここでは、アクチュエータ２１によって押
圧プレートを加熱板に向けて押圧しつつ、高周波加熱に
よって６００℃１秒の加熱を行い加熱板を加熱し、この
加熱板を介してリードフレームのサイトレールを除く領
域を加熱する。この後、アクチュエータ２１によって押
圧プレートの押圧を解除し、１ピソチリトフレームを搬
送し、加熱部冷却部に移送し、冷却部２０て急冷する。

このとき、高周波加熱部１０ては隣接ユニットの加熱か
並行して実行される。

第３図（ｂ）はこの高周波加熱による処理領域Ｒを示す
。

こののち、第３図（Ｃ）に示すように、所定のめっき工
程、テーピング工程等を紅で、連結片を打ち抜き、イン
ナーリード先端を分離し、リードフレームか完成する。

そして、このリードフレームのダイパッド２２上に半導
体チップを載置した後、ワイヤホンディングによって半
導体チップとリードフレームとの電気的接続を行う。

そして、樹脂封止工程、タイバーの切除工程、アウター
リートの成形工程を経て、半導体装置か完成する。

このようにして形成されたリードフレームは、加熱を用
いた焼き入れによって、硬化せしめられ、また、形状加
工による内部応力も除去され、ねじれ等の変形も矯正さ
れ極めて高精度となっており、インナーリート最先端か
、互いの位置関係を良好に保持することかできるため、
リート同志の短絡か防止されるのみならす、ホンデイン
クワイヤとの短絡も防止され、極めて信頼性の高いもの
となる。また、リードフレームの板厚は０．１５ｍｍ層
下でもよい。

また、絶縁性テープによる補強を行ったのち連結片を除
去するようにしているため、インナーリドは先端でのり
−ト幅を細くすることかできる。

これによりダイパッドに対してインナーリートの先端を
更に近接せしめ得、ホンデインクワイヤの使用量を低減
し？す、製造コストか節減される。更にまた、ホンデイ
ンクワイヤを短くすることかでき、短絡か防止される。

さらにまた、前記実施例では、連結片によって連結した
状態でリードフレームを成形し、絶縁性テープ貼着後、
連結片を除去するようにしたが、連結片を残さない状態
で成形したり一トフレームにも適用可能であることはい
うまでもない。

加えて、前記実施例ではワイヤホンデインク方式のり−
トフレームについて説明したか、ダイレクトポンディン
グ方式のリードフレームについても適用可能である。

なお、前記実施例では、高周波加熱部１０は、一方にの
み加熱手段か設置され、他方の側は押圧プレートで構成
されているが、第４図に変形例を示すように、ダストコ
ア１に巻回された誘導加熱コイル２の一面にＣｒ強磁性
体からなる加熱板４を当接せしめて構成した加熱手段５
ａ、５ｂを、相対向して２つ配設し、これら２つの加熱
手段５ａ、５によってリードフレームを挾み、押圧しな
がら、加熱するように構成してもよい。

また、第５図に示すように、ダストコア１に代えてＣｒ
強磁性体からなる加熱板４に直接誘導加熱コイル２を巻
回し、第１および第２の加熱手段５ａ　　５ｂを配設す
るようにしてもよい。

また、第６図（ａ）に示すように、２つの高周波加熱部
１０ａ、１０ｂをリードフレームの走行方向に並べて所
定のピッチで配設するようにしてもよい。このときの加
熱領域を第６図（ｂ）に示す。

ここではダイパットとインナーリートのみを加熱するよ
うに構成している。

なお、前記実施例では、加熱板としてＣｒを用いたか、
この他ニッケルなと強磁性体であれば良い。

加えて、前記実施例では、リードフレームの形状加工に
ついて説明したか、リードフレームに限定されることな
く他の装置にも適用可能であることはいうまでもない。

〔発明の効果〕

以上説明してきたように、本発明によれば、強磁性体か
らなる加熱板を被加熱体の所定の位置に押しイ」け、加
熱を行うように構成されているため、効率よく加熱する
ことができるうえ、幅、面積なとが局所的に異なるよう
な被加熱体に対しても、均一な加熱を行うことか可能と
なる。また、押圧しなから加熱するため、形状の矯正も
行うことがてき、高精度の形状加工か可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明実施例の高周波加熱装置を示す図、第２
図は同装置の要部拡大図、第３図（ａ）ないし第３図（
ｅ）は本発明実施例のリードフレームの製造工程を示す
図、第４図乃至第６図（ａ＞はそれぞれ本発明の他の実
施例の装置の要部説明図、第６図（ｂ）は第６図（ａ）
の装置での処理領域を示す図、第７図は従来例の加熱装
置を示す図である。Ｆ・・リードフレーム、１・・・ダストコア、２・誘導
加熱コイル、４　加熱板、５・・加熱手段、７・カイト
ピン、８・マスクプレート、９・・支持プレート、１０
・高周波加熱部、２０・・冷却部、２０ａ・・第１の冷
却プレート、２０ｂ・・・第２の冷却プレ一ト、２］　
アクチュエータ、２２・・ダイパット、２４・　インナ
ーリート、２８・・アウターリド、２９　サポート７＼
−Ｔ−・連結片。出願人代理人　　木　村　高　久第図ｆ９ストコ了第図第図（台の１）第、７図手続補正書（方式）％式％発明の名称高周波加熱装置補正をする者事件との関係　　特許出願人株式会社三井ハイチック７、補正の内容（１）本願明細書の第］３ベーン第５行目の「ないし第
３図（ｅ）」を「乃至第３図（Ｃ）」に訂正する。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）誘導加熱コイルの一面に強磁性体からなる加熱板
を当接せしめて構成した加熱手段を具備し、この加熱手
段の加熱板を、被加熱体の所定の位置に押し付け、加熱を行うように構成したことを特
徴とする高周波加熱装置。
（２）誘導加熱コイルの一面に強磁性体からなる加熱板
を当接せしめて構成した第１および第２の加熱手段を相
対向して配設し、これら第１および第２の加熱手段の加熱板で、被加熱体の所定の位置を押圧しつつ、加熱するよう
に構成したことを特徴とする高周波加熱装置。