JPH0567716A - リードフレーム及びその製造方法 - Google Patents
リードフレーム及びその製造方法Info
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- JPH0567716A JPH0567716A JP3254595A JP25459591A JPH0567716A JP H0567716 A JPH0567716 A JP H0567716A JP 3254595 A JP3254595 A JP 3254595A JP 25459591 A JP25459591 A JP 25459591A JP H0567716 A JPH0567716 A JP H0567716A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- lead frame
- island
- resin
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】リードフレームに厚さの異なる部分が容易に形
成されうるようにする。 【構成】半導体チップが搭載され樹脂封止時に樹脂によ
ってモールドされるアイランド４０及びアイランド４０
に搭載された半導体チップの電極に接続され樹脂封止時
に樹脂によってモールドされるインナリード２０を、イ
ンナリード２０に連続形成され樹脂から外に露出するア
ウタリード４０よりも薄く形成する。１個の半導体装置
に相当する部分をインナリード２０とアウタリード３０
とのそれぞれについて隣接するようにして複数個設け
る。
成されうるようにする。 【構成】半導体チップが搭載され樹脂封止時に樹脂によ
ってモールドされるアイランド４０及びアイランド４０
に搭載された半導体チップの電極に接続され樹脂封止時
に樹脂によってモールドされるインナリード２０を、イ
ンナリード２０に連続形成され樹脂から外に露出するア
ウタリード４０よりも薄く形成する。１個の半導体装置
に相当する部分をインナリード２０とアウタリード３０
とのそれぞれについて隣接するようにして複数個設け
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置用のリードフ
レーム及びその製造方法に関するものである。更に詳し
くは、ＩＣパッケージ等に用いるリードフレーム及びそ
の製造方法に関するものである。
レーム及びその製造方法に関するものである。更に詳し
くは、ＩＣパッケージ等に用いるリードフレーム及びそ
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣパッケージ等の半導体装置は、ダイ
ボンディング(チップボンディング)，ワイヤボンディン
グ，樹脂モールド等の工程処理を経て製造されるが、こ
れら一連の工程は金属薄板を打ち抜いて形成されるリー
ドフレームに対して行われる。
ボンディング(チップボンディング)，ワイヤボンディン
グ，樹脂モールド等の工程処理を経て製造されるが、こ
れら一連の工程は金属薄板を打ち抜いて形成されるリー
ドフレームに対して行われる。
【０００３】図６は従来例の要部構成を示す平面図であ
り、Ｐは１個分のパッケージに対応する範囲を示してい
る。同図に示すように、リードフレーム１０は、主とし
て、半導体チップが搭載されるアイランド４０と，アイ
ランド４０に搭載された半導体チップの電極に接続され
る複数のインナリード２０(斜線)と，インナリード２０
に連続形成され、基板等へ接続するためのアウタリード
３０(斜線)と，位置合わせ用のガイド穴５５等が設けら
れたガイドレール５０とを備えて構成される。
り、Ｐは１個分のパッケージに対応する範囲を示してい
る。同図に示すように、リードフレーム１０は、主とし
て、半導体チップが搭載されるアイランド４０と，アイ
ランド４０に搭載された半導体チップの電極に接続され
る複数のインナリード２０(斜線)と，インナリード２０
に連続形成され、基板等へ接続するためのアウタリード
３０(斜線)と，位置合わせ用のガイド穴５５等が設けら
れたガイドレール５０とを備えて構成される。
【０００４】通常、上記リードフレーム１０は、導電性
の金属薄板をパンチング金型を用いて打ち抜き形成さ
れ、又はエッチングの手法を利用して形成される。上記
リードフレーム１０を用いて半導体装置を製造するに
は、先ず、チップボンディング工程において、リードフ
レーム１０のアイランド４０に半導体チップをボンディ
ングした後、ワイヤボンディング工程において、アイラ
ンド４０に向かって延びるインナリード２０の先端部と
半導体チップの電極とを金線等により結線する。その
後、アイランド４０及びインナリード２０を包み込むよ
うにしてこれらを樹脂によってモールドする樹脂モール
ド工程、上記モールドされた半導体装置をリードフレー
ムから切り離すリードカット工程等の工程処理を経て、
半導体装置が完成される。上記リードフレーム１０は、
上記アイランド４０にボンディングされる半導体チップ
の形状、端子数等の仕様に応じて、各半導体装置毎に製
造される。
の金属薄板をパンチング金型を用いて打ち抜き形成さ
れ、又はエッチングの手法を利用して形成される。上記
リードフレーム１０を用いて半導体装置を製造するに
は、先ず、チップボンディング工程において、リードフ
レーム１０のアイランド４０に半導体チップをボンディ
ングした後、ワイヤボンディング工程において、アイラ
ンド４０に向かって延びるインナリード２０の先端部と
半導体チップの電極とを金線等により結線する。その
後、アイランド４０及びインナリード２０を包み込むよ
うにしてこれらを樹脂によってモールドする樹脂モール
ド工程、上記モールドされた半導体装置をリードフレー
ムから切り離すリードカット工程等の工程処理を経て、
半導体装置が完成される。上記リードフレーム１０は、
上記アイランド４０にボンディングされる半導体チップ
の形状、端子数等の仕様に応じて、各半導体装置毎に製
造される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】一般にリードフレーム
は、フラットな金属板の打ち抜き等によって製造される
ため、インナリードやアウタリード等も同一の厚さで形
成されることになる。その板厚は、一般にＤＩＰ(Dual
In-Line Package)で０．２５ｍｍ、ＳＯＰ(Small Outline Package)，ＱＦＰ(Quad Flat Package)で０．
１５ｍｍである。
は、フラットな金属板の打ち抜き等によって製造される
ため、インナリードやアウタリード等も同一の厚さで形
成されることになる。その板厚は、一般にＤＩＰ(Dual
In-Line Package)で０．２５ｍｍ、ＳＯＰ(Small Outline Package)，ＱＦＰ(Quad Flat Package)で０．
１５ｍｍである。
【０００６】一方、インナリード２０でのファインピッ
チ化(微細加工)については、リードフレームの厚さによ
り支配的であるが、アウタリード(外装リード)３０につ
いては、機械的強度が要求されるため、板厚を薄くする
ことに限界がある。また、ＩＣパッケージ等の半導体装
置の厚さは、リードフレームとそのアイランド上の半導
体チップ，ボンディング用のワイヤ等により決まる。
チ化(微細加工)については、リードフレームの厚さによ
り支配的であるが、アウタリード(外装リード)３０につ
いては、機械的強度が要求されるため、板厚を薄くする
ことに限界がある。また、ＩＣパッケージ等の半導体装
置の厚さは、リードフレームとそのアイランド上の半導
体チップ，ボンディング用のワイヤ等により決まる。
【０００７】従って、リードフレームを薄くした場合、
アウタリードが強度不足となったり、熱伝導容量が低下
したりするといった問題があり、リードフレームを厚く
した場合、インナリードのファイン化に限界があり、半
導体装置の薄型化が図れないといった問題がある。
アウタリードが強度不足となったり、熱伝導容量が低下
したりするといった問題があり、リードフレームを厚く
した場合、インナリードのファイン化に限界があり、半
導体装置の薄型化が図れないといった問題がある。
【０００８】インナリード及びアイランドをアウタリー
ドよりも薄くすれば、これらの問題点を解決することは
できる。しかし、図６に示すように薄くすべき部分がア
ウタリードによって囲まれていると、１枚のリードフレ
ームに厚さの異なる２種類の部分を設けなければならな
い。そのためには、圧延，スタンピング，エッチング等
を行うための複雑な装置や方法を用いる必要がある。
ドよりも薄くすれば、これらの問題点を解決することは
できる。しかし、図６に示すように薄くすべき部分がア
ウタリードによって囲まれていると、１枚のリードフレ
ームに厚さの異なる２種類の部分を設けなければならな
い。そのためには、圧延，スタンピング，エッチング等
を行うための複雑な装置や方法を用いる必要がある。
【０００９】本発明はこれらの問題点に鑑みなされたも
のであって、リードフレームの厚さを一部薄くするとと
もに、その厚さの異なる部分が容易に形成されるように
構成された半導体装置用のリードフレーム及びそれを容
易に製造することができる製造方法を提供することを目
的とする。
のであって、リードフレームの厚さを一部薄くするとと
もに、その厚さの異なる部分が容易に形成されるように
構成された半導体装置用のリードフレーム及びそれを容
易に製造することができる製造方法を提供することを目
的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の半導体装置用のリードフレームは、半導体チッ
プが搭載され、樹脂封止時に樹脂によってモールドされ
るアイランドと，該アイランドに搭載された半導体チッ
プの電極に接続され、樹脂封止時に樹脂によってモール
ドされるインナリードと，該インナリードに連続形成さ
れ、前記樹脂から外に露出するアウタリードとを備えた
半導体装置用のリードフレームにおいて、前記アイラン
ド及びインナリードが前記アウタリードよりも薄く形成
されており、１個の半導体装置に相当する部分のインナ
リードとアウタリードが隣接する他の１個の半導体装置
に相当する部分のインナリードとアウタリードとにそれ
ぞれ対応隣接するようにして連続的に複数個設けられて
いることを特徴としている。
本発明の半導体装置用のリードフレームは、半導体チッ
プが搭載され、樹脂封止時に樹脂によってモールドされ
るアイランドと，該アイランドに搭載された半導体チッ
プの電極に接続され、樹脂封止時に樹脂によってモール
ドされるインナリードと，該インナリードに連続形成さ
れ、前記樹脂から外に露出するアウタリードとを備えた
半導体装置用のリードフレームにおいて、前記アイラン
ド及びインナリードが前記アウタリードよりも薄く形成
されており、１個の半導体装置に相当する部分のインナ
リードとアウタリードが隣接する他の１個の半導体装置
に相当する部分のインナリードとアウタリードとにそれ
ぞれ対応隣接するようにして連続的に複数個設けられて
いることを特徴としている。
【００１１】本発明の半導体装置用のリードフレームの
第１の製造方法は、リードフレーム用部材にローラの圧
延によって凹部を形成した後、該凹部にインナリード及
びアイランドを形成することを特徴としている。本発明
の半導体装置用のリードフレームの第２の製造方法は、
リードフレーム用部材にインナリード及びアイランドを
形成した後、該インナリード及びアイランドが形成され
た部分にローラの圧延によって凹部を形成することを特
徴としている。
第１の製造方法は、リードフレーム用部材にローラの圧
延によって凹部を形成した後、該凹部にインナリード及
びアイランドを形成することを特徴としている。本発明
の半導体装置用のリードフレームの第２の製造方法は、
リードフレーム用部材にインナリード及びアイランドを
形成した後、該インナリード及びアイランドが形成され
た部分にローラの圧延によって凹部を形成することを特
徴としている。
【００１２】
【作用】上記構成によれば、１個の半導体装置に相当す
る部分がインナリードとアウタリードとのそれぞれにつ
いて隣接するため、薄く形成されるインナリード及びア
ウタリードの部分が連続形成されることになる。従っ
て、薄くすべき部分は、例えば円板状の簡単な形状のロ
ーラで圧延することができる。
る部分がインナリードとアウタリードとのそれぞれにつ
いて隣接するため、薄く形成されるインナリード及びア
ウタリードの部分が連続形成されることになる。従っ
て、薄くすべき部分は、例えば円板状の簡単な形状のロ
ーラで圧延することができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。尚、従来例(図６)と同一部分には同一の符号を付
して詳しい説明を省略する。図２は、本実施例における
半導体装置としてのパッケージ１個分に相当する範囲を
示している。実際には図５に示すように、１個のパッケ
ージに相当する部分Ｔ１のインナリード２０ａとアウタ
リード３０ａが隣接する他の１個のパッケージに相当す
る部分Ｔ２，Ｔ３のインナリード２０ｂ，２０ｃとアウ
タリード３０ｂ，３０ｃとにそれぞれ対応隣接するよう
にして連続的に複数個設けられている。その上、凹部６
１はそのリードフレーム１０の長手方向に沿って連続的
に形成されている。そして、ダイボンディング等の処理
は、所定の長さ単位(例えば、パッケージ１０個分)やフ
ープ状(ロール状)でリール等に巻かれた状態において施
される。尚、図２の(ａ)は平面図、(ｂ)はそのＸ−Ｘ’
線断面図である。
する。尚、従来例(図６)と同一部分には同一の符号を付
して詳しい説明を省略する。図２は、本実施例における
半導体装置としてのパッケージ１個分に相当する範囲を
示している。実際には図５に示すように、１個のパッケ
ージに相当する部分Ｔ１のインナリード２０ａとアウタ
リード３０ａが隣接する他の１個のパッケージに相当す
る部分Ｔ２，Ｔ３のインナリード２０ｂ，２０ｃとアウ
タリード３０ｂ，３０ｃとにそれぞれ対応隣接するよう
にして連続的に複数個設けられている。その上、凹部６
１はそのリードフレーム１０の長手方向に沿って連続的
に形成されている。そして、ダイボンディング等の処理
は、所定の長さ単位(例えば、パッケージ１０個分)やフ
ープ状(ロール状)でリール等に巻かれた状態において施
される。尚、図２の(ａ)は平面図、(ｂ)はそのＸ−Ｘ’
線断面図である。
【００１４】本実施例は、凹部６１が設けられているほ
かは、前記従来例(図６)と同一の構成となっている。凹
部６１は、樹脂によって封止される範囲であるモールド
部６５(破線)よりも小さく形成されている。そして、リ
ードフレーム１０は、従来例と同様に、半導体チップが
搭載され、樹脂封止時に樹脂によってモールドされるア
イランド４０と，アイランド４０に搭載された半導体チ
ップの電極に接続され、樹脂封止時に樹脂によってモー
ルドされるインナリード２０と，インナリード２０に連
続形成され、樹脂から外に露出するアウタリード３０と
を備えている。従って、凹部６１が形成されている範囲
にあるインナリード２０，アイランド４０等は、樹脂に
よって被覆されることになる。
かは、前記従来例(図６)と同一の構成となっている。凹
部６１は、樹脂によって封止される範囲であるモールド
部６５(破線)よりも小さく形成されている。そして、リ
ードフレーム１０は、従来例と同様に、半導体チップが
搭載され、樹脂封止時に樹脂によってモールドされるア
イランド４０と，アイランド４０に搭載された半導体チ
ップの電極に接続され、樹脂封止時に樹脂によってモー
ルドされるインナリード２０と，インナリード２０に連
続形成され、樹脂から外に露出するアウタリード３０と
を備えている。従って、凹部６１が形成されている範囲
にあるインナリード２０，アイランド４０等は、樹脂に
よって被覆されることになる。
【００１５】また、凹部６１はリードフレーム１０の片
面にのみ形成されており、他方の面は均一にフラットに
なっている。従って、凹部６１が形成されている範囲に
あるインナリード２０等は、凹部２０外の範囲にあるア
ウタリード３０等よりも薄くなっている。
面にのみ形成されており、他方の面は均一にフラットに
なっている。従って、凹部６１が形成されている範囲に
あるインナリード２０等は、凹部２０外の範囲にあるア
ウタリード３０等よりも薄くなっている。
【００１６】次に、リードフレーム１０の製造方法につ
いて説明する。本実施例の製造方法は、リードフレーム
用部材のインナリード２０及びアイランド４０が形成さ
れる部分に凹部を形成した後、その凹部にインナリード
２０及びアイランド４０を形成する方法である。尚、リ
ードフレーム用部材とは、従来よりリードフレーム１０
の材料として用いられているＮｉ合金及び銅合金材等を
いう。
いて説明する。本実施例の製造方法は、リードフレーム
用部材のインナリード２０及びアイランド４０が形成さ
れる部分に凹部を形成した後、その凹部にインナリード
２０及びアイランド４０を形成する方法である。尚、リ
ードフレーム用部材とは、従来よりリードフレーム１０
の材料として用いられているＮｉ合金及び銅合金材等を
いう。
【００１７】先ず、上記リードフレーム用部材に凹部を
形成する。図１は、本実施例に用いる金属板５の要部を
示しており、(ａ)は平面図であり、(ｂ)はそのＡ−Ａ’
線断面図である。この金属板５は、従来よりリードフレ
ーム用部材として用いられているフラットな金属板に凹
部６０を形成することによって得られる。尚、同図中、
Ｓは図２に示す１個分のパッケージに対応する範囲を示
しており、凹部６０，アウタリード部分７０及びガイド
レール部分８０が、図２中の凹部６１，アウタリード３
０及びガイドレール５０にそれぞれ対応する。
形成する。図１は、本実施例に用いる金属板５の要部を
示しており、(ａ)は平面図であり、(ｂ)はそのＡ−Ａ’
線断面図である。この金属板５は、従来よりリードフレ
ーム用部材として用いられているフラットな金属板に凹
部６０を形成することによって得られる。尚、同図中、
Ｓは図２に示す１個分のパッケージに対応する範囲を示
しており、凹部６０，アウタリード部分７０及びガイド
レール部分８０が、図２中の凹部６１，アウタリード３
０及びガイドレール５０にそれぞれ対応する。
【００１８】凹部６０の形成は、例えばプレス，金型等
によるスタンピング，エッチング液との接触によるエッ
チング等によって行うことも可能である。しかし、図１
に示すように、凹部６０はガイドレール部分８０に沿っ
て直線状に延びているので、本実施例ではフープ状にさ
れたフラットな金属板の薄くしたい部分(凹部６０とな
る部分)をローラによる圧延で塑性変形させ薄くする。
によるスタンピング，エッチング液との接触によるエッ
チング等によって行うことも可能である。しかし、図１
に示すように、凹部６０はガイドレール部分８０に沿っ
て直線状に延びているので、本実施例ではフープ状にさ
れたフラットな金属板の薄くしたい部分(凹部６０とな
る部分)をローラによる圧延で塑性変形させ薄くする。
【００１９】図４は、ローラ(圧延部材)１１０が前記金
属板５の圧延を行っている様子を模式的に示している。
ローラ１１０をフラットな金属板上で押圧しながら転が
すことによって、ローラ１１０の周面で図１及び図４に
示すような凹部６０を形成することができる。
属板５の圧延を行っている様子を模式的に示している。
ローラ１１０をフラットな金属板上で押圧しながら転が
すことによって、ローラ１１０の周面で図１及び図４に
示すような凹部６０を形成することができる。
【００２０】次に、金属板５にインナリード２０等のリ
ードパターンを形成する。リードパターンの形成はパン
チング，エッチング等により行うことができる。パンチ
ング，エッチング等の加工方法としては、従来より一般
に行われている方法を採用することができる。
ードパターンを形成する。リードパターンの形成はパン
チング，エッチング等により行うことができる。パンチ
ング，エッチング等の加工方法としては、従来より一般
に行われている方法を採用することができる。
【００２１】本実施例では、凹部６０は金属板５の片面
にのみ形成されているが、図４に示すような部材をフラ
ットな金属板の両面から接触させて金属板の両面に凹部
を形成してもよい。よって、金属板の断面はコの字状に
限らない。また、本実施例では、図１(ｂ)に示すように
金属板５が２種類の厚さを有しているが、複数の厚さを
有するものであってもよい。
にのみ形成されているが、図４に示すような部材をフラ
ットな金属板の両面から接触させて金属板の両面に凹部
を形成してもよい。よって、金属板の断面はコの字状に
限らない。また、本実施例では、図１(ｂ)に示すように
金属板５が２種類の厚さを有しているが、複数の厚さを
有するものであってもよい。
【００２２】他の製造方法として、フラットなリードフ
レーム用部材にインナリード２０，アイランド４０等の
リードパターンを形成した後、そのリードパターンが形
成された部分に凹部を形成する方法を用いてもよい。こ
の方法は、凹部形成工程をリードパターン形成工程の後
に行うほかは前述の製造方法と同様に行うことができ
る。
レーム用部材にインナリード２０，アイランド４０等の
リードパターンを形成した後、そのリードパターンが形
成された部分に凹部を形成する方法を用いてもよい。こ
の方法は、凹部形成工程をリードパターン形成工程の後
に行うほかは前述の製造方法と同様に行うことができ
る。
【００２３】図３は、本実施例のリードフレーム１０が
適用されたパッケージ１００の外観を示す斜視図であ
る。樹脂モールド９０からはアウタリード３０のみが露
出しており、インナリード２０やアイランド４０等の凹
部６１の範囲にある部分は、樹脂モールド９０によって
モールドされている。
適用されたパッケージ１００の外観を示す斜視図であ
る。樹脂モールド９０からはアウタリード３０のみが露
出しており、インナリード２０やアイランド４０等の凹
部６１の範囲にある部分は、樹脂モールド９０によって
モールドされている。
【００２４】以上、本発明のリードフレーム及びその製
造方法について説明したが、本発明はかかる実施例に限
らず、半導体製品に用いられる種々のフレームとしても
適用可能である。
造方法について説明したが、本発明はかかる実施例に限
らず、半導体製品に用いられる種々のフレームとしても
適用可能である。
【００２５】
【発明の効果】以上説明した通り本発明によれば、半導
体チップが搭載され、樹脂封止時に樹脂によってモール
ドされるアイランドと，該アイランドに搭載された半導
体チップの電極に接続され、樹脂封止時に樹脂によって
モールドされるインナリードと，該インナリードに連続
形成され、前記樹脂から外に露出するアウタリードとを
備えた半導体装置用のリードフレームにおいて、前記ア
イランド及びインナリードが前記アウタリードよりも薄
く形成されているので、アウタリードの強度及び熱伝導
容量を低下させることなく、インナリードのファインピ
ッチ化及び半導体装置の薄型化を図りうる半導体装置用
のリードフレームを実現することができる。しかも、１
個の半導体装置に相当する部分のインナリードとアウタ
リードが隣接する他の１個の半導体装置に相当する部分
のインナリードとアウタリードとにそれぞれ対応隣接す
るようにして連続的に複数個設けられているので、厚さ
の異なる部分が容易に形成される。その結果、リードフ
レーム送り用のサイドレールやアウタリードの強度をよ
り向上させることも可能である。
体チップが搭載され、樹脂封止時に樹脂によってモール
ドされるアイランドと，該アイランドに搭載された半導
体チップの電極に接続され、樹脂封止時に樹脂によって
モールドされるインナリードと，該インナリードに連続
形成され、前記樹脂から外に露出するアウタリードとを
備えた半導体装置用のリードフレームにおいて、前記ア
イランド及びインナリードが前記アウタリードよりも薄
く形成されているので、アウタリードの強度及び熱伝導
容量を低下させることなく、インナリードのファインピ
ッチ化及び半導体装置の薄型化を図りうる半導体装置用
のリードフレームを実現することができる。しかも、１
個の半導体装置に相当する部分のインナリードとアウタ
リードが隣接する他の１個の半導体装置に相当する部分
のインナリードとアウタリードとにそれぞれ対応隣接す
るようにして連続的に複数個設けられているので、厚さ
の異なる部分が容易に形成される。その結果、リードフ
レーム送り用のサイドレールやアウタリードの強度をよ
り向上させることも可能である。
【００２６】このようなリードフレームは、リードフレ
ーム用部材にローラの圧延によって凹部を形成した後、
該凹部にインナリード及びアイランドを形成したり、リ
ードフレーム用部材にインナリード及びアイランドを形
成した後、該インナリード及びアイランドが形成された
部分にローラの圧延によって凹部を形成することによっ
て容易に製造することができる。
ーム用部材にローラの圧延によって凹部を形成した後、
該凹部にインナリード及びアイランドを形成したり、リ
ードフレーム用部材にインナリード及びアイランドを形
成した後、該インナリード及びアイランドが形成された
部分にローラの圧延によって凹部を形成することによっ
て容易に製造することができる。
【図１】本発明の一実施例に用いる金属板の要部を示す
図。
図。
【図２】本発明の一実施例におけるパッケージ１個分に
相当する範囲を示す図。
相当する範囲を示す図。
【図３】本発明の実施例が適用されたパッケージの外観
を示す斜視図。
を示す斜視図。
【図４】本発明の実施例に用いるローラによって凹部が
形成される様子を示す斜視図。
形成される様子を示す斜視図。
【図５】本発明の一実施例の要部を示す平面図。
【図６】従来例の要部を示す平面図。
５ …金属板 １０ …リードフレーム ２０ …インナリード ３０ …アウタリード ４０ …アイランド ５０ …ガイドレール ５５ …ガイド穴 ６０ …凹部 ６１ …凹部 ６５ …モールド部 ７０ …アウタリード部分 ８０ …ガイドレール部分 ９０ …樹脂モールド １００ …パッケージ １１０ …ローラ(圧延部材）
Claims (3)
- 【請求項１】半導体チップが搭載され、樹脂封止時に樹
脂によってモールドされるアイランドと，該アイランド
に搭載された半導体チップの電極に接続され、樹脂封止
時に樹脂によってモールドされるインナリードと，該イ
ンナリードに連続形成され、前記樹脂から外に露出する
アウタリードとを備えた半導体装置用のリードフレーム
において、 前記アイランド及びインナリードが前記アウタリードよ
りも薄く形成されており、１個の半導体装置に相当する
部分のインナリードとアウタリードが隣接する他の１個
の半導体装置に相当する部分のインナリードとアウタリ
ードとにそれぞれ対応隣接するようにして連続的に複数
個設けられていることを特徴とする半導体装置用のリー
ドフレーム。 - 【請求項２】リードフレーム用部材にローラの圧延によ
って凹部を形成した後、該凹部にインナリード及びアイ
ランドを形成することを特徴とする半導体装置用のリー
ドフレームの製造方法。 - 【請求項３】リードフレーム用部材にインナリード及び
アイランドを形成した後、該インナリード及びアイラン
ドが形成された部分にローラの圧延によって凹部を形成
することを特徴とする半導体装置用のリードフレームの
製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3254595A JPH0567716A (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | リードフレーム及びその製造方法 |
| US08/208,781 US5451813A (en) | 1991-09-05 | 1994-03-09 | Semiconductor device with lead frame having different thicknesses |
| US08/383,573 US5691241A (en) | 1991-09-05 | 1995-02-03 | Method for making plurality of leadframes having grooves containing island and inner leads |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3254595A JPH0567716A (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | リードフレーム及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0567716A true JPH0567716A (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=17267227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3254595A Pending JPH0567716A (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | リードフレーム及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0567716A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011088156A (ja) * | 2009-10-20 | 2011-05-06 | Neomax Material:Kk | 異形断面条材の製造方法 |
-
1991
- 1991-09-05 JP JP3254595A patent/JPH0567716A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011088156A (ja) * | 2009-10-20 | 2011-05-06 | Neomax Material:Kk | 異形断面条材の製造方法 |
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