JPH04221850A - 薄膜抵抗体 - Google Patents
薄膜抵抗体Info
- Publication number
- JPH04221850A JPH04221850A JP2413558A JP41355890A JPH04221850A JP H04221850 A JPH04221850 A JP H04221850A JP 2413558 A JP2413558 A JP 2413558A JP 41355890 A JP41355890 A JP 41355890A JP H04221850 A JPH04221850 A JP H04221850A
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- JP
- Japan
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- film
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- insulating film
- alumina
- thin film
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- Pending
Links
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Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は集積回路などに用いられ
る薄膜抵抗体に関する。
る薄膜抵抗体に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の薄膜抵抗体を示す断面図で
ある。半導体基板１２の表面には、窒化物からなる絶縁
膜１１が形成され、この絶縁膜１１の全面に真空蒸着，
スパッタリング等により、窒化物からなる抵抗膜１３が
形成される。この抵抗膜１３は、所望の抵抗値を得るた
め、エッチングによりパターンニングされ、電極１４は
抵抗膜１３の端部から絶縁膜１１にまたがるように形成
されている。この薄膜抵抗体の全面には窒化物からなる
保護膜が形成され、エッチングにより電極１４上は窓開
けされている。
ある。半導体基板１２の表面には、窒化物からなる絶縁
膜１１が形成され、この絶縁膜１１の全面に真空蒸着，
スパッタリング等により、窒化物からなる抵抗膜１３が
形成される。この抵抗膜１３は、所望の抵抗値を得るた
め、エッチングによりパターンニングされ、電極１４は
抵抗膜１３の端部から絶縁膜１１にまたがるように形成
されている。この薄膜抵抗体の全面には窒化物からなる
保護膜が形成され、エッチングにより電極１４上は窓開
けされている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記構成の薄膜抵抗体
は、通電され発熱が起きると、この熱は絶縁膜、保護膜
に伝導する。絶縁膜、保護膜は窒化物からなり熱伝導性
が悪いため、薄膜抵抗体からの放熱効果が低い。そのた
め溶断電流値が低くなり、定格値も低くなる。さらに、
薄膜抵抗体が高温下にさらされることから、薄膜抵抗体
の経時変化が大きいという欠点がある。
は、通電され発熱が起きると、この熱は絶縁膜、保護膜
に伝導する。絶縁膜、保護膜は窒化物からなり熱伝導性
が悪いため、薄膜抵抗体からの放熱効果が低い。そのた
め溶断電流値が低くなり、定格値も低くなる。さらに、
薄膜抵抗体が高温下にさらされることから、薄膜抵抗体
の経時変化が大きいという欠点がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体基板上
に絶縁膜、抵抗膜、保護膜が順次形成されてなる薄膜抵
抗体において、前記絶縁膜と前記保護膜は、それぞれ少
なくとも第１層、第２層の二層で構成され、かつ前記抵
抗膜と接する第２絶縁膜および第１保護膜はアルミナで
構成されていることを特徴とする。
に絶縁膜、抵抗膜、保護膜が順次形成されてなる薄膜抵
抗体において、前記絶縁膜と前記保護膜は、それぞれ少
なくとも第１層、第２層の二層で構成され、かつ前記抵
抗膜と接する第２絶縁膜および第１保護膜はアルミナで
構成されていることを特徴とする。
【０００５】
【作用】本発明の薄膜抵抗体は、抵抗膜がアルミナから
なる第２層絶縁膜と第１層保護膜との間に形成されてお
り、アルミナは窒化物に比べ、熱伝導性が良いので、抵
抗膜に発生した熱を絶縁膜および保護膜を通して効果的
に逃すことができる。
なる第２層絶縁膜と第１層保護膜との間に形成されてお
り、アルミナは窒化物に比べ、熱伝導性が良いので、抵
抗膜に発生した熱を絶縁膜および保護膜を通して効果的
に逃すことができる。
【０００６】
【実施例】図１は本発明の一実施例を示す断面図である
。窒化珪素からなる第１層絶縁膜１ａは、ガリウム砒素
からなる半導体基板２の表面に、ＰＥ−ＣＶＤ法を利用
して形成される。この窒化珪素からなる第１層絶縁膜１
ａの全面に、熱伝導性の良好なアルミナからなる第２層
絶縁膜１ｂが、真空蒸着、スパッタリング等により、５
００〜２０００オングストロームの膜厚で形成されてい
る。このように本発明の薄膜抵抗体は、絶縁膜が窒化珪
素からなる第１層絶縁膜１ａと、アルミナからなる第２
層絶縁膜１ｂの二層構造となっている。
。窒化珪素からなる第１層絶縁膜１ａは、ガリウム砒素
からなる半導体基板２の表面に、ＰＥ−ＣＶＤ法を利用
して形成される。この窒化珪素からなる第１層絶縁膜１
ａの全面に、熱伝導性の良好なアルミナからなる第２層
絶縁膜１ｂが、真空蒸着、スパッタリング等により、５
００〜２０００オングストロームの膜厚で形成されてい
る。このように本発明の薄膜抵抗体は、絶縁膜が窒化珪
素からなる第１層絶縁膜１ａと、アルミナからなる第２
層絶縁膜１ｂの二層構造となっている。
【０００７】前記アルミナからなる第２層絶縁膜の表面
に、窒化タンタルからなる抵抗膜３がスパッタリングに
より５００〜１０００オングストロームの膜厚で形成さ
れており、この抵抗膜３の表面は、所定の抵抗値を得る
ため、フォトリソグラフィーによりパターンニングされ
ている。電極４は抵抗膜３の端部から第２層絶縁膜にま
たがるように、真空蒸着により形成される。電極４はチ
タン、金の二層、あるいはチタン、白金、金の三層から
なり、チタンは５００〜１０００オングストローム、白
金は３００〜７００オングストローム、金は２０００〜
５０００オングストロームの膜厚である。
に、窒化タンタルからなる抵抗膜３がスパッタリングに
より５００〜１０００オングストロームの膜厚で形成さ
れており、この抵抗膜３の表面は、所定の抵抗値を得る
ため、フォトリソグラフィーによりパターンニングされ
ている。電極４は抵抗膜３の端部から第２層絶縁膜にま
たがるように、真空蒸着により形成される。電極４はチ
タン、金の二層、あるいはチタン、白金、金の三層から
なり、チタンは５００〜１０００オングストローム、白
金は３００〜７００オングストローム、金は２０００〜
５０００オングストロームの膜厚である。
【０００８】この上に熱伝導率の良好なアルミナからな
る第一層保護膜５ａが真空蒸着により、５００〜１００
０オングストロームの膜厚で形成され、リフトオフ法に
より電極４が露出している。窒化珪素からなる第２層保
護膜５ｂは、薄膜抵抗体の全面に、ＰＥ−ＣＶＤ法を使
用して形成され、エッチングにより電極４上は窓開けさ
れている。
る第一層保護膜５ａが真空蒸着により、５００〜１００
０オングストロームの膜厚で形成され、リフトオフ法に
より電極４が露出している。窒化珪素からなる第２層保
護膜５ｂは、薄膜抵抗体の全面に、ＰＥ−ＣＶＤ法を使
用して形成され、エッチングにより電極４上は窓開けさ
れている。
【０００９】
【発明の効果】本発明の薄膜抵抗体は、抵抗膜と接する
第２層絶縁膜および第１層保護膜がアルミナからなり抵
抗膜からの放熱効果が高いので、溶断電流値が高く、電
流定格値を大きくできる。また、高温下にさらされるこ
とがないので経時変化を小さくすることができる。
第２層絶縁膜および第１層保護膜がアルミナからなり抵
抗膜からの放熱効果が高いので、溶断電流値が高く、電
流定格値を大きくできる。また、高温下にさらされるこ
とがないので経時変化を小さくすることができる。
【図１】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図２】従来例を示す断面図である。
１ａ 第１層絶縁膜
１ｂ 第２層絶縁膜
２ 半導体基板
３ 抵抗膜
４ 電極
５ａ 第１層保護膜
５ｂ 第２層保護膜
１１ 絶縁膜
１２ 半導体基板
１３ 抵抗膜
１４ 電極
１５ 保護膜
Claims (1)
- 半導体基板上に絶縁膜、抵抗膜、保護膜が順次形成され
てなる薄膜抵抗体において、前記絶縁膜と前記保護膜は
、それぞれ少なくとも第１層，第２層の二層で構成され
、かつ前記抵抗膜と接する第２層絶縁膜および第１層保
護膜はアルミナで構成されていることを特徴とする薄膜
抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2413558A JPH04221850A (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | 薄膜抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2413558A JPH04221850A (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | 薄膜抵抗体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04221850A true JPH04221850A (ja) | 1992-08-12 |
Family
ID=18522176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2413558A Pending JPH04221850A (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | 薄膜抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04221850A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008530820A (ja) * | 2005-02-16 | 2008-08-07 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 電流密度増強層（ｃｄｅｌ）を有する薄膜抵抗器 |
| CN107611035A (zh) * | 2016-07-12 | 2018-01-19 | 欣兴电子股份有限公司 | 封装基板制作方法 |
-
1990
- 1990-12-20 JP JP2413558A patent/JPH04221850A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008530820A (ja) * | 2005-02-16 | 2008-08-07 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 電流密度増強層（ｃｄｅｌ）を有する薄膜抵抗器 |
| CN107611035A (zh) * | 2016-07-12 | 2018-01-19 | 欣兴电子股份有限公司 | 封装基板制作方法 |
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