JPH0422218A - 入力回路 - Google Patents
入力回路Info
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- JPH0422218A JPH0422218A JP2127421A JP12742190A JPH0422218A JP H0422218 A JPH0422218 A JP H0422218A JP 2127421 A JP2127421 A JP 2127421A JP 12742190 A JP12742190 A JP 12742190A JP H0422218 A JPH0422218 A JP H0422218A
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- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 3
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
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- Electronic Switches (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の入力回路に関する。
従来の半導体装置の入力回路は、MO3I−ランジスタ
としてPrを用いた場合の一例として第2図の(a)、
(b)に示すように構成されており、101は信号が
入力される入力端子、102は高レベル電源、この入力
端子101と高レベル電源102の間に接続されている
のが103のP型MOSトランジスタである。入力端子
101の信号を、データバス109へ伝送可能、不可能
とするのが104の伝送回路であり、】05の入力タイ
ミング信号に従いこの伝送回路104を制御し入力端子
101に保持されている信号をデータバス109へ送り
出すタイミングを制御しているのが106の制御回路で
ある。
としてPrを用いた場合の一例として第2図の(a)、
(b)に示すように構成されており、101は信号が
入力される入力端子、102は高レベル電源、この入力
端子101と高レベル電源102の間に接続されている
のが103のP型MOSトランジスタである。入力端子
101の信号を、データバス109へ伝送可能、不可能
とするのが104の伝送回路であり、】05の入力タイ
ミング信号に従いこの伝送回路104を制御し入力端子
101に保持されている信号をデータバス109へ送り
出すタイミングを制御しているのが106の制御回路で
ある。
まず、第2図(a)において、この入力回路112中の
P型MO3)ランジスタ103のゲートは低レベル電源
110に接続されているために常にオン状態である。よ
って、入力端子101には常時高レベル信号が保持され
ていることになっており、低レベル信号を保持するため
には、入力端子101と低レベル電源110の間に11
1のようなスイッチを設けるなどして低レベル信号を与
えることになる。このように、入力端子101に高レベ
ル又は低レベルの信号が保持されている状態において、
制御回路106は入力タイミング信号105に従い伝達
回路104のデータ伝送可能、不可能のみを制御する。
P型MO3)ランジスタ103のゲートは低レベル電源
110に接続されているために常にオン状態である。よ
って、入力端子101には常時高レベル信号が保持され
ていることになっており、低レベル信号を保持するため
には、入力端子101と低レベル電源110の間に11
1のようなスイッチを設けるなどして低レベル信号を与
えることになる。このように、入力端子101に高レベ
ル又は低レベルの信号が保持されている状態において、
制御回路106は入力タイミング信号105に従い伝達
回路104のデータ伝送可能、不可能のみを制御する。
次に第2図(b)において、入力回路113中のP型M
OSトランジスタ103のゲートは制御回路106によ
って伝送回路104と同時に制御されている。この制御
は入力端子101に保持されている信号を、データバス
109へ伝送するタイミング時にP型MOSトランジス
タ103もオンさせるといった制御である。よって入力
端子101に高レベルの信号が保持されるのは、信号を
データバス109へ伝送するタイミング時のP型MO3
)ランジスタ103がオンの時のみである。
OSトランジスタ103のゲートは制御回路106によ
って伝送回路104と同時に制御されている。この制御
は入力端子101に保持されている信号を、データバス
109へ伝送するタイミング時にP型MOSトランジス
タ103もオンさせるといった制御である。よって入力
端子101に高レベルの信号が保持されるのは、信号を
データバス109へ伝送するタイミング時のP型MO3
)ランジスタ103がオンの時のみである。
それに対し低レベルの信号は、第2図(a)の場合と同
様に入力端子101と低レベル電源110の間に111
のようなスイッチを設けるなどして、あらかじめ保持し
ておくことになる。
様に入力端子101と低レベル電源110の間に111
のようなスイッチを設けるなどして、あらかじめ保持し
ておくことになる。
しかし、前述した第2図の入力回路112において、入
力端子101と低レベル電源110とを接続するための
スイッチ111をオン状態として入力端子101に低レ
ベルの信号が保持されている時には、P型MO3)ラン
ジスタ103は前述のように常にオン状態であるので、
高レベル電源102からP型MoSトランジスタ103
と入力端子101を通じて、低レベル電源110に電流
が流れ込むことになる。この電流は、入力端子101の
信号を伝達する時以外にも流れることになっているため
に消費電流の少ない半導体装置を構成する時の問題点と
なっていた。但し、スイッチ111がオフの状態で、入
力端子101に高レベルの信号が保持されている時には
電流は流れず、消費電流に関与していない。
力端子101と低レベル電源110とを接続するための
スイッチ111をオン状態として入力端子101に低レ
ベルの信号が保持されている時には、P型MO3)ラン
ジスタ103は前述のように常にオン状態であるので、
高レベル電源102からP型MoSトランジスタ103
と入力端子101を通じて、低レベル電源110に電流
が流れ込むことになる。この電流は、入力端子101の
信号を伝達する時以外にも流れることになっているため
に消費電流の少ない半導体装置を構成する時の問題点と
なっていた。但し、スイッチ111がオフの状態で、入
力端子101に高レベルの信号が保持されている時には
電流は流れず、消費電流に関与していない。
次に、第2図の入力回路113において、入力端子10
1に保持されている信号が低レベルであったとする。但
しスイッチ111はオフでこの低レベルの信号は、前の
入力信号が低レベル信号のためスイッチ111がオンで
あったので現時点ではスイッチ111がオフであっても
寄生容量で低レベルを保持している状態であったり、以
前は高レベルであったが長時間経過したために高レベル
の寄生容量が自然放電してしまい現時点では低レベルを
保持している状態である。ここで、高レベル信号を伝送
するタイミングになったとする。P型MOSトランジス
タ103はオンし、あるデイレイ後に入力端子101は
低レベルから高レベルに立ち上がる。このデイレイも含
めた信号はデータバスに伝送される。この立ち上がりの
デイレイは、P型MoSトランジスタ103の不導通か
ら導通へのデイレイ、配線の持つ寄生容量によるデイレ
イなど幾多の要因によるものである。
1に保持されている信号が低レベルであったとする。但
しスイッチ111はオフでこの低レベルの信号は、前の
入力信号が低レベル信号のためスイッチ111がオンで
あったので現時点ではスイッチ111がオフであっても
寄生容量で低レベルを保持している状態であったり、以
前は高レベルであったが長時間経過したために高レベル
の寄生容量が自然放電してしまい現時点では低レベルを
保持している状態である。ここで、高レベル信号を伝送
するタイミングになったとする。P型MOSトランジス
タ103はオンし、あるデイレイ後に入力端子101は
低レベルから高レベルに立ち上がる。このデイレイも含
めた信号はデータバスに伝送される。この立ち上がりの
デイレイは、P型MoSトランジスタ103の不導通か
ら導通へのデイレイ、配線の持つ寄生容量によるデイレ
イなど幾多の要因によるものである。
ここで、伝送回路104が伝送可能となっている間に入
力信号の高レベルへの立ち上がりが完了すれば問題は存
在しないのであるが、デイレイが大きくなったり、高速
動作により伝送可能時間が短い場合、高レベルに変わる
前に伝送不可となり、低レベル信号が人力されてしまう
現象が生じる。
力信号の高レベルへの立ち上がりが完了すれば問題は存
在しないのであるが、デイレイが大きくなったり、高速
動作により伝送可能時間が短い場合、高レベルに変わる
前に伝送不可となり、低レベル信号が人力されてしまう
現象が生じる。
このことは、高速動作の半導体装置を構成する時の問題
点となっていた。但し、低レベル信号の入力に関しては
、スイッチ111をオンし、あらかじめ入力端子101
に低レベルの信号を保持しておき、伝送可能状態にする
ために問題は生じない。
点となっていた。但し、低レベル信号の入力に関しては
、スイッチ111をオンし、あらかじめ入力端子101
に低レベルの信号を保持しておき、伝送可能状態にする
ために問題は生じない。
そこで本発明は、2つの入力回路が持つ問題点を解決す
ると同時に、汎用性のある入力回路を持つ半導体装置を
提供することが目的である。
ると同時に、汎用性のある入力回路を持つ半導体装置を
提供することが目的である。
本発明の入力回路は、
a)信号が入力される入力端子と、
b)前記入力端子と、電源の間に接続されるMOS(金
属酸化物半導体)トランジスタと、C)前記入力端子の
信号を、データバスへ送り出す動作を可能としたり、不
可能にするための切り替えを行なう伝送回路と、 d)前記伝送回路のデータ伝送可能、不可能の切り替え
動作ど、前記Mo5t−ランジスタの導通、不導通動作
とを同時に制御するための制御回路と、e)前記制御回
路が前記伝送回路と前記MOSトランジスタの制御方法
を決めるためのデータが格納されているレジスタによっ
て構成されている入力回路において、 f)前記レジスタのデータを任意に替えることにより、
前記制御回路が前記伝送回路と前記MOSトランジスタ
の制御方法を変え、全く特性の異なった入力回路に変え
られることと、それにより回路の利用目的に合った特性
を簡単に得ることが出来、汎用性が増すことを特徴とす
る。
属酸化物半導体)トランジスタと、C)前記入力端子の
信号を、データバスへ送り出す動作を可能としたり、不
可能にするための切り替えを行なう伝送回路と、 d)前記伝送回路のデータ伝送可能、不可能の切り替え
動作ど、前記Mo5t−ランジスタの導通、不導通動作
とを同時に制御するための制御回路と、e)前記制御回
路が前記伝送回路と前記MOSトランジスタの制御方法
を決めるためのデータが格納されているレジスタによっ
て構成されている入力回路において、 f)前記レジスタのデータを任意に替えることにより、
前記制御回路が前記伝送回路と前記MOSトランジスタ
の制御方法を変え、全く特性の異なった入力回路に変え
られることと、それにより回路の利用目的に合った特性
を簡単に得ることが出来、汎用性が増すことを特徴とす
る。
以上のように構成された入力回路において、MOSどし
てP型MO3を用いたとする。
てP型MO3を用いたとする。
ここで、本発明の入力回路は、レジスタに格納されてい
るデータを切り替えることにより第2図(a)に示した
入力回路と第2図(b)に示した入力回路の2つの回路
のどちらかに切り替えて使用出来るように制御回路が働
く。
るデータを切り替えることにより第2図(a)に示した
入力回路と第2図(b)に示した入力回路の2つの回路
のどちらかに切り替えて使用出来るように制御回路が働
く。
前述のように第2図(8)の入力回路においては、P
型M OS l〜ランジスタ103が常にオン状態であ
ったために入力端子101が低レベル信号を保持してい
る間は常に電流が流れ消費電流が多かったが、第2図(
b)の入力回路へ切り替えることでP”MO3+−ラン
ジスタは信号伝送可能時のみオン状態であるので消費電
流の減少を実現出来る。
型M OS l〜ランジスタ103が常にオン状態であ
ったために入力端子101が低レベル信号を保持してい
る間は常に電流が流れ消費電流が多かったが、第2図(
b)の入力回路へ切り替えることでP”MO3+−ラン
ジスタは信号伝送可能時のみオン状態であるので消費電
流の減少を実現出来る。
又、第2図(b)では、寄生容量によって低レベルの入
力信号が保持されている時に、高レベル信号の入力動作
を高速で行った場合、立ち上がりのデイレイにより高レ
ベル信号を入力出来ない現象を起こすが、第2図(a)
ではP型MO3)ランジスタが常にオン状態であるため
に、あらかじめ高レベル信号が保持されており、高速動
作が可能となる。
力信号が保持されている時に、高レベル信号の入力動作
を高速で行った場合、立ち上がりのデイレイにより高レ
ベル信号を入力出来ない現象を起こすが、第2図(a)
ではP型MO3)ランジスタが常にオン状態であるため
に、あらかじめ高レベル信号が保持されており、高速動
作が可能となる。
このように、第2図の(a)、 (b)の入力回路は消
費電流と動作速度に関する特性がまったく反対であるの
で、2つの入力回路を同じ半導体装置に備え用途に応じ
て切り替えることによって、問題を回避出来るばかりで
はなく、汎用性の増した入力回路を実現出来る。
費電流と動作速度に関する特性がまったく反対であるの
で、2つの入力回路を同じ半導体装置に備え用途に応じ
て切り替えることによって、問題を回避出来るばかりで
はなく、汎用性の増した入力回路を実現出来る。
本発明の入力回路はMOSとしてP型を用いた場合には
、基本的に第1図に示される構成である。
、基本的に第1図に示される構成である。
101は入力端子、102は高レベル電源、この入力端
子101と鳥レベル電源102の間に接続されているの
が103のP型MOSトランジスタである。入力端子1
01の信号をデータバスへ送り出す動作としたり不可能
にするための切り替えをしているのが104の伝送回路
であり、入力タイミング信号105に従いこの伝送回路
104を制御し信号伝送のタイミングをとると同時に、
P型MO3)ランジスタ103のオン・オフ状態の制御
を行なうのが106の制御回路である。更に制御回路1
06の制御方法を決めているのが107のレジスタに格
納されているデータである。このレジスタ107の内容
を任意に切り替えることにより、用途に合った入力回路
として用いることが出来る。
子101と鳥レベル電源102の間に接続されているの
が103のP型MOSトランジスタである。入力端子1
01の信号をデータバスへ送り出す動作としたり不可能
にするための切り替えをしているのが104の伝送回路
であり、入力タイミング信号105に従いこの伝送回路
104を制御し信号伝送のタイミングをとると同時に、
P型MO3)ランジスタ103のオン・オフ状態の制御
を行なうのが106の制御回路である。更に制御回路1
06の制御方法を決めているのが107のレジスタに格
納されているデータである。このレジスタ107の内容
を任意に切り替えることにより、用途に合った入力回路
として用いることが出来る。
以下、本発明について実施例に基づいて詳細に説明して
いく。
いく。
第3図は、本発明の実施例を示す簡単な回路図である。
伝送回路104はトランスミッションゲートであり、制
御回路106は入力タイミング信号105とレジスタ1
07からのデータ信号を入力とした、2人力NOR回路
であり、入力タイミング信号105はそのまま1−ラン
スミッションゲートの入力となっている。
御回路106は入力タイミング信号105とレジスタ1
07からのデータ信号を入力とした、2人力NOR回路
であり、入力タイミング信号105はそのまま1−ラン
スミッションゲートの入力となっている。
まずレジスタ107のデータが「H」だとすると制御回
路106中のNOR出力信号は105の入力タイミング
信号RDが「H」と「L」のどちらの状態にあっても「
L」であるのでP!S!MOSトランジスタ103は常
にオン状態で、入力端子101には常に高レベルの信号
が保持されている。
路106中のNOR出力信号は105の入力タイミング
信号RDが「H」と「L」のどちらの状態にあっても「
L」であるのでP!S!MOSトランジスタ103は常
にオン状態で、入力端子101には常に高レベルの信号
が保持されている。
低レベルの信号は外付のスイッチ111をオンし。
高レベル電源102からP型MOSトランジスタ103
、入力端子101を通じて低レベル電源110へ電流を
流せばよい、このように、入力端子に信号が保持されて
いる状態において、入力タイミング信号RDにr HJ
が出された時のみ制御回路106はトランスミッション
ゲートをオン状態にし信号の伝送を可能にする。
、入力端子101を通じて低レベル電源110へ電流を
流せばよい、このように、入力端子に信号が保持されて
いる状態において、入力タイミング信号RDにr HJ
が出された時のみ制御回路106はトランスミッション
ゲートをオン状態にし信号の伝送を可能にする。
しかし、P型MO3I−ランジスタが常にオン状態では
消費電流が多い。よって、低消費電流の用途に用いたい
場合にはレジスタ107のデータをr L Jとする。
消費電流が多い。よって、低消費電流の用途に用いたい
場合にはレジスタ107のデータをr L Jとする。
これにより、制御回路106のP型MOSトランジスタ
103のゲートの制御は入力タイミング信号RDのみに
よって決められ、RDがrH,,1となり信号入力可能
時に制御回路106中のNOHの出力は「L」となりP
!!!!MO3)ランジスタ103をオン状態とする。
103のゲートの制御は入力タイミング信号RDのみに
よって決められ、RDがrH,,1となり信号入力可能
時に制御回路106中のNOHの出力は「L」となりP
!!!!MO3)ランジスタ103をオン状態とする。
よって、消費電流は必要時以外は流れないことになる。
この回路において低レベル信号を伝送したい時には、以
前の入力端子101のレベルが寄生容量で高レベルであ
ったとしても、入力タイミング信号RDが「H」となる
前に外付のスイッチ111をオンとし、高レベルに保持
している電荷を放電し、低レベルに保持しておくので信
号入力可能時の時間が短かくても低レベル信号の入力は
可能である。ところが、以前の入力端子101のレベル
が寄生容量で低レベルであった時に高レベル信号を入力
しなければならない時には、信号入力時になって初めて
P型MO3)ランジスタ103がオンするために、P型
MOSトランジスタ103の不導通から導通へのデイレ
イや寄生容量の充電によるデイレイなどにより、高レベ
ルを得るのにいくらかのデイレイが生じる。よって高速
動作に用いる場合には、入力タイミング信号RDのrH
」間隔が短かくなるために、高レベルではなく低レベル
を入力してしまう。この状態のタイミングチャート図が
第4図(b)である。デイレイd1のためにRD rH
JO間に本来送るべき高レベルではなく低レベルがデー
タバス109へ送られている。低レベル入力に関しては
問題はない。
前の入力端子101のレベルが寄生容量で高レベルであ
ったとしても、入力タイミング信号RDが「H」となる
前に外付のスイッチ111をオンとし、高レベルに保持
している電荷を放電し、低レベルに保持しておくので信
号入力可能時の時間が短かくても低レベル信号の入力は
可能である。ところが、以前の入力端子101のレベル
が寄生容量で低レベルであった時に高レベル信号を入力
しなければならない時には、信号入力時になって初めて
P型MO3)ランジスタ103がオンするために、P型
MOSトランジスタ103の不導通から導通へのデイレ
イや寄生容量の充電によるデイレイなどにより、高レベ
ルを得るのにいくらかのデイレイが生じる。よって高速
動作に用いる場合には、入力タイミング信号RDのrH
」間隔が短かくなるために、高レベルではなく低レベル
を入力してしまう。この状態のタイミングチャート図が
第4図(b)である。デイレイd1のためにRD rH
JO間に本来送るべき高レベルではなく低レベルがデー
タバス109へ送られている。低レベル入力に関しては
問題はない。
そこで高速動作の用途に用いたい場合にはレジスタ10
7のデータを「H」とすると、入力レベルが入力タイミ
ング信号RDが「H」となる前に保持されるので高速動
作時においても正確に信号入力が出来る。この状態のタ
イミングチャート図は第4図(a)である。
7のデータを「H」とすると、入力レベルが入力タイミ
ング信号RDが「H」となる前に保持されるので高速動
作時においても正確に信号入力が出来る。この状態のタ
イミングチャート図は第4図(a)である。
以上、MOS)ランジスタとしてP型MOSトランジス
タを用いた場合の実施例を示したが、N型MOSトラン
ジスタを、入力端子101と低レベル電源の間に接続さ
れた場合には、制御回路中のNORゲートをORにする
ことにより、pgMOSトランジスタと同様に扱うこと
が出来る。
タを用いた場合の実施例を示したが、N型MOSトラン
ジスタを、入力端子101と低レベル電源の間に接続さ
れた場合には、制御回路中のNORゲートをORにする
ことにより、pgMOSトランジスタと同様に扱うこと
が出来る。
以上述べたように本発明によれば、入力回路において、
入力端子の信号をデータバスへ伝送可能、不可能とする
制御と、入力端子と電源間に接続されるMOS)ランジ
スタのオン、オフの制御とを行なう制御回路の制御方法
を、レジスタの格納内容を任意に変えることにより変え
られる。よって、消費電流は多いが高速動作可能な入力
回路と、低消費電流ではあるが高速動作不可という2つ
の回路を構成することが可能になった。これにより用途
ごとに2つの回路を切り替えて使用することによって、
互いの欠点を補助し合う効果と、汎用性を有する効果が
現れる。
入力端子の信号をデータバスへ伝送可能、不可能とする
制御と、入力端子と電源間に接続されるMOS)ランジ
スタのオン、オフの制御とを行なう制御回路の制御方法
を、レジスタの格納内容を任意に変えることにより変え
られる。よって、消費電流は多いが高速動作可能な入力
回路と、低消費電流ではあるが高速動作不可という2つ
の回路を構成することが可能になった。これにより用途
ごとに2つの回路を切り替えて使用することによって、
互いの欠点を補助し合う効果と、汎用性を有する効果が
現れる。
第1図は、本発明の基本的な入力回路図(P型MO3の
場合)。 第2図(a)(b)は、従来の入力回路図(P型MO3
の場合)。 第3図は、本発明の応用入力回路図(P型MO8の場合
)。 第4図(a)(b)は、入力回路における入出力のタイ
ムチャート図、dlは入力端子のレベルカ低レベルから
高レベルへ変わるまでのデイレイ、d2は高レベルから
低レベルへ変わるデイレイである。 01・・・入力端子 02・・・高レベル電源 03・・・P型MO3トランジスタ 04・・・伝送回路 05・・・入力タイミング信号 06・・・制御回路 07・・・レジスタ 08・・・本発明の入力回路 09・・・データバス 10・・・低レベル電源 11・・・スイッチ 12・・・従来の入力回路1 13・・・従来の入力回路2
場合)。 第2図(a)(b)は、従来の入力回路図(P型MO3
の場合)。 第3図は、本発明の応用入力回路図(P型MO8の場合
)。 第4図(a)(b)は、入力回路における入出力のタイ
ムチャート図、dlは入力端子のレベルカ低レベルから
高レベルへ変わるまでのデイレイ、d2は高レベルから
低レベルへ変わるデイレイである。 01・・・入力端子 02・・・高レベル電源 03・・・P型MO3トランジスタ 04・・・伝送回路 05・・・入力タイミング信号 06・・・制御回路 07・・・レジスタ 08・・・本発明の入力回路 09・・・データバス 10・・・低レベル電源 11・・・スイッチ 12・・・従来の入力回路1 13・・・従来の入力回路2
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 a)信号が入力される入力端子と、 b)前記入力端子と、電源の間に接続されるMOS(金
属酸化物半導体)トランジスタと、c)前記入力端子の
信号を、データバスへ送り出す動作を可能としたり、不
可能にするための切り替えを行なう伝送回路と、 d)前記伝送回路のデータ伝送可能、不可能の切り替え
動作と、前記MOSトランジスタの導通、不導通動作と
を同時に制御するための制御回路と、e)前記制御回路
が前記伝送回路と前記MOSトランジスタの制御方法を
決めるためのデータが格納されているレジスタによって
構成されていることを特徴とする入力回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2127421A JPH0422218A (ja) | 1990-05-17 | 1990-05-17 | 入力回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2127421A JPH0422218A (ja) | 1990-05-17 | 1990-05-17 | 入力回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0422218A true JPH0422218A (ja) | 1992-01-27 |
Family
ID=14959547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2127421A Pending JPH0422218A (ja) | 1990-05-17 | 1990-05-17 | 入力回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0422218A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9328429B2 (en) | 2012-04-04 | 2016-05-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for evaluating degree of crystal orientation in polycrystalline silicon, selection method for polycrystalline silicon rods, and production method for single crystal silicon |
-
1990
- 1990-05-17 JP JP2127421A patent/JPH0422218A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9328429B2 (en) | 2012-04-04 | 2016-05-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for evaluating degree of crystal orientation in polycrystalline silicon, selection method for polycrystalline silicon rods, and production method for single crystal silicon |
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