JPH04223307A - シールド付チップ型コイル - Google Patents
シールド付チップ型コイルInfo
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 75
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 118
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 14
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 9
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 9
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 7
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
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- Regulation Of General Use Transformers (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
イルに関し、特にたとえば高周波のマイクロ波回路等に
採用される平面型のシールド付チップ型コイルに関する
。
がたとえば特開平2−54903 号等において提案し
た、チップ型コイルがある。このチップ型コイルは、基
板の表面に1対の端子電極を形成するとともに、端子電
極にその両端が接続される帯状のコイル導体を形成し、
端子電極およびコイル導体の表面を覆うようにポリイミ
ドあるいはポリアミドからなる絶縁膜を形成するととも
に、絶縁膜のうち少なくとも端子電極部分をエッチング
法により除去して端子電極を露出させたものである。
は、外部からの影響を受け易く、また外部に磁束が漏れ
てしまうという問題点があった。 それゆえに、この
発明の主たる目的は、シールド効果が大きい、シールド
付チップ型コイルを提供することである。
上に形成される第1の磁性体膜、第1の磁性体膜の上に
形成されるコイル導体、およびコイル導体の上に形成さ
れる第2の磁性体膜を備える、シールド付チップ型コイ
ルである。
ル導体の上部には第2の磁性体膜がそれぞれ形成される
。したがって、コイル導体は第1および第2の磁性体膜
によって挟まれる。
よび第2の磁性体膜によって挟まれるため、高いシール
ド効果が得られ、したがって外部からのまたは外部への
影響が軽減される。この発明の上述の目的,その他の目
的,特徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施
例の詳細な説明から一層明らかとなろう。
ップ型コイル10はたとえばアルミナ,ガラスまたは樹
脂などの絶縁体からなる基板12を含む。基板12の上
面略中央部には、磁性体膜14が形成され、さらに磁性
体膜14を覆うように、基板12の上面全面には絶縁膜
16が形成される。なお、磁性体膜14は点線で示すよ
うに、基板12の下面略中央部に形成されてもよい。
膜16の上面両端部には、端子電極18aおよび18b
が形成され、絶縁膜16の上面略中央部にはスパイラル
状のコイル導体20が形成される。コイル導体20はた
とえば幅略40μm,厚さ5μmに形成される。コイル
導体20の外端20aは、端子電極18aに接続される
。
体20を覆うように、ポリイミドあるいはポリアミドな
どの樹脂からなる絶縁膜22がコーティングされる。な
お、コイル導体20の内端20b部分には、スルーホー
ル24が形成される。また、絶縁膜22の上面には、ス
ルーホール24を通してコイル導体20の内端20bと
端子電極18bとを接続するリード導体26が形成され
る。さらに、絶縁膜22の上面全面には、ポリイミドや
ポリアミドなどの樹脂からなる絶縁膜28がコーティン
グされる。そして、絶縁膜28の上面略中央部には、磁
性体膜30が形成される。さらに、絶縁膜28の上面全
面には、磁性体膜30を覆うように絶縁膜32が形成さ
れる。
は、図2〜図5に示す工程順次に製造される。まず、図
2に示すように、基板12を準備し、基板12の両面に
鏡面研磨を施した後、洗浄する。次いで、基板12の上
面略中央部には、フォトリソグラフィ技術により、磁性
体膜14が形成される。すなわち、基板12の上面全面
には、蒸着,スパッタリングあるいはイオンプレーティ
ング法等の薄膜形成技術によりフェライトなどからなる
磁性体膜が形成され、磁性体膜の上面にはフォトレジス
ト膜(図示せず)がコーティングされる。フォトレジス
ト膜は、磁性体膜14の所望の形状にあわせて予め形成
されたマスクで覆われ、残したいフォトレジスト膜の部
分を露光した後、現像処理してフォトレジスト膜の不要
部分を除去する。ただし、ネガ型フォトレジストの場合
には、除去したい部分を露光する。そして、エッチング
すると、フォトレジスト膜の形成されていない部分の磁
性体膜が除去され、磁性体膜14が形成される。その後
、フォトレジスト膜をたとえばシンナーなどによって除
去する。その後、基板12の上面全面には、磁性体膜1
4を覆うように、ポリイミドやポリアミドからなる絶縁
膜16が形成される。
上面には、フォトリソグラフィ技術により、コイル導体
20および端子電極18a,18bが形成される。すな
わち、絶縁膜16の上面全面には、蒸着,スパッタリン
グあるいはイオンプレーティング法等の薄膜形成技術に
よりAgなどからなる導体膜(図示せず)が形成される
。そして、上述の磁性体膜14と同様に、導体膜の上面
にはフォトレジスト膜がコーティングされる。フォトレ
ジスト膜は、コイル導体20および端子電極18a,1
8bの所望の形状にあわせて予め形成されたマスクを通
して露光し、現像してフォトレジスト膜の不要部分を除
去する。そして、エッチングによってフォトレジスト膜
の形成されていない部分の導体膜が除去され、コイル導
体20および端子電極18a,18bが形成される。 その後、フォトレジスト膜をたとえばシンナーなどによ
って除去する。
上面には、コイル導体20を覆うように、同様のフォト
リソグラフィ技術により、絶縁膜22が形成される。す
なわち、絶縁膜16の上面全面には、コイル導体20お
よび端子電極18a,18bを覆うように、たとえばポ
リイミドやポリアミドなどからなる絶縁膜がコーティン
グされ、乾燥される。そして、絶縁膜の端子電極18a
,18b部分およびコイル導体20の内端20b以外の
部分を露光する。次に、これを現像すると、露光させた
部分だけが残る。すなわち、図4に示すように、端子電
極18a,18b部分が露出するとともに、スルーホー
ル24が形成され、コイル導体20の内端20b部分が
露出するように、絶縁膜22が形成される。次に、これ
を窒素ガス雰囲気中において、約400℃に加熱して、
絶縁層22を硬化させる。なお、後述の絶縁膜28,3
2,48,56,62および64にも、同様の方法が適
用され得る。
上面には、フォトリソグラフィ技術によってリード導体
26が形成される。すなわち、絶縁膜22の上面に、ス
パッタリングにより導体層を形成した後、上述のコイル
導体20および端子電極18a,18bを形成したのと
同様の方法で、リード導体26が形成される。リード導
体26の一方端はスルーホール24を介してコイル導体
20の内端20bに接続され、リード導体26の他方端
は端子電極18bに接続されるので、コイル導体20と
端子電極18bとはリード導体26によって電気的に接
続される。そして、絶縁膜22の上面全面には、たとえ
ばポリイミドやポリアミドなどからなる絶縁膜28がコ
ーティングされ、絶縁膜22上のリード導体26も絶縁
膜28に覆われる。絶縁膜28を形成するには、まず、
端子18aおよび18bをも覆うように、絶縁膜が形成
され、端子18aおよび18b部分の絶縁膜は、フォト
エッチングにより除去される。
上面略中央部には、磁性体膜30が形成される。磁性体
膜30は、フォトリソグラフィ技術により、磁性体膜1
4の形成と同様にして形成される。最後に、絶縁膜28
の上面には、磁性体膜30を覆うように、絶縁膜32が
形成され、シールド付チップ型コイル10が形成される
。
プ型コイル10においては、コイル導体20の下部に磁
性体膜14が、コイル導体20の上部に磁性体膜30が
それぞれ形成されるので、コイル導体20は磁性体膜1
4と30とによって挟まれた形となり、したがって、高
いシールド効果が得られ、外部からの影響を受けずまた
は外部へ影響を及ぼさない信頼性の高いシールド付チッ
プ型コイル10を得ることができる。
によってほぼ閉磁路が形成されるので、同一サイズのコ
イルでのインダクタンスを大きくできる。したがって、
シールド付チップ型コイル10自体を薄型にできかつ小
型化をも図れる。また、図6に示す他の実施例のシール
ド付チップ型コイル40は、磁性体膜42をコイル導体
44の上部だけでなく、コイル導体44の線間にも入り
込ませ、さらにシールド効果を上げた点に特徴を有し、
その他の構成部分は先の実施例とほぼ同様に形成される
。
施例とほぼ同様の工程を経て製造されるので、ここでは
、簡単に説明する。まず、図7に示すように、チップ状
の基板12を準備し、基板12の上面全面に、磁性体膜
46が形成される。次いで、磁性体膜46の上面に、た
とえばポリイミドやポリアミドなどの樹脂からなる絶縁
膜48が形成される。絶縁膜48を形成するには、まず
、磁性体膜46の上面全面に絶縁膜を形成し、その後、
図8にも示すコイル導体44の中央部50およびコイル
導体44の外側部52の部分の絶縁膜をフォトエッチン
グにより除去し、図7に示すような絶縁膜48が形成さ
れる。
上面には、フォトリソグラフィ技術によりコイル導体4
4および端子電極54a,54bが形成される。まず、
絶縁膜48の上面全面には、導体膜が形成され、不要部
分をフォトエッチングして、図9にも示すように、絶縁
膜48の上面両端部に端子電極54aおよび54b、絶
縁膜48の上面略中央部にコイル導体44がそれぞれ形
成され、コイル導体44の外端44aは端子電極54a
に接続される。
体44を覆うように絶縁膜56が形成される。まず、絶
縁膜48の上面全面にはコイル導体44および端子電極
54a,54bを覆うように、絶縁膜がコーティングさ
れる。そして、絶縁膜の端子電極54a,54bおよび
コイル導体44の内端44b,コイル導体44の中央部
50および外側部52をエッチングすると、図9に示す
ように、端子電極54a,54b部分が露出するととも
にスルーホール58が形成され、コイル導体44の内端
44b部分が露出し、さらに、中央部50および外側部
52も露出するように、絶縁膜56が形成される。
の上面には、コイル導体44の内端44bと端子電極5
4bとを接続するリード導体60が形成される。まず、
絶縁膜56の上面に、スパッタリングにより導体層を形
成した後、上述のコイル導体44および端子電極54a
,54bを形成したのと同様の方法で、リード導体60
が形成される。リード導体60の一方端はスルーホール
58を介してコイル導体44の内端44bに接続され、
リード導体60の他方端は端子電極54bに接続される
。
体60の一部を覆うように、絶縁膜62がコーティング
される。絶縁膜62は、図8を参照すると、エッチング
により外側部52の内側で中央部50を除いたところに
形成される。そして、図6に示すように、コイル導体4
4の上部だけでなく、コイル導体44の中央部50や外
側部52にも磁性体膜42がコーティングされる。
膜64が形成される。絶縁膜は、最初に、端子電極54
aおよび54b部分にも形成されるが、その後、エッチ
ングによって端子電極54aおよび54b部分の絶縁膜
は除去されるため、端子電極54aおよび54bは露出
する。この実施例のシールド付チップ型コイル40では
、図6に示すように、コイル導体44が磁性体膜42と
磁性体膜46とによって挟まれ、しかも磁性体膜42と
46とによって磁路66が形成されるので、シールド効
果がより一層高められるばかりでなく、インダクタンス
もさらに向上する。
により形成してもよい。また、絶縁膜にポリイミドを用
いても、ポリイミドが非感光性の場合には、ポジ系フォ
トレジストを塗布した後、絶縁膜の残さない部分を露光
して現像すればよい。
示す端面図である。
す平面図である。
端面図である。
示す端面図である。
す平面図である。
す端面図である。
プ型コイル12
…基板14,30,42,46…磁性体膜
Claims (1)
- 【請求項1】基板、前記基板上に形成される第1の磁性
体膜、前記第1の磁性体膜の上に形成されるコイル導体
、および前記コイル導体の上に形成される第2の磁性体
膜を備える、シールド付チップ型コイル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2405767A JP2933096B2 (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | シールド付チップ型コイル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2405767A JP2933096B2 (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | シールド付チップ型コイル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04223307A true JPH04223307A (ja) | 1992-08-13 |
| JP2933096B2 JP2933096B2 (ja) | 1999-08-09 |
Family
ID=18515375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2405767A Expired - Lifetime JP2933096B2 (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | シールド付チップ型コイル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2933096B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH0757936A (ja) * | 1993-08-12 | 1995-03-03 | Koa Corp | 高周波コイルおよびその製造方法 |
| JP2003059719A (ja) * | 2001-08-16 | 2003-02-28 | Denki Kagaku Kogyo Kk | コイル回路付き金属ベース回路基板 |
| JP2007129061A (ja) * | 2005-11-04 | 2007-05-24 | Taiyo Yuden Co Ltd | 高周波電子部品 |
| JP2015207700A (ja) * | 2014-04-22 | 2015-11-19 | 新光電気工業株式会社 | 受動素子基板 |
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-
1990
- 1990-12-25 JP JP2405767A patent/JP2933096B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2933096B2 (ja) | 1999-08-09 |
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