JPH04224526A - C2炭化水素を大部分含む軽質留分の芳香族化におけるガリウム含有アルミノケイ酸塩型触媒の使用法 - Google Patents
C2炭化水素を大部分含む軽質留分の芳香族化におけるガリウム含有アルミノケイ酸塩型触媒の使用法Info
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ケイ素、アルミニウム
およびガリウムを含むフッ素媒質中で合成されたMFI
構造のゼオライトを含むアルミノケイ酸塩型の触媒の
、オレフィン、および不活性ガス、例えばメタン、窒素
、酸化炭素および水素の存在下における、大部分1分子
あたり炭素原子2個を有する軽質留分の芳香族化反応に
おける使用法に関する。
およびガリウムを含むフッ素媒質中で合成されたMFI
構造のゼオライトを含むアルミノケイ酸塩型の触媒の
、オレフィン、および不活性ガス、例えばメタン、窒素
、酸化炭素および水素の存在下における、大部分1分子
あたり炭素原子2個を有する軽質留分の芳香族化反応に
おける使用法に関する。
【0002】
【従来の技術】MFI 構造のこの型のゼオライトのフ
ッ化物媒質中での合成は、既にCFR の欧州特許EP
−A−172068 に記載されている。
ッ化物媒質中での合成は、既にCFR の欧州特許EP
−A−172068 に記載されている。
【0003】本発明において使用されている触媒につい
ては、本出願人の1988年7月12日のフランス特許
出願第88/09632号に記載されている。
ては、本出願人の1988年7月12日のフランス特許
出願第88/09632号に記載されている。
【0004】EP−A−172068 に記載されてい
る合成手順によって得られたゼオライトは、表Iの規格
に対応する特徴を有するX線回折図表を示す、MFI
構造のゼオライトである。これらのMFI 構造のゼオ
ライトは、焼成後の近似化学式として、酸化物形態とし
て表わされた下記の式を有する: M2/nO,Al2O3,xSiO2 (式中、xは12〜1,000 の様々なものであって
もよく、Mは1つまたは複数の原子価nの補償カチオン
である)。重要な点は、これらの固体が合成工程後およ
び有機化合物の除去工程後も同様にフッ素元素を含むと
いうことである。元素分析によって測定されたゼオライ
ト中のフッ素含量は、焼成固体の場合、0.01〜1.
5 重量%、有利には0.1 〜1.0 重量%、好ま
しくは0.2 〜0.8 重量%である。
る合成手順によって得られたゼオライトは、表Iの規格
に対応する特徴を有するX線回折図表を示す、MFI
構造のゼオライトである。これらのMFI 構造のゼオ
ライトは、焼成後の近似化学式として、酸化物形態とし
て表わされた下記の式を有する: M2/nO,Al2O3,xSiO2 (式中、xは12〜1,000 の様々なものであって
もよく、Mは1つまたは複数の原子価nの補償カチオン
である)。重要な点は、これらの固体が合成工程後およ
び有機化合物の除去工程後も同様にフッ素元素を含むと
いうことである。元素分析によって測定されたゼオライ
ト中のフッ素含量は、焼成固体の場合、0.01〜1.
5 重量%、有利には0.1 〜1.0 重量%、好ま
しくは0.2 〜0.8 重量%である。
【0005】
【表2】
【0006】MFI 構造のゼオライト中にフッ素が存
在することにより、これらの固体に、従来の方法、すな
わちアルカリ媒質中(例えばUS3,702,886
)で合成されたMFI 構造のゼオライトの特性とはま
ったく異なる特性、特に酸性およびイオン交換特性が与
えられる。合成後および焼成による有機化合物の除去後
、固体は、下記のような赤外線振動スペクトルを特徴と
する。すなわち従来は、同じSi/Al比の従来のMF
I 構造のゼオライトの帯に対してほとんど強くない、
Si−OH基(3730−3750cm−1領域)およ
びAl−OH構造基(3580−3640cm−1領域
)のものとされている帯を示す。
在することにより、これらの固体に、従来の方法、すな
わちアルカリ媒質中(例えばUS3,702,886
)で合成されたMFI 構造のゼオライトの特性とはま
ったく異なる特性、特に酸性およびイオン交換特性が与
えられる。合成後および焼成による有機化合物の除去後
、固体は、下記のような赤外線振動スペクトルを特徴と
する。すなわち従来は、同じSi/Al比の従来のMF
I 構造のゼオライトの帯に対してほとんど強くない、
Si−OH基(3730−3750cm−1領域)およ
びAl−OH構造基(3580−3640cm−1領域
)のものとされている帯を示す。
【0007】本発明によるゼオライト中にAl−OH構
造基が存在しないか、あるいはほとんど存在しないこと
は、これらの固体のイオン交換容量によって確認される
。実際に、カチオン、例えばNa+ 、K+ 、Ga3
+、Pt(NH3)42+等についてのイオン交換容量
は、結晶骨組のアルミニウム含量から計算しうる総理論
イオン交換容量より非常に低い。
造基が存在しないか、あるいはほとんど存在しないこと
は、これらの固体のイオン交換容量によって確認される
。実際に、カチオン、例えばNa+ 、K+ 、Ga3
+、Pt(NH3)42+等についてのイオン交換容量
は、結晶骨組のアルミニウム含量から計算しうる総理論
イオン交換容量より非常に低い。
【0008】構造ヒドロキシルをまったくまたはほとん
ど有せず、かつイオン交換容量が非常に低いこれらの固
体は、驚くことに顕著な酸性特性を有する。従って固体
の全体の酸性度(酸性部位の種々の型の数および力)を
説明することができるアンモニアの熱脱着によって、構
造中に組込まれたフッ素を含む固体が非常に酸性である
ことがわかる。アンモニアの熱脱着スペクトルは、従来
のMFI構造のゼオライトを用いて得られるようなスペ
クトルに匹敵しうる。しかしながら、本発明による固体
の酸性度は、異なった性質のものである。フッ化物媒質
中で合成された固体の、改善されたこれらの酸性特性は
、アンモニア吸着微小熱量測定法の測定によって確認さ
れる。
ど有せず、かつイオン交換容量が非常に低いこれらの固
体は、驚くことに顕著な酸性特性を有する。従って固体
の全体の酸性度(酸性部位の種々の型の数および力)を
説明することができるアンモニアの熱脱着によって、構
造中に組込まれたフッ素を含む固体が非常に酸性である
ことがわかる。アンモニアの熱脱着スペクトルは、従来
のMFI構造のゼオライトを用いて得られるようなスペ
クトルに匹敵しうる。しかしながら、本発明による固体
の酸性度は、異なった性質のものである。フッ化物媒質
中で合成された固体の、改善されたこれらの酸性特性は
、アンモニア吸着微小熱量測定法の測定によって確認さ
れる。
【0009】ゼオライト中へのフッ素の導入は、これら
の固体の酸性度を増すために既に提案されている(J.
MIALE およびC.CHANG 、US 4,54
0,841)。しかしながら先行技術においては、フッ
素は、合成後実施される変性によってゼオライト中に導
入される。換言すれば、従来の合成、すなわちアルカリ
媒質中での合成を実施し、ついで原則としてフッ素を固
定することができる技術によって固体を処理する。以前
に提案されたこれらの技術には、一般に大きな欠陥があ
る。これらの技術は、例えば気体フッ素によって固体を
処理する場合のように、結晶秩序の破壊を生じやすい(
US 4,297,335)。本発明において用いられ
る触媒の調製において、フッ素は合成のレベルでゼオラ
イト中に導入されるので、これに対して非常によく結晶
化した固体を得ることができる。
の固体の酸性度を増すために既に提案されている(J.
MIALE およびC.CHANG 、US 4,54
0,841)。しかしながら先行技術においては、フッ
素は、合成後実施される変性によってゼオライト中に導
入される。換言すれば、従来の合成、すなわちアルカリ
媒質中での合成を実施し、ついで原則としてフッ素を固
定することができる技術によって固体を処理する。以前
に提案されたこれらの技術には、一般に大きな欠陥があ
る。これらの技術は、例えば気体フッ素によって固体を
処理する場合のように、結晶秩序の破壊を生じやすい(
US 4,297,335)。本発明において用いられ
る触媒の調製において、フッ素は合成のレベルでゼオラ
イト中に導入されるので、これに対して非常によく結晶
化した固体を得ることができる。
【0010】特別な処理によって、結晶性を変えずに、
用いられる触媒の組成中に入っている固体に含まれるフ
ッ素を、一部または全部除去することができる。固体の
脱フッ素を行なうために用いることができる技術は、例
えば周囲温度〜200 ℃の温度で、アンモニア溶液中
での処理を行なうことからなる(自己加圧(press
ion autogene) オートクレーブ処理)。 フッ素の一部または完全な除去は、下記のものを生じる
。
用いられる触媒の組成中に入っている固体に含まれるフ
ッ素を、一部または全部除去することができる。固体の
脱フッ素を行なうために用いることができる技術は、例
えば周囲温度〜200 ℃の温度で、アンモニア溶液中
での処理を行なうことからなる(自己加圧(press
ion autogene) オートクレーブ処理)。 フッ素の一部または完全な除去は、下記のものを生じる
。
【0011】・1つには、前記のように、IRスペクト
ル中に、3740−3608cm−1付近に位置する2
つの帯の出現。 これらは、科学文献において認められている割当法(a
ttributions)によれば、各々末端シラノー
ル基と、Al−OH構造基に対応する。
ル中に、3740−3608cm−1付近に位置する2
つの帯の出現。 これらは、科学文献において認められている割当法(a
ttributions)によれば、各々末端シラノー
ル基と、Al−OH構造基に対応する。
【0012】・もう1つには、固体の骨組のアルミニウ
ム含量から計算できるようなイオン交換容量の回復。
ム含量から計算できるようなイオン交換容量の回復。
【0013】従って脱フッ素処理に従って、骨組の同じ
Si/Al比について、多量のAl−OH基とSi−O
H基、および様々なイオン交換容量を有する固体を得る
ことができる。従って一部脱フッ素された固体は、イオ
ン交換部位の役割を果たすことができるAl−OH型の
従来の酸性部位の他に、その正確な性質がまだ完全には
解明されていないが、合成の際のフッ素の固体中への導
入から生じることは否定できない特別な酸性部位を含む
。
Si/Al比について、多量のAl−OH基とSi−O
H基、および様々なイオン交換容量を有する固体を得る
ことができる。従って一部脱フッ素された固体は、イオ
ン交換部位の役割を果たすことができるAl−OH型の
従来の酸性部位の他に、その正確な性質がまだ完全には
解明されていないが、合成の際のフッ素の固体中への導
入から生じることは否定できない特別な酸性部位を含む
。
【0014】ガリウムを含み、かつ例えば1分子あたり
の炭素原子数2のオレフィンの含量が高く、パラフィン
を含むC2〜C4軽質ガス、および不活性ガス、例えば
メタン、水素、窒素および酸化炭素を伴なう留分を芳香
族化しうる触媒を調製するために有効に利用したのは、
フッ化物媒質中で合成される固体のこの特徴である。こ
のような成分は、例えば接触クラッキング装置から出る
ガス中に含まれていることもある。
の炭素原子数2のオレフィンの含量が高く、パラフィン
を含むC2〜C4軽質ガス、および不活性ガス、例えば
メタン、水素、窒素および酸化炭素を伴なう留分を芳香
族化しうる触媒を調製するために有効に利用したのは、
フッ化物媒質中で合成される固体のこの特徴である。こ
のような成分は、例えば接触クラッキング装置から出る
ガス中に含まれていることもある。
【0015】
【発明の構成】従って本発明は、重量で表示された下記
組成のアルミノケイ酸塩型の触媒の、C2含量の高い留
分(エタンおよびエチレン)の芳香族化における使用法
に関する: (a) ガリウム0.01〜10%、好ましくは0.3
〜7%、(b) アルミナ、シリカ、マグネシア、粘
土および前記化合物の少なくとも2つのあらゆる組合わ
せからなる群から選ばれるマトリックス0.1 〜99
.49 %、および(c) 一般に下記の近似化学式: M2/nO,Al2O3,xSiO2 (式中、Mはプロトンおよび/または金属カチオンを表
わし、nはカチオンの原子価であり、xは12〜1,0
00 の数である(SiO2/Al2O3モル比))で
表わされる、フッ化物媒質中で合成されるゼオライトで
あって、フッ素含量が0.01〜1.5 %、好ましく
は0.1〜1%であり、合成の際にフッ素が組込まれ、
また表Iに示されたX線回折図表を特徴とするゼオライ
ト0.50〜99.99 %。
組成のアルミノケイ酸塩型の触媒の、C2含量の高い留
分(エタンおよびエチレン)の芳香族化における使用法
に関する: (a) ガリウム0.01〜10%、好ましくは0.3
〜7%、(b) アルミナ、シリカ、マグネシア、粘
土および前記化合物の少なくとも2つのあらゆる組合わ
せからなる群から選ばれるマトリックス0.1 〜99
.49 %、および(c) 一般に下記の近似化学式: M2/nO,Al2O3,xSiO2 (式中、Mはプロトンおよび/または金属カチオンを表
わし、nはカチオンの原子価であり、xは12〜1,0
00 の数である(SiO2/Al2O3モル比))で
表わされる、フッ化物媒質中で合成されるゼオライトで
あって、フッ素含量が0.01〜1.5 %、好ましく
は0.1〜1%であり、合成の際にフッ素が組込まれ、
また表Iに示されたX線回折図表を特徴とするゼオライ
ト0.50〜99.99 %。
【0016】フッ化物媒質中での合成後、固体は必要で
あれば脱フッ素処理に付されてもよい。この処理によっ
て、イオン交換容量を、導入したいと思うガリウム含量
に合わせることができる。フッ素含量が低ければ低いほ
ど、ガリウム含量は高くなってもよい。
あれば脱フッ素処理に付されてもよい。この処理によっ
て、イオン交換容量を、導入したいと思うガリウム含量
に合わせることができる。フッ素含量が低ければ低いほ
ど、ガリウム含量は高くなってもよい。
【0017】脱フッ素処理は、所望の脱フッ素レベルに
よって、多少なりとも苛酷である。これは、規定度約0
.05〜5N、好ましくは0.1 〜3Nのアンモニア
溶液中での還流で、約0.5 〜5時間、好ましくは1
〜4時間、乾燥固体重量に対する溶液の容積として定義
されるV/P 比が約5〜50cm3 g−1、好まし
くは10〜30cm3 g−1を用いる、1回または複
数回の固体の連続処理からなる。ついで固体は、各洗浄
後に、豊富な蒸溜水で洗浄され、乾燥器で乾燥される。 これらの処理後、苛酷度に従って、固体のフッ素含量は
0.9 〜0.01重量%である。処理を繰返すことに
よって、実質的にフッ素全部が除去されるならば、骨組
の同じSi/Al比の従来のMFI 構造のゼオライト
の3800−3500cm−1領域内で、特にIRスペ
クトルによって区別される固体をさらに生じる。本発明
による触媒中に含まれる固体は、より大きな割合のSi
−OH基を有する。
よって、多少なりとも苛酷である。これは、規定度約0
.05〜5N、好ましくは0.1 〜3Nのアンモニア
溶液中での還流で、約0.5 〜5時間、好ましくは1
〜4時間、乾燥固体重量に対する溶液の容積として定義
されるV/P 比が約5〜50cm3 g−1、好まし
くは10〜30cm3 g−1を用いる、1回または複
数回の固体の連続処理からなる。ついで固体は、各洗浄
後に、豊富な蒸溜水で洗浄され、乾燥器で乾燥される。 これらの処理後、苛酷度に従って、固体のフッ素含量は
0.9 〜0.01重量%である。処理を繰返すことに
よって、実質的にフッ素全部が除去されるならば、骨組
の同じSi/Al比の従来のMFI 構造のゼオライト
の3800−3500cm−1領域内で、特にIRスペ
クトルによって区別される固体をさらに生じる。本発明
による触媒中に含まれる固体は、より大きな割合のSi
−OH基を有する。
【0018】一部または全部脱フッ素された固体は、そ
のままガリウムの担持に付されてもよい。あるいは当業
者に知られたあらゆる技術によって成形されてもよい。 この固体は特に、一般に非晶質のマトリックス、例えば
アルミナゲルの湿潤粉末と混合されてもよい。ついで混
合物を、例えばダイスを通す押出しによって成形する。 このようにして得られた担体のゼオライト含量は、一般
に約0.5 〜99.99 %、有利には約40〜90
重量%である。
のままガリウムの担持に付されてもよい。あるいは当業
者に知られたあらゆる技術によって成形されてもよい。 この固体は特に、一般に非晶質のマトリックス、例えば
アルミナゲルの湿潤粉末と混合されてもよい。ついで混
合物を、例えばダイスを通す押出しによって成形する。 このようにして得られた担体のゼオライト含量は、一般
に約0.5 〜99.99 %、有利には約40〜90
重量%である。
【0019】触媒のマトリックス含量は、0.1 〜9
9.49 %、有利には約10〜60重量%である。成
形は、アルミナとは異なるマトリックス、例えばマグネ
シア、シリカ・アルミナ、天然粘土(カオリン、ベント
ナイト)を用いて、押出し、ペレット成形、顆粒状触媒
の製法、または滴状凝結(”oil drop”)等の
技術によって実施されてもよい。ついでガリウムを、ゼ
オライト中でこの金属の担持を可能にする、当業者に知
られたあらゆる方法によって担体上に担持させる。競争
剤が好ましくは硝酸アンモニウムであるような競争を用
いるカチオン交換技術、さらにはまた含浸による触媒上
へのガリウムの担持技術を用いることもできる。イオン
交換溶液またはガリウムの含浸溶液を、ガリウム化合物
、例えば酸化ガリウム、硝酸ガリウム、硫酸ガリウム、
ハロゲン化ガリウムまたは水酸化ガリウムから調製して
もよい。これらのイオン交換または含浸技術はまた、場
合によってはマトリックスとの混合前に、金属を直接ゼ
オライト粉末上に担持させるために用いられることもで
きる。1つまたは複数のイオン交換工程を終えて触媒上
に担持されたガリウム含量は、固体のフッ素含量による
。この含量は、触媒全体に対して、0.01〜10重量
%、好ましくは0.3 〜7.0 重量%である。触媒
のガリウム含量は、含浸型の技術を用いて、フッ素含量
とは無関係に同じ範囲内で調節されうる。
9.49 %、有利には約10〜60重量%である。成
形は、アルミナとは異なるマトリックス、例えばマグネ
シア、シリカ・アルミナ、天然粘土(カオリン、ベント
ナイト)を用いて、押出し、ペレット成形、顆粒状触媒
の製法、または滴状凝結(”oil drop”)等の
技術によって実施されてもよい。ついでガリウムを、ゼ
オライト中でこの金属の担持を可能にする、当業者に知
られたあらゆる方法によって担体上に担持させる。競争
剤が好ましくは硝酸アンモニウムであるような競争を用
いるカチオン交換技術、さらにはまた含浸による触媒上
へのガリウムの担持技術を用いることもできる。イオン
交換溶液またはガリウムの含浸溶液を、ガリウム化合物
、例えば酸化ガリウム、硝酸ガリウム、硫酸ガリウム、
ハロゲン化ガリウムまたは水酸化ガリウムから調製して
もよい。これらのイオン交換または含浸技術はまた、場
合によってはマトリックスとの混合前に、金属を直接ゼ
オライト粉末上に担持させるために用いられることもで
きる。1つまたは複数のイオン交換工程を終えて触媒上
に担持されたガリウム含量は、固体のフッ素含量による
。この含量は、触媒全体に対して、0.01〜10重量
%、好ましくは0.3 〜7.0 重量%である。触媒
のガリウム含量は、含浸型の技術を用いて、フッ素含量
とは無関係に同じ範囲内で調節されうる。
【0020】このように定義された触媒を、反応用の不
活性ガス、例えば窒素、水素、メタンまたは酸化炭素の
存在下または不存在下における、エチレンおよびエタン
をベースとする軽質ガスの芳香族化反応のために使用す
る。この反応は、特別な利点を有する。すなわちこの反
応によって、例えば水素化処理方法には不可欠な水素の
多量生産を行ないながら、精製操作の残渣、例えば接触
クラッキング装置から出たガスを有効利用して、より高
い価値が付加された生成物(ベンゼン、トルエン、キシ
レン)に変えることができるからである。
活性ガス、例えば窒素、水素、メタンまたは酸化炭素の
存在下または不存在下における、エチレンおよびエタン
をベースとする軽質ガスの芳香族化反応のために使用す
る。この反応は、特別な利点を有する。すなわちこの反
応によって、例えば水素化処理方法には不可欠な水素の
多量生産を行ないながら、精製操作の残渣、例えば接触
クラッキング装置から出たガスを有効利用して、より高
い価値が付加された生成物(ベンゼン、トルエン、キシ
レン)に変えることができるからである。
【0021】芳香族化反応用の、軽質C2ガスおよび場
合によっては不活性ガスを含む仕込原料を、温度400
〜700 ℃、より詳しくは480 〜580 ℃で
、本発明において用いられる触媒と接触させる。
合によっては不活性ガスを含む仕込原料を、温度400
〜700 ℃、より詳しくは480 〜580 ℃で
、本発明において用いられる触媒と接触させる。
【0022】好ましくは芳香族化は、少なくとも1つの
触媒流通床反応器において実施される。その際、触媒は
球形態で用いられるのがよい。
触媒流通床反応器において実施される。その際、触媒は
球形態で用いられるのがよい。
【0023】この後者の改良方法の技術を用いて、利用
される操作条件に従って、500 時間程度またはそれ
以上の長い作動条件下で、非常に安定な芳香族の選択性
が認められた。
される操作条件に従って、500 時間程度またはそれ
以上の長い作動条件下で、非常に安定な芳香族の選択性
が認められた。
【0024】
【発明の効果】本発明によれば、ケイ素、アルミニウム
およびガリウムを含むフッ素媒質中で合成されたMFI
構造のゼオライトを含むアルミノケイ酸塩型の触媒の
、オレフィン、および不活性ガス、例えばメタン、窒素
、酸化炭素および水素の存在下における、大部分1分子
あたり炭素原子2個を有する軽質留分の芳香族化反応に
おける使用法が提供せられる。
およびガリウムを含むフッ素媒質中で合成されたMFI
構造のゼオライトを含むアルミノケイ酸塩型の触媒の
、オレフィン、および不活性ガス、例えばメタン、窒素
、酸化炭素および水素の存在下における、大部分1分子
あたり炭素原子2個を有する軽質留分の芳香族化反応に
おける使用法が提供せられる。
【0025】
【実施例】下記の実施例は本発明を明確に示すが、その
範囲を制限するものではない。
範囲を制限するものではない。
【0026】下記実施例において用いられる触媒はすべ
て、マトリックス20%とゼオライト80%を含む。
て、マトリックス20%とゼオライト80%を含む。
【0027】実施例1:本発明による触媒の組成中に入
っているゼオライトAの調製 アルミニウムおよびケイ素源、すなわち一部脱アルミニ
ウムされたTixolex 28から、Si/Al原子
比が25に近いMFI 構造のゼオライトを調製する。
っているゼオライトAの調製 アルミニウムおよびケイ素源、すなわち一部脱アルミニ
ウムされたTixolex 28から、Si/Al原子
比が25に近いMFI 構造のゼオライトを調製する。
【0028】Tixolex 28は、ローヌ・プーラ
ン社から販売されているアルミノケイ酸ナトリウムであ
り、Si/Al原子比=7.3 、Na/Al=1.1
を特徴とする。下記のように一部脱アルミニウムされ
た形態を調製する。 60g のTixolex 28を、3時間周囲温度で
、600 mlのHNO3M/2 で攪拌する。得られ
た生成物を濾過し、水でpH7まで洗浄する。80℃で
の乾燥後、これを相対湿度80%に保持する。重量組成
は下記のとおりである。すなわち76.10%SiO2
;5.46%Al2O3;0.24%Na2O;17.
63 %総H2O。
ン社から販売されているアルミノケイ酸ナトリウムであ
り、Si/Al原子比=7.3 、Na/Al=1.1
を特徴とする。下記のように一部脱アルミニウムされ
た形態を調製する。 60g のTixolex 28を、3時間周囲温度で
、600 mlのHNO3M/2 で攪拌する。得られ
た生成物を濾過し、水でpH7まで洗浄する。80℃で
の乾燥後、これを相対湿度80%に保持する。重量組成
は下記のとおりである。すなわち76.10%SiO2
;5.46%Al2O3;0.24%Na2O;17.
63 %総H2O。
【0029】モルおよび重量組成が表3に挙げられてい
る反応混合物Aを調製する。このために、攪拌下、NH
4F、N(C3H7)4+ Br− と水との混合物を
、一部脱アルミニウムされたTixolex に添加す
る。反応混合物Aの結晶化を、内部被覆がポリテトラフ
ルオロエタンからなるオートクレーブで、190 ℃で
3.5 日間実施する。
る反応混合物Aを調製する。このために、攪拌下、NH
4F、N(C3H7)4+ Br− と水との混合物を
、一部脱アルミニウムされたTixolex に添加す
る。反応混合物Aの結晶化を、内部被覆がポリテトラフ
ルオロエタンからなるオートクレーブで、190 ℃で
3.5 日間実施する。
【0030】
【表3】
【0031】結晶化後、固体を濾過し、10%ジエチル
アミン溶液で、ついで温水溶液で洗浄する。ついで固体
を80℃で乾燥する。結晶学的分析によって、生成物A
は、確かに表Iの規格に対応するX線回折図表を有する
MFI構造のゼオライトであることがわかる。空気下5
50 ℃での焼成後、生成物Aの化学分析は下記のとお
りである。
アミン溶液で、ついで温水溶液で洗浄する。ついで固体
を80℃で乾燥する。結晶学的分析によって、生成物A
は、確かに表Iの規格に対応するX線回折図表を有する
MFI構造のゼオライトであることがわかる。空気下5
50 ℃での焼成後、生成物Aの化学分析は下記のとお
りである。
【0032】生成物A
Si/Al原子比:28
F(重量%):0.8
実施例2:本発明に合致して用いられる触媒A1実施例
1のゼオライトAを、濃度0.2 Nのアンモニア溶液
を用いて、温度100 ℃での4時間の第一処理に付す
。 ついで生成物を濾過し、蒸溜水で洗浄し、ついで乾燥器
で150 ℃で乾燥する。
1のゼオライトAを、濃度0.2 Nのアンモニア溶液
を用いて、温度100 ℃での4時間の第一処理に付す
。 ついで生成物を濾過し、蒸溜水で洗浄し、ついで乾燥器
で150 ℃で乾燥する。
【0033】処理後、結晶度およびSi/Al原子比は
変わっていないが、フッ素含量が0.05重量%である
固体が得られる。
変わっていないが、フッ素含量が0.05重量%である
固体が得られる。
【0034】このように処理された実施例1の固体Aを
、ゼオライト80重量%とバインダ20重量%の割合の
アルミナ型のバインダまたはマトリックスを用いる押出
しによって成形する。
、ゼオライト80重量%とバインダ20重量%の割合の
アルミナ型のバインダまたはマトリックスを用いる押出
しによって成形する。
【0035】触媒A1を下記のように調製する。コンデ
ア社製の疑似ベーマイトアルミナを、硝酸の添加によっ
てペプチゼーションし、ついで混練する。
ア社製の疑似ベーマイトアルミナを、硝酸の添加によっ
てペプチゼーションし、ついで混練する。
【0036】この疑似ベーマイトと、前記一部脱フッ素
手順を受けたゼオライトとの混合によって、触媒A1が
得られる。
手順を受けたゼオライトとの混合によって、触媒A1が
得られる。
【0037】このゼオライトを、バインダ20g に対
してゼオライト80g の割合で導入し、ついで混練す
る。得られたペーストを、少量の水の添加によるコンシ
ステンシーの調節後、直径1.4 mmのダイスを強制
的に通し、ついで120 ℃で空気流下乾燥し、550
℃で1時間焼成する。
してゼオライト80g の割合で導入し、ついで混練す
る。得られたペーストを、少量の水の添加によるコンシ
ステンシーの調節後、直径1.4 mmのダイスを強制
的に通し、ついで120 ℃で空気流下乾燥し、550
℃で1時間焼成する。
【0038】ガリウムをイオン交換によって押出し物上
に担持する。イオン交換溶液を、硝酸ガリウム0.15
NのGa(NO3)3から調製する。ガリウム溶液のp
Hを、アンモニアで2.1 に調節する。
に担持する。イオン交換溶液を、硝酸ガリウム0.15
NのGa(NO3)3から調製する。ガリウム溶液のp
Hを、アンモニアで2.1 に調節する。
【0039】3回のイオン交換後に得られたガリウム含
量は、押出し物に対して3.10重量%であった。
量は、押出し物に対して3.10重量%であった。
【0040】実施例3
比較として、アルカリ媒質中で従来の方法で合成された
ゼオライトMFI 、すなわちコンテカ社から販売され
ているCBV 5020を用いて、触媒B1を調製する
。このゼオライトのSi/Al原子比は28であり、N
a2O含量が200ppmであり、比表面積は410
m2/g である。フッ素含量は0.05%である。
ゼオライトMFI 、すなわちコンテカ社から販売され
ているCBV 5020を用いて、触媒B1を調製する
。このゼオライトのSi/Al原子比は28であり、N
a2O含量が200ppmであり、比表面積は410
m2/g である。フッ素含量は0.05%である。
【0041】ついでこのゼオライトを、実施例2に記載
された操作技術に従って、ゼオライト80重量%とバイ
ンダ20重量%の割合で、アルミナバインダを用いて、
押出しによって成形する。次にこの同じ実施例2に記載
された手順に従って、ガリウム(3.10重量%)を導
入する。
された操作技術に従って、ゼオライト80重量%とバイ
ンダ20重量%の割合で、アルミナバインダを用いて、
押出しによって成形する。次にこの同じ実施例2に記載
された手順に従って、ガリウム(3.10重量%)を導
入する。
【0042】実施例4
触媒A1およびB1に、下記重量組成のC2留分の芳香
族化テストを行なった。
族化テストを行なった。
【0043】
操作条件は下記のとおりであった。
【0044】・温度:550 ℃
・大気圧
・C2留分の毎時重量流量は、触媒重量の5倍である。
【0045】得られた結果を表4に挙げる。
【0046】
【表4】
【0047】フッ化物媒質中で合成された、MFI 型
ゼオライトをベースとする、本発明によって調製された
触媒の優位性が確認できる。実際、2つの触媒A1およ
びB1の活性はほぼ同じであり、触媒A1の芳香族炭化
水素の生産率は明らかに優れている。
ゼオライトをベースとする、本発明によって調製された
触媒の優位性が確認できる。実際、2つの触媒A1およ
びB1の活性はほぼ同じであり、触媒A1の芳香族炭化
水素の生産率は明らかに優れている。
【0048】実施例5
実施例2の触媒A1は、下記重量組成の、接触クラッキ
ング装置から出たガスの芳香族化反応に用いられる。
ング装置から出たガスの芳香族化反応に用いられる。
【0049】
操作条件は下記のとおりであった。
【0050】・温度:530 ℃
・大気圧
・接触クラッキングガスの毎時重量流量は、触媒重量の
3倍である。
3倍である。
【0051】反応器を出ると、生成物は下記重量組成を
有していた。
有していた。
【0052】
従って、本発明によって操作を行なうと、接触クラ
ッキング装置から出たガスの大きな部分を有効利用して
、芳香族炭化水素に変えることが可能であることが確認
できる。
ッキング装置から出たガスの大きな部分を有効利用して
、芳香族炭化水素に変えることが可能であることが確認
できる。
Claims (5)
- 【請求項1】1分子あたりの炭素原子数2の炭化水素か
ら大部分なる留分の芳香族化における、重量で下記のも
のを含む触媒の使用法: (a) ガリウム0.01〜10%、 (b) アルミナ、シリカ、マグネシア、粘土および前
記化合物の少なくとも2つのあらゆる組合わせからなる
群から選ばれるマトリックス0.1 〜99.49 %
、(c) SiO2/Al2O3モル比が12〜1,0
00 の、フッ化物媒質中で合成されたゼオライトであ
って、その他に0.01〜1.5 %のフッ素含量を有
し、前記ゼオライトの合成の際にフッ素が組込まれ、下
記表Iに合致するX線回折図表を有するゼオライト0.
50〜99.99 %。 【表1】 - 【請求項2】ガリウム0.3 〜7重量%を含む触媒の
請求項1による使用法。 - 【請求項3】前記ゼオライトが、そのIRスペクトルに
おいて、各々末端シラノール基およびAl−OH構造基
に対応する、3730−3750cm−1および358
0−3640cm−1付近に位置する2つの帯を示す触
媒の、請求項1または2による使用法。 - 【請求項4】前記マトリックスがアルミナである触媒の
、請求項1〜3のうちの1つによる使用法。 - 【請求項5】芳香族化が、少なくとも1つの触媒の流通
床反応器において実施される、球形態の触媒の請求項1
〜3のうちの1つによる使用法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2404696A JP2932102B2 (ja) | 1990-12-21 | 1990-12-21 | C2炭化水素を大部分含む軽質留分の芳香族化におけるガリウム含有アルミノケイ酸塩型触媒の使用法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2404696A JP2932102B2 (ja) | 1990-12-21 | 1990-12-21 | C2炭化水素を大部分含む軽質留分の芳香族化におけるガリウム含有アルミノケイ酸塩型触媒の使用法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04224526A true JPH04224526A (ja) | 1992-08-13 |
| JP2932102B2 JP2932102B2 (ja) | 1999-08-09 |
Family
ID=18514348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2404696A Expired - Lifetime JP2932102B2 (ja) | 1990-12-21 | 1990-12-21 | C2炭化水素を大部分含む軽質留分の芳香族化におけるガリウム含有アルミノケイ酸塩型触媒の使用法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2932102B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005089436A (ja) * | 2003-09-18 | 2005-04-07 | Electric Power Dev Co Ltd | 芳香族化合物のハイブリッド製造方法 |
-
1990
- 1990-12-21 JP JP2404696A patent/JP2932102B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005089436A (ja) * | 2003-09-18 | 2005-04-07 | Electric Power Dev Co Ltd | 芳香族化合物のハイブリッド製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2932102B2 (ja) | 1999-08-09 |
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|---|---|---|---|
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