JPH04225268A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH04225268A JPH04225268A JP2414445A JP41444590A JPH04225268A JP H04225268 A JPH04225268 A JP H04225268A JP 2414445 A JP2414445 A JP 2414445A JP 41444590 A JP41444590 A JP 41444590A JP H04225268 A JPH04225268 A JP H04225268A
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- JP
- Japan
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- heat sink
- envelope
- leads
- lead
- semiconductor chip
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［発明の目的］
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂成形によって形成
した外囲器外に延出するように放熱板が設けられた半導
体装置に関する。
した外囲器外に延出するように放熱板が設けられた半導
体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より知られているように、外囲器を
シリコ−ン樹脂やエポキシ樹脂などで形成した半導体装
置は製造が容易な点から民生用の半導体装置等として多
量に使用されている。そして消費電力が数Ｗ程度となる
ものでは電気接続を行うリ−ドと同じ金属板のフレ−ム
を用いて広幅の放熱板を形成している。
シリコ−ン樹脂やエポキシ樹脂などで形成した半導体装
置は製造が容易な点から民生用の半導体装置等として多
量に使用されている。そして消費電力が数Ｗ程度となる
ものでは電気接続を行うリ−ドと同じ金属板のフレ−ム
を用いて広幅の放熱板を形成している。
【０００３】以下従来の半導体装置の一つについて図５
及び図６を参照して説明する。図５は斜視図であり、図
６はリ−ドフレ−ムの平面図である。
及び図６を参照して説明する。図５は斜視図であり、図
６はリ−ドフレ−ムの平面図である。
【０００４】図において１は樹脂成形により略直方体に
形成された外囲器であり、この外囲器１の内部には、例
えば集積回路が形成された半導体チップ２が密封収納さ
れている。そして外囲器１の内部において、半導体チッ
プ２の端子とリ−ド３がボンディングワイヤによって電
気的に接続されており、さらに半導体チップ２とリ−ド
３よりも広い幅の放熱板４が熱的に接続されている。
形成された外囲器であり、この外囲器１の内部には、例
えば集積回路が形成された半導体チップ２が密封収納さ
れている。そして外囲器１の内部において、半導体チッ
プ２の端子とリ−ド３がボンディングワイヤによって電
気的に接続されており、さらに半導体チップ２とリ−ド
３よりも広い幅の放熱板４が熱的に接続されている。
【０００５】また、外囲器１の長手の側壁には、内部か
ら外部に向かって貫通するようにして複数のリ−ド３と
放熱板４が設けられている。そしてリ−ド３及び放熱板
４は、外囲器１から各々の延出部分３ａ，４ａがそれぞ
れ２カ所に曲部５ａ，５ｂ，６ａ，６ｂを持っており、
例えば配線基板等に表面実装できるように形成されてい
る。
ら外部に向かって貫通するようにして複数のリ−ド３と
放熱板４が設けられている。そしてリ−ド３及び放熱板
４は、外囲器１から各々の延出部分３ａ，４ａがそれぞ
れ２カ所に曲部５ａ，５ｂ，６ａ，６ｂを持っており、
例えば配線基板等に表面実装できるように形成されてい
る。
【０００６】このように構成される半導体装置の作成は
、リ−ド３及び放熱板４を同一の金属板にリ−ドフレ−
ム７として形成し、このリ−ドフレ−ム７に半導体チッ
プ２を接続した後に外囲器１を樹脂成形して半導体チッ
プ２を密封収納し、さらにリ−ド３及び放熱板４を所定
形状に曲げ加工すると共に、同じ工程においてリ−ド３
及び放熱板４を所定の寸法、形状に成形しながらそれぞ
れを接続しているダムバ−８を切落として行われる。
、リ−ド３及び放熱板４を同一の金属板にリ−ドフレ−
ム７として形成し、このリ−ドフレ−ム７に半導体チッ
プ２を接続した後に外囲器１を樹脂成形して半導体チッ
プ２を密封収納し、さらにリ−ド３及び放熱板４を所定
形状に曲げ加工すると共に、同じ工程においてリ−ド３
及び放熱板４を所定の寸法、形状に成形しながらそれぞ
れを接続しているダムバ−８を切落として行われる。
【０００７】しかしながら上記の従来技術においては、
外囲器１外に延出したリ−ド３及び放熱板４の延出部分
３ａ，４ａを所定の形状に曲げ加工する際、放熱板４は
広幅でリ−ド３の数倍の幅を有するように形成されてい
るために、外囲器１の放熱板４が延出している部分に無
理な力が加わり易く、この放熱板４が延出している部分
での外囲器１の樹脂と放熱板４の金属との界面に剥離が
生じたり、外囲器１の放熱板４が延出している部分の近
傍にひび割れが生じる虞がある。また曲げ寸法の安定性
に欠けていた。
外囲器１外に延出したリ−ド３及び放熱板４の延出部分
３ａ，４ａを所定の形状に曲げ加工する際、放熱板４は
広幅でリ−ド３の数倍の幅を有するように形成されてい
るために、外囲器１の放熱板４が延出している部分に無
理な力が加わり易く、この放熱板４が延出している部分
での外囲器１の樹脂と放熱板４の金属との界面に剥離が
生じたり、外囲器１の放熱板４が延出している部分の近
傍にひび割れが生じる虞がある。また曲げ寸法の安定性
に欠けていた。
【０００８】さらに、効率的な製造を行うために、通常
曲げ幅が異なるリ−ド３と放熱板４の延出部分３ａ，４
ａを同時に曲げ加工する場合や、さらに配線基板に実装
するときの占有面積をより少なくするために曲部５ａ，
６ａをより外囲器１に近い位置にとる場合には、特に上
述の界面での剥離やひび割れが生じる虞が大きい。
曲げ幅が異なるリ−ド３と放熱板４の延出部分３ａ，４
ａを同時に曲げ加工する場合や、さらに配線基板に実装
するときの占有面積をより少なくするために曲部５ａ，
６ａをより外囲器１に近い位置にとる場合には、特に上
述の界面での剥離やひび割れが生じる虞が大きい。
【０００９】そして、界面での剥離やひび割れが生じる
と、剥離やひび割れが生じた部分の隙間から外囲器１内
に外気や水などが入り、密封収納された半導体チップ２
に付着して汚損し、チップに形成された回路を破壊した
り、性能低下を引起こしたり等する。また一度微少の剥
離やひび割れが生じた場合には、経時的に剥離やひび割
れが進行して半導体チップ２の汚損等の問題を後で生じ
ることとなる。
と、剥離やひび割れが生じた部分の隙間から外囲器１内
に外気や水などが入り、密封収納された半導体チップ２
に付着して汚損し、チップに形成された回路を破壊した
り、性能低下を引起こしたり等する。また一度微少の剥
離やひび割れが生じた場合には、経時的に剥離やひび割
れが進行して半導体チップ２の汚損等の問題を後で生じ
ることとなる。
【００１０】また、界面での剥離やひび割れが生じない
ようにリ−ド３と放熱板４の曲げ加工を別々の工程で行
ったり、放熱板４の曲部６ａを外囲器１から離した位置
にとったりすると、製造効率が低下したり、実装面積が
多く必要となったりする。
ようにリ−ド３と放熱板４の曲げ加工を別々の工程で行
ったり、放熱板４の曲部６ａを外囲器１から離した位置
にとったりすると、製造効率が低下したり、実装面積が
多く必要となったりする。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の装
置で放熱板の曲げ加工によって界面で剥離やひび割れが
生じ、これに伴い種々の問題が発生する虞がある状況に
鑑みて本発明はなされたもので、その目的とするところ
は、製造効率や実装効率が低下することなく、外囲器の
割れや、外囲器と放熱板との界面での剥離が発生せず、
回路破壊のない経時的にも安定した品質が得られる半導
体装置を提供することにある。
置で放熱板の曲げ加工によって界面で剥離やひび割れが
生じ、これに伴い種々の問題が発生する虞がある状況に
鑑みて本発明はなされたもので、その目的とするところ
は、製造効率や実装効率が低下することなく、外囲器の
割れや、外囲器と放熱板との界面での剥離が発生せず、
回路破壊のない経時的にも安定した品質が得られる半導
体装置を提供することにある。
【００１２】［発明の構成］
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
半導体チップを収納して樹脂成形された外囲器と、この
外囲器内で半導体チップに電気的に接続したリ−ド及び
このリ−ドより広幅に形成され半導体チップに熱的に接
続した放熱板とを備え、リ−ド及び放熱板の外囲器から
のそれぞれの延出部分に曲部が設けられてなるものにお
いて、放熱板は曲部にリ−ドと略同幅の渡り部が形成さ
れるように開孔部が形成されていることを特徴とするも
のである。
半導体チップを収納して樹脂成形された外囲器と、この
外囲器内で半導体チップに電気的に接続したリ−ド及び
このリ−ドより広幅に形成され半導体チップに熱的に接
続した放熱板とを備え、リ−ド及び放熱板の外囲器から
のそれぞれの延出部分に曲部が設けられてなるものにお
いて、放熱板は曲部にリ−ドと略同幅の渡り部が形成さ
れるように開孔部が形成されていることを特徴とするも
のである。
【００１４】
【作用】上記のように構成された半導体装置は、放熱板
が曲部にリ−ドと略同幅の渡り部が形成されるように開
孔部を形成しており、このため放熱板の曲部は曲げ幅が
リ−ドの曲げ幅と略同じものの繰返しとなっており、均
等な曲げ力で曲げることができ、曲げ位置もリ−ドと放
熱板は加工可能な外囲器の側壁に近い同じ位置にとるこ
とができて外囲器に局部的な力が作用せず、また放熱板
と外囲器の樹脂との界面では剥離が生じず、そして回路
破壊のない、経時的にも安定した品質のものとなる。
が曲部にリ−ドと略同幅の渡り部が形成されるように開
孔部を形成しており、このため放熱板の曲部は曲げ幅が
リ−ドの曲げ幅と略同じものの繰返しとなっており、均
等な曲げ力で曲げることができ、曲げ位置もリ−ドと放
熱板は加工可能な外囲器の側壁に近い同じ位置にとるこ
とができて外囲器に局部的な力が作用せず、また放熱板
と外囲器の樹脂との界面では剥離が生じず、そして回路
破壊のない、経時的にも安定した品質のものとなる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１乃至図４を参照
して説明する。なお、従来と同一部分には同一符号を付
して説明を省略し、従来と異なる本発明の構成について
説明する。
して説明する。なお、従来と同一部分には同一符号を付
して説明を省略し、従来と異なる本発明の構成について
説明する。
【００１６】先ず第１の実施例を図１及び図２により説
明する。図１は斜視図であり、図２はリ−ドフレ−ムの
平面図である。
明する。図１は斜視図であり、図２はリ−ドフレ−ムの
平面図である。
【００１７】図において、１０は従来例と同様に外囲器
１の側壁中間部から延出するように設けられた放熱板で
、これには外囲器１内に密封収納された半導体チップ２
が熱的に接続されている。放熱板１０には延出方向に沿
って外囲器１の内側から外側にかけて４本の長方形の開
孔部１１と、リ−ド３と略同幅の５本の渡り部１２が並
行して形成されている。
１の側壁中間部から延出するように設けられた放熱板で
、これには外囲器１内に密封収納された半導体チップ２
が熱的に接続されている。放熱板１０には延出方向に沿
って外囲器１の内側から外側にかけて４本の長方形の開
孔部１１と、リ−ド３と略同幅の５本の渡り部１２が並
行して形成されている。
【００１８】また、放熱板１０は延出部分１０ａがリ−
ド３と曲げ位置を同じくして、２か所の略直角の曲部１
３ａ，１３ｂを持ってＳ字状に曲げられている。なお２
か所の曲部１３ａ，１３ｂは共に渡り部１２を曲げるこ
とによって形成されている。
ド３と曲げ位置を同じくして、２か所の略直角の曲部１
３ａ，１３ｂを持ってＳ字状に曲げられている。なお２
か所の曲部１３ａ，１３ｂは共に渡り部１２を曲げるこ
とによって形成されている。
【００１９】このように形成された本実施例の装置は、
従来例と同様に同一の金属板にリ−ド３や放熱板１０、
開孔部１１等が打抜き加工、あるいはエッチング加工に
よって形成されたリ−ドフレ−ム１４を用いて作成され
る。本実施例の作成工程も従来と同様で、リ−ドフレ−
ム１４の外囲器１の内側端部と半導体チップ２の端子と
をボンディングワイヤで接続した後に、外囲器１を樹脂
成形して半導体チップ２を密封収納する。
従来例と同様に同一の金属板にリ−ド３や放熱板１０、
開孔部１１等が打抜き加工、あるいはエッチング加工に
よって形成されたリ−ドフレ−ム１４を用いて作成され
る。本実施例の作成工程も従来と同様で、リ−ドフレ−
ム１４の外囲器１の内側端部と半導体チップ２の端子と
をボンディングワイヤで接続した後に、外囲器１を樹脂
成形して半導体チップ２を密封収納する。
【００２０】さらにリ−ド３及び放熱板１０を、延出部
分３ａ，１０ａの曲げ加工可能な外囲器１からの延出根
元部の近傍を第１の曲部５ａ，１３ａとし、同時にＳ字
状に曲げ加工すると共に、同じ工程においてリ−ド３及
び放熱板１０を所定の寸法、形状に成形しながらそれぞ
れを接続しているダムバ−８を切落とす。
分３ａ，１０ａの曲げ加工可能な外囲器１からの延出根
元部の近傍を第１の曲部５ａ，１３ａとし、同時にＳ字
状に曲げ加工すると共に、同じ工程においてリ−ド３及
び放熱板１０を所定の寸法、形状に成形しながらそれぞ
れを接続しているダムバ−８を切落とす。
【００２１】上述の本実施例によれば、放熱板１０の２
か所の曲部１３ａ，１３ｂは曲げ幅がリ−ド３の曲げ幅
と略同じものの繰返しとなっているために、すべてに均
等な曲げ力が作用して曲げられる。そして曲げ位置も、
リ−ド３及び放熱板１０は共に加工可能な外囲器１の側
壁に近い同じ位置にとることができ、リ−ド３及び放熱
板１０が延出している外囲器１にも局部的な力が作用せ
ず、また放熱板１０と外囲器１の樹脂の界面での大きな
剥離力が作用しない。
か所の曲部１３ａ，１３ｂは曲げ幅がリ−ド３の曲げ幅
と略同じものの繰返しとなっているために、すべてに均
等な曲げ力が作用して曲げられる。そして曲げ位置も、
リ−ド３及び放熱板１０は共に加工可能な外囲器１の側
壁に近い同じ位置にとることができ、リ−ド３及び放熱
板１０が延出している外囲器１にも局部的な力が作用せ
ず、また放熱板１０と外囲器１の樹脂の界面での大きな
剥離力が作用しない。
【００２２】このため外囲器１のひび割れや界面での剥
離が生じない。そして外囲器１内に外気や水などが入り
、密封収納された半導体チップ２に付着して汚損し、チ
ップに形成された回路を破壊したり、性能低下を引起こ
したり等することがない。さらに経時的に剥離やひび割
れが進行することによる半導体チップ２の汚損等の問題
が生じることもない。
離が生じない。そして外囲器１内に外気や水などが入り
、密封収納された半導体チップ２に付着して汚損し、チ
ップに形成された回路を破壊したり、性能低下を引起こ
したり等することがない。さらに経時的に剥離やひび割
れが進行することによる半導体チップ２の汚損等の問題
が生じることもない。
【００２３】また、リ−ド３と放熱板１０の曲げ加工を
、同時に外囲器１から近い位置に曲げ位置をとって行う
ことができ、曲げ寸法も安定したものとなり、製造効率
を低下させたり、実装面積を多く必要とするようなこと
等がなくなる。
、同時に外囲器１から近い位置に曲げ位置をとって行う
ことができ、曲げ寸法も安定したものとなり、製造効率
を低下させたり、実装面積を多く必要とするようなこと
等がなくなる。
【００２４】次に、第２の実施例を図３及び図４により
説明する。図３は斜視図であり、図４はリ−ドフレ−ム
の平面図である。
説明する。図３は斜視図であり、図４はリ−ドフレ−ム
の平面図である。
【００２５】図において、１５は第１の実施例と同様に
外囲器１の側壁中間部から延出するように設けられた放
熱板で、これには外囲器１内に密封収納された半導体チ
ップ２が熱的に接続されている。放熱板１５は延出部分
１５ａがリ−ド３と曲げ位置を同じくして、２か所の略
直角の曲部１６ａ，１６ｂを持ってＳ字状に曲げられて
いる。そして放熱板１５の曲部１６ａ，１６ｂにはそれ
ぞれ曲げ頂部にリ−ド３と略同幅の５本の渡り部１７ａ
，１７ｂが形成されるように各４つの開孔部１８ａ，１
８ｂが形成されている。
外囲器１の側壁中間部から延出するように設けられた放
熱板で、これには外囲器１内に密封収納された半導体チ
ップ２が熱的に接続されている。放熱板１５は延出部分
１５ａがリ−ド３と曲げ位置を同じくして、２か所の略
直角の曲部１６ａ，１６ｂを持ってＳ字状に曲げられて
いる。そして放熱板１５の曲部１６ａ，１６ｂにはそれ
ぞれ曲げ頂部にリ−ド３と略同幅の５本の渡り部１７ａ
，１７ｂが形成されるように各４つの開孔部１８ａ，１
８ｂが形成されている。
【００２６】このように形成される本実施例の装置も、
第１の実施例と同様に同一の金属板にリ−ド３や放熱板
１５、開孔部１８ａ，１８ｂ等が形成されたリ−ドフレ
−ム１９を用いて作成される。本実施例の作成工程も第
１の実施例と同様、リ−ドフレ−ム１９に半導体チップ
２を接続した後、樹脂成形により外囲器１を形成する。
第１の実施例と同様に同一の金属板にリ−ド３や放熱板
１５、開孔部１８ａ，１８ｂ等が形成されたリ−ドフレ
−ム１９を用いて作成される。本実施例の作成工程も第
１の実施例と同様、リ−ドフレ−ム１９に半導体チップ
２を接続した後、樹脂成形により外囲器１を形成する。
【００２７】さらにリ−ド３及び放熱板１５を、延出部
分３ａ，１５ａの所定の位置で同時にＳ字状に曲げ加工
し、同じ工程においてリ−ド３及び放熱板１５を所定の
寸法、形状に成形し、それぞれを接続しているダムバ−
８を切落とす。
分３ａ，１５ａの所定の位置で同時にＳ字状に曲げ加工
し、同じ工程においてリ−ド３及び放熱板１５を所定の
寸法、形状に成形し、それぞれを接続しているダムバ−
８を切落とす。
【００２８】上記の本実施例においても第１の実施例と
同様の作用、効果を有すると共に、曲部１６ａ，１６ｂ
に必要とする最少限の開孔部１８ａ，１８ｂを形成する
ように成るため、放熱効果の低減を少なくすることがで
きる。
同様の作用、効果を有すると共に、曲部１６ａ，１６ｂ
に必要とする最少限の開孔部１８ａ，１８ｂを形成する
ように成るため、放熱効果の低減を少なくすることがで
きる。
【００２９】尚、本発明は上記の各実施例に限定される
ものではなく、要旨を逸脱しない範囲内で適宜変更して
実施し得るものである。
ものではなく、要旨を逸脱しない範囲内で適宜変更して
実施し得るものである。
【００３０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
は放熱板が曲部にリ−ドと略同幅の渡り部が形成される
ように開孔部を形成する構成としたことにより、次のよ
うな効果が得られる。即ち製造効率や実装効率を低下さ
せることなく、外囲器の割れや、外囲器と放熱板との界
面での剥離の発生を防止でき、回路破壊がない、経時的
にも安定した品質が得られる等の効果を奏する。
は放熱板が曲部にリ−ドと略同幅の渡り部が形成される
ように開孔部を形成する構成としたことにより、次のよ
うな効果が得られる。即ち製造効率や実装効率を低下さ
せることなく、外囲器の割れや、外囲器と放熱板との界
面での剥離の発生を防止でき、回路破壊がない、経時的
にも安定した品質が得られる等の効果を奏する。
【図１】本発明の第１の実施例を示す斜視図である。
【図２】第１の実施例に係わるリ−ドフレ−ムの平面図
である。
である。
【図３】本発明の第２の実施例を示す斜視図である。
【図４】第２の実施例に係わるリ−ドフレ−ムの平面図
である。
である。
【図５】従来例を示す斜視図である。
【図６】従来例に係わるリ−ドフレ−ムの平面図である
。
。
１…外囲器
２…半導体チップ
３…リ−ド
３ａ…リ−ドの延出部分
１０…放熱板
１０ａ…放熱板の延出部分
１１…開孔部
１２…渡り部
１３ａ，１３ｂ…放熱板の曲部
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体チップを収納して樹脂成形され
た外囲器と、この外囲器内で前記半導体チップに電気的
に接続したリ−ド及びこのリ−ドより広幅に形成され前
記半導体チップに熱的に接続した放熱板とを備え、前記
リ−ド及び放熱板の前記外囲器からのそれぞれの延出部
分に曲部が設けられてなるものにおいて、前記放熱板は
前記曲部に前記リ−ドと略同幅の渡り部が形成されるよ
うに開孔部が形成されていることを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2414445A JPH04225268A (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2414445A JPH04225268A (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04225268A true JPH04225268A (ja) | 1992-08-14 |
Family
ID=18522923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2414445A Pending JPH04225268A (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04225268A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996001524A1 (fr) * | 1994-07-04 | 1996-01-18 | Seiko Epson Corporation | Oscillateur piezo-electrique |
| US6165818A (en) * | 1997-05-21 | 2000-12-26 | Nec Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device with a pair of radiating terminals and a plurality of lead terminals formed from a single lead frame |
| JP2015090960A (ja) * | 2013-11-07 | 2015-05-11 | 株式会社デンソー | 半導体パッケージ |
Citations (3)
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| JPS6180842A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-24 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS62206868A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-11 | Hitachi Ltd | 電子装置 |
| JPH03105958A (ja) * | 1989-09-19 | 1991-05-02 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
-
1990
- 1990-12-26 JP JP2414445A patent/JPH04225268A/ja active Pending
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