JPH04225575A - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
- Publication number
- JPH04225575A JPH04225575A JP2408124A JP40812490A JPH04225575A JP H04225575 A JPH04225575 A JP H04225575A JP 2408124 A JP2408124 A JP 2408124A JP 40812490 A JP40812490 A JP 40812490A JP H04225575 A JPH04225575 A JP H04225575A
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- JP
- Japan
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- metal electrode
- films
- substrate
- film
- electrode film
- Prior art date
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- Pending
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上の金属電極膜に
リード線接続部を備えた光起電力装置に関するものであ
る。
リード線接続部を備えた光起電力装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、化合物半導体太陽電池に代表され
る光起電力装置は、主にガラス基板上に半導体膜，金属
電極膜を順次積層して形成される光起電力装置が主流と
なってきている。従来、この種の光起電力装置は、図４
および図５に示すような構成であった。これらの図にお
いて、１はガラス等を用いた基板であり、２ａ，２ｂは
、光電変換層である半導体膜であり、一般にはｎ型およ
びｐ型半導体層の二層からなっている。また３ａ，３ｂ
は半導体膜２ａ，２ｂおよび基板１の上に形成された金
属電極膜であり、半導体膜２ａ，２ｂとオーミックコン
タクト可能な材料を含む導電性のペーストを塗布して形
成される。
る光起電力装置は、主にガラス基板上に半導体膜，金属
電極膜を順次積層して形成される光起電力装置が主流と
なってきている。従来、この種の光起電力装置は、図４
および図５に示すような構成であった。これらの図にお
いて、１はガラス等を用いた基板であり、２ａ，２ｂは
、光電変換層である半導体膜であり、一般にはｎ型およ
びｐ型半導体層の二層からなっている。また３ａ，３ｂ
は半導体膜２ａ，２ｂおよび基板１の上に形成された金
属電極膜であり、半導体膜２ａ，２ｂとオーミックコン
タクト可能な材料を含む導電性のペーストを塗布して形
成される。
【０００３】上記構成において、リード線７ａ，７ｂは
、金属電極膜３ａ，３ｂに直接はんだ付けされるか、図
４に示すように金属電極膜３ａ，３ｂの上に形成された
銅などのはんだ付けの容易な膜５ａ，５ｂの上にはんだ
付けされるか、または図５に示すようにヒートシールコ
ネクタ８ａ，８ｂにより金属電極膜３ａ，３ｂに直接取
り付けられる。
、金属電極膜３ａ，３ｂに直接はんだ付けされるか、図
４に示すように金属電極膜３ａ，３ｂの上に形成された
銅などのはんだ付けの容易な膜５ａ，５ｂの上にはんだ
付けされるか、または図５に示すようにヒートシールコ
ネクタ８ａ，８ｂにより金属電極膜３ａ，３ｂに直接取
り付けられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら一般に、
基板１と金属電極膜３ａ，３ｂおよびはんだ６ａ，６ｂ
の熱膨張係数は大きく異なる。一例として、基板に用い
られるほうけい酸ガラスの熱膨張係数は５．２×１０−
６／℃であり、一方すず５０％鉛５０％組成のはんだの
熱膨張係数は２３．４×１０−６／℃である。
基板１と金属電極膜３ａ，３ｂおよびはんだ６ａ，６ｂ
の熱膨張係数は大きく異なる。一例として、基板に用い
られるほうけい酸ガラスの熱膨張係数は５．２×１０−
６／℃であり、一方すず５０％鉛５０％組成のはんだの
熱膨張係数は２３．４×１０−６／℃である。
【０００５】従って、このような従来の構成では、周辺
気温等の変化に伴う光起電力装置の温度変化により、基
板１と金属電極膜３ａ，３ｂの界面に応力を生じ、基板
１と金属電極膜３ａ，３ｂの剥離、および基板と金属電
極膜の剥離に伴うリード線７ａ，７ｂの脱落が発生する
という問題点があった。
気温等の変化に伴う光起電力装置の温度変化により、基
板１と金属電極膜３ａ，３ｂの界面に応力を生じ、基板
１と金属電極膜３ａ，３ｂの剥離、および基板と金属電
極膜の剥離に伴うリード線７ａ，７ｂの脱落が発生する
という問題点があった。
【０００６】本発明は、上記課題を解決するもので、周
辺気温の変化の激しい環境下においても、金属電極膜の
剥離によるリード線やヒートシールコネクタの脱落が発
生しない優れた光起電力装置を提供するものである。
辺気温の変化の激しい環境下においても、金属電極膜の
剥離によるリード線やヒートシールコネクタの脱落が発
生しない優れた光起電力装置を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、基板と金属電極膜のリード線接続部との
間に樹脂膜を介在させたものである。
成するために、基板と金属電極膜のリード線接続部との
間に樹脂膜を介在させたものである。
【０００８】
【作用】本発明は上記の構成により、基板と金属電極膜
との間に樹脂膜を介在させているので、基板と金属電極
膜との界面に生じる応力を前記樹脂膜で吸収させ、金属
電極膜の剥離によるリード線やヒートシールコネクタの
脱落を防止することができる。
との間に樹脂膜を介在させているので、基板と金属電極
膜との界面に生じる応力を前記樹脂膜で吸収させ、金属
電極膜の剥離によるリード線やヒートシールコネクタの
脱落を防止することができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図１，図２
および図３を参照しながら説明する。
および図３を参照しながら説明する。
【００１０】本発明の実施例における光起電力装置の斜
視図を図１に、その断面図を図２に示す。光電変換層と
なる半導体膜はガラス基板１１上に、ＣｄＳ膜，ＣｄＴ
ｅ膜，カーボン膜を順次塗布し、焼結して形成される。 １２ａはＣｄＳ膜であり、１２ｂはＣｄＴｅ膜およびＣ
ｄＴｅとオーミック接触するカーボン膜からなる。１３
ａは金属電極膜であり、ＣｄＳ膜１２ａおよび樹脂膜１
４ａの上に、ＣｄＳ膜とオーミック接触可能な材料であ
るインジウムを含む導電性のペーストを塗布して形成し
た。１３ｂは金属電極膜であり、ＣｄＴｅとカーボンか
らなる膜１２ｂおよび樹脂膜１４ｂの上に、導電性のペ
ーストを塗布して形成した。なお、金属電極膜１３ａ，
１３ｂを形成すると同時に複数の太陽電池を直列あるい
は並列に接続するために、金属電極膜１３ｂの材料組成
を金属電極膜１３ａの材料組成と同一にしてもよい。
視図を図１に、その断面図を図２に示す。光電変換層と
なる半導体膜はガラス基板１１上に、ＣｄＳ膜，ＣｄＴ
ｅ膜，カーボン膜を順次塗布し、焼結して形成される。 １２ａはＣｄＳ膜であり、１２ｂはＣｄＴｅ膜およびＣ
ｄＴｅとオーミック接触するカーボン膜からなる。１３
ａは金属電極膜であり、ＣｄＳ膜１２ａおよび樹脂膜１
４ａの上に、ＣｄＳ膜とオーミック接触可能な材料であ
るインジウムを含む導電性のペーストを塗布して形成し
た。１３ｂは金属電極膜であり、ＣｄＴｅとカーボンか
らなる膜１２ｂおよび樹脂膜１４ｂの上に、導電性のペ
ーストを塗布して形成した。なお、金属電極膜１３ａ，
１３ｂを形成すると同時に複数の太陽電池を直列あるい
は並列に接続するために、金属電極膜１３ｂの材料組成
を金属電極膜１３ａの材料組成と同一にしてもよい。
【００１１】本発明の特徴は、前記基板１１と金属電極
膜１３ａ，１３ｂの間に樹脂膜１４ａ，１４ｂを介在さ
せたことであり、本実施例においては、樹脂膜１４ａ，
１４ｂとしてエポキシ樹脂をガラス基板１１の上に塗布
して形成した。
膜１３ａ，１３ｂの間に樹脂膜１４ａ，１４ｂを介在さ
せたことであり、本実施例においては、樹脂膜１４ａ，
１４ｂとしてエポキシ樹脂をガラス基板１１の上に塗布
して形成した。
【００１２】上記の構成において、リード線１７ａ，１
７ｂは、金属電極膜１３ａ，１３ｂに直接はんだ付けさ
れるか、図１に示すように金属電極膜１３ａ，１３ｂの
上に形成された銅などのはんだ付けの容易な膜１５ａ，
１５ｂの上にはんだ付けされるか、または、図３に示す
ように、ヒートシールコネクタ１８ａ，１８ｂ等により
金属電極膜１３ａ，１３ｂに直接取り付けられる。
７ｂは、金属電極膜１３ａ，１３ｂに直接はんだ付けさ
れるか、図１に示すように金属電極膜１３ａ，１３ｂの
上に形成された銅などのはんだ付けの容易な膜１５ａ，
１５ｂの上にはんだ付けされるか、または、図３に示す
ように、ヒートシールコネクタ１８ａ，１８ｂ等により
金属電極膜１３ａ，１３ｂに直接取り付けられる。
【００１３】以上のような構成からなる光起電力装置に
おいては、基板１１と金属電極膜１３ａ，１３ｂおよび
はんだ１６ａ，１６ｂの熱膨張係数の違いにより基板１
１と金属電極膜１３ａ，１３ｂの界面に生じる応力は、
樹脂膜１４ａ，１４ｂにおいて吸収されるので、金属電
極膜の剥離によるリード線やヒートシールコネクタの脱
落を防止することができる。
おいては、基板１１と金属電極膜１３ａ，１３ｂおよび
はんだ１６ａ，１６ｂの熱膨張係数の違いにより基板１
１と金属電極膜１３ａ，１３ｂの界面に生じる応力は、
樹脂膜１４ａ，１４ｂにおいて吸収されるので、金属電
極膜の剥離によるリード線やヒートシールコネクタの脱
落を防止することができる。
【００１４】
【発明の効果】以上の実施例から明らかなように、本発
明では、基板と金属電極膜のリード線接続部との間に樹
脂膜を介在させたことにより、基板と金属電極膜の界面
に生じる応力は樹脂層において吸収されるため、周辺気
温の変化の激しい環境下においても、金属電極膜の剥離
によるリード線やヒートシールコネクタの脱落が発生し
ない極めて信頼性の優れた光起電力装置を提供すること
ができるものである。
明では、基板と金属電極膜のリード線接続部との間に樹
脂膜を介在させたことにより、基板と金属電極膜の界面
に生じる応力は樹脂層において吸収されるため、周辺気
温の変化の激しい環境下においても、金属電極膜の剥離
によるリード線やヒートシールコネクタの脱落が発生し
ない極めて信頼性の優れた光起電力装置を提供すること
ができるものである。
【図１】本発明の第１の実施例における光起電力装置の
斜視図
斜視図
【図２】本発明の第１の実施例における光起電力装置の
断面図
断面図
【図３】本発明の第２の実施例における光起電力装置の
斜視図
斜視図
【図４】従来の光起電力装置の斜視図
【図５】従来の光起電力装置の斜視図
１ ガラス基板
２ａ，２ｂ 半導体膜
３ａ，３ｂ 金属電極膜
６ａ，６ｂ はんだ
７ａ，７ｂ リード線
１１ ガラス基板
１２ａ，１２ｂ 半導体膜
１３ａ，１３ｂ 金属電極膜
１４ａ，１４ｂ 樹脂膜
１６ａ，１６ｂ はんだ
１７ａ，１７ｂ リード線
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に半導体膜，金属電極膜を順次積層
形成した光起電力装置において、前記金属電極膜はリー
ド線接続部を備え、前記基板と金属電極膜のリード線接
続部との間に、樹脂膜を介在させた光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2408124A JPH04225575A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2408124A JPH04225575A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 光起電力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04225575A true JPH04225575A (ja) | 1992-08-14 |
Family
ID=18517618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2408124A Pending JPH04225575A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04225575A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002353378A (ja) * | 2001-05-22 | 2002-12-06 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2004146817A (ja) * | 2002-10-03 | 2004-05-20 | Daido Steel Co Ltd | 太陽電池セルの電極構造 |
| WO2012130070A1 (en) * | 2011-03-29 | 2012-10-04 | Shenzhen Byd Auto R&D Company Limited | Solar battery and method of manufacturing the same |
| CN102810573A (zh) * | 2011-05-30 | 2012-12-05 | 比亚迪股份有限公司 | 一种CdTe太阳能电池及其制作方法 |
-
1990
- 1990-12-27 JP JP2408124A patent/JPH04225575A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002353378A (ja) * | 2001-05-22 | 2002-12-06 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2004146817A (ja) * | 2002-10-03 | 2004-05-20 | Daido Steel Co Ltd | 太陽電池セルの電極構造 |
| WO2012130070A1 (en) * | 2011-03-29 | 2012-10-04 | Shenzhen Byd Auto R&D Company Limited | Solar battery and method of manufacturing the same |
| CN102723384A (zh) * | 2011-03-29 | 2012-10-10 | 比亚迪股份有限公司 | 一种CdTe太阳能电池及其制作方法 |
| CN102810573A (zh) * | 2011-05-30 | 2012-12-05 | 比亚迪股份有限公司 | 一种CdTe太阳能电池及其制作方法 |
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