JPH04226018A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04226018A JPH04226018A JP3119105A JP11910591A JPH04226018A JP H04226018 A JPH04226018 A JP H04226018A JP 3119105 A JP3119105 A JP 3119105A JP 11910591 A JP11910591 A JP 11910591A JP H04226018 A JPH04226018 A JP H04226018A
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- Japan
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- cycle
- substrate
- epitaxial growth
- semiconductor device
- manufacturing
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/29—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by the substrates
- H10P14/2901—Materials
- H10P14/2907—Materials being Group IIIA-VA materials
- H10P14/2911—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3414—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being group IIIA-VIA materials
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各サイクル当り周期律
表のＩＩＩ 族に属する元素アルミニウム、ガリウムお
よびインジウムのうちの少なくとも１つの元素の１つの
単原子層と周期律表のＶ族に属する元素窒素、燐、砒素
及びアンチモンのうちの少なくとも１つの元素の１つの
単原子層とを順次に形成する複数のサイクルを有する処
理を少なくとも部分的に行なう気相からのエピタキシア
ル成長を単結晶基板の表面上に行なうことにより半導体
装置を製造する方法に関するものである。
表のＩＩＩ 族に属する元素アルミニウム、ガリウムお
よびインジウムのうちの少なくとも１つの元素の１つの
単原子層と周期律表のＶ族に属する元素窒素、燐、砒素
及びアンチモンのうちの少なくとも１つの元素の１つの
単原子層とを順次に形成する複数のサイクルを有する処
理を少なくとも部分的に行なう気相からのエピタキシア
ル成長を単結晶基板の表面上に行なうことにより半導体
装置を製造する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】上述した方法で砒化ガリウム及び砒化ア
ルミニウムガリウムの層を成長させることは１９８６年
９月２９日発行の“Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔ
ｔ． ４９（１３）” の第 ７８５〜 ７８７頁の論
文（Ａ． ドイ， Ｙ．アオヤギ及びＳ．ナンバ氏著）
に記載されており既知である。この論文によれば、単原
子ガリウム層を形成する表面をレーザ照射することによ
り良好な原子層の成長を促進しうる。
ルミニウムガリウムの層を成長させることは１９８６年
９月２９日発行の“Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔ
ｔ． ４９（１３）” の第 ７８５〜 ７８７頁の論
文（Ａ． ドイ， Ｙ．アオヤギ及びＳ．ナンバ氏著）
に記載されており既知である。この論文によれば、単原
子ガリウム層を形成する表面をレーザ照射することによ
り良好な原子層の成長を促進しうる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしこの方法の場合
、レーザ照射を用いる際の実際的な理由で、エピタキシ
アル成長を行なう表面積が著しく制限されるという欠点
がある。又、レーザ照射中温度が一時的に高くなる為、
固相中に不所望な拡散が生じるおそれがある。又、気相
中にＩＩＩ 族元素の一種以上の化合物が存在する中で
レーザを照射すると、早期解離が生じ、ＩＩＩ 族元素
より成る２つ以上の単原子層が１サイクル中に形成され
るおそれがあるという欠点を生じる。本発明の目的は特
に上述した欠点を少なくとも可成りの程度回避すること
にある。
、レーザ照射を用いる際の実際的な理由で、エピタキシ
アル成長を行なう表面積が著しく制限されるという欠点
がある。又、レーザ照射中温度が一時的に高くなる為、
固相中に不所望な拡散が生じるおそれがある。又、気相
中にＩＩＩ 族元素の一種以上の化合物が存在する中で
レーザを照射すると、早期解離が生じ、ＩＩＩ 族元素
より成る２つ以上の単原子層が１サイクル中に形成され
るおそれがあるという欠点を生じる。本発明の目的は特
に上述した欠点を少なくとも可成りの程度回避すること
にある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、各サイクル当
り周期律表のＩＩＩ 族に属する元素アルミニウム、ガ
リウムおよびインジウムのうちの少なくとも１つの元素
の１つの単原子層と周期律表のＶ族に属する元素窒素、
燐、砒素及びアンチモンのうちの少なくとも１つの元素
の１つの単原子層とを順次に形成する複数のサイクルを
有する処理を少なくとも部分的に行なう気相からのエピ
タキシアル成長を単結晶基板の表面上に行なうことによ
り半導体装置を製造するに当り、各サイクルの一部分中
に、特に気相がＩＩＩ 族の元素の化合物を含まない部
分中に原子水素を基板の表面に送給することを特徴とす
る。
り周期律表のＩＩＩ 族に属する元素アルミニウム、ガ
リウムおよびインジウムのうちの少なくとも１つの元素
の１つの単原子層と周期律表のＶ族に属する元素窒素、
燐、砒素及びアンチモンのうちの少なくとも１つの元素
の１つの単原子層とを順次に形成する複数のサイクルを
有する処理を少なくとも部分的に行なう気相からのエピ
タキシアル成長を単結晶基板の表面上に行なうことによ
り半導体装置を製造するに当り、各サイクルの一部分中
に、特に気相がＩＩＩ 族の元素の化合物を含まない部
分中に原子水素を基板の表面に送給することを特徴とす
る。
【０００５】本発明は、特に、原子水素を用いることに
より、ＩＩＩ 族の前記の元素、例えばガリウムの化合
物の解離がこの化合物の供給中に気相中及び表面上の双
方で生じない程度に低い温度を選択することができ、一
方、原子水素を供給するサイクルの一部分とは異なるサ
イクルの一部分中に前記のＩＩＩ 族の元素への変換が
行われる為、このＩＩＩ 族の元素の堆積が単原子層に
限定されるという認識を基に成したものである。本発明
の方法によれば、固相中の拡散が行われる一時的な温度
の上昇を生ぜしめることなく、広い温度範囲で大きな基
板表面上にエピタキシアル成長を行なうことができると
いう利点が得られる。単原子層としてはガリウム及び砒
素の単原子層を選択するのが好ましい。この場合、各サ
イクルの処理を４００ 〜 ５００℃の温度で行なう。
より、ＩＩＩ 族の前記の元素、例えばガリウムの化合
物の解離がこの化合物の供給中に気相中及び表面上の双
方で生じない程度に低い温度を選択することができ、一
方、原子水素を供給するサイクルの一部分とは異なるサ
イクルの一部分中に前記のＩＩＩ 族の元素への変換が
行われる為、このＩＩＩ 族の元素の堆積が単原子層に
限定されるという認識を基に成したものである。本発明
の方法によれば、固相中の拡散が行われる一時的な温度
の上昇を生ぜしめることなく、広い温度範囲で大きな基
板表面上にエピタキシアル成長を行なうことができると
いう利点が得られる。単原子層としてはガリウム及び砒
素の単原子層を選択するのが好ましい。この場合、各サ
イクルの処理を４００ 〜 ５００℃の温度で行なう。
【０００６】
【実施例】本発明は、単結晶基板２の表面１上に気相か
らエピタキシアル成長を行なう半導体装置の製造方法に
関するものである（図１参照）。このエピタキシアル成
長は少なくとも一部で数サイクルを有する処理より成っ
ており、各サイクルに対し、周期律表のＩＩＩ 族に属
する元素のアルミニウム、ガリウム及びインジウムのう
ちの少なくとも１つの元素より成る１つの単原子層２１
（図２参照）と、周期律表のＶ族に属する元素の窒素、
燐、砒素及びアンチモンのうちの少なくとも１つの元素
より成る１つの単原子層２２とを交互に形成する。本発
明により各サイクルの一部分中、特に気相がＩＩＩ 族
の元素の化合物を含まない部分中に原子水素を基板２の
表面に導びけば、エピタキシアル成長を比較的大きな表
面積の基板２上に行なうことができる。
らエピタキシアル成長を行なう半導体装置の製造方法に
関するものである（図１参照）。このエピタキシアル成
長は少なくとも一部で数サイクルを有する処理より成っ
ており、各サイクルに対し、周期律表のＩＩＩ 族に属
する元素のアルミニウム、ガリウム及びインジウムのう
ちの少なくとも１つの元素より成る１つの単原子層２１
（図２参照）と、周期律表のＶ族に属する元素の窒素、
燐、砒素及びアンチモンのうちの少なくとも１つの元素
より成る１つの単原子層２２とを交互に形成する。本発
明により各サイクルの一部分中、特に気相がＩＩＩ 族
の元素の化合物を含まない部分中に原子水素を基板２の
表面に導びけば、エピタキシアル成長を比較的大きな表
面積の基板２上に行なうことができる。
【０００７】本発明による方法は例えば図１に示す装置
内で行なう。この装置（反応器）は誘導加熱されるシリ
コン支持台４（直径＝３２ｍｍ）を有する石英管３より
成る。反応器内には内径が８ｍｍの石英管５（以後プラ
ズマ管と称する）を挿入し、マイクロ波発生器（マイク
ロトロン２００；２．４５ＧＨｚ； ２００Ｗ）により
このプラズマ管中にプラズマ１１を発生しうるようにす
る。（このプラズマ中に水素、すなわち原子水素を流し
た場合に）このプラズマ中で形成された反応性粒子はプ
ラズマ管中を流れ支持台４上の基板２の表面１に直接供
給される。このプラズマ管中では希ガスから水素への及
びその逆の切換えが迅速に行えうるように装置を設計す
る。基部は砒化ガリウム基板２（住友社製、配向〔００
１ 〕２°ｏｆｆ．（１１０） ±０．５０°、Ｎ型、
Ｓｉドーピング濃度１．０ 〜４．０ ・１０１８ｃｍ
−３、エッチングピット密度≦２．０ ・１０３ｃｍ２
） を以って構成し、この基板を通常の方法で清浄とす
る。
内で行なう。この装置（反応器）は誘導加熱されるシリ
コン支持台４（直径＝３２ｍｍ）を有する石英管３より
成る。反応器内には内径が８ｍｍの石英管５（以後プラ
ズマ管と称する）を挿入し、マイクロ波発生器（マイク
ロトロン２００；２．４５ＧＨｚ； ２００Ｗ）により
このプラズマ管中にプラズマ１１を発生しうるようにす
る。（このプラズマ中に水素、すなわち原子水素を流し
た場合に）このプラズマ中で形成された反応性粒子はプ
ラズマ管中を流れ支持台４上の基板２の表面１に直接供
給される。このプラズマ管中では希ガスから水素への及
びその逆の切換えが迅速に行えうるように装置を設計す
る。基部は砒化ガリウム基板２（住友社製、配向〔００
１ 〕２°ｏｆｆ．（１１０） ±０．５０°、Ｎ型、
Ｓｉドーピング濃度１．０ 〜４．０ ・１０１８ｃｍ
−３、エッチングピット密度≦２．０ ・１０３ｃｍ２
） を以って構成し、この基板を通常の方法で清浄とす
る。
【０００８】ガリウム層２１及び砒素層２２に対する成
長成分はそれぞれトリメチルガリウム（Ｇａ（ＣＨ３）
３） 及びアルシン（ＡｓＨ３）であり、これらは通常
双方共キャリヤーガスとしての精製水素中に含ませる。 これらは反応器の上部の個所６及び７から導入し、いず
れもプラズマ中を通さない。主流の水素は個所９から導
入し、これもプラズマ中を通さない。基板が支持台４上
に置かれると、反応器を２３トルの圧力にし、支持台を
４０ｒｐｍ の速度で回転させ、水素によるフラッシン
グを２ｓｌｍ（標準リットル／分）で約３０分間行なう
。
長成分はそれぞれトリメチルガリウム（Ｇａ（ＣＨ３）
３） 及びアルシン（ＡｓＨ３）であり、これらは通常
双方共キャリヤーガスとしての精製水素中に含ませる。 これらは反応器の上部の個所６及び７から導入し、いず
れもプラズマ中を通さない。主流の水素は個所９から導
入し、これもプラズマ中を通さない。基板が支持台４上
に置かれると、反応器を２３トルの圧力にし、支持台を
４０ｒｐｍ の速度で回転させ、水素によるフラッシン
グを２ｓｌｍ（標準リットル／分）で約３０分間行なう
。
【０００９】１サイクルでは以下の処理パラメータを用
いる。 ａ） 永続的な主流９を１２５０ｓｃｃｍの水素とす
る。 ｂ） プラズマ管を流れるガス流１０を１１７０ｓｃ
ｃｍの水素とする場合で原子水素を必要とする場合を除
いて、このガス流１０を９６０ｓｃｃｍ のヘリウムと
する。 ｃ） 反応器中のＡｓＨ３の分圧を０．１１トル（Ａ
ｓＨ３ モル流量＝ ５１８・１０−６モル／分）とす
る。 ｄ） Ｇａ（ＣＨ３）３ の分圧を０．０１１ トル（
Ｇａ（ＣＨ３）３ モル流量＝５１・１０−６モル／分
）とする。 支持台を４４０ ℃の成長温度にし、プラズマ１１を発
生させる。このプラズマにヘリウムを流す。マイクロ波
発生空間を圧縮空気８で冷却する。１サイクルは以下の
工程を有する。 １． ＡｓＨ３を２秒供給する。 ２． 水素流９及びヘリウム流１０によるフラッシン
グを１５秒行なう。 ３． Ｇａ（ＣＨ３）３を６秒供給する。 ４． 水素流９及びヘリウム流１０によるフラッシン
グを２０秒行なう。 ５． 流れ１０を水素流としてＨ（原子水素）を３秒
供給する。 ６． 水素流９及びヘリウム流１０によるフラッシン
グを３秒行なう。 このサイクルの持続時間の合計は４９秒であり、従って
２００サイクルに対する全成長時間は約２．４５時間
である。２００ 個の層の全厚さは５６．６ｎｍである
。
いる。 ａ） 永続的な主流９を１２５０ｓｃｃｍの水素とす
る。 ｂ） プラズマ管を流れるガス流１０を１１７０ｓｃ
ｃｍの水素とする場合で原子水素を必要とする場合を除
いて、このガス流１０を９６０ｓｃｃｍ のヘリウムと
する。 ｃ） 反応器中のＡｓＨ３の分圧を０．１１トル（Ａ
ｓＨ３ モル流量＝ ５１８・１０−６モル／分）とす
る。 ｄ） Ｇａ（ＣＨ３）３ の分圧を０．０１１ トル（
Ｇａ（ＣＨ３）３ モル流量＝５１・１０−６モル／分
）とする。 支持台を４４０ ℃の成長温度にし、プラズマ１１を発
生させる。このプラズマにヘリウムを流す。マイクロ波
発生空間を圧縮空気８で冷却する。１サイクルは以下の
工程を有する。 １． ＡｓＨ３を２秒供給する。 ２． 水素流９及びヘリウム流１０によるフラッシン
グを１５秒行なう。 ３． Ｇａ（ＣＨ３）３を６秒供給する。 ４． 水素流９及びヘリウム流１０によるフラッシン
グを２０秒行なう。 ５． 流れ１０を水素流としてＨ（原子水素）を３秒
供給する。 ６． 水素流９及びヘリウム流１０によるフラッシン
グを３秒行なう。 このサイクルの持続時間の合計は４９秒であり、従って
２００サイクルに対する全成長時間は約２．４５時間
である。２００ 個の層の全厚さは５６．６ｎｍである
。
【００１０】水素をプラズマを通して流す工程５を除い
てサイクル全体に亘ってヘリウムをプラズマを通して流
す。成長が終了したらプラズマを消滅させる。本発明の
方法によれば、層の厚さを特に良好に制御できるととも
にこの層の厚さを極めて均一にすることができる。本発
明による方法は例えば均一な量子井戸を製造するのに極
めて適している。本発明は上述した実施例に限定される
ものではなく種々に変更を加えうること勿論である。例
えば、砒化ガリウムの層の代わりに単原子層より成る砒
化アルミニウム又は砒化アルミニウムガリウムの層を用
いることができる。更に、エピタキシアル成長処理中、
１サイクル当りの組成を変えたり、或いは１μｍ 程度
の厚さを有する層を成長させる通常のエピタキシアル成
長処理に多サイクル成長の全処理を含めることができる
。
てサイクル全体に亘ってヘリウムをプラズマを通して流
す。成長が終了したらプラズマを消滅させる。本発明の
方法によれば、層の厚さを特に良好に制御できるととも
にこの層の厚さを極めて均一にすることができる。本発
明による方法は例えば均一な量子井戸を製造するのに極
めて適している。本発明は上述した実施例に限定される
ものではなく種々に変更を加えうること勿論である。例
えば、砒化ガリウムの層の代わりに単原子層より成る砒
化アルミニウム又は砒化アルミニウムガリウムの層を用
いることができる。更に、エピタキシアル成長処理中、
１サイクル当りの組成を変えたり、或いは１μｍ 程度
の厚さを有する層を成長させる通常のエピタキシアル成
長処理に多サイクル成長の全処理を含めることができる
。
【図１】本発明による方法を実施する装置の一部を示す
線図的断面図である。
線図的断面図である。
【図２】本発明による方法のある一製造工程における半
導体装置の一部を示す線図的断面図である。
導体装置の一部を示す線図的断面図である。
１ 基板の表面
２ 基板
３ 石英管
４ シリコン支持台
５ 石英管（プラズマ管）
８ 圧縮空気
９ 水素流
１０ ヘリウム流又は水素流
１１ プラズマ
２１ ガリウム層
２２ 砒素層
Claims (3)
- 【請求項１】 各サイクル当り周期律表のＩＩＩ 族
に属する元素アルミニウム、ガリウムおよびインジウム
のうちの少なくとも１つの元素の１つの単原子層と周期
律表のＶ族に属する元素窒素、燐、砒素及びアンチモン
のうちの少なくとも１つの元素の１つの単原子層とを順
次に形成する複数のサイクルを有する処理を少なくとも
部分的に行なう気相からのエピタキシアル成長を単結晶
基板の表面上に行なうことにより半導体装置を製造する
に当り、各サイクルの一部分中に、特に気相がＩＩＩ
族の元素の化合物を含まない部分中に原子水素を基板の
表面に送給することを特徴とする半導体装置の製造方法
。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体装置の製造方
法において、単原子層としてガリウム及び砒素の単原子
層を選択することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項２に記載の半導体装置の製造方
法において、各サイクルの処理を４００ 〜 ５００℃
の温度で行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法
。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL9000973A NL9000973A (nl) | 1990-04-24 | 1990-04-24 | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. |
| NL9000973 | 1990-04-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04226018A true JPH04226018A (ja) | 1992-08-14 |
Family
ID=19856992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3119105A Pending JPH04226018A (ja) | 1990-04-24 | 1991-04-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5178718A (ja) |
| EP (1) | EP0454237B1 (ja) |
| JP (1) | JPH04226018A (ja) |
| DE (1) | DE69116592T2 (ja) |
| NL (1) | NL9000973A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3223575B2 (ja) * | 1992-06-02 | 2001-10-29 | 三菱化学株式会社 | 化合物半導体とその製造方法 |
| JP3445653B2 (ja) * | 1994-03-23 | 2003-09-08 | 士郎 酒井 | 発光素子 |
| TW456052B (en) * | 1995-11-14 | 2001-09-21 | Sumitomo Chemical Co | Process for producing group III-V compound semiconductor |
| US6004881A (en) * | 1997-04-24 | 1999-12-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Digital wet etching of semiconductor materials |
| US6818533B2 (en) * | 2002-05-09 | 2004-11-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Epitaxial plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method providing epitaxial layer with attenuated defects |
| JP6702268B2 (ja) * | 2017-06-15 | 2020-05-27 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
| CN113097057A (zh) * | 2021-03-31 | 2021-07-09 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 外延生长方法、外延结构及光电器件 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL295293A (ja) * | 1962-07-13 | |||
| US3218205A (en) * | 1962-07-13 | 1965-11-16 | Monsanto Co | Use of hydrogen halide and hydrogen in separate streams as carrier gases in vapor deposition of iii-v compounds |
| US4368098A (en) * | 1969-10-01 | 1983-01-11 | Rockwell International Corporation | Epitaxial composite and method of making |
| US4062706A (en) * | 1976-04-12 | 1977-12-13 | Robert Arthur Ruehrwein | Process for III-V compound epitaxial crystals utilizing inert carrier gas |
| JPS5957416A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-03 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 化合物半導体層の形成方法 |
| DE3381302D1 (de) * | 1982-12-16 | 1990-04-12 | Fujitsu Ltd | Herstellung eines halbleiterbauelementes mittels molekularstrahlepitaxie. |
| DE3437120A1 (de) * | 1984-10-10 | 1986-04-10 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zum herstellen von halbleiterschichten auf halbleiterkoerpern oder zur eindiffusion von stoerstellen im halbleiterkoerper |
| FR2595509B1 (fr) * | 1986-03-07 | 1988-05-13 | Thomson Csf | Composant en materiau semiconducteur epitaxie sur un substrat a parametre de maille different et application a divers composants en semiconducteurs |
| US4767494A (en) * | 1986-07-04 | 1988-08-30 | Nippon Telegraph & Telephone Corporation | Preparation process of compound semiconductor |
| US5373171A (en) * | 1987-03-12 | 1994-12-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Thin film single crystal substrate |
| JPH01204411A (ja) * | 1988-02-09 | 1989-08-17 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-04-24 NL NL9000973A patent/NL9000973A/nl not_active Application Discontinuation
-
1991
- 1991-04-03 US US07/679,973 patent/US5178718A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-04-19 EP EP91200936A patent/EP0454237B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-04-19 DE DE69116592T patent/DE69116592T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-04-24 JP JP3119105A patent/JPH04226018A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69116592D1 (de) | 1996-03-07 |
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