JPH04226029A - Ｃｖｄチャンバに導入されるプロセスガスをｃｖｄチャンバへの導入前に濾過するための装置 - Google Patents
Ｃｖｄチャンバに導入されるプロセスガスをｃｖｄチャンバへの導入前に濾過するための装置Info
- Publication number
- JPH04226029A JPH04226029A JP2415603A JP41560390A JPH04226029A JP H04226029 A JPH04226029 A JP H04226029A JP 2415603 A JP2415603 A JP 2415603A JP 41560390 A JP41560390 A JP 41560390A JP H04226029 A JPH04226029 A JP H04226029A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- wafer
- refractory metal
- gas
- cvd chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/08—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metal halides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4402—Reduction of impurities in the source gas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/01—Manufacture or treatment
- H10D64/011—Manufacture or treatment of electrodes ohmically coupled to a semiconductor
- H10D64/0111—Manufacture or treatment of electrodes ohmically coupled to a semiconductor to Group IV semiconductors
- H10D64/0112—Manufacture or treatment of electrodes ohmically coupled to a semiconductor to Group IV semiconductors using conductive layers comprising silicides
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/40—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials
- H10P14/42—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials using a gas or vapour
- H10P14/43—Chemical deposition, e.g. chemical vapour deposition [CVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/40—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials
- H10P14/42—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials using a gas or vapour
- H10P14/43—Chemical deposition, e.g. chemical vapour deposition [CVD]
- H10P14/432—Chemical deposition, e.g. chemical vapour deposition [CVD] using selective deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
- H10W20/01—Manufacture or treatment
- H10W20/031—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections
- H10W20/032—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections of conductive barrier, adhesion or liner layers
- H10W20/033—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections of conductive barrier, adhesion or liner layers in openings in dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
- H10W20/01—Manufacture or treatment
- H10W20/031—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections
- H10W20/032—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections of conductive barrier, adhesion or liner layers
- H10W20/042—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections of conductive barrier, adhesion or liner layers the barrier, adhesion or liner layers being seed or nucleation layers
- H10W20/045—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections of conductive barrier, adhesion or liner layers the barrier, adhesion or liner layers being seed or nucleation layers for deposition from the gaseous phase, e.g. for chemical vapour deposition [CVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
- H10W20/01—Manufacture or treatment
- H10W20/031—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections
- H10W20/032—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections of conductive barrier, adhesion or liner layers
- H10W20/052—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections of conductive barrier, adhesion or liner layers by treatments not introducing additional elements therein
- H10W20/0526—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections of conductive barrier, adhesion or liner layers by treatments not introducing additional elements therein by thermal treatment thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
- H10W20/01—Manufacture or treatment
- H10W20/031—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections
- H10W20/056—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections by filling conductive material into holes, grooves or trenches
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
- H10W20/01—Manufacture or treatment
- H10W20/031—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections
- H10W20/056—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections by filling conductive material into holes, grooves or trenches
- H10W20/057—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections by filling conductive material into holes, grooves or trenches by selectively depositing, e.g. by using selective CVD or plating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10S156/916—Differential etching apparatus including chamber cleaning means or shield for preventing deposits
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/7722—Line condition change responsive valves
- Y10T137/7758—Pilot or servo controlled
- Y10T137/7761—Electrically actuated valve
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコンを用いた集積
回路に関し、特に耐火金属を用いて、シリコンに対する
電気的接触を達成するための改良された方法及び装置な
どに関する。
回路に関し、特に耐火金属を用いて、シリコンに対する
電気的接触を達成するための改良された方法及び装置な
どに関する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロエレクトロニクスの分野に於て
は、シリコンに対する電気的接続を達成する際に、アル
ミニウムなどからなる金属皮膜と、シリコンの部分との
間を、アルミニウムとシリコンとが直接接触することな
く導電性のインターフェースを介して接続したい場合が
しばしばあるが、アルミニウムをシリコン上に直接被着
した場合には種々の問題が発生し得る。
は、シリコンに対する電気的接続を達成する際に、アル
ミニウムなどからなる金属皮膜と、シリコンの部分との
間を、アルミニウムとシリコンとが直接接触することな
く導電性のインターフェースを介して接続したい場合が
しばしばあるが、アルミニウムをシリコン上に直接被着
した場合には種々の問題が発生し得る。
【０００３】アルミニウムをシリコン上に直接被着した
場合に生じる重要な問題の１つとしては、アルミニウム
がＰ型ドーパントとして機能し、アルミニウム原子がシ
リコン領域内に拡散すると、シリコン領域がＰ型不純物
によりドープされるという問題がある。これは、アルミ
ニウムがＮ型のシリコン領域に接触し、Ｐ型のアルミニ
ウム原子がシリコン領域内に拡散した場合には好ましく
ない整流能力を有する接触が引起されるために重要な問
題となる。
場合に生じる重要な問題の１つとしては、アルミニウム
がＰ型ドーパントとして機能し、アルミニウム原子がシ
リコン領域内に拡散すると、シリコン領域がＰ型不純物
によりドープされるという問題がある。これは、アルミ
ニウムがＮ型のシリコン領域に接触し、Ｐ型のアルミニ
ウム原子がシリコン領域内に拡散した場合には好ましく
ない整流能力を有する接触が引起されるために重要な問
題となる。
【０００４】もう１つの問題としては、アルミニウムが
薄いシリコン領域を貫通するような突起（スパイク）を
発生し易く、アルミニウムがシリコン領域の下側の層や
隣接するシリコン領域と接触してしまうことがある。
薄いシリコン領域を貫通するような突起（スパイク）を
発生し易く、アルミニウムがシリコン領域の下側の層や
隣接するシリコン領域と接触してしまうことがある。
【０００５】更に、もう１つの問題としてはシャドウ効
果がある。即ち、酸化膜がシリコン領域を露出させるよ
うにエッチングされ、酸化物の表面と露出シリコン領域
の間に比較的に大きな段差が存在することから、露出し
たシリコン領域の表面と酸化膜の壁面上にアルミニムが
不均一に被着されるという問題が発生する。そのために
、露出シリコン面或いは酸化膜壁面に対するアルミニウ
ムの被着が不十分となるため、本来導通するべきところ
が、非導通となってしまう虞れが生じる。
果がある。即ち、酸化膜がシリコン領域を露出させるよ
うにエッチングされ、酸化物の表面と露出シリコン領域
の間に比較的に大きな段差が存在することから、露出し
たシリコン領域の表面と酸化膜の壁面上にアルミニムが
不均一に被着されるという問題が発生する。そのために
、露出シリコン面或いは酸化膜壁面に対するアルミニウ
ムの被着が不十分となるため、本来導通するべきところ
が、非導通となってしまう虞れが生じる。
【０００６】集積回路が小型化するのに伴い、上記した
問題が益々深刻となる。しかも、反応温度が高まるに伴
い、アルミニウム原子のシリコン内の拡散が促進されこ
とから、高い反応温度が用いられる場合にも上記した問
題が益々深刻となる。更に、長期間の間に、アルミニウ
ム原子がシリコン内に更に拡散し、潜在的な欠陥の原因
となったり、コンタクト領域の信頼性を低下させるとい
う問題が発生する。従来からアルミニウムとシリコンと
の直接的な接触により引起される上記したような問題を
解消するための種々の提案がなされてきた。
問題が益々深刻となる。しかも、反応温度が高まるに伴
い、アルミニウム原子のシリコン内の拡散が促進されこ
とから、高い反応温度が用いられる場合にも上記した問
題が益々深刻となる。更に、長期間の間に、アルミニウ
ム原子がシリコン内に更に拡散し、潜在的な欠陥の原因
となったり、コンタクト領域の信頼性を低下させるとい
う問題が発生する。従来からアルミニウムとシリコンと
の直接的な接触により引起される上記したような問題を
解消するための種々の提案がなされてきた。
【０００７】その１つに、アルミニウムをシリコンによ
り飽和させ（通常アルミニウムに対するシリコンの量を
０．２〜１重量％とすることにより）アルミニウム原子
の拡散を抑制するものがある。この方法の欠点は温度の
上昇に伴いアルミニウムの飽和レベルが高まり、従って
飽和したアルミニウムが冷却すると、アルミニウム膜の
直下のシリコンの基層表面上にシリコンの析出物が発生
し、好ましくないＰ型エピタキシャル膜が形成される点
にある。また、この方法を用いた場合でもシャドウ効果
が依然として問題となる。
り飽和させ（通常アルミニウムに対するシリコンの量を
０．２〜１重量％とすることにより）アルミニウム原子
の拡散を抑制するものがある。この方法の欠点は温度の
上昇に伴いアルミニウムの飽和レベルが高まり、従って
飽和したアルミニウムが冷却すると、アルミニウム膜の
直下のシリコンの基層表面上にシリコンの析出物が発生
し、好ましくないＰ型エピタキシャル膜が形成される点
にある。また、この方法を用いた場合でもシャドウ効果
が依然として問題となる。
【０００８】アルミニウムとシリコンとの間の直接的接
触に起因する問題を回避するため更に別の従来技術に基
づく方法としては、シリコン表面にアルミニウム金属皮
膜を被着する前に、シリコン上の１つまたは複数の境界
膜を形成するものがある。この種の方法が米国特許第３
，７７７，３６４号明細書に記載されており、それ以外
にも多数の米国特許明細書がこのような技術に関連して
いる。このような従来技術に基づく方法によれば、タン
グステン、モリブデン、パラジウム、白金或いはタンタ
ルなどの耐火金属が、露出したシリコンまたは多結晶シ
リコン上に被着され、かつ反応を起すことにより、シリ
サイド膜を形成する。被着された耐火金属のうちで、シ
リコンと反応していない上面は除去される。それに引続
いてアルミニウム金属皮膜が被着される。このようにし
てアルミニウムとシリコンとの間に形成されたシリサイ
ド膜は、アルミニウム原子に対するバリアとして機能し
、アルミニウムがシリコンに向けて拡散するのを防止し
、アルミニウムとシリコンとの間に低い抵抗を伴う接触
を実現する。更に、このような過程により、アルミニウ
ム金属皮膜を被着する際に、段差を、例えば１，２００
オングストローム程度減少させることができる。
触に起因する問題を回避するため更に別の従来技術に基
づく方法としては、シリコン表面にアルミニウム金属皮
膜を被着する前に、シリコン上の１つまたは複数の境界
膜を形成するものがある。この種の方法が米国特許第３
，７７７，３６４号明細書に記載されており、それ以外
にも多数の米国特許明細書がこのような技術に関連して
いる。このような従来技術に基づく方法によれば、タン
グステン、モリブデン、パラジウム、白金或いはタンタ
ルなどの耐火金属が、露出したシリコンまたは多結晶シ
リコン上に被着され、かつ反応を起すことにより、シリ
サイド膜を形成する。被着された耐火金属のうちで、シ
リコンと反応していない上面は除去される。それに引続
いてアルミニウム金属皮膜が被着される。このようにし
てアルミニウムとシリコンとの間に形成されたシリサイ
ド膜は、アルミニウム原子に対するバリアとして機能し
、アルミニウムがシリコンに向けて拡散するのを防止し
、アルミニウムとシリコンとの間に低い抵抗を伴う接触
を実現する。更に、このような過程により、アルミニウ
ム金属皮膜を被着する際に、段差を、例えば１，２００
オングストローム程度減少させることができる。
【０００９】上記したようなシリサイド膜を形成する方
法の問題は、例えばタングステンシリサイドを化学蒸着
（ＣＶＤ）により、６フッ化タングステンＷＦ６ を反
応ガスとして用いて、タングステンシリサイドをアルミ
ニウムとシリコンとの間に形成した場合に、ＣＶＤプロ
セスに於て必要とされる高温により、高温のＣＶＤチャ
ンバ壁面がＷＦ６ ガスと反応することにある。そのた
めに、ウェハの表面に対するタングステンの蒸着速度が
低下する。
法の問題は、例えばタングステンシリサイドを化学蒸着
（ＣＶＤ）により、６フッ化タングステンＷＦ６ を反
応ガスとして用いて、タングステンシリサイドをアルミ
ニウムとシリコンとの間に形成した場合に、ＣＶＤプロ
セスに於て必要とされる高温により、高温のＣＶＤチャ
ンバ壁面がＷＦ６ ガスと反応することにある。そのた
めに、ウェハの表面に対するタングステンの蒸着速度が
低下する。
【００１０】タングステンをウェハの表面にスパッタリ
ングすることにより、チャンバの高温の壁面がフッ化金
属ガスと反応するという問題を回避することができるが
、耐火金属皮膜をスパッタリングにより形成することは
、次のような限界を有している。
ングすることにより、チャンバの高温の壁面がフッ化金
属ガスと反応するという問題を回避することができるが
、耐火金属皮膜をスパッタリングにより形成することは
、次のような限界を有している。
【００１１】（１）このような皮膜は高い応力状態にあ
る場合が多く、従ってクラックを生じ易い。 （２）このような皮膜は段差を覆う能力が低いことを特
徴としている。 （３）このような皮膜は、形成するために高いコストを
必要とする。 （４）与えられた時間内に処理できるウェハの数が比較
的小さい。 （５）スパッタリング用の装置は、装置コスト及び稼動
コストが比較的高い。
る場合が多く、従ってクラックを生じ易い。 （２）このような皮膜は段差を覆う能力が低いことを特
徴としている。 （３）このような皮膜は、形成するために高いコストを
必要とする。 （４）与えられた時間内に処理できるウェハの数が比較
的小さい。 （５）スパッタリング用の装置は、装置コスト及び稼動
コストが比較的高い。
【００１２】かくして、高温壁面を伴うＣＶＤプロセス
により耐火金属をシリコンに被着させる方法は、被着速
度が低く、しかも段差を覆う能力が低い点に限界を有し
ている。
により耐火金属をシリコンに被着させる方法は、被着速
度が低く、しかも段差を覆う能力が低い点に限界を有し
ている。
【００１３】米国特許第４，７９４，０１９号明細書に
は、高温の壁面を伴うＣＶＤチャンバを用いたタングス
テン蒸着方法が開示されており、タングステンの被着速
度が時間と共に減少し、約３，０００オングストローム
の厚さに於て２５オングストローム／分の定常速度に達
することが記載されている。（コラム３，第３１〜３３
行）
は、高温の壁面を伴うＣＶＤチャンバを用いたタングス
テン蒸着方法が開示されており、タングステンの被着速
度が時間と共に減少し、約３，０００オングストローム
の厚さに於て２５オングストローム／分の定常速度に達
することが記載されている。（コラム３，第３１〜３３
行）
【００１４】この米国特許によれば、シリコンウェハ上
にタングステンを被着するために３００°Ｃ程度の温度
を用いるＣＶＤプロセスが開示されている。タングステ
ンは、この程度の温度に於て、シリコンと共に良好に核
生成を行うが、二酸化シリコンとは良好に核生成を行わ
ず、従ってこの方法は、シリコン上にはタングステンを
被着するが、二酸化シリコン上にはタングステンを被着
しないような選択的な被着方法として用いられる。
にタングステンを被着するために３００°Ｃ程度の温度
を用いるＣＶＤプロセスが開示されている。タングステ
ンは、この程度の温度に於て、シリコンと共に良好に核
生成を行うが、二酸化シリコンとは良好に核生成を行わ
ず、従ってこの方法は、シリコン上にはタングステンを
被着するが、二酸化シリコン上にはタングステンを被着
しないような選択的な被着方法として用いられる。
【００１５】しかしながら、この方法によれば、約３，
０００オングストロームを越える厚さに耐火金属を被着
するためには、比較的多大な時間及びコストを必要とす
る。
０００オングストロームを越える厚さに耐火金属を被着
するためには、比較的多大な時間及びコストを必要とす
る。
【００１６】チャンバの高温の壁面がフッ化金属ガスと
反応することによる被着速度が低下という問題を解決す
るための１つの方法は、石英ハロゲンランプその他の放
射源を用いてウェハに対して直接的な放射を行い、ウェ
ハを局部的に加熱することがある。しかしながらこのウ
ェハを加熱する方法によれば、Ｎ型及びＰ型シリコン領
域に対して放射を行った場合に、これら２つの領域の放
射率が異なることから、Ｎ型及びＰ型シリコン領域に対
する耐火金属の被着速度に差が生じる。このような不均
一な被着結果が得られる場合には、Ｎ型及びＰ型シリコ
ン領域の両者に対して良好な電気的接触を達成しようと
すると、金属インターコネクト膜（ｉｎｔｅｒｃｏｎｎ
ｅｃｔ）を効率的に被着することが困難となる。
反応することによる被着速度が低下という問題を解決す
るための１つの方法は、石英ハロゲンランプその他の放
射源を用いてウェハに対して直接的な放射を行い、ウェ
ハを局部的に加熱することがある。しかしながらこのウ
ェハを加熱する方法によれば、Ｎ型及びＰ型シリコン領
域に対して放射を行った場合に、これら２つの領域の放
射率が異なることから、Ｎ型及びＰ型シリコン領域に対
する耐火金属の被着速度に差が生じる。このような不均
一な被着結果が得られる場合には、Ｎ型及びＰ型シリコ
ン領域の両者に対して良好な電気的接触を達成しようと
すると、金属インターコネクト膜（ｉｎｔｅｒｃｏｎｎ
ｅｃｔ）を効率的に被着することが困難となる。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】このような従来技術の
問題点に鑑み、本発明の主な目的は、集積回路の製造に
関する技術分野に於いて、耐火金属をアルミニウムとシ
リコンとの間のバリア膜を比較的に高い速度をもって被
着することができ、シリコン表面の段差を減少させるこ
とができ、しかも露出したＮ及びＰ型シリコン領域の両
者上に耐火金属を均一に被着し得るような方法を提供す
ることである。
問題点に鑑み、本発明の主な目的は、集積回路の製造に
関する技術分野に於いて、耐火金属をアルミニウムとシ
リコンとの間のバリア膜を比較的に高い速度をもって被
着することができ、シリコン表面の段差を減少させるこ
とができ、しかも露出したＮ及びＰ型シリコン領域の両
者上に耐火金属を均一に被着し得るような方法を提供す
ることである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明は、マイクロエレ
クトロニクス回路を製造する際に用いられれるシリコン
の表面に耐火金属を被着する技術に関する。
クトロニクス回路を製造する際に用いられれるシリコン
の表面に耐火金属を被着する技術に関する。
【００１９】上記したような種々の問題を回避するため
に、好ましくは、低い壁面温度を可能にする、放射によ
り加熱される化学蒸着（ＣＶＤ）システムが、耐火金属
を被着するために用いられ、各ウェハが例えば広帯域光
源により加熱される。従って、シリコン基層とアルミニ
ウム皮膜との間にバリア膜（ｂａｒｒｉｅｒ ｌａｙ
ｅｒ）を形成するためにウェハに対して行われる被着過
程が、高温のガス（ＷＦ６ ）と高温の壁面との間の反
応により制限されることがない。
に、好ましくは、低い壁面温度を可能にする、放射によ
り加熱される化学蒸着（ＣＶＤ）システムが、耐火金属
を被着するために用いられ、各ウェハが例えば広帯域光
源により加熱される。従って、シリコン基層とアルミニ
ウム皮膜との間にバリア膜（ｂａｒｒｉｅｒ ｌａｙ
ｅｒ）を形成するためにウェハに対して行われる被着過
程が、高温のガス（ＷＦ６ ）と高温の壁面との間の反
応により制限されることがない。
【００２０】或る好適実施例に於ては、Ｎ型及びＰ型シ
リコン領域が放射を受けた時に、異なる放射率を呈する
ことに起因する、Ｎ型及びＰ型シリコン領域に於ける被
着速度の差異を解消するために、Ｎ型及びＰ型領域が約
１００°Ｃの温度に達する前に、Ｎ型及びＰ型シリコン
領域に対して光学的に不透明な耐火金属の膜（少なくも
１００〜５００オングストローム）を先ず被着する。１
００°Ｃを越えるとＮ型及びＰ型領域の放射率が大きく
異なることから、この不透明膜を１００°Ｃ以下の温度
に於て形成するのが好ましい。不透明耐火金属膜が形成
されると、高いプロセス温度に於ても、Ｎ型及びＰ型領
域の放射率が耐火金属の放射率により与えられ、従って
Ｎ型及びＰ型シリコン領域の両者に対して概ね等しい被
着速度をもって耐火金属を被着することができる。
リコン領域が放射を受けた時に、異なる放射率を呈する
ことに起因する、Ｎ型及びＰ型シリコン領域に於ける被
着速度の差異を解消するために、Ｎ型及びＰ型領域が約
１００°Ｃの温度に達する前に、Ｎ型及びＰ型シリコン
領域に対して光学的に不透明な耐火金属の膜（少なくも
１００〜５００オングストローム）を先ず被着する。１
００°Ｃを越えるとＮ型及びＰ型領域の放射率が大きく
異なることから、この不透明膜を１００°Ｃ以下の温度
に於て形成するのが好ましい。不透明耐火金属膜が形成
されると、高いプロセス温度に於ても、Ｎ型及びＰ型領
域の放射率が耐火金属の放射率により与えられ、従って
Ｎ型及びＰ型シリコン領域の両者に対して概ね等しい被
着速度をもって耐火金属を被着することができる。
【００２１】好適実施例によれば、更に、２００〜３０
０°Ｃ程度の高い蒸着温度に於て、耐火金属ガス（ＷＦ
６ ）を還元するためＣＶＤチャンバ内に導入されるＳ
ｉＨ４ などの還元性ガスの量を時間と共に増大させ、
被着された耐火金属の厚さが増大し、発熱性の還元反応
により接触領域の温度が上昇するのに伴ない、耐火金属
の被着速度を増大させるように、ＣＶＤチャンバ内に於
て利用可能な還元性ガスの量を増大させる。
０°Ｃ程度の高い蒸着温度に於て、耐火金属ガス（ＷＦ
６ ）を還元するためＣＶＤチャンバ内に導入されるＳ
ｉＨ４ などの還元性ガスの量を時間と共に増大させ、
被着された耐火金属の厚さが増大し、発熱性の還元反応
により接触領域の温度が上昇するのに伴ない、耐火金属
の被着速度を増大させるように、ＣＶＤチャンバ内に於
て利用可能な還元性ガスの量を増大させる。
【００２２】本発明の好適実施例に於て、シリサイドバ
リア膜を形成するために用いられるプロセスは、（１）
接触されるべきシリコン領域からなる有機性或いは金属
性の汚染物を除去するようにシリコンウェハの露出表面
を清浄化する過程と、（２）接触されるべきシリコン領
域から酸化物を除去するためにウェハの表面を清浄化す
る過程と、（３）耐火金属が迅速かつ予測される要領を
もって核生成を行うように、シリコンの結晶格子構造の
欠陥を除去する過程と、（４）プロセスガスの高い純度
を維持しその流量を正確に制御するために種々のガスラ
イン及びプロセスチャンバをパージする過程をと、（５
）２０〜３０°Ｃ程度の概ね室温下に於て、シリコンの
表面を耐火金属ガスにより飽和させ、その後に被着され
る耐火金属のための触媒として機能させ、シリコンの表
面とその上に形成されるべきバリア膜との間に強力な接
着力を形成するために、シリコンの表面に予備的な耐火
金属皮膜を形成する過程と、（６）シリコン領域の温度
が約１００°Ｃに到達する前に、プロセスガスをＣＶＤ
チャンバ内に導入しつつ、露出したシリコン領域上に耐
火金属からなる、少なくとも１００〜５００オングスト
ロームの厚さを有する光学的に不透明な膜を、十分に低
い速度をもって形成するべく、ウェハの温度を徐々に上
昇させる過程と、（７）発熱還元反応が、被着された耐
火金属膜の温度を上昇させるに伴い、耐火金属の被着速
度を増大させるべく、還元性ガスの供給速度を徐々に増
大させつつ比較的一定の被着温度下にてウェハを加熱す
る過程と、（８）ウェハを約６５０°Ｃ以上の温度をも
って焼戻し、耐火金属とシリコンの表面との間の境界を
シリサイド化し、被着された耐火金属内のシリコンの原
子を反応させることにより、接触抵抗率を低下させるよ
うにシリサイドを形成させる過程と、（９）ウェハをＣ
ＶＤチャンバから取出す前にウェハを冷却する過程とを
有する。
リア膜を形成するために用いられるプロセスは、（１）
接触されるべきシリコン領域からなる有機性或いは金属
性の汚染物を除去するようにシリコンウェハの露出表面
を清浄化する過程と、（２）接触されるべきシリコン領
域から酸化物を除去するためにウェハの表面を清浄化す
る過程と、（３）耐火金属が迅速かつ予測される要領を
もって核生成を行うように、シリコンの結晶格子構造の
欠陥を除去する過程と、（４）プロセスガスの高い純度
を維持しその流量を正確に制御するために種々のガスラ
イン及びプロセスチャンバをパージする過程をと、（５
）２０〜３０°Ｃ程度の概ね室温下に於て、シリコンの
表面を耐火金属ガスにより飽和させ、その後に被着され
る耐火金属のための触媒として機能させ、シリコンの表
面とその上に形成されるべきバリア膜との間に強力な接
着力を形成するために、シリコンの表面に予備的な耐火
金属皮膜を形成する過程と、（６）シリコン領域の温度
が約１００°Ｃに到達する前に、プロセスガスをＣＶＤ
チャンバ内に導入しつつ、露出したシリコン領域上に耐
火金属からなる、少なくとも１００〜５００オングスト
ロームの厚さを有する光学的に不透明な膜を、十分に低
い速度をもって形成するべく、ウェハの温度を徐々に上
昇させる過程と、（７）発熱還元反応が、被着された耐
火金属膜の温度を上昇させるに伴い、耐火金属の被着速
度を増大させるべく、還元性ガスの供給速度を徐々に増
大させつつ比較的一定の被着温度下にてウェハを加熱す
る過程と、（８）ウェハを約６５０°Ｃ以上の温度をも
って焼戻し、耐火金属とシリコンの表面との間の境界を
シリサイド化し、被着された耐火金属内のシリコンの原
子を反応させることにより、接触抵抗率を低下させるよ
うにシリサイドを形成させる過程と、（９）ウェハをＣ
ＶＤチャンバから取出す前にウェハを冷却する過程とを
有する。
【００２３】上記した本発明の好適実施例に於ては、過
程（７）に於てＳｉＨ４ などシリコン系の還元性ガス
が、ＷＦ６ などの耐火金属系ガスを還元するために用
いられ、耐火金属と共に、シリコン原子も被着される。 従って耐火金属及びシリコンが過程（８）に於て焼戻さ
れる際に、シリコンの基層が殆ど消費されない。
程（７）に於てＳｉＨ４ などシリコン系の還元性ガス
が、ＷＦ６ などの耐火金属系ガスを還元するために用
いられ、耐火金属と共に、シリコン原子も被着される。 従って耐火金属及びシリコンが過程（８）に於て焼戻さ
れる際に、シリコンの基層が殆ど消費されない。
【００２４】本発明の或る好適実施例に於ては、上記し
た高い蒸着速度及びＮ型及びＰ型シリコン領域に於ける
被着速度の差異を解消するという特徴に加えて、ＣＶＤ
チャンバ内に導入されるプロセスガスを拡散するための
新規な拡散手段、チャンバ内の不純物の滞留時間を減少
させるように高いコンダクタンスを有するガスライン及
び改善されたガス分配濾過システムを用いるという特徴
を備えている。
た高い蒸着速度及びＮ型及びＰ型シリコン領域に於ける
被着速度の差異を解消するという特徴に加えて、ＣＶＤ
チャンバ内に導入されるプロセスガスを拡散するための
新規な拡散手段、チャンバ内の不純物の滞留時間を減少
させるように高いコンダクタンスを有するガスライン及
び改善されたガス分配濾過システムを用いるという特徴
を備えている。
【００２５】本発明に基づく方法の或る実施例は、耐火
金属の被着過程を何回か行った後に、ＣＶＤチャンバか
らＮＦ３ を除去する過程に際して、ＣＶＤチャンバと
を約６５°Ｃ以上の温度に加熱し、副産物がＣＶＤの壁
面に凝縮しないようにするＣＶＤチャンバの清浄化過程
を含む。
金属の被着過程を何回か行った後に、ＣＶＤチャンバか
らＮＦ３ を除去する過程に際して、ＣＶＤチャンバと
を約６５°Ｃ以上の温度に加熱し、副産物がＣＶＤの壁
面に凝縮しないようにするＣＶＤチャンバの清浄化過程
を含む。
【００２６】上記した被着過程の或る変形例によれば、
本発明に基づく方法が、耐火金属をブランケット蒸着し
たり、２つの導電膜間のビア膜として用いられる耐火金
属皮膜を被着するために用いられる。又、本発明に基づ
くビア膜を形成するための装置は、ウェハをスパッタエ
ッチングを行うステーションからＣＶＤチャンバに向け
て低い圧力状態のまま搬送することができる。
本発明に基づく方法が、耐火金属をブランケット蒸着し
たり、２つの導電膜間のビア膜として用いられる耐火金
属皮膜を被着するために用いられる。又、本発明に基づ
くビア膜を形成するための装置は、ウェハをスパッタエ
ッチングを行うステーションからＣＶＤチャンバに向け
て低い圧力状態のまま搬送することができる。
【００２７】
【実施例】Ａ．選択的な被着プロセス。
上記したような効果を実現する同時に、金属皮膜とシリ
コンとの間に改善された電気的接触を達成するため露出
シリコン表面上に耐火金属を選択的に被着するために次
のような方法が用いられる。
コンとの間に改善された電気的接触を達成するため露出
シリコン表面上に耐火金属を選択的に被着するために次
のような方法が用いられる。
【００２８】先ず、よく知られた従来の技術に基づく方
法により、シリコンウェハ上に、アルミニウムインター
コネクト膜により電気的に接続されるべき種々の領域を
シリコン基層上に形成する。更に、ウェハの表面の二酸
化シリコンその他の絶縁性の膜が形成され、公知の方法
を用いて、シリコン基層の選択的に露出された領域をエ
ッチングし、金属皮膜により電気的に接触されるべき露
出領域をシリコンの基層上に形成する。露出したシリコ
ン領域を形成するための例が、米国特許第４，５４６，
３７０号明細書に記載されている。
法により、シリコンウェハ上に、アルミニウムインター
コネクト膜により電気的に接続されるべき種々の領域を
シリコン基層上に形成する。更に、ウェハの表面の二酸
化シリコンその他の絶縁性の膜が形成され、公知の方法
を用いて、シリコン基層の選択的に露出された領域をエ
ッチングし、金属皮膜により電気的に接触されるべき露
出領域をシリコンの基層上に形成する。露出したシリコ
ン領域を形成するための例が、米国特許第４，５４６，
３７０号明細書に記載されている。
【００２９】Ａ（１）．露出シリコン面からの汚染物の
除去。 露出シリコン領域上にバリア膜を選択的に形成する本発
明の好適実施例に於ける第１のステップに於ては、露出
した基層表面から有機性及び金属性の汚染物を除去する
ために、ウェハを１２０°Ｃの過酸化硫酸浴内に約５分
間浸漬する。このステップとして、汚染物を除去するた
めの他の良く知られた方法を用いることができる。しか
しながら、露出基層表面上の汚染物の量が無視し得るも
のである場合にはこのステップを省略することもできる
。
除去。 露出シリコン領域上にバリア膜を選択的に形成する本発
明の好適実施例に於ける第１のステップに於ては、露出
した基層表面から有機性及び金属性の汚染物を除去する
ために、ウェハを１２０°Ｃの過酸化硫酸浴内に約５分
間浸漬する。このステップとして、汚染物を除去するた
めの他の良く知られた方法を用いることができる。しか
しながら、露出基層表面上の汚染物の量が無視し得るも
のである場合にはこのステップを省略することもできる
。
【００３０】Ａ（２）．露出シリコン面からの酸化物の
除去。 第２のステップに於ては、ウェハを、例えば、５部のフ
ッ化アンモニウムと、１部のフッ化水素酸と、８部の水
とからなる緩衝酸化エッチング剤内に室温化に於て約６
秒間保持する。このステップにより、露出基層表面から
その酸化物或いは外部からの酸化物が除去される。しか
しながら、露出面状に酸化物が十分存在していない場合
には、このステップを省略することもできる。このステ
ップを実施するために、その他の良く知られた手法を用
いることもできる。この酸化物除去を行うステップによ
り、パターン化された酸化物の表面の一部も除去される
が、このようなパターン化された酸化物の厚さが比較的
大きいことから、それらの厚さが減少する度合は無視し
得る程度である。
除去。 第２のステップに於ては、ウェハを、例えば、５部のフ
ッ化アンモニウムと、１部のフッ化水素酸と、８部の水
とからなる緩衝酸化エッチング剤内に室温化に於て約６
秒間保持する。このステップにより、露出基層表面から
その酸化物或いは外部からの酸化物が除去される。しか
しながら、露出面状に酸化物が十分存在していない場合
には、このステップを省略することもできる。このステ
ップを実施するために、その他の良く知られた手法を用
いることもできる。この酸化物除去を行うステップによ
り、パターン化された酸化物の表面の一部も除去される
が、このようなパターン化された酸化物の厚さが比較的
大きいことから、それらの厚さが減少する度合は無視し
得る程度である。
【００３１】Ａ（３）．結晶構造の損傷の除去。
第３のステップに於て、イオン注入或いはエッチング過
程により引起された露出シリコン面に対する損傷が、従
来から知られている３フッ化窒素ＮＦ３ シリコンエッ
チング剤或いはその他の公知の手法を用いて除去される
、このＮＦ３ エッチング剤を用いて行われるプロセス
によれば、シリコンの結晶構造に対する損傷が発生した
部分のシリコンの表面層が実際に除去される。シリコン
の結晶構造の損傷を除去するのは、耐火金属がシリコン
の表面と共に、良好な核生成を行いしかもそれを予測し
得る要領をもって行い得るようにするためである。この
ステップも、シリコンの結晶格子構造に対する損傷が無
視し得るような場合には、省略することができる。
程により引起された露出シリコン面に対する損傷が、従
来から知られている３フッ化窒素ＮＦ３ シリコンエッ
チング剤或いはその他の公知の手法を用いて除去される
、このＮＦ３ エッチング剤を用いて行われるプロセス
によれば、シリコンの結晶構造に対する損傷が発生した
部分のシリコンの表面層が実際に除去される。シリコン
の結晶構造の損傷を除去するのは、耐火金属がシリコン
の表面と共に、良好な核生成を行いしかもそれを予測し
得る要領をもって行い得るようにするためである。この
ステップも、シリコンの結晶格子構造に対する損傷が無
視し得るような場合には、省略することができる。
【００３２】シリコンの結晶格子構造の損傷を除去する
ためにシリコンをエッチングする代わりに、シリコン原
子を再配列させるように急速焼戻しを行い、結晶格子構
造を修復させることもできる、この焼戻し過程は、修復
されるべき損傷のタイプ及び量に応じて約６００〜８５
０°Ｃの温度に於て１０〜６０秒間行うのが好ましい。 図１は、この第１〜３のステップの後のウェハを示して
いる。シリコンウェハ１は、露出したＮ型領域２とＰ型
領域３とを有し、更に、パターン化された酸化膜４を有
している。次にウェハ１が、図８に示された、米国特許
第４，７９６，５６２号明細書に記載されているような
ＣＶＤチャンバ内に置かれる。図８に示されたＣＶＤチ
ャンバの詳細については後記する。
ためにシリコンをエッチングする代わりに、シリコン原
子を再配列させるように急速焼戻しを行い、結晶格子構
造を修復させることもできる、この焼戻し過程は、修復
されるべき損傷のタイプ及び量に応じて約６００〜８５
０°Ｃの温度に於て１０〜６０秒間行うのが好ましい。 図１は、この第１〜３のステップの後のウェハを示して
いる。シリコンウェハ１は、露出したＮ型領域２とＰ型
領域３とを有し、更に、パターン化された酸化膜４を有
している。次にウェハ１が、図８に示された、米国特許
第４，７９６，５６２号明細書に記載されているような
ＣＶＤチャンバ内に置かれる。図８に示されたＣＶＤチ
ャンバの詳細については後記する。
【００３３】Ａ（４）．高純度を得るためのガスライン
のパージ。 第４のステイップに於ては、ガスの純度及び安定性を確
保するために、ウェハ１を受容するＣＶＤチャンバ内に
ガスを導入する前に、バイパスラインから排出真空ライ
ンに向けてプロセスガスを少なくとも７秒間パージする
。最高度のガスの純度を確保するために、第４のステッ
プは、各蒸着過程が終了する度ごとに実施される。しか
しながら、ガスの純度のレベルが許容範囲内であって所
望の精度を有する流速が確保できる場合には、このステ
ップを省略することもできる。
のパージ。 第４のステイップに於ては、ガスの純度及び安定性を確
保するために、ウェハ１を受容するＣＶＤチャンバ内に
ガスを導入する前に、バイパスラインから排出真空ライ
ンに向けてプロセスガスを少なくとも７秒間パージする
。最高度のガスの純度を確保するために、第４のステッ
プは、各蒸着過程が終了する度ごとに実施される。しか
しながら、ガスの純度のレベルが許容範囲内であって所
望の精度を有する流速が確保できる場合には、このステ
ップを省略することもできる。
【００３４】図６は、本実施例に於けるＣＶＤシステム
に用いられるガスの供給フィルタ及び純粋化ネットワー
ク５を示すダイヤグラム図である。本実施例に於て少な
くとも９９．９９９％の高い純度を有するＳｉＨ４ 、
Ｈ２ 、Ａｒ及びＷＦ６ などからなるプロセスガスが
、図示されたネットワーク５の入力ポート６、７、８及
び９に供給される。ＣＶＤチャンバエッチングガスＳＦ
６ 及びＮＦ３ は、それぞれ入力ポート１０、１１に
供給される。高い純度を維持するために全てのガスライ
ンは電解研磨されたステンレス鋼からなるものとする。
に用いられるガスの供給フィルタ及び純粋化ネットワー
ク５を示すダイヤグラム図である。本実施例に於て少な
くとも９９．９９９％の高い純度を有するＳｉＨ４ 、
Ｈ２ 、Ａｒ及びＷＦ６ などからなるプロセスガスが
、図示されたネットワーク５の入力ポート６、７、８及
び９に供給される。ＣＶＤチャンバエッチングガスＳＦ
６ 及びＮＦ３ は、それぞれ入力ポート１０、１１に
供給される。高い純度を維持するために全てのガスライ
ンは電解研磨されたステンレス鋼からなるものとする。
【００３５】先ず、ウェハロットの処理期間の間の、蒸
着システムがこれから４時間以上の時間に亘って使用さ
れないスタンドバイモードに於ては、プロセスガスバル
ブ１２〜１５、２２、２４、２６、２７、４０、４１、
４７及び４８は、全て閉じられ、プロセスガスライン２
５、３０、４６及び５１が遮断される。エッチングガス
バルブ１６、１７、３４、３８並びにＮ２ バルブ３２
は、パージされる必要がないことから、これらも閉じら
れる。窒素バックフィル（ｂａｃｋｆｉｌｌ）バルブ５
５、５６も閉じられるが、これは、バックフィルは有毒
或いは発火性ガスを希釈するために用いられもので、保
守点検時に診断的な目的のためにのみ用いられものであ
るからである。他の全てのバルブは、ライン内に汚染物
が侵入するのを防止するようにプロセスガスラインをＮ
２ により加圧するために開かれる。特に、バルブ１８
〜２１及び２３は、Ｎ２ がＳｉＨ４ ガスライン２５
を加圧し得るように開かれる。バルブ２８及び２９は、
Ｎ２ によりＨ２ ガスライン３０を加圧するために開
かれる。
着システムがこれから４時間以上の時間に亘って使用さ
れないスタンドバイモードに於ては、プロセスガスバル
ブ１２〜１５、２２、２４、２６、２７、４０、４１、
４７及び４８は、全て閉じられ、プロセスガスライン２
５、３０、４６及び５１が遮断される。エッチングガス
バルブ１６、１７、３４、３８並びにＮ２ バルブ３２
は、パージされる必要がないことから、これらも閉じら
れる。窒素バックフィル（ｂａｃｋｆｉｌｌ）バルブ５
５、５６も閉じられるが、これは、バックフィルは有毒
或いは発火性ガスを希釈するために用いられもので、保
守点検時に診断的な目的のためにのみ用いられものであ
るからである。他の全てのバルブは、ライン内に汚染物
が侵入するのを防止するようにプロセスガスラインをＮ
２ により加圧するために開かれる。特に、バルブ１８
〜２１及び２３は、Ｎ２ がＳｉＨ４ ガスライン２５
を加圧し得るように開かれる。バルブ２８及び２９は、
Ｎ２ によりＨ２ ガスライン３０を加圧するために開
かれる。
【００３６】バルブ３１及び４２〜４５は、Ｎ２ によ
りＡｒガスライン４６を加圧するために開かれる。バル
ブ４５及び５０は、Ｎ２ によりＷＦ６ ガスライン５
１を加圧するために開かれる。
りＡｒガスライン４６を加圧するために開かれる。バル
ブ４５及び５０は、Ｎ２ によりＷＦ６ ガスライン５
１を加圧するために開かれる。
【００３７】ガスライン５２、５３及び５４は、ＣＶＤ
チャンバに至るガスラインに接続されており、上記した
ようなバルブを閉じることにより、ネットワーク５から
遮断される。
チャンバに至るガスラインに接続されており、上記した
ようなバルブを閉じることにより、ネットワーク５から
遮断される。
【００３８】真空ライン５７及び５８に接続された真空
システムは、このスタンドバイモード中に、約１リット
ル／分の割合で種々のガスラインからＮ２ を吸いこむ
。 種々のマスフローコントローラ（ＭＦＣ）７６、７７、
８０及び８１は、日本のＳＴＥＣコーポレイションから
市販されているＳＴＥＣモデル３４００ＳＬ−ＳＰ−Ｕ
ＣベイカブルＭＦＣ（商品名）等のバイパスタイプのも
のからなる。破線内に示されたバルブは、モノブロック
形式のものであって、例えば日本のモトヤマコーポレイ
ションから市販されているモトヤマモデルＭＶＩＬＭ０
０ＢＢ（商品名）などからなる。
システムは、このスタンドバイモード中に、約１リット
ル／分の割合で種々のガスラインからＮ２ を吸いこむ
。 種々のマスフローコントローラ（ＭＦＣ）７６、７７、
８０及び８１は、日本のＳＴＥＣコーポレイションから
市販されているＳＴＥＣモデル３４００ＳＬ−ＳＰ−Ｕ
ＣベイカブルＭＦＣ（商品名）等のバイパスタイプのも
のからなる。破線内に示されたバルブは、モノブロック
形式のものであって、例えば日本のモトヤマコーポレイ
ションから市販されているモトヤマモデルＭＶＩＬＭ０
０ＢＢ（商品名）などからなる。
【００３９】ウェハがＣＶＤチャンバ内に置かれた後に
ＳｉＨ４ ガスライン２５及びＨ２ ガスライン３０を
パージする第４のステップを実施するために、バルブ１
９、２０及び２８が、ガスライン２５及び３０へのＮ２
の供給を遮断するために閉じられる。次に、バルブ１
２、１３、２２及び２６が開かれ、ＳｉＨ４ 及びＨ２
ガスが、ライン２５及び３０及び真空ライン５７を介
して流れることができるようになる。ＳｉＨ４ 及びＨ
２ の流量は、真空ライン２７に接続された図示されな
いポンプにより得られる圧力及びＭＦＣ７６及び７７の
開度により決定される。好ましくは、パージステップに
於ける全てのガスの流量を、耐火金属被着過程に際して
用いられる流量に等しくし、ガスライン５２に向けてガ
スを導入する時にプロセスガスのサージが発生しないよ
うにする。
ＳｉＨ４ ガスライン２５及びＨ２ ガスライン３０を
パージする第４のステップを実施するために、バルブ１
９、２０及び２８が、ガスライン２５及び３０へのＮ２
の供給を遮断するために閉じられる。次に、バルブ１
２、１３、２２及び２６が開かれ、ＳｉＨ４ 及びＨ２
ガスが、ライン２５及び３０及び真空ライン５７を介
して流れることができるようになる。ＳｉＨ４ 及びＨ
２ の流量は、真空ライン２７に接続された図示されな
いポンプにより得られる圧力及びＭＦＣ７６及び７７の
開度により決定される。好ましくは、パージステップに
於ける全てのガスの流量を、耐火金属被着過程に際して
用いられる流量に等しくし、ガスライン５２に向けてガ
スを導入する時にプロセスガスのサージが発生しないよ
うにする。
【００４０】Ａｒガスライン４６及びＷＦ６ ガスライ
ン５１をパージするために、バルブ４２、４４及び４９
が、ガスライン４６及び５１へのＮ２ の供給を遮断す
るために閉じられる。
ン５１をパージするために、バルブ４２、４４及び４９
が、ガスライン４６及び５１へのＮ２ の供給を遮断す
るために閉じられる。
【００４１】次に、バルブ１４、１５、４０及び４７が
開かれ、Ａｒ及びＷＦ６ ガスが、ライン４６及び５１
及び真空ライン５８を流れることができるようなる。Ａ
ｒ及びＷＦ６ の流量は、真空ライン５８に接続された
図示されないポンプにより得られる圧力及びＭＦＣ８０
及び８１の開度に応じて決定され、耐火金属被着過程に
際して用いられる流量に等しくされる。このガスライン
のパージ過程は、高い純度及び流量の安定性を確保する
ために少なくとも７秒間実施される。
開かれ、Ａｒ及びＷＦ６ ガスが、ライン４６及び５１
及び真空ライン５８を流れることができるようなる。Ａ
ｒ及びＷＦ６ の流量は、真空ライン５８に接続された
図示されないポンプにより得られる圧力及びＭＦＣ８０
及び８１の開度に応じて決定され、耐火金属被着過程に
際して用いられる流量に等しくされる。このガスライン
のパージ過程は、高い純度及び流量の安定性を確保する
ために少なくとも７秒間実施される。
【００４２】次に、プロセスガスは、真空ライン５７及
び５８、プロセスガスライン２５、３０、４６及び５１
、ＣＶＤガスライン５２及び５４、ガスライン５２及び
５４に接続されたバルブ２３、２４、２７、２９、４１
、４３、４８及び５０を制御することより、ＣＶＤプロ
セスチャンバに導入されるべく制御される。入力ポート
６から導入されるＳｉＨ４ 還元ガス、入力ポート７か
ら導入されるＨ２ ガス及び入力ポート８から導入され
るＡｒガスは、有機金属化合物を含むナノケム（Ｎａｎ
ｏｃｈｅｍ：商標名）フィルタ６１及び６２によりそれ
ぞれ瀘過され、更に、従来形式の多孔質のガスフィルタ
７０、７１及び７２によりそれぞれ瀘過される。ナノケ
ムフィルタは、カリフォルニア州サンノゼに所在するＳ
ｅｍｉ−Ｇａｓ、Ｉｎｃ．により製造されている。Ａｒ
ガスは、更に、ゲッタ材料Ｚｒ−Ｖ−Ｆｅを含むモデル
Ｓｔ７０７Ｓａｅｓ−Ｐｕｒｉｆｉｅｒ（商標名）フィ
ルタ７３により瀘過される。エッチングガスＳＦ６ 及
びＮＦ３ は、それぞれ従来形式の多孔質のフィルタ７
４及び７５により瀘過される。ライン２５、３０、３５
、３９、４６及び５１に於けるガスの流れは、マスフロ
ーコントローラ（ＭＦＧ）７６〜８１により制御され、
かつ計測される。
び５８、プロセスガスライン２５、３０、４６及び５１
、ＣＶＤガスライン５２及び５４、ガスライン５２及び
５４に接続されたバルブ２３、２４、２７、２９、４１
、４３、４８及び５０を制御することより、ＣＶＤプロ
セスチャンバに導入されるべく制御される。入力ポート
６から導入されるＳｉＨ４ 還元ガス、入力ポート７か
ら導入されるＨ２ ガス及び入力ポート８から導入され
るＡｒガスは、有機金属化合物を含むナノケム（Ｎａｎ
ｏｃｈｅｍ：商標名）フィルタ６１及び６２によりそれ
ぞれ瀘過され、更に、従来形式の多孔質のガスフィルタ
７０、７１及び７２によりそれぞれ瀘過される。ナノケ
ムフィルタは、カリフォルニア州サンノゼに所在するＳ
ｅｍｉ−Ｇａｓ、Ｉｎｃ．により製造されている。Ａｒ
ガスは、更に、ゲッタ材料Ｚｒ−Ｖ−Ｆｅを含むモデル
Ｓｔ７０７Ｓａｅｓ−Ｐｕｒｉｆｉｅｒ（商標名）フィ
ルタ７３により瀘過される。エッチングガスＳＦ６ 及
びＮＦ３ は、それぞれ従来形式の多孔質のフィルタ７
４及び７５により瀘過される。ライン２５、３０、３５
、３９、４６及び５１に於けるガスの流れは、マスフロ
ーコントローラ（ＭＦＧ）７６〜８１により制御され、
かつ計測される。
【００４３】図示されない露点センサが真空ライン５７
及び５８及びＮ２ ライン８４及び８５に設けられ、こ
れらのライン内のＨ２ Ｏ蒸気の量が所定のレベル以下
であるか否かを判定する。ガス供給及び瀘過用ネットワ
ーク５は、ＣＶＤシステムの一部として用いられる前に
約１２５°Ｃの温度をもって約３７時間ベークされガス
ライン中の水蒸気が除去される。図６に示されるように
、ネットワーク５のケース内にはこの目的で抵抗性加熱
要素８７が設けられている。図７に示されるように、ネ
ットワーク４を含む部材８８は、アルミニウム基層８９
上に装着され、抵抗性加熱要素８７は、基層を加熱し、
部材８８をベークするために、基層８９の他方の側に装
着されている。ガスライン内の不純物を検出するために
残留ガスアナライザが用いられた。
及び５８及びＮ２ ライン８４及び８５に設けられ、こ
れらのライン内のＨ２ Ｏ蒸気の量が所定のレベル以下
であるか否かを判定する。ガス供給及び瀘過用ネットワ
ーク５は、ＣＶＤシステムの一部として用いられる前に
約１２５°Ｃの温度をもって約３７時間ベークされガス
ライン中の水蒸気が除去される。図６に示されるように
、ネットワーク５のケース内にはこの目的で抵抗性加熱
要素８７が設けられている。図７に示されるように、ネ
ットワーク４を含む部材８８は、アルミニウム基層８９
上に装着され、抵抗性加熱要素８７は、基層を加熱し、
部材８８をベークするために、基層８９の他方の側に装
着されている。ガスライン内の不純物を検出するために
残留ガスアナライザが用いられた。
【００４４】１つのウェハから次のウェハへと交換する
間の短期間のスタンドバイモードに於ては、プロセスガ
スライン２５、３０、４６及び５１内の全てのガスを真
空ライン５７及び５８を介して吸い出し、熱的なサイフ
ォン減少や腐蝕が起きないようにしている。これは、バ
ルブ２２、２４、２６、２７、４０、４１、４７及び４
８を閉じバルブ２３、２９、４３及び５０を開き、ガス
ライン２５、３０、４６及び５１を真空ライン５７及び
５８に接続することにより達成される。
間の短期間のスタンドバイモードに於ては、プロセスガ
スライン２５、３０、４６及び５１内の全てのガスを真
空ライン５７及び５８を介して吸い出し、熱的なサイフ
ォン減少や腐蝕が起きないようにしている。これは、バ
ルブ２２、２４、２６、２７、４０、４１、４７及び４
８を閉じバルブ２３、２９、４３及び５０を開き、ガス
ライン２５、３０、４６及び５１を真空ライン５７及び
５８に接続することにより達成される。
【００４５】以下に詳しく説明するような機能を果すた
めに、ＳｉＨ４ 、Ｈ２ 、Ａｒ、ＷＦ６ などのガス
に代えて、他の公知のプロセスガスを用いることができ
る。
めに、ＳｉＨ４ 、Ｈ２ 、Ａｒ、ＷＦ６ などのガス
に代えて、他の公知のプロセスガスを用いることができ
る。
【００４６】Ａ（５）．耐火金属系のガスによる露出シ
リコン面の飽和。 第５のステップに於ては、図２に示されるように耐火金
属系ガスがウェハ１を受容するＣＶＤプロセスチャンバ
内に導入され、還元性ガスがチャンバ内に注入される前
に、例えば３０°Ｃ以下の室温に於て、露出シリコン領
域２及び３を飽和する好適実施例に於ては、シリコン基
層表面を飽和させるためにＷＦ６ が用いられた。しか
しながら、シリコンにより還元され耐火金属膜として被
着されるものであれば、任意の公知耐火金属系ガスを用
いることができる。この飽和ステップに於て、ＷＦ６
は、露出シリコンにより還元され、露出シリコン領域２
及び３上に数層のタングステン単原子膜９２を形成する
。ＷＦ６ は、次の反応により露出シリコンにより還元
される。
リコン面の飽和。 第５のステップに於ては、図２に示されるように耐火金
属系ガスがウェハ１を受容するＣＶＤプロセスチャンバ
内に導入され、還元性ガスがチャンバ内に注入される前
に、例えば３０°Ｃ以下の室温に於て、露出シリコン領
域２及び３を飽和する好適実施例に於ては、シリコン基
層表面を飽和させるためにＷＦ６ が用いられた。しか
しながら、シリコンにより還元され耐火金属膜として被
着されるものであれば、任意の公知耐火金属系ガスを用
いることができる。この飽和ステップに於て、ＷＦ６
は、露出シリコンにより還元され、露出シリコン領域２
及び３上に数層のタングステン単原子膜９２を形成する
。ＷＦ６ は、次の反応により露出シリコンにより還元
される。
【００４７】
２ＷＦ６ ＋３Ｓｉ→２Ｗ＋３ＳｉＦ４
（式１）
（式１）
【００４８】式
１から理解されるように、ＷＦ６ のフッソ原子は、揮
発性の反応生成物（ＳｉＦ４ ）として除去され、タン
グステンが、シリコンの表面に被着される。 室温下に於て、Ｓｉ表面とＷＦ４ との反応が、露出シ
リコンの全面を耐火金属膜により覆うのに十分ではない
場合がある。しかしながら、このタングステン基層は、
露出シリコンと強固に接着し、従って、その後に形成さ
れるバリア膜とシリコン基層との間の接着力を増大させ
ることができる。この基層は、更に、タングステンを更
に被着し、概ねＳｉＯ２ 絶縁膜４以外のシリコンの表
面にのみ耐火金属を選択的に被着させるための触媒とし
ても機能する、ＳｉＯ２ は、室温下に於てＷＦ６ を
それ程還元することができないことから、タングステン
膜は、ＳｉＯ２ 膜４上にはほとんど形成されない。
１から理解されるように、ＷＦ６ のフッソ原子は、揮
発性の反応生成物（ＳｉＦ４ ）として除去され、タン
グステンが、シリコンの表面に被着される。 室温下に於て、Ｓｉ表面とＷＦ４ との反応が、露出シ
リコンの全面を耐火金属膜により覆うのに十分ではない
場合がある。しかしながら、このタングステン基層は、
露出シリコンと強固に接着し、従って、その後に形成さ
れるバリア膜とシリコン基層との間の接着力を増大させ
ることができる。この基層は、更に、タングステンを更
に被着し、概ねＳｉＯ２ 絶縁膜４以外のシリコンの表
面にのみ耐火金属を選択的に被着させるための触媒とし
ても機能する、ＳｉＯ２ は、室温下に於てＷＦ６ を
それ程還元することができないことから、タングステン
膜は、ＳｉＯ２ 膜４上にはほとんど形成されない。
【００４９】本実施例に於て、第５ステップは、ＣＶＤ
チャンバ内に導入されるＨ２ 、Ａｒ及びＷＦ６ の流
れを制御するために図６に示されたプロセスガスバルブ
４１及び４８を制御することにより実施される。表１は
、耐火金属膜を選択的に被着するために、本実施例に於
て用いられる種々のステップのためのプロセスパラメー
タを示す。第５ステップは、表１に於けるパラメータ設
定状態Ａに対応する。
チャンバ内に導入されるＨ２ 、Ａｒ及びＷＦ６ の流
れを制御するために図６に示されたプロセスガスバルブ
４１及び４８を制御することにより実施される。表１は
、耐火金属膜を選択的に被着するために、本実施例に於
て用いられる種々のステップのためのプロセスパラメー
タを示す。第５ステップは、表１に於けるパラメータ設
定状態Ａに対応する。
【００５０】
【表１】
【００５１】表１から理解されるように、このステップ
は、約７秒間、４．０ｓｃｃｍ（標準状態に於ける１分
当りの立方センチメートルにより表される流量）及び８
０ｍｔｏｒｒのＣＶＤチャンバ圧力下に於て実施される
。ＣＶＤチャンバ内に於て適正な流速及び圧力を保持す
るために、バルブ２７を開くことにより、Ｈ２ をチャ
ンバ内に向けて１５０ｓｃｃｍの流量をもって注入する
。Ｈ２ は、このような低温に於ては還元性ガスとして
機能せず、従って不活性ガスとして機能する。また、バ
ルブ４１を開くことにより少量のＡｒガスも５ｓｃｃｍ
の流量をもってチャンバ内に吸入される。Ａｒガスは、
ガスライン５４に於けるＷＦ６ の流れを促進するため
のキャリアガスとして用いられる。
は、約７秒間、４．０ｓｃｃｍ（標準状態に於ける１分
当りの立方センチメートルにより表される流量）及び８
０ｍｔｏｒｒのＣＶＤチャンバ圧力下に於て実施される
。ＣＶＤチャンバ内に於て適正な流速及び圧力を保持す
るために、バルブ２７を開くことにより、Ｈ２ をチャ
ンバ内に向けて１５０ｓｃｃｍの流量をもって注入する
。Ｈ２ は、このような低温に於ては還元性ガスとして
機能せず、従って不活性ガスとして機能する。また、バ
ルブ４１を開くことにより少量のＡｒガスも５ｓｃｃｍ
の流量をもってチャンバ内に吸入される。Ａｒガスは、
ガスライン５４に於けるＷＦ６ の流れを促進するため
のキャリアガスとして用いられる。
【００５２】図８は、本実施例に於て用いられた改造さ
れたＶａｒｉａｎモデル５１０１ＣＶＤシステム（商品
名）のチャンバ部分を示す断面図である。Ｖａｒｉａｎ
モデル５０１０ＣＶＤシステムについては、米国特許第
４，７９６，５６２号明細書を参照されたい。
れたＶａｒｉａｎモデル５１０１ＣＶＤシステム（商品
名）のチャンバ部分を示す断面図である。Ｖａｒｉａｎ
モデル５０１０ＣＶＤシステムについては、米国特許第
４，７９６，５６２号明細書を参照されたい。
【００５３】図８に於て、ウェハ１は、ウェハクランプ
アセンブリ１００により、石英チャック１０２に固定さ
れており、その前面が反応チャンバ１０４に対向してい
る。ＷＦ６ などの耐火金属系ガスは、外側ガス注入リ
ング１０８を介してチャンバ１０４内に注入され、リン
グ１０８は、その壁体の一部をなす拡散手段を介してガ
スを流出させることができる。本実施例に於ては、新規
な拡散手段が用いられており、その詳しい内容について
は図２３及び図２４について後に詳しく説明する。ガス
は、図６に示されたガスライン５４に接続された図示さ
れない入口ポートを介してリング１０８に向けて導入さ
れる。
アセンブリ１００により、石英チャック１０２に固定さ
れており、その前面が反応チャンバ１０４に対向してい
る。ＷＦ６ などの耐火金属系ガスは、外側ガス注入リ
ング１０８を介してチャンバ１０４内に注入され、リン
グ１０８は、その壁体の一部をなす拡散手段を介してガ
スを流出させることができる。本実施例に於ては、新規
な拡散手段が用いられており、その詳しい内容について
は図２３及び図２４について後に詳しく説明する。ガス
は、図６に示されたガスライン５４に接続された図示さ
れない入口ポートを介してリング１０８に向けて導入さ
れる。
【００５４】図６に示されるように、Ａｒガスもガスラ
イン５４を介して流れる。不活性ガス注入リング１１０
は、リング１０８と同様のものからなり、図６に示され
たガスライン５２に接続され、ＳｉＨ４ などの還元性
ガス及びＨ２ をチャンバ１０４内に注入する。ガスデ
フレクタ１０５は、ガスが反応チャンバ１０４内に導入
される前に、ガス混合チャンバ１０６に向けて注入され
るガスを混合する働きをする。
イン５４を介して流れる。不活性ガス注入リング１１０
は、リング１０８と同様のものからなり、図６に示され
たガスライン５２に接続され、ＳｉＨ４ などの還元性
ガス及びＨ２ をチャンバ１０４内に注入する。ガスデ
フレクタ１０５は、ガスが反応チャンバ１０４内に導入
される前に、ガス混合チャンバ１０６に向けて注入され
るガスを混合する働きをする。
【００５５】図３に示されたＣＶＤチャンバの他の特徴
については特定のプロセスステップに関連し説明する。 また、図８に示されたＣＶＤチャンバの詳しい内容につ
いては、米国特許第４，７９６，５６２号明細書を参照
されたい。表１に於けるパラメータ設定状態Ａに対応す
る本実施例に於て、裏側チャンバ１１４が、図示されな
い入力ポートから、裏側チャンバ１１４に向けてＡｒガ
スが注入されることにより、０．５ｔｏｒｒの圧力を有
するようにされている。図示されない圧力トランスジュ
ーサが、裏側チャンバ１１４内に設けられ、裏側チャン
バ１１４の圧力を計測する。反応チャンバ１０４内のプ
ロセスガスが裏側チャンバ１１４内に侵入し、シリコン
ウェハ１の裏面と共に核生成を行わない限り、裏側チャ
ンバの比較的高い圧力の正確な値は問題とならない。し
かしながら、ウェハの周縁部に沿って所望の選択性が失
われることを回避するために、裏側チャンバの圧力は、
約１．０ｔｏｒｒを越えてはならない。表１に於けるパ
ラメータ設定状態Ａによれば、反応チャンバの圧力が８
０ｍｔｏｒｒに保持される。
については特定のプロセスステップに関連し説明する。 また、図８に示されたＣＶＤチャンバの詳しい内容につ
いては、米国特許第４，７９６，５６２号明細書を参照
されたい。表１に於けるパラメータ設定状態Ａに対応す
る本実施例に於て、裏側チャンバ１１４が、図示されな
い入力ポートから、裏側チャンバ１１４に向けてＡｒガ
スが注入されることにより、０．５ｔｏｒｒの圧力を有
するようにされている。図示されない圧力トランスジュ
ーサが、裏側チャンバ１１４内に設けられ、裏側チャン
バ１１４の圧力を計測する。反応チャンバ１０４内のプ
ロセスガスが裏側チャンバ１１４内に侵入し、シリコン
ウェハ１の裏面と共に核生成を行わない限り、裏側チャ
ンバの比較的高い圧力の正確な値は問題とならない。し
かしながら、ウェハの周縁部に沿って所望の選択性が失
われることを回避するために、裏側チャンバの圧力は、
約１．０ｔｏｒｒを越えてはならない。表１に於けるパ
ラメータ設定状態Ａによれば、反応チャンバの圧力が８
０ｍｔｏｒｒに保持される。
【００５６】反応チャンバ１０４内のガスは、ウェハク
ランプアセンブリ１００に設けられた開口を介して、大
きな流量を取り扱い得る真空ポート１１６から吸い出さ
れ、チャンバ１０４内の副産物の滞留時間が１０ミリ秒
以下となるようにしており、チャンバ１０４内のガスを
吸い出す速度は、プロセスガスが所望の流量をもって流
れ、所望の反応チャンバ圧力を維持するように定められ
る。
ランプアセンブリ１００に設けられた開口を介して、大
きな流量を取り扱い得る真空ポート１１６から吸い出さ
れ、チャンバ１０４内の副産物の滞留時間が１０ミリ秒
以下となるようにしており、チャンバ１０４内のガスを
吸い出す速度は、プロセスガスが所望の流量をもって流
れ、所望の反応チャンバ圧力を維持するように定められ
る。
【００５７】Ａ（６）．低温下に於ける光学的に不透明
な耐火金属膜のＮ及びＰ型領域上への形成。 第６ステップに於ては、シリコン上への耐火金属の被着
速度が、極めて低いレベルに保持されるように、ＷＦ６
などの耐火金属系ガスを反応チャンバ内に導入しつつ
、ウェハの温度を、直接的な放射源により室温以上の温
度に徐々に加熱する。
な耐火金属膜のＮ及びＰ型領域上への形成。 第６ステップに於ては、シリコン上への耐火金属の被着
速度が、極めて低いレベルに保持されるように、ＷＦ６
などの耐火金属系ガスを反応チャンバ内に導入しつつ
、ウェハの温度を、直接的な放射源により室温以上の温
度に徐々に加熱する。
【００５８】ウェハの温度は、徐々に上昇するが、その
温度が約１００°Ｃ以下である時には、耐火金属系ガス
が、図３に於けるＮ型領域及びＰ型領域３の表面の露出
シリコンにより還元され、また第５ステップにより被着
された耐火金属の基層を介して拡散したシリコンにより
還元される。耐火金属膜１２０の表面に概ね一定の割合
で被着されるが、これはＮ型及びＰ型シリコンが１００
°Ｃ以下である場合には、概ね等しい放射率を有するこ
とによるものである。
温度が約１００°Ｃ以下である時には、耐火金属系ガス
が、図３に於けるＮ型領域及びＰ型領域３の表面の露出
シリコンにより還元され、また第５ステップにより被着
された耐火金属の基層を介して拡散したシリコンにより
還元される。耐火金属膜１２０の表面に概ね一定の割合
で被着されるが、これはＮ型及びＰ型シリコンが１００
°Ｃ以下である場合には、概ね等しい放射率を有するこ
とによるものである。
【００５９】図９に示されるように、Ｎ型及びＰ型シリ
コンの放射率が約１００°Ｃを境にして異なる値を取る
ようになることから、温度上昇は、基層温度が約１００
°Ｃに到達する前に、少なくとも光学的に透明な耐火金
属膜１２０、９０（１００〜５００オングストローム）
を、Ｎ型及びＰ型シリコン領域２及び３の両者に被着し
ておくのに十分であるようなゆっくりした速度をもって
行われなければならない。この膜は、ＣＶＤチャンバに
於て用いられる放射加熱源により出力される周波数に対
して不透明であれば良い。不透明な耐火金属膜が形成さ
れると、Ｎ型及びＰ型シリコン領域２及び３の放射率が
概ね被着された耐火金属の放射率に等しくなり、より高
い温度に於てもＮ型及びＰ型領域に於ても概ね等しい被
着速度をもって耐火金属膜の形成が可能となる。図３は
、不透明な耐火金属膜１２０がＮ型領域及びＰ型領域３
に対して形成されると同時に、放射１２２がウェハ１の
基層の裏面１２４に対して与えられている状態を示して
いる。ＷＦ６を耐火金属系のガスとして用いることによ
り、タングステンからなる不透明な膜が式１に示された
発熱還元反応に従って、このステップに於て生成される
。
コンの放射率が約１００°Ｃを境にして異なる値を取る
ようになることから、温度上昇は、基層温度が約１００
°Ｃに到達する前に、少なくとも光学的に透明な耐火金
属膜１２０、９０（１００〜５００オングストローム）
を、Ｎ型及びＰ型シリコン領域２及び３の両者に被着し
ておくのに十分であるようなゆっくりした速度をもって
行われなければならない。この膜は、ＣＶＤチャンバに
於て用いられる放射加熱源により出力される周波数に対
して不透明であれば良い。不透明な耐火金属膜が形成さ
れると、Ｎ型及びＰ型シリコン領域２及び３の放射率が
概ね被着された耐火金属の放射率に等しくなり、より高
い温度に於てもＮ型及びＰ型領域に於ても概ね等しい被
着速度をもって耐火金属膜の形成が可能となる。図３は
、不透明な耐火金属膜１２０がＮ型領域及びＰ型領域３
に対して形成されると同時に、放射１２２がウェハ１の
基層の裏面１２４に対して与えられている状態を示して
いる。ＷＦ６を耐火金属系のガスとして用いることによ
り、タングステンからなる不透明な膜が式１に示された
発熱還元反応に従って、このステップに於て生成される
。
【００６０】チャンバ内に還元性ガスが導入されない場
合には、露出シリコン領域上の不透明なタングステン膜
を被着する際に、シリコン基層の数原子分の厚さの膜が
還元反応により消費される。また、このような低い温度
に於ては、二酸化シリコン絶縁膜４により耐火金属系ガ
スが殆ど還元されないことから、二酸化シリコン膜４の
上には、耐火金属が殆ど被着されない。
合には、露出シリコン領域上の不透明なタングステン膜
を被着する際に、シリコン基層の数原子分の厚さの膜が
還元反応により消費される。また、このような低い温度
に於ては、二酸化シリコン絶縁膜４により耐火金属系ガ
スが殆ど還元されないことから、二酸化シリコン膜４の
上には、耐火金属が殆ど被着されない。
【００６１】本実施例に於ては、表１に於てパラメータ
設定状態Ｂ及びＣとして示される第６ステップが、ＷＦ
６ が４ｓｃｃｍの流量をもってチャンバ１０４内に吸
入されると同時に、図８に示されるように、徐々に増大
する電力を石英ハロゲンランブ１２６に供給することに
より実行される。表１に於けるパラメータ設定状態Ｂ及
びＣとして示されるように、ランプ１２５は、５秒間消
灯され、それに引続く４５秒間に亘って２６５°Ｃに達
するまで、増大する電力の供給を受ける。チャンバ圧力
及び裏側チャンバ圧力と同様に、Ｈ２ 及びＡｒの流量
は第５ステップと同様である。
設定状態Ｂ及びＣとして示される第６ステップが、ＷＦ
６ が４ｓｃｃｍの流量をもってチャンバ１０４内に吸
入されると同時に、図８に示されるように、徐々に増大
する電力を石英ハロゲンランブ１２６に供給することに
より実行される。表１に於けるパラメータ設定状態Ｂ及
びＣとして示されるように、ランプ１２５は、５秒間消
灯され、それに引続く４５秒間に亘って２６５°Ｃに達
するまで、増大する電力の供給を受ける。チャンバ圧力
及び裏側チャンバ圧力と同様に、Ｈ２ 及びＡｒの流量
は第５ステップと同様である。
【００６２】図８に示されたパイロメータ即ち高温計が
、ウェハの平均温度を計るために用いられ、温度制御の
ためのフィードバック信号を供給する。
、ウェハの平均温度を計るために用いられ、温度制御の
ためのフィードバック信号を供給する。
【００６３】表１に示された好適実施例に於ては、反応
チャンバ１０４内に還元性ガスを導入しなくても、不透
明な膜１２０、９０を形成し得るにも拘らず、シランと
も呼ばれる４水素化シリコン（ＳｉＨ４ ）還元性ガス
が、耐火金属の被着速度を増大させ、還元反応により消
費されるシリコンの表面がごく僅かであるようにするた
めに、ＷＦ６ を還元するべく、２．６ｓｃｃｍの流量
をもって、チャンバ１０４内に導入される。
チャンバ１０４内に還元性ガスを導入しなくても、不透
明な膜１２０、９０を形成し得るにも拘らず、シランと
も呼ばれる４水素化シリコン（ＳｉＨ４ ）還元性ガス
が、耐火金属の被着速度を増大させ、還元反応により消
費されるシリコンの表面がごく僅かであるようにするた
めに、ＷＦ６ を還元するべく、２．６ｓｃｃｍの流量
をもって、チャンバ１０４内に導入される。
【００６４】Ａ（７）．被着温度に於ける還元性ガスの
徐々に増大する流量による供給。 第７ステップに於ては、被着温度が、シリコンウェハ上
の選択された領域上にタングステンの他の耐火金属が所
望の厚さに被着される必要な時間に亘って、２３０〜４
２５°Ｃに保持される。この間に、耐火金属系のガスが
、還元性ガスと共に、チャンバ内に導入され、耐火金属
系ガスを還元する。この時、基層のシリコンは、被着さ
れた金属皮膜内を拡散して耐火金属系ガスを還元するこ
とができない。好適実施例に於ては、耐火金属系ガスが
ＷＦ６ からなり、還元性ガスがＳｉＨ４ からなり、
チャンバ内のＳｉＨ４ の相対的な量に応じて次のよう
な発熱反応を引起す。
徐々に増大する流量による供給。 第７ステップに於ては、被着温度が、シリコンウェハ上
の選択された領域上にタングステンの他の耐火金属が所
望の厚さに被着される必要な時間に亘って、２３０〜４
２５°Ｃに保持される。この間に、耐火金属系のガスが
、還元性ガスと共に、チャンバ内に導入され、耐火金属
系ガスを還元する。この時、基層のシリコンは、被着さ
れた金属皮膜内を拡散して耐火金属系ガスを還元するこ
とができない。好適実施例に於ては、耐火金属系ガスが
ＷＦ６ からなり、還元性ガスがＳｉＨ４ からなり、
チャンバ内のＳｉＨ４ の相対的な量に応じて次のよう
な発熱反応を引起す。
【００６５】
２ＷＦ６ ＋３ＳｉＨ４ →２Ｗ＋３ＳｉＦ４ ＋
６Ｈ２ （式２）
６Ｈ２ （式２）
【００６６】
２ＷＦ６ ＋４．２ＳｉＨ４ →０．４Ｗ５ Ｓｉ
３ ＋３ＳｉＦ４ ＋８．４Ｈ２
（式３）
３ ＋３ＳｉＦ４ ＋８．４Ｈ２
（式３）
【
００６７】式２及び式３に示された還元反応は、次のよ
うにして行われる。ＷＦ６ は、第６ステップに於て被
着された不透明なタングステン皮膜をフッ化する。Ｓｉ
Ｈ４ は、直ちにフッ化表面と反応し、シリコンを被着
すると共に、揮発性のフッ化シリコン（ＳｉＦ４ ）を
形成する。被着されたシリコン膜は、該シリコン膜に向
けて衝当するＷＦ６ ガスの分子と反応し、式１に示さ
れる還元反応を行う。このようにして、式２及び式３に
より示される反応は、ＷＦ６ とＳｉＨ４ との間の還
元反応と、タングステン及びシリコンの被着サイクルに
亘って行われるタングステン皮膜の成長とからなる一連
の副反応の集合として行われる。ＷＦ６ 或いはＳｉＨ
４ は、このような低い被着温度に於ては、絶縁性の二
酸化シリコン膜４に殆ど付着しないことから、絶縁性の
二酸化シリコン膜に対しては、タングステンが殆ど被着
されない。従ってタングステンの選択的な被着が実現す
る。
００６７】式２及び式３に示された還元反応は、次のよ
うにして行われる。ＷＦ６ は、第６ステップに於て被
着された不透明なタングステン皮膜をフッ化する。Ｓｉ
Ｈ４ は、直ちにフッ化表面と反応し、シリコンを被着
すると共に、揮発性のフッ化シリコン（ＳｉＦ４ ）を
形成する。被着されたシリコン膜は、該シリコン膜に向
けて衝当するＷＦ６ ガスの分子と反応し、式１に示さ
れる還元反応を行う。このようにして、式２及び式３に
より示される反応は、ＷＦ６ とＳｉＨ４ との間の還
元反応と、タングステン及びシリコンの被着サイクルに
亘って行われるタングステン皮膜の成長とからなる一連
の副反応の集合として行われる。ＷＦ６ 或いはＳｉＨ
４ は、このような低い被着温度に於ては、絶縁性の二
酸化シリコン膜４に殆ど付着しないことから、絶縁性の
二酸化シリコン膜に対しては、タングステンが殆ど被着
されない。従ってタングステンの選択的な被着が実現す
る。
【００６８】式２及び式３により示される還元性反応か
ら理解されるように、還元性反応に関与するＳｉＨ４
の量がＷＦ６ の量の１．５倍を越えると、シリコン原
子もタングステンと共に被着されるようになる。これは
、その後に耐火金属とシリコン基層との接合部をシリサ
イド化するべくウェハを焼戻す時に、シリコン系の還元
性ガスを用いることにより、シリコン基層が何ら消費さ
れないこととなる点に於て好ましい。この焼戻しステッ
プは、被着層全体をもシリサイド化しかつ高密度化する
事から、バリア膜の抵抗を低くする働きをも有する。従
って、ＣＶＤチャンバ内に導入されるＷＦ６ 及びＳｉ
Ｈ４ の量は、ＷＳｉｘ の膜を被着するように設定さ
れるのが好ましい。但し、ｘはプロセスパラメータに依
存する。 図１０は、ＳｉＨ４ 対ＷＦ６ の比を種々変化させた
場合の、３２０〜３８０°Ｃの被着温度下に於ける被着
層のＳｉ対Ｗの比の変化を表わすグラフである。
ら理解されるように、還元性反応に関与するＳｉＨ４
の量がＷＦ６ の量の１．５倍を越えると、シリコン原
子もタングステンと共に被着されるようになる。これは
、その後に耐火金属とシリコン基層との接合部をシリサ
イド化するべくウェハを焼戻す時に、シリコン系の還元
性ガスを用いることにより、シリコン基層が何ら消費さ
れないこととなる点に於て好ましい。この焼戻しステッ
プは、被着層全体をもシリサイド化しかつ高密度化する
事から、バリア膜の抵抗を低くする働きをも有する。従
って、ＣＶＤチャンバ内に導入されるＷＦ６ 及びＳｉ
Ｈ４ の量は、ＷＳｉｘ の膜を被着するように設定さ
れるのが好ましい。但し、ｘはプロセスパラメータに依
存する。 図１０は、ＳｉＨ４ 対ＷＦ６ の比を種々変化させた
場合の、３２０〜３８０°Ｃの被着温度下に於ける被着
層のＳｉ対Ｗの比の変化を表わすグラフである。
【００６９】第７ステップに於て重要なことは、ＣＶＤ
チャンバに供給されるＳｉＨ４ 還元ガスの量が、接触
領域の温度上昇に伴い増大する点である。ＷＦ６ の、
他の耐火金属系ガスであるＳｉＨ４ との還元反応は、
発熱反応であることから、被着されるタングステンの量
が増大するのに伴い、被着されたタングステンの温度が
上昇する。接触領域の温度が上昇するに伴い、ＳｉＨ４
の供給量を徐々に増大させると、反応が行われる温度
の上昇により、バリア膜の好ましい柱状の粒子構造が維
持されると同時に、耐火金属の被着速度が増大する。こ
の時、柱状の粒子の構造を維持するために、接触領域の
温度が或るレベルに達する前に過大な量のＳｉＨ４ を
反応に供給しないように注意しなければならない。さも
ないと、形成されるバリア膜の粒子構造が好ましくない
非等方性の要領をもって急成長してしまう。
チャンバに供給されるＳｉＨ４ 還元ガスの量が、接触
領域の温度上昇に伴い増大する点である。ＷＦ６ の、
他の耐火金属系ガスであるＳｉＨ４ との還元反応は、
発熱反応であることから、被着されるタングステンの量
が増大するのに伴い、被着されたタングステンの温度が
上昇する。接触領域の温度が上昇するに伴い、ＳｉＨ４
の供給量を徐々に増大させると、反応が行われる温度
の上昇により、バリア膜の好ましい柱状の粒子構造が維
持されると同時に、耐火金属の被着速度が増大する。こ
の時、柱状の粒子の構造を維持するために、接触領域の
温度が或るレベルに達する前に過大な量のＳｉＨ４ を
反応に供給しないように注意しなければならない。さも
ないと、形成されるバリア膜の粒子構造が好ましくない
非等方性の要領をもって急成長してしまう。
【００７０】このように、ＳｉＨ４ の、反応チャンバ
への供給量を徐々に増大させることにより、好ましくな
い現象を引起すことなく耐火金属の被着速度を増大させ
ることができる。しかるに、従来の技術によれば、接触
領域の温度上昇に伴ない、ＳｉＨ４ の供給量を徐々に
増大させることにより、柱状の粒子構造を維持し得るこ
とが認識されていなかった。
への供給量を徐々に増大させることにより、好ましくな
い現象を引起すことなく耐火金属の被着速度を増大させ
ることができる。しかるに、従来の技術によれば、接触
領域の温度上昇に伴ない、ＳｉＨ４ の供給量を徐々に
増大させることにより、柱状の粒子構造を維持し得るこ
とが認識されていなかった。
【００７１】第７ステップにより得られる構造が図４に
示されている。本実施例に於ては、被着されたバリア膜
１３２が、５〜２０原子％のシリコン（即ち１〜４重量
％のシリコン）を含むように形成される。上記したプロ
セスにより、膜１３２は、約１２原子％のシリコンを含
むが、Ｓｉ基層の還元を回避するためには、シリコンの
量が５原子％を越えれば良い。
示されている。本実施例に於ては、被着されたバリア膜
１３２が、５〜２０原子％のシリコン（即ち１〜４重量
％のシリコン）を含むように形成される。上記したプロ
セスにより、膜１３２は、約１２原子％のシリコンを含
むが、Ｓｉ基層の還元を回避するためには、シリコンの
量が５原子％を越えれば良い。
【００７２】図８に示されたＣＶＤチャンバに於て、図
６に示されたガス供給ネットワークを用い、更に、表１
に示されたパラメータ設定状態Ｃ〜Ｈを用いることによ
り、第７ステップが、ウェハの測定温度が２６０°Ｃと
なるように、石英ハロゲンランプ１２６への電力の供給
量を４５秒に亘って徐々に増大させるように実行される
。電力の供給量を徐々に増大させる間に、ＳｉＨ４ が
、バルブ２４を制御することにより、２．６ｓｃｃｍの
流量をもってチャンバ１０４内に注入される。残りのガ
スの流量及び圧力は、表１のプロセスパラメータ設定状
態Ｂに於て用いられたものと同様である。
６に示されたガス供給ネットワークを用い、更に、表１
に示されたパラメータ設定状態Ｃ〜Ｈを用いることによ
り、第７ステップが、ウェハの測定温度が２６０°Ｃと
なるように、石英ハロゲンランプ１２６への電力の供給
量を４５秒に亘って徐々に増大させるように実行される
。電力の供給量を徐々に増大させる間に、ＳｉＨ４ が
、バルブ２４を制御することにより、２．６ｓｃｃｍの
流量をもってチャンバ１０４内に注入される。残りのガ
スの流量及び圧力は、表１のプロセスパラメータ設定状
態Ｂに於て用いられたものと同様である。
【００７３】２６０°Ｃの測定温度が得られると、この
温度が１０秒間維持され（表１に於けるプロセスパラメ
ータ設定状態Ｄ）、ガスの流量が一定に保たれる。この
時間が経過した後（表１に於けるプロセスパラメータ設
定状態Ｅ）、ＳｉＨ４ の流量を２．６ｓｃｃｍから２
．８ｓｃｃｍに増大させ、還元性反応が発熱反応である
ことから、被着バリア膜の温度上昇が２６０°Ｃを越え
、耐火金属の被着速度を増大させる。
温度が１０秒間維持され（表１に於けるプロセスパラメ
ータ設定状態Ｄ）、ガスの流量が一定に保たれる。この
時間が経過した後（表１に於けるプロセスパラメータ設
定状態Ｅ）、ＳｉＨ４ の流量を２．６ｓｃｃｍから２
．８ｓｃｃｍに増大させ、還元性反応が発熱反応である
ことから、被着バリア膜の温度上昇が２６０°Ｃを越え
、耐火金属の被着速度を増大させる。
【００７４】実用上、ＳｉＨ４ の流量の増大は、ウェ
ハ上の露出シリコン面の面積に依存する。上記したプロ
セスに於ては、ウェハの表面の３％以下が露出シリコン
面であると仮定されている。それ以上のシリコン面が露
出している場合には、ＳｉＨ４ をそれだけ急速に増大
させるのが好ましい。
ハ上の露出シリコン面の面積に依存する。上記したプロ
セスに於ては、ウェハの表面の３％以下が露出シリコン
面であると仮定されている。それ以上のシリコン面が露
出している場合には、ＳｉＨ４ をそれだけ急速に増大
させるのが好ましい。
【００７５】このように、それぞれ１０秒間に亘って、
設定状態Ｆ、Ｇ及びＨを行い、特にＳｉＨ４ の供給量
を、最終的に３．４ｓｃｃｍに達するまで０．２ｓｃｃ
ｍずつ増大させる。
設定状態Ｆ、Ｇ及びＨを行い、特にＳｉＨ４ の供給量
を、最終的に３．４ｓｃｃｍに達するまで０．２ｓｃｃ
ｍずつ増大させる。
【００７６】Ａ（８）．チャンバからのプロセスガスの
除去及び焼戻し。 第８ステップに於て、ウェハが冷却され、プロセスガス
がチャンバから除去され、耐火金属とシリコン基層との
境界をシリサイド化し、接触領域の抵抗を低下させるた
めに急激な焼戻しステップが行われる。またこのステッ
プの間に、バリア膜内のシリコン原子が被着された耐火
金属と反応しシリサイドを形成する。還元性ガスがシリ
コン系であることから、被着耐火金属は既にシリコンを
含んでおり、従ってこのステップに際して、シリコン基
層はそれ程消費されない。本実施例に於ては、この焼戻
しステップが、１０〜３０秒に亘って約６５０〜９００
°Ｃの温度に於て行われる。
除去及び焼戻し。 第８ステップに於て、ウェハが冷却され、プロセスガス
がチャンバから除去され、耐火金属とシリコン基層との
境界をシリサイド化し、接触領域の抵抗を低下させるた
めに急激な焼戻しステップが行われる。またこのステッ
プの間に、バリア膜内のシリコン原子が被着された耐火
金属と反応しシリサイドを形成する。還元性ガスがシリ
コン系であることから、被着耐火金属は既にシリコンを
含んでおり、従ってこのステップに際して、シリコン基
層はそれ程消費されない。本実施例に於ては、この焼戻
しステップが、１０〜３０秒に亘って約６５０〜９００
°Ｃの温度に於て行われる。
【００７７】表１に於けるパラメータ設定状態Ｉ〜Ｋは
、焼戻しに先立って行われる好適な冷却及びパージステ
ップを示しており、パラメータ設定状態Ｉに於てはラン
プ１２６が消灯され、プロセスガスＳｉＨ４ 、Ｈ２
、Ａｒ、ＷＦ６ のチャンバ内への注入が、図６に示さ
れたバルブを閉じることより実行され、反応チャンバ１
０４及び裏側チャンバ１１４に於ける圧力が１８ｍｔｏ
ｒｒ以下に低下される。
、焼戻しに先立って行われる好適な冷却及びパージステ
ップを示しており、パラメータ設定状態Ｉに於てはラン
プ１２６が消灯され、プロセスガスＳｉＨ４ 、Ｈ２
、Ａｒ、ＷＦ６ のチャンバ内への注入が、図６に示さ
れたバルブを閉じることより実行され、反応チャンバ１
０４及び裏側チャンバ１１４に於ける圧力が１８ｍｔｏ
ｒｒ以下に低下される。
【００７８】パラメータ設定状態Ｊに於て、Ｈ２ が３
００ｓｃｃｍの流量をもって反応チャンバ１０４に導入
され、Ａｒは５０ｓｃｃｍの流量をもってチャンバ１０
４に導入され、ウェハの冷却が促進されると共に、ライ
ン５２及び５４及び反応チャンバ１０４から、残留する
ＳｉＨ４ 及びＷＦ６ をパージする。反応チャンバ１
０４に於ける圧力は、８００ｍｔｏｒｒに保持され裏側
チャンバ圧力は、１．０ｔｏｒｒに保持される。パラメ
ータ設定状態Ｊは約４５秒間維持され、その結果ウェハ
は十分冷却し、ライン及び反応チャンバが十分にパージ
される。
００ｓｃｃｍの流量をもって反応チャンバ１０４に導入
され、Ａｒは５０ｓｃｃｍの流量をもってチャンバ１０
４に導入され、ウェハの冷却が促進されると共に、ライ
ン５２及び５４及び反応チャンバ１０４から、残留する
ＳｉＨ４ 及びＷＦ６ をパージする。反応チャンバ１
０４に於ける圧力は、８００ｍｔｏｒｒに保持され裏側
チャンバ圧力は、１．０ｔｏｒｒに保持される。パラメ
ータ設定状態Ｊは約４５秒間維持され、その結果ウェハ
は十分冷却し、ライン及び反応チャンバが十分にパージ
される。
【００７９】パラメータ設定状態Ｋに於ては、ガスが、
反応チャンバ１０４及び裏側チャンバ１１４に於ける圧
力が５秒間に亘って１８ｍｔｏｒｒ以下に低下されるま
で抜き出される。
反応チャンバ１０４及び裏側チャンバ１１４に於ける圧
力が５秒間に亘って１８ｍｔｏｒｒ以下に低下されるま
で抜き出される。
【００８０】焼戻し過程は、プロセスパラメータ設定状
態Ｌの時に行われ、ランプ１２６は、５秒間に亘って、
ウェハを約７００°Ｃに加熱するように徐々に増大する
電力の供給を受ける。この間にＨ２ が１５０ｓｃｃｍ
の流量をもって反応チャンバ１０４に供給され、Ａｒが
５ｓｃｃｍの重量をもって反応チャンバ１０４に供給さ
れる。反応チャンバ１０４に於ける圧力は、８０ｍｔｏ
ｒｒに保持され、裏側チャンバ１１４の圧力が０．５ｔ
ｏｒｒに保持される。この焼戻しステップの間に、被着
されたバリア膜の密度が高まり約１０％収縮する。この
収縮は、バリア膜１３２内のシリコンとタングステンと
が結合することによるものである。この収縮の度合は、
焼戻し温度及びバリア膜１３内のＳｉの量に依存する。
態Ｌの時に行われ、ランプ１２６は、５秒間に亘って、
ウェハを約７００°Ｃに加熱するように徐々に増大する
電力の供給を受ける。この間にＨ２ が１５０ｓｃｃｍ
の流量をもって反応チャンバ１０４に供給され、Ａｒが
５ｓｃｃｍの重量をもって反応チャンバ１０４に供給さ
れる。反応チャンバ１０４に於ける圧力は、８０ｍｔｏ
ｒｒに保持され、裏側チャンバ１１４の圧力が０．５ｔ
ｏｒｒに保持される。この焼戻しステップの間に、被着
されたバリア膜の密度が高まり約１０％収縮する。この
収縮は、バリア膜１３２内のシリコンとタングステンと
が結合することによるものである。この収縮の度合は、
焼戻し温度及びバリア膜１３内のＳｉの量に依存する。
【００８１】このようにして第５〜８のステップにより
（表１に於けるパラメータ設定状態Ａ〜Ｌ）形成された
バリア膜１３２は、約６、５００オングストロームの厚
さを有するようになる。
（表１に於けるパラメータ設定状態Ａ〜Ｌ）形成された
バリア膜１３２は、約６、５００オングストロームの厚
さを有するようになる。
【００８２】Ａ（９）．ウェハの冷却及びウェハのＣＶ
Ｄチャンバからの除去。 第９ステップに於て、焼戻し過程に続いて、また、ウェ
ハをＣＶＤチャンバから取出す前に、基層の温度が１０
０°Ｃ以下に冷却される。この冷却ステップは、ランプ
１２６を消灯し、ウェハが少なくもと４５秒間に亘って
周囲温度にまで冷却することにより実行される。冷却を
促進するために反応チャンバの圧力を８００ｍｔｏｒｒ
に保持し、裏側チャンバの圧力を１．０ｔｏｒｒに維持
しつつ、約４５秒間に亘ってＨ２ 及びＡｒをそれぞれ
３００ｓｃｃｍ及び５０ｓｃｃｍの流量をもって反応チ
ャンバ１０４に注入することができる。それに引続き、
Ｈ２ 及びＡｒガスを遮断し、ウェハを反応チャンバか
ら取出す。
Ｄチャンバからの除去。 第９ステップに於て、焼戻し過程に続いて、また、ウェ
ハをＣＶＤチャンバから取出す前に、基層の温度が１０
０°Ｃ以下に冷却される。この冷却ステップは、ランプ
１２６を消灯し、ウェハが少なくもと４５秒間に亘って
周囲温度にまで冷却することにより実行される。冷却を
促進するために反応チャンバの圧力を８００ｍｔｏｒｒ
に保持し、裏側チャンバの圧力を１．０ｔｏｒｒに維持
しつつ、約４５秒間に亘ってＨ２ 及びＡｒをそれぞれ
３００ｓｃｃｍ及び５０ｓｃｃｍの流量をもって反応チ
ャンバ１０４に注入することができる。それに引続き、
Ｈ２ 及びＡｒガスを遮断し、ウェハを反応チャンバか
ら取出す。
【００８３】Ａ（１０）．導電性金属皮膜の形成。
バリア膜が形成された後、アルミニウム被着過程、その
他の金属の被着過程或いは多結晶シリコンの被着過程が
、従来の方法により行われ、被着されたバリア膜上に、
導電性のインタコネクト膜を形成する。好適実施例に於
ては、インタコネクト膜としてアルミニウムが、スパッ
タ被着プロセスにより被着される。このようにして得ら
れた構造が図５に示されており、導電性のアルミニウム
皮膜１３６がバリア膜１３２上に被着されている。
他の金属の被着過程或いは多結晶シリコンの被着過程が
、従来の方法により行われ、被着されたバリア膜上に、
導電性のインタコネクト膜を形成する。好適実施例に於
ては、インタコネクト膜としてアルミニウムが、スパッ
タ被着プロセスにより被着される。このようにして得ら
れた構造が図５に示されており、導電性のアルミニウム
皮膜１３６がバリア膜１３２上に被着されている。
【００８４】Ａ（１１）．その他の特徴。
耐火金属の被着過程に於ける第４〜第７ステップに於て
最適な結果を得るためには、フッ化シリコンなどの反応
副産物の滞留時間を１０ミリ秒以下にしなければならな
い。滞留時間は、次の式により計算される。
最適な結果を得るためには、フッ化シリコンなどの反応
副産物の滞留時間を１０ミリ秒以下にしなければならな
い。滞留時間は、次の式により計算される。
【００８５】
Ｖ
ｐＶ τ ＝ ─
＝ ──
（式４）
Ｓ Ｑ
ｐＶ τ ＝ ─
＝ ──
（式４）
Ｓ Ｑ
【００８６】但し、τ＝滞留時間
（秒）Ｖ＝ＣＶＤチャンバの容積（リットル）Ｓ＝ポン
プにより除去されるガスの流量（リットル／秒） Ｐ＝チャンバの圧力（ｔｏｒｒ） Ｑ＝チャンバに導入されるガスの流量（ｔｏｒｒ・リッ
トル／秒）
（秒）Ｖ＝ＣＶＤチャンバの容積（リットル）Ｓ＝ポン
プにより除去されるガスの流量（リットル／秒） Ｐ＝チャンバの圧力（ｔｏｒｒ） Ｑ＝チャンバに導入されるガスの流量（ｔｏｒｒ・リッ
トル／秒）
【００８７】好適実施例に於て、ＣＶＤチャンバからポ
ンプに至るマニフォールドは、５０ｔｏｒｒ・リットル
／秒以上のコンダクタンスを有している。１２０ｍｔｏ
ｒｒのチャンバ圧力及び４９リットルのチャンバ容積を
用いた場合、プロセスチャンバ内のガスの滞留時間は約
９．８×１０−３秒となる。更に、ＣＶＤチャンバ内に
導入されるプロセスガスは少なくとも９９．９９９％の
純度を有しており、重要なガスの流量は、十分な再現性
を得るために、ウェハごとに設定された流量の設定値に
対して±０．２ｓｃｃｍの範囲内に制御されなければな
らない。更に、ＷＦ６ 或いは耐火金属系のガスを貯留
する液体ガス容器は、ガスライン中に於けるガスの凝縮
を防止するため、好ましくは室温よりも５度低い温度に
冷却される。
ンプに至るマニフォールドは、５０ｔｏｒｒ・リットル
／秒以上のコンダクタンスを有している。１２０ｍｔｏ
ｒｒのチャンバ圧力及び４９リットルのチャンバ容積を
用いた場合、プロセスチャンバ内のガスの滞留時間は約
９．８×１０−３秒となる。更に、ＣＶＤチャンバ内に
導入されるプロセスガスは少なくとも９９．９９９％の
純度を有しており、重要なガスの流量は、十分な再現性
を得るために、ウェハごとに設定された流量の設定値に
対して±０．２ｓｃｃｍの範囲内に制御されなければな
らない。更に、ＷＦ６ 或いは耐火金属系のガスを貯留
する液体ガス容器は、ガスライン中に於けるガスの凝縮
を防止するため、好ましくは室温よりも５度低い温度に
冷却される。
【００８８】バリア膜をシリコンの領域上に形成するた
めの上記した方法は、好適実施例に於いて言及されたプ
ロセスガス以外のガスを用いて実施することもできる。 例えば、モリブデン、パラジウム、白金或いはタンタル
などの耐火金属を含む耐火金属系ガスを用いることもで
き、また好適実施例に於て言及された以外の還元性ガス
を用いることもできる。云うまでもなく好適実施例のプ
ロセスに於て用いられたガスの流量、温度、プロセス時
間、圧力及び装置の能力などは、所望の特性を有するバ
リア膜を形成する上で、必要に応じて変更される。
めの上記した方法は、好適実施例に於いて言及されたプ
ロセスガス以外のガスを用いて実施することもできる。 例えば、モリブデン、パラジウム、白金或いはタンタル
などの耐火金属を含む耐火金属系ガスを用いることもで
き、また好適実施例に於て言及された以外の還元性ガス
を用いることもできる。云うまでもなく好適実施例のプ
ロセスに於て用いられたガスの流量、温度、プロセス時
間、圧力及び装置の能力などは、所望の特性を有するバ
リア膜を形成する上で、必要に応じて変更される。
【００８９】タングステンシリサイドの上記以外の特性
或いはシリサイド膜を形成するための種々の他のプロセ
スに関する情報は、次のような文献に記載されている。 （１）ＶＳＬＩ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｔｅｃｈｎｏｌ
ｏｇｉｅｓ、ＩＣＶＣ´８９（１９８９年１０月１７日
発行）、（２）Ｒｏｂｅｒｔ Ｓ． Ｂｌｅｗｅｒ
氏による“Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ ｏｆ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ
Ｍｅｔａｌｓ （Ｅｍｐｈａｓｉｚｉｎｇ Ｔ
ｕｎｇｓｔｅｎ）”と題する講演資料（１９８８年１月
２５日発行）。
或いはシリサイド膜を形成するための種々の他のプロセ
スに関する情報は、次のような文献に記載されている。 （１）ＶＳＬＩ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｔｅｃｈｎｏｌ
ｏｇｉｅｓ、ＩＣＶＣ´８９（１９８９年１０月１７日
発行）、（２）Ｒｏｂｅｒｔ Ｓ． Ｂｌｅｗｅｒ
氏による“Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ ｏｆ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ
Ｍｅｔａｌｓ （Ｅｍｐｈａｓｉｚｉｎｇ Ｔ
ｕｎｇｓｔｅｎ）”と題する講演資料（１９８８年１月
２５日発行）。
【００９０】Ｂ．ブランケット被着プロセス。
ブランケット被着プロセスに於ては、耐火金属が、露出
シリコン領域ばかりでなく絶縁性の二酸化シリコン膜の
表面にも被着される。通常、ブランケット被着を行った
後、酸化膜上に形成された耐火金属膜は、耐火金属が、
該耐火金属膜により電気的に接触されるべきシリコン領
域にのみ残るようにブランケットエッチングにより完全
に除去される。続いて、通常、金属皮膜がウェハの表面
に形成され、被着された耐火金属に対して、その下層に
位置するシリコン領域に電気的な接触を行うべく接触す
る。
シリコン領域ばかりでなく絶縁性の二酸化シリコン膜の
表面にも被着される。通常、ブランケット被着を行った
後、酸化膜上に形成された耐火金属膜は、耐火金属が、
該耐火金属膜により電気的に接触されるべきシリコン領
域にのみ残るようにブランケットエッチングにより完全
に除去される。続いて、通常、金属皮膜がウェハの表面
に形成され、被着された耐火金属に対して、その下層に
位置するシリコン領域に電気的な接触を行うべく接触す
る。
【００９１】ブランケットプロセスの他の用途としては
、ＭＯＳデバイスのためのゲートを形成するために、ゲ
ート酸化膜上に耐火金属を被着し、耐火金属膜を選択的
にエッチングするものがある。
、ＭＯＳデバイスのためのゲートを形成するために、ゲ
ート酸化膜上に耐火金属を被着し、耐火金属膜を選択的
にエッチングするものがある。
【００９２】パターン化されたウェハの表面に耐火金属
をブランケット被着する好適なプロセスに於ては、シリ
コンウェハの表面を清浄化し、シリコンの結晶格子構造
に対する損傷を除去し、種々のガスラインをパージする
予備的な第１〜４ステップが、前記した第１〜４ステッ
プと同様にして行われる。第１〜４ステップが実行され
、ウェハが図８に示されたようなＣＶＤチャンバに置か
れた後に、ブランケット被着プロセスの好適実施例の第
５ステップに於て、ウェハが約５００°Ｃの被着温度に
加熱され、約２秒間に亘ってＳｉＨ４ がチャンバ内に
導入され、露出シリコン及びＳｉＯ２ と共に核生成を
行う。これにより、その後にチャンバ内にＷＦ６ が導
入された時にＷＦ６ を還元し得るように、ＳｉＯ２
の表面に何層かのＳｉＨ４ の単原子膜を形成する。
をブランケット被着する好適なプロセスに於ては、シリ
コンウェハの表面を清浄化し、シリコンの結晶格子構造
に対する損傷を除去し、種々のガスラインをパージする
予備的な第１〜４ステップが、前記した第１〜４ステッ
プと同様にして行われる。第１〜４ステップが実行され
、ウェハが図８に示されたようなＣＶＤチャンバに置か
れた後に、ブランケット被着プロセスの好適実施例の第
５ステップに於て、ウェハが約５００°Ｃの被着温度に
加熱され、約２秒間に亘ってＳｉＨ４ がチャンバ内に
導入され、露出シリコン及びＳｉＯ２ と共に核生成を
行う。これにより、その後にチャンバ内にＷＦ６ が導
入された時にＷＦ６ を還元し得るように、ＳｉＯ２
の表面に何層かのＳｉＨ４ の単原子膜を形成する。
【００９３】図１２は、ＣＶＤチャンバ１０４内にＳｉ
Ｈ４ を注入する間に、ウェハ１を、図８に示されたラ
ンプ１２６からの放射熱１５０により加熱することによ
り、ウェハ１の表面上に、薄いＳｉＨ４ の膜１５２が
被着されるようにするステップを示している。
Ｈ４ を注入する間に、ウェハ１を、図８に示されたラ
ンプ１２６からの放射熱１５０により加熱することによ
り、ウェハ１の表面上に、薄いＳｉＨ４ の膜１５２が
被着されるようにするステップを示している。
【００９４】種々の圧力及びプロセスガスＳｉＨ４ 及
びＨ２ の流量は、表１に於けるパラメータ設定状態Ｃ
により示されるものと同様である。この時、ＷＦ６ 或
いはＡｒを注入しない。
びＨ２ の流量は、表１に於けるパラメータ設定状態Ｃ
により示されるものと同様である。この時、ＷＦ６ 或
いはＡｒを注入しない。
【００９５】第６ステップに於ては、前記した選択的な
被着過程として行われる第７ステップと同様な被着過程
が行われ、ＷＦ６ がＳｉＨ４ と共に、ＣＶＤチャン
バ内に注入される。このステップは、ＷＳｉｘ からな
るバリア膜が、シリコン及び酸化物の両者の表面上に所
望の厚さをもって形成されるまで続けられる。但し、ｘ
は、被着プロセスに対して用いられるＳｉＨ４ に対
するＷＦ６ の比に依存する。柱状の粒子構造を得るた
めに、ＷＦ６ に対するＳｉＨ４ の比を１以下として
いる。このステップが、図１３に示されており、被着層
１５８がウェハ１の表面全体に形成される。
被着過程として行われる第７ステップと同様な被着過程
が行われ、ＷＦ６ がＳｉＨ４ と共に、ＣＶＤチャン
バ内に注入される。このステップは、ＷＳｉｘ からな
るバリア膜が、シリコン及び酸化物の両者の表面上に所
望の厚さをもって形成されるまで続けられる。但し、ｘ
は、被着プロセスに対して用いられるＳｉＨ４ に対
するＷＦ６ の比に依存する。柱状の粒子構造を得るた
めに、ＷＦ６ に対するＳｉＨ４ の比を１以下として
いる。このステップが、図１３に示されており、被着層
１５８がウェハ１の表面全体に形成される。
【００９６】好適実施例に於ては、この被着ステップが
表１のパラメータ設定状態Ｄ〜Ｈを用いて行われ、発熱
性の還元反応が、被着されたバリア膜１５８の表面に於
ける温度を上昇させるに伴い、還元性ガスＳｉＨ４ の
量が時間と共に徐々に増加される。しかしながら、この
ステップに於ては、被着温度が約５００°Ｃに維持され
る。
表１のパラメータ設定状態Ｄ〜Ｈを用いて行われ、発熱
性の還元反応が、被着されたバリア膜１５８の表面に於
ける温度を上昇させるに伴い、還元性ガスＳｉＨ４ の
量が時間と共に徐々に増加される。しかしながら、この
ステップに於ては、被着温度が約５００°Ｃに維持され
る。
【００９７】形成されたバリア膜が接触領域を覆うに伴
い、発熱性の還元反応により発生した熱が、それだけ早
期に除去されるようになるために、バリア膜の温度上昇
が停止するまで、この漸増するガスの供給が続けられる
。
い、発熱性の還元反応により発生した熱が、それだけ早
期に除去されるようになるために、バリア膜の温度上昇
が停止するまで、この漸増するガスの供給が続けられる
。
【００９８】バリア膜１５８が被着された後、第７ステ
ップに於て、前記した第７ステップと同様に、表１に於
けるパラメータ設定状態Ｉ〜Ｋを用いることにより、ガ
スライン及びＣＶＤチャンバがパージされ、ウェハが冷
却される。
ップに於て、前記した第７ステップと同様に、表１に於
けるパラメータ設定状態Ｉ〜Ｋを用いることにより、ガ
スライン及びＣＶＤチャンバがパージされ、ウェハが冷
却される。
【００９９】表１に於けるパラメータ設定状態Ｌと同様
な設定状態に於て、６５０°Ｃ〜９００°Ｃの範囲の温
度下にて約１０〜３０秒間の焼戻しステップが行われる
。
な設定状態に於て、６５０°Ｃ〜９００°Ｃの範囲の温
度下にて約１０〜３０秒間の焼戻しステップが行われる
。
【０１００】このようにして得られたバリア膜１５８が
、良く知られたブランケットプラズマエッチング方法或
いは、その他のエッチング方法を用いてエッチングされ
、図１４に示されるようにバリア膜１５８が接触領域に
於てのみ残されるようにする。或る用途に於て、このバ
リア膜１５８をインターコネクト膜としても用いること
ができ、従ってブランケットエッチングが行われない。
、良く知られたブランケットプラズマエッチング方法或
いは、その他のエッチング方法を用いてエッチングされ
、図１４に示されるようにバリア膜１５８が接触領域に
於てのみ残されるようにする。或る用途に於て、このバ
リア膜１５８をインターコネクト膜としても用いること
ができ、従ってブランケットエッチングが行われない。
【０１０１】図１５に示されるよう金属皮膜或いはその
他の導電性の皮膜１６０が被着され、かつエッチングさ
れる。導電性皮膜１６０が被着されたバリア膜１５８及
び領域２及び３とオーミック接触を形成する。
他の導電性の皮膜１６０が被着され、かつエッチングさ
れる。導電性皮膜１６０が被着されたバリア膜１５８及
び領域２及び３とオーミック接触を形成する。
【０１０２】被着されたバリア膜の品質を改善するため
の他の特徴的な点は、耐火金属シリサイド膜を選択的に
形成するための前記したプロセスについて言及されたも
のと同様であって良い。
の他の特徴的な点は、耐火金属シリサイド膜を選択的に
形成するための前記したプロセスについて言及されたも
のと同様であって良い。
【０１０３】Ｃ．多結晶シリコン膜上にビア膜を形成す
るための被着プロセス。 選択的な被着プロセスの第１〜９ステップ或いはブラン
ケット被着プロセスの第１〜７ステップは、多結晶シリ
コン膜と金属皮膜との間或いは２つの金属皮膜間にビア
膜（ｖｉａ）を形成するために用いることができる。
るための被着プロセス。 選択的な被着プロセスの第１〜９ステップ或いはブラン
ケット被着プロセスの第１〜７ステップは、多結晶シリ
コン膜と金属皮膜との間或いは２つの金属皮膜間にビア
膜（ｖｉａ）を形成するために用いることができる。
【０１０４】本発明に基づく方法により形成されたビア
膜を形成されたビア膜を有するウェハの例が図１６に示
されている。図１６に於てウェハ１は、Ｎ型領域２及び
Ｐ型領域３を有する。両領域２及び３に対する接触を達
成するために、従来から知られた方法により、多結晶シ
リコン膜１７０が形成される。酸化膜４は、多結晶シリ
コン膜１７０をシリコンウェハ１から絶縁する。絶縁膜
１７２は、耐火金属ビア膜１７４を被着させるべき、多
結晶シリコン膜１７０の接触領域を露出させるために、
多結晶シリコン１７０上に形成される。図１６に於て、
耐火金属ビア膜１７４は、ＷＳｉｘ を含み、ここで、
ｘ は被着プロセスに於て用いられるＷＦ６ に対する
還元性ガスＳｉＨ４ の比に依存する。ＡｌＳｉをなど
を含む金属皮膜１７８が、ビア膜１７４に接触し、金属
皮膜１７８と多結晶シリコン膜１７０との間の電気的結
合を提供するように、絶縁膜１７２上に形成される。
膜を形成されたビア膜を有するウェハの例が図１６に示
されている。図１６に於てウェハ１は、Ｎ型領域２及び
Ｐ型領域３を有する。両領域２及び３に対する接触を達
成するために、従来から知られた方法により、多結晶シ
リコン膜１７０が形成される。酸化膜４は、多結晶シリ
コン膜１７０をシリコンウェハ１から絶縁する。絶縁膜
１７２は、耐火金属ビア膜１７４を被着させるべき、多
結晶シリコン膜１７０の接触領域を露出させるために、
多結晶シリコン１７０上に形成される。図１６に於て、
耐火金属ビア膜１７４は、ＷＳｉｘ を含み、ここで、
ｘ は被着プロセスに於て用いられるＷＦ６ に対する
還元性ガスＳｉＨ４ の比に依存する。ＡｌＳｉをなど
を含む金属皮膜１７８が、ビア膜１７４に接触し、金属
皮膜１７８と多結晶シリコン膜１７０との間の電気的結
合を提供するように、絶縁膜１７２上に形成される。
【０１０５】ビア膜を形成するべく、多結晶シリコン膜
上に耐火金属を被着する時に、第１及び第２ステップに
ついて前記したのと同様の要領をもってウェハが清浄化
され、第４ステップについて前記したのと同様の要領を
もってガスにライン及びＣＶＤチャンバをパージする。 基層の結晶格子構造の損傷を除去するための前記した第
３ステップは、云うまでもなく省略される。
上に耐火金属を被着する時に、第１及び第２ステップに
ついて前記したのと同様の要領をもってウェハが清浄化
され、第４ステップについて前記したのと同様の要領を
もってガスにライン及びＣＶＤチャンバをパージする。 基層の結晶格子構造の損傷を除去するための前記した第
３ステップは、云うまでもなく省略される。
【０１０６】ビア膜を形成する選択的な被着プロセスに
於て、多結晶シリコン膜に於けるＮ及びＰ領域が異なる
放射率を有することは問題とならないが、ビア膜と多結
晶シリコンとの間に強固な接着を達成し、所望の選択性
を得るために、ＳｉＨ４ をＣＶＤチャンバ内に吸入す
る前に、多結晶シリコン上に薄い耐火金属膜を被着する
べく第６ステップを行うのが好ましい。この時、多結晶
シリコンの薄い膜が消費される。
於て、多結晶シリコン膜に於けるＮ及びＰ領域が異なる
放射率を有することは問題とならないが、ビア膜と多結
晶シリコンとの間に強固な接着を達成し、所望の選択性
を得るために、ＳｉＨ４ をＣＶＤチャンバ内に吸入す
る前に、多結晶シリコン上に薄い耐火金属膜を被着する
べく第６ステップを行うのが好ましい。この時、多結晶
シリコンの薄い膜が消費される。
【０１０７】選択的被着プロセスのためのその他の被着
及び焼戻しステップは、基層上の領域と金属皮膜との間
に導電性のバリア膜を形成することについて前記したの
と同様の要領をもって行われる。云うまでもなく、プロ
セス時間及びガスの流量及び温度は、被着されるべき耐
火金属の所望の特性に応じて変更されるものであって良
い。ブランケット被着のためには、まずＳｉＨ４ が、
約５００°Ｃの温度下に於て約２秒間に亘ってチャンバ
内に導入され、ウェハの表面に薄いＳｉＨ４ 膜を形成
する。この方法は、図１２について前記したのと同様で
ある。ＷＦ６ は、ＳｉＨ４ と共に、図１３について
前記したのと同様にバリア膜を形成するべく導入される
。図１３及び図１４について前記したのと同様の要領を
もって、被着された皮膜がエッチングされ、金属化プロ
セスが実行される。
及び焼戻しステップは、基層上の領域と金属皮膜との間
に導電性のバリア膜を形成することについて前記したの
と同様の要領をもって行われる。云うまでもなく、プロ
セス時間及びガスの流量及び温度は、被着されるべき耐
火金属の所望の特性に応じて変更されるものであって良
い。ブランケット被着のためには、まずＳｉＨ４ が、
約５００°Ｃの温度下に於て約２秒間に亘ってチャンバ
内に導入され、ウェハの表面に薄いＳｉＨ４ 膜を形成
する。この方法は、図１２について前記したのと同様で
ある。ＷＦ６ は、ＳｉＨ４ と共に、図１３について
前記したのと同様にバリア膜を形成するべく導入される
。図１３及び図１４について前記したのと同様の要領を
もって、被着された皮膜がエッチングされ、金属化プロ
セスが実行される。
【０１０８】Ｄ．金属皮膜上にビア膜を形成するための
被着プロセス。 ２つのアルミウム皮膜間或いは２つの金属皮膜間にビア
膜を形成するためには、アルミニウム原子がウェハの酸
化膜表面と反応するのを防止するためのシリコン原子を
含むアルミニウム皮膜を形成するのが好ましい。
被着プロセス。 ２つのアルミウム皮膜間或いは２つの金属皮膜間にビア
膜を形成するためには、アルミニウム原子がウェハの酸
化膜表面と反応するのを防止するためのシリコン原子を
含むアルミニウム皮膜を形成するのが好ましい。
【０１０９】ビア膜を形成する目的で、アルミニウム皮
膜上に耐火金属膜を選択的に被着するためには、従来の
方法を用いてパターン化された酸化膜２０１或いはその
他の絶縁膜をアルミニム皮膜上に形成し、接触領域を露
出させる。初期の構造が図１７に示されている。図１７
に於ては、Ｐ或いはＮ型領域２´を有するウェハ１が形
成され、これらの領域は、上記した方法により耐火金属
バリア膜２００と接触している。バリア膜２００上には
、アルミニム２０２が形成され、更にその表面にはパタ
ーン化された酸化膜２０４が形成されている。
膜上に耐火金属膜を選択的に被着するためには、従来の
方法を用いてパターン化された酸化膜２０１或いはその
他の絶縁膜をアルミニム皮膜上に形成し、接触領域を露
出させる。初期の構造が図１７に示されている。図１７
に於ては、Ｐ或いはＮ型領域２´を有するウェハ１が形
成され、これらの領域は、上記した方法により耐火金属
バリア膜２００と接触している。バリア膜２００上には
、アルミニム２０２が形成され、更にその表面にはパタ
ーン化された酸化膜２０４が形成されている。
【０１１０】更に、次のようなプロセスが実施される。
Ｄ（１）．ウェハ表面の清浄化。
ステップ１に於て、アルミニウム皮膜２０２上にバリア
膜を選択的に被着するために、従来形式のＲＦスパッタ
エッチングプロセスを用いて露出アルミニウムを清浄化
する。
膜を選択的に被着するために、従来形式のＲＦスパッタ
エッチングプロセスを用いて露出アルミニウムを清浄化
する。
【０１１１】好適実施例に於ては、−６００ボルト以下
のバイアス電圧及びＡｒイオンを用いてスパッタエッチ
ングを行った。このエッチングステップを行うための好
適な装置に於いては、図２１に示されるように、スパッ
タエッチングステーションに接続されるべく改造された
Ｖａｒｉａｎモデル５１０１（商品名）ＣＶＤシステム
が用いられた。このＶａｒｉａｎ５１０１ＣＶＤチャン
バは、図８について前記しており、また、米国特許第４
，７９６，５６２号明細書に記載されている。
のバイアス電圧及びＡｒイオンを用いてスパッタエッチ
ングを行った。このエッチングステップを行うための好
適な装置に於いては、図２１に示されるように、スパッ
タエッチングステーションに接続されるべく改造された
Ｖａｒｉａｎモデル５１０１（商品名）ＣＶＤシステム
が用いられた。このＶａｒｉａｎ５１０１ＣＶＤチャン
バは、図８について前記しており、また、米国特許第４
，７９６，５６２号明細書に記載されている。
【０１１２】図２１に於て、チャンバ２１０は、ウェハ
搬送システム２１４を介してスパッタエッチングチャン
バ２１２に接続されている。図示されていないロードロ
ックが、ウェハ搬送システム２１４とチャンバ２１０及
び２１２間に設けられており、ウェハ搬送システム２１
４が用いられていない間、チャンバ２１０の圧力は、チ
ャンバ２０２の圧力の影響を受けない。ＣＶＤチャンバ
２１５及びスパッタエッチングチャンバ２１２は、図６
について前記したガスボックス２１９からのガスライン
２１６及び２１８に接続されている。
搬送システム２１４を介してスパッタエッチングチャン
バ２１２に接続されている。図示されていないロードロ
ックが、ウェハ搬送システム２１４とチャンバ２１０及
び２１２間に設けられており、ウェハ搬送システム２１
４が用いられていない間、チャンバ２１０の圧力は、チ
ャンバ２０２の圧力の影響を受けない。ＣＶＤチャンバ
２１５及びスパッタエッチングチャンバ２１２は、図６
について前記したガスボックス２１９からのガスライン
２１６及び２１８に接続されている。
【０１１３】スパッタエッチングチャンバ２１２にガス
ライン２１８を介して供給されたＡｒガスは、ガスボッ
クス２１９内に位置しかつ図６に示されたネットワーク
に隣接する図２２に示されるバルブ構造を用いて制御さ
れる。図２２に於てクリプトンガス源がＫｒガスライン
２５２に接続されている。このＫｒ源及び関連するバル
ブは、本実施例に於けるスパッタエッチングプロセスに
於ては用いられていない。
ライン２１８を介して供給されたＡｒガスは、ガスボッ
クス２１９内に位置しかつ図６に示されたネットワーク
に隣接する図２２に示されるバルブ構造を用いて制御さ
れる。図２２に於てクリプトンガス源がＫｒガスライン
２５２に接続されている。このＫｒ源及び関連するバル
ブは、本実施例に於けるスパッタエッチングプロセスに
於ては用いられていない。
【０１１４】自動化された制御システム２２１が、適切
な信号をワイヤ２６０、２６２及び２６４に供給するこ
とより、ＣＶＤチャンバ２１０、スパッタエッチングチ
ャンバ２１２、ウェハ搬送システム２１４及びガスボッ
クス２１９の種々の機能を制御する好適実施例に於ては
、図１７に示されるように、ウェハが、カセットトレイ
内に配置され、カセットトレイは、ウェハ搬送システム
２１４内のカセットチャンバ内に配置される。ウェハ搬
送システム２１４は、米国特許第４，７９６，５６２号
に記載されたものと同様である。
な信号をワイヤ２６０、２６２及び２６４に供給するこ
とより、ＣＶＤチャンバ２１０、スパッタエッチングチ
ャンバ２１２、ウェハ搬送システム２１４及びガスボッ
クス２１９の種々の機能を制御する好適実施例に於ては
、図１７に示されるように、ウェハが、カセットトレイ
内に配置され、カセットトレイは、ウェハ搬送システム
２１４内のカセットチャンバ内に配置される。ウェハ搬
送システム２１４は、米国特許第４，７９６，５６２号
に記載されたものと同様である。
【０１１５】ウェハ搬送システム２１４は、ウェハをカ
セットトレイから極めて低い圧力、例えば１×１０−４
ｔｏｒｒに維持されたスパッタエッチングチャンバ２１
２に向けてウェハを移動するためにマニピュレータアー
ムを備えている。Ａｒガスが充填されたスパッタエッチ
ングチャンバ２１２は、アルミニウム皮膜２０２の表面
から酸化物を除去するように、アルミニウム２０２上へ
の耐火金属の選択的な被着に対して悪影響を及ぼすよう
な汚染物をウェハの表面から除去するように、ウェハの
表面を清浄化するべく作動する。このステップは、その
後のステップに於て、ＷＦ６ 及びＳｉＨ４ プロセス
ガスがＳｉＯ２ の表面と共に核を生成するのを防止す
るために、ＳｉＯ２ の表面を清浄化する働きも備えて
いる。
セットトレイから極めて低い圧力、例えば１×１０−４
ｔｏｒｒに維持されたスパッタエッチングチャンバ２１
２に向けてウェハを移動するためにマニピュレータアー
ムを備えている。Ａｒガスが充填されたスパッタエッチ
ングチャンバ２１２は、アルミニウム皮膜２０２の表面
から酸化物を除去するように、アルミニウム２０２上へ
の耐火金属の選択的な被着に対して悪影響を及ぼすよう
な汚染物をウェハの表面から除去するように、ウェハの
表面を清浄化するべく作動する。このステップは、その
後のステップに於て、ＷＦ６ 及びＳｉＨ４ プロセス
ガスがＳｉＯ２ の表面と共に核を生成するのを防止す
るために、ＳｉＯ２ の表面を清浄化する働きも備えて
いる。
【０１１６】好適実施例に於ては、−５８０ボルトのバ
イアス電圧及び４００ワットのＲＦパワーを用いたスパ
ッタエッチングを、４８．５ｓｃｃｍの流量をもってＡ
ｒガスを流通させ、室温下、１４ｍｔｏｒｒの圧力下に
於て、約６０秒間行われる。このエッチングステップの
終了後、ウェハ搬送システム２１４及びスパッタエッチ
ングチャンバ２１２の圧力が約１×１０−４ｔｏｒｒに
減少される。スパッタエッチングチャンバ２１２とウェ
ハ搬送システム２１４との間のロードロックを開き、マ
ニピュレータアームを用いて、ウェハをスパッタエッチ
ングチャンバ２１２から取出す。
イアス電圧及び４００ワットのＲＦパワーを用いたスパ
ッタエッチングを、４８．５ｓｃｃｍの流量をもってＡ
ｒガスを流通させ、室温下、１４ｍｔｏｒｒの圧力下に
於て、約６０秒間行われる。このエッチングステップの
終了後、ウェハ搬送システム２１４及びスパッタエッチ
ングチャンバ２１２の圧力が約１×１０−４ｔｏｒｒに
減少される。スパッタエッチングチャンバ２１２とウェ
ハ搬送システム２１４との間のロードロックを開き、マ
ニピュレータアームを用いて、ウェハをスパッタエッチ
ングチャンバ２１２から取出す。
【０１１７】ウェハ搬送システム２１４とスパッタエッ
チングチャンバ２１２との間のロードロックが閉じられ
、ウェハ搬送システム２１４とＣＶＤチャンバ２１０と
の間のロードロックが開かれ、マニピュレータアームに
より、ウェハを汚染することなく、エッチングされたウ
ェハをＣＶＤチャンバ２１０内に配置する。ウェハがＣ
ＶＤチャンバ２１０に搬送され、ウェハクランプアセン
ブリ１００により石英チャック１０２上にクランプされ
ると（図８及び米国特許第４，７９６，５６２号明細書
参照）、ウェハ搬送システム２１４がＣＶＤチャンバ２
１０から遮断され、以下に示すような被着プロセスが実
行される。
チングチャンバ２１２との間のロードロックが閉じられ
、ウェハ搬送システム２１４とＣＶＤチャンバ２１０と
の間のロードロックが開かれ、マニピュレータアームに
より、ウェハを汚染することなく、エッチングされたウ
ェハをＣＶＤチャンバ２１０内に配置する。ウェハがＣ
ＶＤチャンバ２１０に搬送され、ウェハクランプアセン
ブリ１００により石英チャック１０２上にクランプされ
ると（図８及び米国特許第４，７９６，５６２号明細書
参照）、ウェハ搬送システム２１４がＣＶＤチャンバ２
１０から遮断され、以下に示すような被着プロセスが実
行される。
【０１１８】ステップ１に於て、ウェハを清浄化した後
に、２つのアルミニウム皮膜に接触するビア膜を形成す
るためプロセスの好適実施例が以下の表２に示されてい
る。
に、２つのアルミニウム皮膜に接触するビア膜を形成す
るためプロセスの好適実施例が以下の表２に示されてい
る。
【０１１９】
【表２】
【０１２０】ウェハがスパッタエッチングされた後、第
２ステップの飽和ステップが実行され、耐火金属系ガス
が３０°Ｃ以下の室温下に於て、３時間に亘ってＣＶＤ
チャンバ内に注入される。好適実施例に於ては、表２に
於けるパラメータ設定状態Ａを用いて、第２ステップが
、２秒間に亘って、４．０ｓｃｃｃｍのＷＦ６ 、１５
０ｓｃｃｍのＨ２ 及び５ｓｓｃｍＡｒを用いて実施さ
れる。図８に示されるようなＣＶＤチャンバに於て、こ
のステップの間、反応チャンバ１０４が５０ｍｔｏｒｒ
の圧力を有し、裏側チャンバ１１４が０．５ｔｏｒｒの
圧力を有するようにされる。このステップは、その後に
形成されるビア膜と金属皮膜との間の接着力を改善する
ために行われる。
２ステップの飽和ステップが実行され、耐火金属系ガス
が３０°Ｃ以下の室温下に於て、３時間に亘ってＣＶＤ
チャンバ内に注入される。好適実施例に於ては、表２に
於けるパラメータ設定状態Ａを用いて、第２ステップが
、２秒間に亘って、４．０ｓｃｃｃｍのＷＦ６ 、１５
０ｓｃｃｍのＨ２ 及び５ｓｓｃｍＡｒを用いて実施さ
れる。図８に示されるようなＣＶＤチャンバに於て、こ
のステップの間、反応チャンバ１０４が５０ｍｔｏｒｒ
の圧力を有し、裏側チャンバ１１４が０．５ｔｏｒｒの
圧力を有するようにされる。このステップは、その後に
形成されるビア膜と金属皮膜との間の接着力を改善する
ために行われる。
【０１２１】Ｄ（３）．露出されたアルミニウム表面上
での耐火金属膜の予備的な被着プロセス。 表２に於て、パラメータ設定状態Ｂ〜Ｄに対応する第３
ステップに於て、ウェハの温度が１２０秒間に亘って約
４５０°Ｃ加熱され、パラメータ設定状態Ａと同様の流
量をもって、耐火金属検出ガスが、Ｈ２ 及びＡｒと共
にチャンバ内に注入される。最初、ＷＦ６ がアルミニ
ウム皮膜とのみ反応し、以下の式５に示されるように、
数層の耐火金属単元被膜を被着することから、耐火金属
の選択的な被着は、アルミニウム金属皮膜上に於てのみ
行われる。
での耐火金属膜の予備的な被着プロセス。 表２に於て、パラメータ設定状態Ｂ〜Ｄに対応する第３
ステップに於て、ウェハの温度が１２０秒間に亘って約
４５０°Ｃ加熱され、パラメータ設定状態Ａと同様の流
量をもって、耐火金属検出ガスが、Ｈ２ 及びＡｒと共
にチャンバ内に注入される。最初、ＷＦ６ がアルミニ
ウム皮膜とのみ反応し、以下の式５に示されるように、
数層の耐火金属単元被膜を被着することから、耐火金属
の選択的な被着は、アルミニウム金属皮膜上に於てのみ
行われる。
【０１２２】
ＷＦ６ ＋２Ａｌ→２ＡｌＦ３ ＋Ｗ
（式５）
（式５）
【０１２３
】４５０°Ｃの被着温度に於ては、アルミニウム皮膜上
のパターン化された酸化膜は、ＷＦ６ と接触する際に
還元性反応を引起さない。耐火金属の最初の膜がアルミ
ニウム上に形成されると以下の式６に従い、Ｈ２ が、
アルミニウム皮膜の表面に於て、耐火金属系ガスを還元
することができるようになる。
】４５０°Ｃの被着温度に於ては、アルミニウム皮膜上
のパターン化された酸化膜は、ＷＦ６ と接触する際に
還元性反応を引起さない。耐火金属の最初の膜がアルミ
ニウム上に形成されると以下の式６に従い、Ｈ２ が、
アルミニウム皮膜の表面に於て、耐火金属系ガスを還元
することができるようになる。
【０１２４】
ＷＦ６ ＋３Ｈ２ →Ｗ＋６ＨＦ
（式６）
（式６）
【０１
２５】表２のパラメータ設定状態Ｃにより示されるよう
に、ウェハの温度が周囲温度にまで低下され、ＣＶＤチ
ャンバ内の圧力が増大される。表２に於けるパラメータ
Ｄに示されるように、チャンバ内のガスがパージされる
。前記したように図６に示されたような適切なバルブを
操作することにより、プロセスガスを所望の流量をもっ
てＣＶＤチャンバに吸入することができる。
２５】表２のパラメータ設定状態Ｃにより示されるよう
に、ウェハの温度が周囲温度にまで低下され、ＣＶＤチ
ャンバ内の圧力が増大される。表２に於けるパラメータ
Ｄに示されるように、チャンバ内のガスがパージされる
。前記したように図６に示されたような適切なバルブを
操作することにより、プロセスガスを所望の流量をもっ
てＣＶＤチャンバに吸入することができる。
【０１２６】ステップ３の終了後に得られたウェハが図
１８に示されており、耐火金属膜２２０がアルミニウム
膜２２０上に被着される。
１８に示されており、耐火金属膜２２０がアルミニウム
膜２２０上に被着される。
【０１２７】Ｄ（４）．還元性ガスＳｉＨ４ を用いた
被着プロセス。 パラメータ設定状態Ｅに於ては、ＳｉＨ４ がチャンバ
内に注入される前に室温下に於て再びＷＦ６ 、Ｈ２
及びＡｒガスを約７秒間に亘ってＣＶＤチャンバ内に吸
入し、その後にＳｉＨ４ がＣＶＤチャンバ内に導入さ
れた時にＣＶＤチャンバ内にＷＦ６ が過剰に存在する
。
被着プロセス。 パラメータ設定状態Ｅに於ては、ＳｉＨ４ がチャンバ
内に注入される前に室温下に於て再びＷＦ６ 、Ｈ２
及びＡｒガスを約７秒間に亘ってＣＶＤチャンバ内に吸
入し、その後にＳｉＨ４ がＣＶＤチャンバ内に導入さ
れた時にＣＶＤチャンバ内にＷＦ６ が過剰に存在する
。
【０１２８】第４ステップに於てパラメータＦが用いら
れ、ウェハの温度が徐々に上昇する前に約５秒間に亘っ
てＳｉＨ４ がＣＶＤチャンバ内に注入される。ＳｉＨ
４ は、露出アルミニウム皮膜上に、高速で耐火金属が
チャンバされるようにするために用いられる。
れ、ウェハの温度が徐々に上昇する前に約５秒間に亘っ
てＳｉＨ４ がＣＶＤチャンバ内に注入される。ＳｉＨ
４ は、露出アルミニウム皮膜上に、高速で耐火金属が
チャンバされるようにするために用いられる。
【０１２９】第４ステップに於て、パラメータ設定状態
Ｇ〜ｌが用いられ、ウェハの温度が、４秒間に亘って約
５００°Ｃの温度に向けて徐々に高められ、この温度に
５０秒間保持される。この間に、ＳｉＨ４ の供給量が
２．６ｓｃｃｍから３．４ｓｃｃｍに増大され、発熱還
元反応により被着された耐火金属膜の温度が上昇するに
伴い、耐火金属の被着速度を増大する。前記したように
、反応に供給されるＳｉＨ４ の量が増大するにも拘ら
ず、発熱還元反応により被着された耐火金属の温度が上
昇するために、被着された耐火金属の柱状の粒子構造が
保存される。
Ｇ〜ｌが用いられ、ウェハの温度が、４秒間に亘って約
５００°Ｃの温度に向けて徐々に高められ、この温度に
５０秒間保持される。この間に、ＳｉＨ４ の供給量が
２．６ｓｃｃｍから３．４ｓｃｃｍに増大され、発熱還
元反応により被着された耐火金属膜の温度が上昇するに
伴い、耐火金属の被着速度を増大する。前記したように
、反応に供給されるＳｉＨ４ の量が増大するにも拘ら
ず、発熱還元反応により被着された耐火金属の温度が上
昇するために、被着された耐火金属の柱状の粒子構造が
保存される。
【０１３０】第４ステップの終了後のウェハの状態が１
９図に示されており、耐火金属（ＷＳｉｘ ）膜２２２
が耐火金属（Ｗ）膜２２０上に被着されている。
９図に示されており、耐火金属（ＷＳｉｘ ）膜２２２
が耐火金属（Ｗ）膜２２０上に被着されている。
【０１３１】Ｄ（５）．ウェハの冷却。
第５ステップに於てはパラメータ設定状態Ｍ〜Ｏが用い
られ、ＣＶＤチャンバ内のガスが排出されるに伴い、図
８に於けるランプ１２６への電力の供給を徐々に減少さ
せることによりウェハを冷却する。パラメータ設定状態
Ｎに於ては、図８に於けるランプ１２６に供給される電
力を減少させることにより、ウェハの温度を４５秒間に
亘って周囲温度にまで徐々に低下させる。
られ、ＣＶＤチャンバ内のガスが排出されるに伴い、図
８に於けるランプ１２６への電力の供給を徐々に減少さ
せることによりウェハを冷却する。パラメータ設定状態
Ｎに於ては、図８に於けるランプ１２６に供給される電
力を減少させることにより、ウェハの温度を４５秒間に
亘って周囲温度にまで徐々に低下させる。
【０１３２】ＣＶＤチャンバ１０４の圧力が８００ｍｔ
ｏｒｒとなり、裏側チャンバ１１４の圧力が１．０ｔｏ
ｒｒとなるように、Ｈ２ 及びＡｒガスがＣＶＤチャン
バ内に注入される。パラメータ設定状態Ｏに於て、プロ
セスガスが再び除去される。ＣＶＤチャンバ内のガスが
ポンプにより除去され、ウェハ搬送システム２１４と、
ＣＶＤチャンバ２１６との間のロードロックが開かれる
。 米国特許第４，７９６，５６２号明細書に記載されたの
と同様の要領をもって、マニピュレタアームによりウェ
ハをＣＶＤチャンバ２１０から取出し、ウェハ搬送シス
テム２１４内のカセット内に配置する。ウェハをウェハ
搬送システム２１４から取出すために、Ｎ２ がウェハ
搬送システム２１４内に注入し、システム２１４の圧力
が大気圧よりもやや高くなるようにする。次に、処理さ
れたウェハ及び同一ロット内の他のウェハを受容するカ
セットが取り出される。
ｏｒｒとなり、裏側チャンバ１１４の圧力が１．０ｔｏ
ｒｒとなるように、Ｈ２ 及びＡｒガスがＣＶＤチャン
バ内に注入される。パラメータ設定状態Ｏに於て、プロ
セスガスが再び除去される。ＣＶＤチャンバ内のガスが
ポンプにより除去され、ウェハ搬送システム２１４と、
ＣＶＤチャンバ２１６との間のロードロックが開かれる
。 米国特許第４，７９６，５６２号明細書に記載されたの
と同様の要領をもって、マニピュレタアームによりウェ
ハをＣＶＤチャンバ２１０から取出し、ウェハ搬送シス
テム２１４内のカセット内に配置する。ウェハをウェハ
搬送システム２１４から取出すために、Ｎ２ がウェハ
搬送システム２１４内に注入し、システム２１４の圧力
が大気圧よりもやや高くなるようにする。次に、処理さ
れたウェハ及び同一ロット内の他のウェハを受容するカ
セットが取り出される。
【０１３３】焼戻しステップは、ウェハに対する全ての
処理が終了した時点で行われることから、この時点に於
て被着膜からシリサイドを形成するため、焼戻しステッ
プが必要とされない。
処理が終了した時点で行われることから、この時点に於
て被着膜からシリサイドを形成するため、焼戻しステッ
プが必要とされない。
【０１３４】上記したプロセスにより、１ミクロンの厚
さを有するビア膜を形成することができる。
さを有するビア膜を形成することができる。
【０１３５】次に、図２０に示されるように、公知の方
法を用いて、ウェハの表面にアルミニウム皮膜２４を形
成する。被着された耐火金属２２２がアルミニウム皮膜
２０２及び２２４間ビア膜を形成する。
法を用いて、ウェハの表面にアルミニウム皮膜２４を形
成する。被着された耐火金属２２２がアルミニウム皮膜
２０２及び２２４間ビア膜を形成する。
【０１３６】Ｅ．２つの金属皮膜間にビア膜を形成する
ためのブランケット被着プロセス。ブランケット被着プ
ロセスにより、２つの金属皮膜間に耐火金属からなるビ
ア膜を形成するためには、ウェハの表面をスパッタエッ
チングする必要がない。従って、ウェハは、図２１に示
されるように、ウェハ搬送システム２１４を介してＣＶ
Ｄチャンバ２１０内に配置される。
ためのブランケット被着プロセス。ブランケット被着プ
ロセスにより、２つの金属皮膜間に耐火金属からなるビ
ア膜を形成するためには、ウェハの表面をスパッタエッ
チングする必要がない。従って、ウェハは、図２１に示
されるように、ウェハ搬送システム２１４を介してＣＶ
Ｄチャンバ２１０内に配置される。
【０１３７】次に、ＳｉＨ４ が２６５°Ｃ〜５００°
Ｃの範囲の被着温度に於て、２秒間に亘ってＣＶＤチャ
ンバ２１０内に導入され、アルミニウム及び酸化物の表
面へのブランケット被着を促進する。
Ｃの範囲の被着温度に於て、２秒間に亘ってＣＶＤチャ
ンバ２１０内に導入され、アルミニウム及び酸化物の表
面へのブランケット被着を促進する。
【０１３８】次に、所望のバリア膜が形成されるまで、
ＳｉＨ４ と共に、ＷＦ６ を注入する。ここまでのブ
ランケット被着プロセスは、図１２及び図１３について
前記したのと同様であるが、アルミニウムの融点が比較
的低いことから、被着温度５００°Ｃを越えてはならな
い。
ＳｉＨ４ と共に、ＷＦ６ を注入する。ここまでのブ
ランケット被着プロセスは、図１２及び図１３について
前記したのと同様であるが、アルミニウムの融点が比較
的低いことから、被着温度５００°Ｃを越えてはならな
い。
【０１３９】耐火金属バリア膜が所望の厚さに被着され
た後、耐火金属がエッチングされ、所望の厚さを有する
ビア膜のみが残される。
た後、耐火金属がエッチングされ、所望の厚さを有する
ビア膜のみが残される。
【０１４０】更に、公知の方法を用いてウェハの表面上
に上側金属皮膜を形成する。このようにして得られた構
造は、図２０に示されたものと同様であるが、純粋な耐
火金属皮膜２２０は、このブランケット被着プロセスの
間には形成されない。
に上側金属皮膜を形成する。このようにして得られた構
造は、図２０に示されたものと同様であるが、純粋な耐
火金属皮膜２２０は、このブランケット被着プロセスの
間には形成されない。
【０１４１】前記したプロセスの場合と同様に、高い再
現性及び良好な結果を確保するために、反応による副産
物の滞留時間を１０ミリ秒以下とするために、反応性ガ
スは少なくもと９９．９９９％の純度を有し、重要なガ
スの流れは、±０．２ｓｃｃｍの範囲で制御されなけれ
ばならない。
現性及び良好な結果を確保するために、反応による副産
物の滞留時間を１０ミリ秒以下とするために、反応性ガ
スは少なくもと９９．９９９％の純度を有し、重要なガ
スの流れは、±０．２ｓｃｃｍの範囲で制御されなけれ
ばならない。
【０１４２】Ｆ．追加のプロセス及び装置の特徴。
或る数のウェハが上記したいずれかの方法を用いて処理
された後、図８に於ける石英チャック１０２などからな
るＣＶＤチャンバの部分の表面には、耐火金属の皮膜が
形成され、放射エネルギを好ましくない程度に吸収し、
プロセスチャンバ内のガスと反応するようになる。チャ
ンバを清浄化したい場合には、例えば図６に示されるよ
うなバルブ１７、３７、３８を開くことにより、ＮＦ３
からなるエッチングガスをチャンバ内に導入する。従
来の技術によれば、このエッチングステップは、ＣＶＤ
室が室温下にある間に行われる。この従来の技術に基づ
く方法の欠点は、ＮＦ３ がチャンバ内の石英（ＳｉＯ
２ ）と、或いはチャンバ内に残留する反応副産物と反
応することにより、ＳｉＦ４ その他のフッ化物の凝縮
物を形成する点にある。
された後、図８に於ける石英チャック１０２などからな
るＣＶＤチャンバの部分の表面には、耐火金属の皮膜が
形成され、放射エネルギを好ましくない程度に吸収し、
プロセスチャンバ内のガスと反応するようになる。チャ
ンバを清浄化したい場合には、例えば図６に示されるよ
うなバルブ１７、３７、３８を開くことにより、ＮＦ３
からなるエッチングガスをチャンバ内に導入する。従
来の技術によれば、このエッチングステップは、ＣＶＤ
室が室温下にある間に行われる。この従来の技術に基づ
く方法の欠点は、ＮＦ３ がチャンバ内の石英（ＳｉＯ
２ ）と、或いはチャンバ内に残留する反応副産物と反
応することにより、ＳｉＦ４ その他のフッ化物の凝縮
物を形成する点にある。
【０１４３】このような凝縮を行うという問題を回避す
るため、ＮＦ３ によりチャンバをエッチングする間に
、チャンバの圧力を約８０ｍｔｏｒｒ以下に維持しつつ
、反応チャンバの壁面を、例えばＭｙｄａｘ社により製
造される閉ループ加熱ユニットなどを用いて、６５°Ｃ
以上に加熱する。この新規な方法によれば、この温度に
於ては、ＳｉＦ４ その他のフッ化物が揮発性であって
、ＮＦ３ と共にパージされることから、凝縮現象を回
避することができる。
るため、ＮＦ３ によりチャンバをエッチングする間に
、チャンバの圧力を約８０ｍｔｏｒｒ以下に維持しつつ
、反応チャンバの壁面を、例えばＭｙｄａｘ社により製
造される閉ループ加熱ユニットなどを用いて、６５°Ｃ
以上に加熱する。この新規な方法によれば、この温度に
於ては、ＳｉＦ４ その他のフッ化物が揮発性であって
、ＮＦ３ と共にパージされることから、凝縮現象を回
避することができる。
【０１４４】以下に示す表３は、図８に示されたＣＶＤ
チャンバなどからなるＣＶＤチャンバをＮＦ３ を用い
てエッチングするためのプロセスの好適実施例を示す。
チャンバなどからなるＣＶＤチャンバをＮＦ３ を用い
てエッチングするためのプロセスの好適実施例を示す。
【０１４５】
【表３】
【０１４６】表３のステップＡに於て、５０ｓｃｃｍの
ＮＦ３ が８図に示されたＣＶＤチャンバ１０４に向け
て８０ｍｔｏｒｒ以下の低い圧力をもって注入される。 ＣＶＤチャンバの石英壁面が約９０°Ｃに維持される間
に、２００ワットのＲＦパワーを５分間に亘って供給す
る。図８に於ける裏側チャンバ１１４を加圧するために
何ら裏側ガスを用いない。
ＮＦ３ が８図に示されたＣＶＤチャンバ１０４に向け
て８０ｍｔｏｒｒ以下の低い圧力をもって注入される。 ＣＶＤチャンバの石英壁面が約９０°Ｃに維持される間
に、２００ワットのＲＦパワーを５分間に亘って供給す
る。図８に於ける裏側チャンバ１１４を加圧するために
何ら裏側ガスを用いない。
【０１４７】ステップＢに於ては、ＲＦパワーが遮断さ
れ、ＮＦ３ ガスがチャンバから吸い出される。
れ、ＮＦ３ ガスがチャンバから吸い出される。
【０１４８】ステップＣに於ては、１７５ｓｃｃｍのＨ
２ がＣＶＤチャンバ内に注入され、チャンバ内の残留
物を除去するために、５分間に亘って２００ワットのＲ
Ｆパワーが再び供給される。
２ がＣＶＤチャンバ内に注入され、チャンバ内の残留
物を除去するために、５分間に亘って２００ワットのＲ
Ｆパワーが再び供給される。
【０１４９】ステップＤに於て、チャンバが再び真空状
態にされる。ステップＥに於ては、３５０ｓｃｃｍのＨ
２ が、５分間に亘って８００ｍｔｏｒｒのチャンバ圧
力に於て、ＣＶＤチャンバ内に注入され、エッチングプ
ロセスにより発生した不純物を排出する。
態にされる。ステップＥに於ては、３５０ｓｃｃｍのＨ
２ が、５分間に亘って８００ｍｔｏｒｒのチャンバ圧
力に於て、ＣＶＤチャンバ内に注入され、エッチングプ
ロセスにより発生した不純物を排出する。
【０１５０】ステップＦに於ては、チャンバが再び真空
状態にされる。このようにしてＣＶＤチャンバは清浄化
され、次の被着プロセスを行い得るようになる。
状態にされる。このようにしてＣＶＤチャンバは清浄化
され、次の被着プロセスを行い得るようになる。
【０１５１】ＮＦ３ が腐食性であるため、比較的反応
性を有する銅製のガスケットを全てアルミニウムのガス
ケットと交換しておくのが好ましい。
性を有する銅製のガスケットを全てアルミニウムのガス
ケットと交換しておくのが好ましい。
【０１５２】本発明に基づく耐火金属膜を被着するプロ
セスの好適実施例に於ける更に別の新規な特徴としては
、改善された拡散ガス手段を備える、図８に示されるよ
うなリング１０８及び１１０などからなるガスイジェク
タリングをＣＶＤチャンバ内で使用することにあり、こ
れによりＣＶＤチャンバ内に向けてリングから放出され
るガスを均一に拡散させることができる。図２３及び図
２４に示された好適実施例に於ては、ガスイジェクタリ
ング２６０に対してステンレス鋼の粒子或いはその他の
不活性材料の粒子からなる拡散手段２６２が嵌入されて
いる。この拡散手段に於ては、ステンレス鋼などからな
る材料の粒子が互いに焼結され、粒子間を通過するガス
をランダムに配向させることができる。好ましくは、粒
子の平均直径を０．５〜２．０ミクロンとする。好適実
施例に於ては、拡散手段２６２の厚さは約１．５７ｍｍ
（０．０６２インチ）であり、拡散手段２６２の直径は
約１７．８ｃｍ（７インチ）である。しかしながら、特
定の要請に適合するように、拡散手段２６２及びリング
の寸法を適宜定めることができるる
セスの好適実施例に於ける更に別の新規な特徴としては
、改善された拡散ガス手段を備える、図８に示されるよ
うなリング１０８及び１１０などからなるガスイジェク
タリングをＣＶＤチャンバ内で使用することにあり、こ
れによりＣＶＤチャンバ内に向けてリングから放出され
るガスを均一に拡散させることができる。図２３及び図
２４に示された好適実施例に於ては、ガスイジェクタリ
ング２６０に対してステンレス鋼の粒子或いはその他の
不活性材料の粒子からなる拡散手段２６２が嵌入されて
いる。この拡散手段に於ては、ステンレス鋼などからな
る材料の粒子が互いに焼結され、粒子間を通過するガス
をランダムに配向させることができる。好ましくは、粒
子の平均直径を０．５〜２．０ミクロンとする。好適実
施例に於ては、拡散手段２６２の厚さは約１．５７ｍｍ
（０．０６２インチ）であり、拡散手段２６２の直径は
約１７．８ｃｍ（７インチ）である。しかしながら、特
定の要請に適合するように、拡散手段２６２及びリング
の寸法を適宜定めることができるる
【０１５３】非多孔質の支持リング２６４は、ステンレ
ス鋼からなるのが好ましい。実用的な実施例に於ては拡
散手段を、コネチカット州ファーミントンに所在するＭ
ｏｔｔ Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ Ｃｏｒｐｏ
ｒａｔｉｏｎにより市販されている焼結ステンレスシー
ト材を、所望の形状に切断することにより形成すること
ができる。リング状をなす拡散手段２６２は、非多孔質
の支持リング２６４に溶接される。入力ポート２６６か
らガスをイジェクタリング２６２内に導入することがで
きる。
ス鋼からなるのが好ましい。実用的な実施例に於ては拡
散手段を、コネチカット州ファーミントンに所在するＭ
ｏｔｔ Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ Ｃｏｒｐｏ
ｒａｔｉｏｎにより市販されている焼結ステンレスシー
ト材を、所望の形状に切断することにより形成すること
ができる。リング状をなす拡散手段２６２は、非多孔質
の支持リング２６４に溶接される。入力ポート２６６か
らガスをイジェクタリング２６２内に導入することがで
きる。
【０１５４】上記したプロセスを実施するのに好適な装
置に於て、図２１に示されるように、種々の流れ及びプ
ロセスパラメータはコンピュータの制御のもとに自動的
に行われる。
置に於て、図２１に示されるように、種々の流れ及びプ
ロセスパラメータはコンピュータの制御のもとに自動的
に行われる。
【０１５５】このように種々の上記したプロセスを自動
化することにより、人間の誤りに起因する問題を回避す
ることができる。
化することにより、人間の誤りに起因する問題を回避す
ることができる。
【０１５６】当業者であれば所望の特性を有する耐火金
属膜を被着し得るようなプロセスを自動化するようなソ
フトウェアプログラム及び制御システムを容易に開発す
ることができる。好適実施例に於て、ソフトウェアは、
前記した選択的な被着プロセスに於ける第４ステップに
関連して言及されたガスラインパージ機能を制御するた
めに用いることができる。
属膜を被着し得るようなプロセスを自動化するようなソ
フトウェアプログラム及び制御システムを容易に開発す
ることができる。好適実施例に於て、ソフトウェアは、
前記した選択的な被着プロセスに於ける第４ステップに
関連して言及されたガスラインパージ機能を制御するた
めに用いることができる。
【０１５７】上記した好適実施例は、本発明に基づく耐
火金属を被着するために用いられるプロセス及び構造或
いは装置の実施例を示したもので、本発明を何ら限定す
るものではないことを了解されたい。容易に理解し得る
ように、上記以外でも、適当な耐火金属系のガス或いは
還元性ガスを上記したプロセスに於て用いることができ
る。いずれにせよ、当業者であれば、本発明の概念から
逸脱することなく種々の変形・変更実施例を思い至るこ
とを了解されたい。
火金属を被着するために用いられるプロセス及び構造或
いは装置の実施例を示したもので、本発明を何ら限定す
るものではないことを了解されたい。容易に理解し得る
ように、上記以外でも、適当な耐火金属系のガス或いは
還元性ガスを上記したプロセスに於て用いることができ
る。いずれにせよ、当業者であれば、本発明の概念から
逸脱することなく種々の変形・変更実施例を思い至るこ
とを了解されたい。
【図１】本発明の好適実施例に基づき耐火金属プロセス
により処理されたシリコンウェハを示す断面図である。
により処理されたシリコンウェハを示す断面図である。
【図２】本発明の好適実施例に基づき耐火金属プロセス
により処理されたシリコンウェハを示す断面図である。
により処理されたシリコンウェハを示す断面図である。
【図３】本発明の好適実施例に基づき耐火金属プロセス
により処理されたシリコンウェハを示す断面図である。
により処理されたシリコンウェハを示す断面図である。
【図４】本発明の好適実施例に基づき耐火金属プロセス
により処理されたシリコンウェハを示す断面図である。
により処理されたシリコンウェハを示す断面図である。
【図５】本発明の好適実施例に基づき耐火金属プロセス
により処理されたシリコンウェハを示す断面図である。
により処理されたシリコンウェハを示す断面図である。
【図６】本発明の好適実施例に於て用いられたガス分配
ボックス内の部品を示すダイヤグラム図である。
ボックス内の部品を示すダイヤグラム図である。
【図７】分配ボックス内の部品をベークするために用い
られる加熱要素と共に、図６に示されたガス分配ボック
スを示す斜視図である。
られる加熱要素と共に、図６に示されたガス分配ボック
スを示す斜視図である。
【図８】本発明の好適実施例に於て用いられるＣＶＤチ
ャンバを示すダイヤグラム図である。
ャンバを示すダイヤグラム図である。
【図９】Ｎ及びＰ型シリコン領域の放射率対温度の関係
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図１０】プロセスガスのＳｉＨ４ 対ＷＦ６ 比に対
する被着膜のＳｉ対Ｗ比の関係を示すグラフである。
する被着膜のＳｉ対Ｗ比の関係を示すグラフである。
【図１１】ＳｉＨ４ 対ＷＦ６ 比と被着速度との関係
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図１２】本発明の好適実施例に基づきブランケット被
着プロセスにより処理されたシリコンウェハを示す断面
図である。
着プロセスにより処理されたシリコンウェハを示す断面
図である。
【図１３】本発明の好適実施例に基づきブランケット被
着プロセスにより処理されたシリコンウェハを示す断面
図である。
着プロセスにより処理されたシリコンウェハを示す断面
図である。
【図１４】本発明の好適実施例に基づきブランケット被
着プロセスにより処理されたシリコンウェハを示す断面
図である。
着プロセスにより処理されたシリコンウェハを示す断面
図である。
【図１５】本発明の好適実施例に基づきブランケット被
着プロセスにより処理されたシリコンウェハを示す断面
図である。
着プロセスにより処理されたシリコンウェハを示す断面
図である。
【図１６】本発明の好適実施例に基づき、多結晶シリコ
ンと金属皮膜との間のビア膜を形成するためのプロセス
の終了後のシリコンウェハを示す断面図である。
ンと金属皮膜との間のビア膜を形成するためのプロセス
の終了後のシリコンウェハを示す断面図である。
【図１７】本発明の好適実施例に基づく２つの金属皮膜
間にビア膜を形成するためのプロセスにおけるシリコン
ウェハの断面図である。
間にビア膜を形成するためのプロセスにおけるシリコン
ウェハの断面図である。
【図１８】本発明の好適実施例に基づく２つの金属皮膜
間にビア膜を形成するためのプロセスにおけるシリコン
ウェハの断面図である。
間にビア膜を形成するためのプロセスにおけるシリコン
ウェハの断面図である。
【図１９】本発明の好適実施例に基づく２つの金属皮膜
間にビア膜を形成するためのプロセスにおけるシリコン
ウェハの断面図である。
間にビア膜を形成するためのプロセスにおけるシリコン
ウェハの断面図である。
【図２０】本発明の好適実施例に基づく２つの金属皮膜
間にビア膜を形成するためのプロセスにおけるシリコン
ウェハの断面図である。
間にビア膜を形成するためのプロセスにおけるシリコン
ウェハの断面図である。
【図２１】ビア膜形成過程を形成するのに適する装置の
好適実施例を示すブロック図である。
好適実施例を示すブロック図である。
【図２２】スパッタエッチングガスのためのガス分配ネ
ットワークを示す回路図である。
ットワークを示す回路図である。
【図２３】本発明の好適実施例に於て用いられたガス拡
散手段の斜視図である。
散手段の斜視図である。
【図２４】本発明の好適実施例に於て用いられたガス拡
散手段の斜視断面図である。
散手段の斜視断面図である。
１ シリコン基層
２ Ｎ型領域
３ Ｐ型領域
４ 酸化膜
５ ネットワーク
６〜１１ 入力ポート
１２〜１５、２２、２４、２６、２７、４０、４１、４
７、４８ バルブ ２５、３０、４６、５１ ガスライン１０４ ＣＶ
Ｄチャンバ １２６ ランプ １７０ 多結晶シリコン膜 １７２ 絶縁膜 １７４ ビア膜 １７８ 金属皮膜 ２１０ ＣＶＤチャンバ ２１２ スパッタエッチングチャンバ２１４ ウェ
ハ搬送システム ２１６、２１８ ガスライン ２１９ ガスボックス
７、４８ バルブ ２５、３０、４６、５１ ガスライン１０４ ＣＶ
Ｄチャンバ １２６ ランプ １７０ 多結晶シリコン膜 １７２ 絶縁膜 １７４ ビア膜 １７８ 金属皮膜 ２１０ ＣＶＤチャンバ ２１２ スパッタエッチングチャンバ２１４ ウェ
ハ搬送システム ２１６、２１８ ガスライン ２１９ ガスボックス
Claims (38)
- 【請求項１】 導電性インターコネクト膜を、ウェハ
上に形成された１つまたは複数の露出したシリコン領域
に電気的に接続するためのバリア膜を形成するための方
法であって、前記領域の温度が約１００°Ｃを越える前
に、前記露出シリコン領域上に耐火金属の光学的に不透
明な膜を形成する過程と、 所望の厚さを有するバリア膜を形成するために或る時間
に亘って所定量の還元性ガス及び耐火金属系のガスを供
給しつつ、前記ウェハをＣＶＤチャンバ内に於て概ね一
定の蒸着温度下にて加熱する過程と、 前記ウェハを焼戻しすることにより、前記耐火金属と前
記シリコン領域との間の境界にシリサイドを形成する過
程とを有することを特徴とする方法。 - 【請求項２】 前記還元性ガスがシランからなり、前
記焼戻し過程が前記バリア膜内のシリコン原子がシリサ
イドを形成するような反応を引起させるものであること
を特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 前記不透明膜を形成する過程に先立っ
て、概ね室温下に於て、耐火金属系のガスをもって前記
露出シリコン領域の表面を飽和させ、前記バリア膜と前
記シリコン領域との間の接着力を増大させ、かつ前記し
た耐火金属を蒸着させる過程に於ける触媒として機能す
るように、前記表面に耐火金属からなる基層を形成する
過程を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項４】 前記耐火金属が、タングステン、モリ
ブデン、パラジウム、白金及びタンタルからなるグルー
プから選ばれたものであることを特徴とする請求項１に
記載の方法。 - 【請求項５】 或る量の還元性ガスを供給しつつ、Ｃ
ＶＤチャンバ内に於て、概ね一定蒸着温度下にて前記ウ
ェハを加熱する過程が、前記バリア膜が形成されつつあ
る時に該バリア膜の温度を上昇させるような発熱還元反
応が進行するに伴い、前記耐火金属の蒸着速度を増大さ
せるべく、還元性ガスの供給量を時間と共に増大させる
過程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項６】 前記シリコン領域がＮ型及びＰ型領域
の両者を含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。 - 【請求項７】 前記ウェハが、該ウェハに向けて直接
的な放射を行うランプに電力を供給することにより加熱
されるものであることを特徴とする請求項１に記載の方
法。 - 【請求項８】 前記焼戻し過程が、前記ウェハを約６
５０°Ｃを越える温度に、約１０秒を越える時間に亘っ
て保持する過程を含むことを特徴とする請求項１に記載
の方法。 - 【請求項９】 導電性インターコネクト膜を、ウェハ
上に形成された１つまたは複数の露出したシリコン領域
に電気的に接続するためのバリア膜を形成するための方
法であって、発熱還元反応が、前記露出シリコン領域上
に被着される耐火金属の温度を上昇し続けるに伴い、耐
火金属系のガスの量に対して増大する量の還元性ガスを
供給しつつ、ＣＶＤチャンバ内に於て、概ね一定蒸着温
度下にて前記ウェハを加熱する過程と、所望の厚さのバ
リア膜が形成された後に、前記耐火金属と前記シリコン
領域との間の境界にシリサイドを形成するべく、前記ウ
ェハを焼戻しする過程とを有することを特徴とする方法
。 - 【請求項１０】 耐火金属系のガスの供給量に対して
時間と共に増大する量の還元性ガスを供給しつつ前記ウ
ェハを加熱する前記過程に先立って、またバリア膜をブ
ランケット蒸着するために或る量の還元性ガスを供給す
るが耐火金属系のガスを供給することなく、前記ウェハ
をＣＶＤチャンバ内に於て概ね一定の蒸着温度下に於て
加熱し、前記還元性ガスを、前記露出シリコン領域及び
これら露出シリコン領域に互いに分離する酸化膜領域の
表面と共に核生成させる過程を有することを特徴とする
請求項９に記載の方法。 - 【請求項１１】 耐火金属系ガスの供給量に対して時
間と共に増大する量の還元性ガスを供給しつつ前記ウェ
ハを加熱する前記過程に続いて、還元性ガス及び耐火金
属系ガスを用いて前記チャンバ内に於て得られたバリア
膜を所望の厚さにエッチングする過程を有することを特
徴とする請求項１０に記載の方法。 - 【請求項１２】 導電性インターコネクト膜を、ウェ
ハ上に形成された１つまたは複数の露出したシリコン領
域に電気的に接続するためのバリア膜を形成するための
方法であって、前記露出シリコン領域の表面を概ね室温
下に於て耐火金属系ガスにより飽和させることをもって
、前記シリコン領域の前記表面上に耐火金属からなる基
層を形成し、前記表面とその表面に蒸着されるべき耐火
金属膜との間の接着力を増大させる過程と、所望の厚さ
を有するバリア膜を形成するために或る時間に亘って所
定量の還元性ガス及び耐火金属系のガスを供給しつつ、
前記ウェハをＣＶＤチャンバ内に於て概ね一定の蒸着温
度下にて加熱する過程と、 前記ウェハを焼戻しすることにより、前記耐火金属と前
記シリコン領域との間の境界にシリサイドを形成する過
程とを有することを特徴とする方法。 - 【請求項１３】 ウェハ上に形成された多結晶シリコ
ン膜と金属皮膜との間の電気的接触を達成するために、
前記多結晶シリコン膜に接触する導電性ビア膜を形成す
るための方法であって、発熱還元反応が、前記多結晶シ
リコン膜上に被着された耐火金属の温度を上昇し続ける
に伴い、耐火金属系のガスの量に対して増大する量の還
元性ガスを供給しつつ、ＣＶＤチャンバ内に於て、概ね
一定蒸着温度下にて前記ウェハを加熱する過程と、所望
の厚さのビア膜が形成された後に、前記耐火金属と前記
多結晶シリコン膜との間の境界にシリサイドを形成する
べく、前記ウェハを焼戻しする過程とを有することを特
徴とする方法。 - 【請求項１４】 耐火金属系のガスの供給量に対して
時間と共に増大する量の還元性ガスを供給しつつ前記ウ
ェハを加熱する前記過程に先立って、また導電性ビア膜
をブランケット蒸着するために、或る量の還元性ガスを
供給するが耐火金属系のガスを供給することなく、前記
ウェハをＣＶＤチャンバ内に於て概ね一定の蒸着温度下
に於て加熱し、前記還元性ガスを、前記多結晶シリコン
膜及び該多結晶シリコン膜上に形成された酸化膜領域の
表面と共に核生成させる過程を有することを特徴とする
請求項１３に記載の方法。 - 【請求項１５】 耐火金属系ガスの供給量に対して時
間と共に増大する量の還元性ガスを供給しつつ前記ウェ
ハを加熱する前記過程に続いて、還元性ガス及び耐火金
属系ガスを用いて前記チャンバ内に於て得られたビア膜
を所望の厚さにエッチングする過程を有することを特徴
とする請求項１４に記載の方法。 - 【請求項１６】 前記還元性ガスがシランからなるこ
とを特徴とする請求項１３に記載の方法。 - 【請求項１７】 前記多結晶シリコン膜と、シランを
還元性ガスとして用いて該多結晶シリコン膜上に形成さ
れる耐火金属膜との間の接着力を増大させるように、前
記多結晶シリコン膜上に、純度の高い耐火金属からなる
基層を形成するべく、ＣＶＤチャンバ内にて、所定量の
耐火金属系のガスを供給しつつ、前記ウェハを加熱する
過程を有することを特徴とする請求項１６に記載の方法
。 - 【請求項１８】 前記還元性ガスが水素からなること
を特徴とする請求項１３項に記載の方法。 - 【請求項１９】 ウェハ上に形成された第１の金属皮
膜と第２の金属皮膜との間の電気的接続を達成するため
に、前記第１の金属皮膜に接触する耐火金属からなる導
電性ビア膜を形成するための方法であって、前記第１の
金属皮膜の露出面を清浄化する過程と、発熱還元反応が
、前記第１の金属皮膜上に被着される耐火金属の温度を
上昇し続けるに伴い、前記耐火金属の蒸着速度を増大さ
せるべく、耐火金属系のガスの量に対して増大する量の
還元性ガスを供給しつつ、ＣＶＤチャンバ内に於て、概
ね一定蒸着温度下にて前記ウェハを加熱する過程を有す
ることを特徴とする方法。 - 【請求項２０】 前記第１の金属皮膜及び第２の金属
皮膜がアルミニウムを含むことを特徴とする請求項１９
に記載の方法。 - 【請求項２１】 前記還元性ガスがシランからなるこ
とを特徴とする請求項２０に記載の方法。 - 【請求項２２】 前記清浄化過程が、前記第１の金属
皮膜の前記露出面を清浄化するべくＲＦスパッタエッチ
ングを用いる過程を含むことを特徴とする請求項１９に
記載の方法。 - 【請求項２３】 ウェハ上に形成された第１の金属皮
膜と第２の金属皮膜との間の電気的接続を達成するため
に、前記第１の金属皮膜に接触する耐火金属からなる導
電性ビア膜を形成するための方法であって、或る量の還
元性ガスを供給するが耐火金属系のガスを供給すること
なく、前記ウェハをＣＶＤチャンバ内に於て概ね一定の
蒸着温度下に於て加熱し、前記還元性ガスを、前記第１
の金属皮膜及び該第１の金属皮膜上に形成された酸化膜
領域の表面と共に核生成させる過程と、発熱還元反応が
、前記第１の金属皮膜上に被着される耐火金属の温度を
上昇し続けるに伴い、前記耐火金属の蒸着速度を増大さ
せるべく、耐火金属系のガスの量に対して増大する量の
還元性ガスを供給しつつ、ＣＶＤチャンバ内に於て、概
ね一定蒸着温度下にて前記ウェハを加熱する過程とを有
することを特徴とする方法。 - 【請求項２４】 ＣＶＤチャンバを清浄化するために
、該ＣＶＤチャンバをそのままエッチングするための方
法であって、 前記ＣＶＤチャンバの壁面を約６５°Ｃを越える温度に
加熱する過程と、 前記ＣＶＤチャンバ内にＮＦ３ エッチングガスを注入
する過程と、 前記ＣＶＤチャンバの前記壁面をエッチングするべく、
前記ＮＦ３ を活性化するためにＲＦパワーを供給する
過程とを有することを特徴とする方法。 - 【請求項２５】 ＣＶＤチャンバ内に於いて用いられ
、ＣＶＤチャンバ内にガスを拡散するための装置であっ
て、或る材料の粒子を焼結し、焼結された個々の粒子間
の空隙を介してガスが流出し得るようにしたことを特徴
とする装置。 - 【請求項２６】 前記拡散装置が、ステンレス鋼の粉
体を焼結してなるものであることを特徴とする請求項２
５に記載の装置。 - 【請求項２７】 前記拡散装置が、出口ポートを有す
るガス不透過性のリング上に設けられていることを特徴
とする請求項２５に記載の装置。 - 【請求項２８】 ＣＶＤチャンバに導入されるプロセ
スガスを、該ＣＶＤチャンバに導入される前に瀘過する
ための装置であって、プロセスガス源に接続された入力
ポートと、前記入力ポートをガスラインの第１の部分に
接続するために、前記入力ポートのそれぞれの直下流側
に接続された第１のバルブ手段と、 前記第１のバルブ手段の直下流側に設けられた第１の瀘
過手段と、 前記ガスラインの前記第１の部分を前記ガスラインの第
２の部分に接続するために、前記第１の瀘過手段の直下
流側に設けられた第２のバルブ手段と、前記第２のバル
ブ手段と前記ＣＶＤチャンバとの間に接続された第２の
瀘過手段とを有することを特徴とする装置。 - 【請求項２９】 前記入力ポート、前記第１のバルブ
の手段、前記第１の瀘過手段、前記第２のバルブ手段及
び前記第２の瀘過手段を収納するケース体と、前記各部
分内に含まれる汚染物質を蒸発させるために前記各部分
を加熱するために、前記ケース体内に設けられた内部加
熱要素とを有することを特徴とする請求項２８に記載の
装置。 - 【請求項３０】 前記プロセスガスが６フッ化タング
ステン及びシランを含むことを特徴とする請求項２８項
に記載の装置。 - 【請求項３１】 導電性インターコネクト膜を、ウェ
ハ上に形成された１つまたは複数の露出したシリコン領
域に電気的に接続するためのバリア膜を形成するための
装置であって、前記領域の温度が約１００°Ｃを越える
前に、前記露出シリコン領域上に耐火金属の光学的に不
透明な膜を形成するための手段と、 所望の厚さを有するバリア膜を形成するために或る時間
に亘って所定量の還元性ガス及び耐火金属系のガスを供
給しつつ、前記ウェハをＣＶＤチャンバ内に於て概ね一
定の蒸着温度下にて加熱するための手段と、前記ウェハ
を焼戻しすることにより、前記耐火金属と前記シリコン
領域との間の境界にシリサイドを形成するための手段と
、 前記形成手段、前記加熱手段及び前記焼戻し手段を自動
的に制御するための手段とを備えることを特徴とする装
置。 - 【請求項３２】 導電性インターコネクト膜を、ウェ
ハ上に形成された１つまたは複数の露出したシリコン領
域に電気的に接続するためのバリア膜を形成するための
装置であって、発熱還元反応が、前記露出シリコン領域
上に被着された耐火金属の温度を上昇し続けるに伴い、
耐火金属系のガスの量に対して増大する量の還元性ガス
を供給しつつ、ＣＶＤチャンバ内に於て、概ね一定蒸着
温度下にて前記ウェハを加熱するための手段と、所望の
厚さのバリア膜が形成された後に、前記耐火金属と前記
シリコン領域との間の境界にシリサイドを形成するべく
、前記ウェハを焼戻しするための手段と、前記加熱手段
及び前記焼戻し手段を自動的に制御するための手段とを
備えることを特徴とする装置。 - 【請求項３３】 導電性インターコネクト膜を、ウェ
ハ上に形成された１つまたは複数の露出したシリコン領
域に電気的に接続するためのバリア膜を形成するための
装置であって、前記露出シリコン領域の表面を概ね室温
下に於て耐火金属系ガスにより飽和させることをもって
、前記シリコン領域の前記表面上に耐火金属からなる基
層を形成し、前記表面とその表面に蒸着されるべき耐火
金属膜との間の接着力を増大させるための手段と、所望
の厚さを有するバリア膜を形成するために或る時間に亘
って所定量の還元性ガス及び耐火金属系のガスを供給し
つつ、前記ウェハをＣＶＤチャンバ内に於て概ね一定の
蒸着温度下にて加熱するための手段と、前記ウェハを焼
戻しすることにより、前記耐火金属と前記シリコン領域
との間の境界にシリサイドを形成するための手段と、前
記飽和手段、前記加熱手段及び前記焼戻し手段を自動的
に制御するための手段とを備えることを特徴とする装置
。 - 【請求項３４】 ウェハ上に形成された多結晶シリコ
ン膜と金属皮膜との間の電気的接触を達成するために、
前記多結晶シリコン膜に接触する導電性ビア膜を形成す
るための装置であって、発熱還元反応が、前記多結晶シ
リコン膜上に被着される耐火金属の温度を上昇し続ける
に伴い、耐火金属系のガスの量に対して増大する量の還
元性ガスを供給しつつ、ＣＶＤチャンバ内に於て、概ね
一定蒸着温度下にて前記ウェハを加熱するための手段と
、所望の厚さのビア膜が形成された後に、前記耐火金属
と前記多結晶シリコン膜との間の境界にシリサイドを形
成するべく、前記ウェハを焼戻しするための手段と、前
記飽和手段、前記加熱手段及び前記焼戻し手段を自動的
に制御するための手段とを備えることを特徴とする装置
。 - 【請求項３５】 ウェハ上に形成された第１の金属皮
膜と第２の金属皮膜との間の電気的接続を達成するため
に、前記第１の金属皮膜に接触する耐火金属からなる導
電性ビア膜を形成するための装置であって、前記第１の
金属皮膜の露出面を清浄化するための手段と、発熱還元
反応が、前記第１の金属皮膜上に被着される耐火金属の
温度を上昇し続けるに伴い、前記耐火金属の蒸着速度を
増大させるべく、耐火金属系のガスの量に対して増大す
る量の還元性ガスを供給しつつ、ＣＶＤチャンバ内に於
て、概ね一定蒸着温度下にて前記ウェハを加熱するため
の手段と、 前記清浄化手段及び前記加熱手段を自動的に制御するた
めの手段とを備えることを特徴とする装置。 - 【請求項３６】 前記清浄化手段が、ウェハ搬送シス
テムを介して前記ＣＶＤチャンバに接続されたＲＦスパ
ッタエッチングチャンバからなり、前記ウェハを大気圧
に曝露しないように、かつ前記ウェハが前記エッチング
チャンバから前記ＣＶＤチャンバに向けて搬送されるよ
うに、前記エッチングチャンバと前記ＣＶＤチャンバと
が、前記ウェハ搬送システムにより接続されていること
を特徴とする請求項３５に記載の装置。 - 【請求項３７】 ＣＶＤチャンバを清浄化するために
、該ＣＶＤチャンバをそのままエッチングするための装
置であって 前記ＣＶＤチャンバの壁面を約６５°Ｃを越える温度に
加熱するための手段と、 前記ＣＶＤチャンバ内にＮＦ３ エッチングガスを注入
するための手段と、 前記加熱手段及び前記注入手段を自動的に制御するため
の手段とを備えることを特徴とする装置。 - 【請求項３８】 ＣＶＤチャンバ内にガスを拡散させ
るための方法であって、或る材料の粒子を焼結してなる
拡散手段を用いて、焼結された個々の粒子間の空隙を介
してガスを流出させることを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US46195990A | 1990-01-08 | 1990-01-08 | |
| US07/461,959 | 1990-01-08 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000376869A Division JP2001185500A (ja) | 1990-01-08 | 2000-12-12 | Ｃｖｄチャンバを現場でエッチングして清浄化するための装置及び方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04226029A true JPH04226029A (ja) | 1992-08-14 |
| JP3194971B2 JP3194971B2 (ja) | 2001-08-06 |
Family
ID=23834638
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP41560390A Expired - Lifetime JP3194971B2 (ja) | 1990-01-08 | 1990-12-28 | Ｃｖｄチャンバに導入されるプロセスガスをｃｖｄチャンバへの導入前に濾過するための装置 |
| JP2000376869A Pending JP2001185500A (ja) | 1990-01-08 | 2000-12-12 | Ｃｖｄチャンバを現場でエッチングして清浄化するための装置及び方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000376869A Pending JP2001185500A (ja) | 1990-01-08 | 2000-12-12 | Ｃｖｄチャンバを現場でエッチングして清浄化するための装置及び方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (5) | US5391394A (ja) |
| EP (5) | EP0437110B1 (ja) |
| JP (2) | JP3194971B2 (ja) |
| KR (1) | KR100236500B1 (ja) |
| DE (1) | DE69033760T2 (ja) |
Families Citing this family (119)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5595936A (en) * | 1993-08-04 | 1997-01-21 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method for forming contacts in semiconductor device |
| DE69518710T2 (de) * | 1994-09-27 | 2001-05-23 | Applied Materials Inc | Verfahren zum Behandeln eines Substrats in einer Vakuumbehandlungskammer |
| US6030661A (en) * | 1995-08-04 | 2000-02-29 | Abb Research Ltd. | Device and a method for epitaxially growing objects by CVD |
| US5807467A (en) * | 1996-01-22 | 1998-09-15 | Micron Technology, Inc. | In situ preclean in a PVD chamber with a biased substrate configuration |
| US5963836A (en) * | 1996-12-03 | 1999-10-05 | Genus, Inc. | Methods for minimizing as-deposited stress in tungsten silicide films |
| US6297152B1 (en) | 1996-12-12 | 2001-10-02 | Applied Materials, Inc. | CVD process for DCS-based tungsten silicide |
| US6335280B1 (en) | 1997-01-13 | 2002-01-01 | Asm America, Inc. | Tungsten silicide deposition process |
| US6026087A (en) * | 1997-03-14 | 2000-02-15 | Efusion, Inc. | Method and apparatus for establishing a voice call to a PSTN extension for a networked client computer |
| US6258170B1 (en) | 1997-09-11 | 2001-07-10 | Applied Materials, Inc. | Vaporization and deposition apparatus |
| US6527865B1 (en) | 1997-09-11 | 2003-03-04 | Applied Materials, Inc. | Temperature controlled gas feedthrough |
| US6204174B1 (en) | 1997-11-25 | 2001-03-20 | Applied Materials, Inc. | Method for high rate deposition of tungsten |
| US6271129B1 (en) * | 1997-12-03 | 2001-08-07 | Applied Materials, Inc. | Method for forming a gap filling refractory metal layer having reduced stress |
| US6399484B1 (en) * | 1998-10-26 | 2002-06-04 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor device fabricating method and system for carrying out the same |
| FR2785599B1 (fr) | 1998-11-06 | 2000-12-22 | Air Liquide | Dispositif de raccordement et de transfert d'un fluide entre un reservoir donneur et un reservoir recepteur |
| US6524952B1 (en) * | 1999-06-25 | 2003-02-25 | Applied Materials, Inc. | Method of forming a titanium silicide layer on a substrate |
| US6190453B1 (en) | 1999-07-14 | 2001-02-20 | Seh America, Inc. | Growth of epitaxial semiconductor material with improved crystallographic properties |
| US6703290B2 (en) | 1999-07-14 | 2004-03-09 | Seh America, Inc. | Growth of epitaxial semiconductor material with improved crystallographic properties |
| US6207582B1 (en) * | 1999-07-21 | 2001-03-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | Native oxide removal with fluorinated chemistry before cobalt silicide formation using nitride spacers |
| US6303480B1 (en) * | 1999-09-13 | 2001-10-16 | Applied Materials, Inc. | Silicon layer to improve plug filling by CVD |
| EP1127957A1 (en) * | 2000-02-24 | 2001-08-29 | Asm Japan K.K. | A film forming apparatus having cleaning function |
| US6258735B1 (en) * | 2000-10-05 | 2001-07-10 | Applied Materials, Inc. | Method for using bypass lines to stabilize gas flow and maintain plasma inside a deposition chamber |
| US6443435B1 (en) | 2000-10-23 | 2002-09-03 | Applied Materials, Inc. | Vaporization of precursors at point of use |
| US6439253B1 (en) | 2000-12-28 | 2002-08-27 | International Business Machines Corporation | System for and method of monitoring the flow of semiconductor process gases from a gas delivery system |
| US6576293B2 (en) * | 2001-03-26 | 2003-06-10 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method to improve copper thin film adhesion to metal nitride substrates by the addition of water |
| US7005372B2 (en) * | 2003-01-21 | 2006-02-28 | Novellus Systems, Inc. | Deposition of tungsten nitride |
| US7262125B2 (en) * | 2001-05-22 | 2007-08-28 | Novellus Systems, Inc. | Method of forming low-resistivity tungsten interconnects |
| US6635965B1 (en) * | 2001-05-22 | 2003-10-21 | Novellus Systems, Inc. | Method for producing ultra-thin tungsten layers with improved step coverage |
| US7141494B2 (en) * | 2001-05-22 | 2006-11-28 | Novellus Systems, Inc. | Method for reducing tungsten film roughness and improving step coverage |
| US7955972B2 (en) | 2001-05-22 | 2011-06-07 | Novellus Systems, Inc. | Methods for growing low-resistivity tungsten for high aspect ratio and small features |
| US9076843B2 (en) | 2001-05-22 | 2015-07-07 | Novellus Systems, Inc. | Method for producing ultra-thin tungsten layers with improved step coverage |
| US7589017B2 (en) * | 2001-05-22 | 2009-09-15 | Novellus Systems, Inc. | Methods for growing low-resistivity tungsten film |
| US7211144B2 (en) * | 2001-07-13 | 2007-05-01 | Applied Materials, Inc. | Pulsed nucleation deposition of tungsten layers |
| US20070009658A1 (en) * | 2001-07-13 | 2007-01-11 | Yoo Jong H | Pulse nucleation enhanced nucleation technique for improved step coverage and better gap fill for WCVD process |
| US8110489B2 (en) * | 2001-07-25 | 2012-02-07 | Applied Materials, Inc. | Process for forming cobalt-containing materials |
| US6699788B2 (en) * | 2001-11-13 | 2004-03-02 | Chartered Semiconductors Manufacturing Limited | Method for integrated nucleation and bulk film deposition |
| EP1458904A1 (en) * | 2001-12-17 | 2004-09-22 | Applied Materials, Inc. | Process for tungsten deposition by pulsed gas flow cvd |
| TWI273642B (en) * | 2002-04-19 | 2007-02-11 | Ulvac Inc | Film-forming apparatus and film-forming method |
| US6936086B2 (en) * | 2002-09-11 | 2005-08-30 | Planar Systems, Inc. | High conductivity particle filter |
| JP3596616B2 (ja) * | 2002-09-25 | 2004-12-02 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US20040112540A1 (en) * | 2002-12-13 | 2004-06-17 | Lam Research Corporation | Uniform etch system |
| JP4195819B2 (ja) * | 2003-01-17 | 2008-12-17 | 忠弘 大見 | 弗化水素ガスの流量制御方法及びこれに用いる弗化水素ガス用流量制御装置 |
| US20040188272A1 (en) * | 2003-03-25 | 2004-09-30 | Blanks Jeremy Daniel | Method for reducing degradation of reactive compounds during transport |
| US6844258B1 (en) | 2003-05-09 | 2005-01-18 | Novellus Systems, Inc. | Selective refractory metal and nitride capping |
| US7754604B2 (en) * | 2003-08-26 | 2010-07-13 | Novellus Systems, Inc. | Reducing silicon attack and improving resistivity of tungsten nitride film |
| US6989321B2 (en) * | 2003-09-30 | 2006-01-24 | Tokyo Electron Limited | Low-pressure deposition of metal layers from metal-carbonyl precursors |
| EP1688140A1 (en) * | 2003-11-17 | 2006-08-09 | Toyo Shinyaku Co., Ltd. | Lipometabolism improver containing pine bark extract |
| US7112541B2 (en) * | 2004-05-06 | 2006-09-26 | Applied Materials, Inc. | In-situ oxide capping after CVD low k deposition |
| US20060065523A1 (en) * | 2004-09-30 | 2006-03-30 | Fangli Hao | Corrosion resistant apparatus for control of a multi-zone nozzle in a plasma processing system |
| US7488512B2 (en) * | 2004-11-29 | 2009-02-10 | Tokyo Electron Limited | Method for preparing solid precursor tray for use in solid precursor evaporation system |
| US7484315B2 (en) * | 2004-11-29 | 2009-02-03 | Tokyo Electron Limited | Replaceable precursor tray for use in a multi-tray solid precursor delivery system |
| US7638002B2 (en) * | 2004-11-29 | 2009-12-29 | Tokyo Electron Limited | Multi-tray film precursor evaporation system and thin film deposition system incorporating same |
| US20060115590A1 (en) * | 2004-11-29 | 2006-06-01 | Tokyo Electron Limited; International Business Machines Corporation | Method and system for performing in-situ cleaning of a deposition system |
| US8435351B2 (en) * | 2004-11-29 | 2013-05-07 | Tokyo Electron Limited | Method and system for measuring a flow rate in a solid precursor delivery system |
| US7708835B2 (en) * | 2004-11-29 | 2010-05-04 | Tokyo Electron Limited | Film precursor tray for use in a film precursor evaporation system and method of using |
| US20060185597A1 (en) * | 2004-11-29 | 2006-08-24 | Kenji Suzuki | Film precursor evaporation system and method of using |
| US7345184B2 (en) * | 2005-03-31 | 2008-03-18 | Tokyo Electron Limited | Method and system for refurbishing a metal carbonyl precursor |
| US7132128B2 (en) * | 2005-03-31 | 2006-11-07 | Tokyo Electron Limited | Method and system for depositing material on a substrate using a solid precursor |
| US7651570B2 (en) * | 2005-03-31 | 2010-01-26 | Tokyo Electron Limited | Solid precursor vaporization system for use in chemical vapor deposition |
| US7566477B2 (en) * | 2005-03-31 | 2009-07-28 | Tokyo Electron Limited | Method for saturating a carrier gas with precursor vapor |
| US7273823B2 (en) * | 2005-06-03 | 2007-09-25 | Applied Materials, Inc. | Situ oxide cap layer development |
| US7459395B2 (en) * | 2005-09-28 | 2008-12-02 | Tokyo Electron Limited | Method for purifying a metal carbonyl precursor |
| US7432195B2 (en) * | 2006-03-29 | 2008-10-07 | Tokyo Electron Limited | Method for integrating a conformal ruthenium layer into copper metallization of high aspect ratio features |
| US7297719B2 (en) * | 2006-03-29 | 2007-11-20 | Tokyo Electron Limited | Method and integrated system for purifying and delivering a metal carbonyl precursor |
| US7473634B2 (en) * | 2006-09-28 | 2009-01-06 | Tokyo Electron Limited | Method for integrated substrate processing in copper metallization |
| US20080141937A1 (en) * | 2006-12-19 | 2008-06-19 | Tokyo Electron Limited | Method and system for controlling a vapor delivery system |
| US7846256B2 (en) * | 2007-02-23 | 2010-12-07 | Tokyo Electron Limited | Ampule tray for and method of precursor surface area |
| US7655567B1 (en) | 2007-07-24 | 2010-02-02 | Novellus Systems, Inc. | Methods for improving uniformity and resistivity of thin tungsten films |
| WO2009064530A2 (en) * | 2007-08-30 | 2009-05-22 | Washington State University Research Foundation | Semiconductive materials and associated uses thereof |
| US8297223B2 (en) * | 2007-10-02 | 2012-10-30 | Msp Corporation | Method and apparatus for particle filtration and enhancing tool performance in film deposition |
| US7772114B2 (en) | 2007-12-05 | 2010-08-10 | Novellus Systems, Inc. | Method for improving uniformity and adhesion of low resistivity tungsten film |
| US8053365B2 (en) | 2007-12-21 | 2011-11-08 | Novellus Systems, Inc. | Methods for forming all tungsten contacts and lines |
| US8062977B1 (en) | 2008-01-31 | 2011-11-22 | Novellus Systems, Inc. | Ternary tungsten-containing resistive thin films |
| US8058170B2 (en) | 2008-06-12 | 2011-11-15 | Novellus Systems, Inc. | Method for depositing thin tungsten film with low resistivity and robust micro-adhesion characteristics |
| US8551885B2 (en) * | 2008-08-29 | 2013-10-08 | Novellus Systems, Inc. | Method for reducing tungsten roughness and improving reflectivity |
| GB2467320A (en) * | 2009-01-28 | 2010-08-04 | Surrey Nanosystems Ltd | Two methods of forming carbon nano-materials using filtered acetylene gas |
| EP2396450B1 (en) | 2009-02-12 | 2016-12-07 | Griffith University | A chemical vapour deposition system and process |
| US9159571B2 (en) | 2009-04-16 | 2015-10-13 | Lam Research Corporation | Tungsten deposition process using germanium-containing reducing agent |
| US20100267230A1 (en) * | 2009-04-16 | 2010-10-21 | Anand Chandrashekar | Method for forming tungsten contacts and interconnects with small critical dimensions |
| US12444651B2 (en) | 2009-08-04 | 2025-10-14 | Novellus Systems, Inc. | Tungsten feature fill with nucleation inhibition |
| US10256142B2 (en) | 2009-08-04 | 2019-04-09 | Novellus Systems, Inc. | Tungsten feature fill with nucleation inhibition |
| US8207062B2 (en) * | 2009-09-09 | 2012-06-26 | Novellus Systems, Inc. | Method for improving adhesion of low resistivity tungsten/tungsten nitride layers |
| US8709948B2 (en) | 2010-03-12 | 2014-04-29 | Novellus Systems, Inc. | Tungsten barrier and seed for copper filled TSV |
| DE102011102680A1 (de) * | 2011-05-20 | 2012-11-22 | Mostafa Ahmadi | Nabenabdeckung mit integriertem Display |
| US20130133697A1 (en) * | 2011-06-29 | 2013-05-30 | Paul A. STOCKMAN | Prevention of post-pecvd vacuum and abatement system fouling using a fluorine containing cleaning gas chamber |
| CN103137475B (zh) * | 2011-11-23 | 2015-09-16 | 中国科学院微电子研究所 | 一种半导体结构及其制造方法 |
| US10381266B2 (en) | 2012-03-27 | 2019-08-13 | Novellus Systems, Inc. | Tungsten feature fill with nucleation inhibition |
| US11437269B2 (en) | 2012-03-27 | 2022-09-06 | Novellus Systems, Inc. | Tungsten feature fill with nucleation inhibition |
| CN113862634A (zh) | 2012-03-27 | 2021-12-31 | 诺发系统公司 | 钨特征填充 |
| US9034760B2 (en) | 2012-06-29 | 2015-05-19 | Novellus Systems, Inc. | Methods of forming tensile tungsten films and compressive tungsten films |
| US8975184B2 (en) | 2012-07-27 | 2015-03-10 | Novellus Systems, Inc. | Methods of improving tungsten contact resistance in small critical dimension features |
| US8853080B2 (en) | 2012-09-09 | 2014-10-07 | Novellus Systems, Inc. | Method for depositing tungsten film with low roughness and low resistivity |
| US9153486B2 (en) | 2013-04-12 | 2015-10-06 | Lam Research Corporation | CVD based metal/semiconductor OHMIC contact for high volume manufacturing applications |
| US9589808B2 (en) | 2013-12-19 | 2017-03-07 | Lam Research Corporation | Method for depositing extremely low resistivity tungsten |
| US9349637B2 (en) | 2014-08-21 | 2016-05-24 | Lam Research Corporation | Method for void-free cobalt gap fill |
| US9748137B2 (en) | 2014-08-21 | 2017-08-29 | Lam Research Corporation | Method for void-free cobalt gap fill |
| US9997405B2 (en) | 2014-09-30 | 2018-06-12 | Lam Research Corporation | Feature fill with nucleation inhibition |
| US9953984B2 (en) | 2015-02-11 | 2018-04-24 | Lam Research Corporation | Tungsten for wordline applications |
| US10170320B2 (en) | 2015-05-18 | 2019-01-01 | Lam Research Corporation | Feature fill with multi-stage nucleation inhibition |
| US9613818B2 (en) | 2015-05-27 | 2017-04-04 | Lam Research Corporation | Deposition of low fluorine tungsten by sequential CVD process |
| US9978605B2 (en) | 2015-05-27 | 2018-05-22 | Lam Research Corporation | Method of forming low resistivity fluorine free tungsten film without nucleation |
| US9754824B2 (en) | 2015-05-27 | 2017-09-05 | Lam Research Corporation | Tungsten films having low fluorine content |
| JP2017022377A (ja) | 2015-07-14 | 2017-01-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| WO2017056242A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体 |
| KR102383369B1 (ko) * | 2016-06-17 | 2022-04-05 | 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 상교기쥬츠 소고켄큐쇼 | 텅스텐과 게르마늄의 화합물막 및 반도체 장치 |
| US10573522B2 (en) | 2016-08-16 | 2020-02-25 | Lam Research Corporation | Method for preventing line bending during metal fill process |
| US10211099B2 (en) | 2016-12-19 | 2019-02-19 | Lam Research Corporation | Chamber conditioning for remote plasma process |
| KR20250073535A (ko) | 2017-08-14 | 2025-05-27 | 램 리써치 코포레이션 | 3차원 수직 nand 워드라인을 위한 금속 충진 프로세스 |
| KR102806630B1 (ko) | 2018-05-03 | 2025-05-12 | 램 리써치 코포레이션 | 3d nand 구조체들에 텅스텐 및 다른 금속들을 증착하는 방법 |
| EP3636590A1 (en) * | 2018-10-09 | 2020-04-15 | IMEC vzw | A method for forming a silicide gate for a semiconductor device |
| WO2020118100A1 (en) | 2018-12-05 | 2020-06-11 | Lam Research Corporation | Void free low stress fill |
| CN111270209B (zh) * | 2018-12-05 | 2023-12-12 | 东君新能源有限公司 | 一种蒸汽溅射装置及控制系统、控制方法 |
| WO2020123987A1 (en) | 2018-12-14 | 2020-06-18 | Lam Research Corporation | Atomic layer deposition on 3d nand structures |
| WO2020210260A1 (en) | 2019-04-11 | 2020-10-15 | Lam Research Corporation | High step coverage tungsten deposition |
| US12237221B2 (en) | 2019-05-22 | 2025-02-25 | Lam Research Corporation | Nucleation-free tungsten deposition |
| US11081315B2 (en) * | 2019-06-14 | 2021-08-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Ion impantation gas supply system |
| JP7310373B2 (ja) * | 2019-07-03 | 2023-07-19 | 住友電気工業株式会社 | ガラス原料供給装置およびガラス原料供給装置のフィルタ交換方法 |
| WO2021030836A1 (en) | 2019-08-12 | 2021-02-18 | Lam Research Corporation | Tungsten deposition |
| JP2021141269A (ja) * | 2020-03-09 | 2021-09-16 | クアーズテック株式会社 | シリコン部材及びその製造方法 |
| WO2022087365A1 (en) * | 2020-10-23 | 2022-04-28 | Lam Research Corporation | Integration of vapor deposition process into plasma etch reactor |
Family Cites Families (49)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1455116A (en) * | 1921-08-18 | 1923-05-15 | Frank E Lumley | Vacuum cleaning apparatus |
| US3373018A (en) * | 1965-02-17 | 1968-03-12 | Allied Chem | Production of rigid shapes of refractory metals by decomposition of the metal hexafluoride in the interstices of a green compact |
| US3519479A (en) * | 1965-12-16 | 1970-07-07 | Matsushita Electronics Corp | Method of manufacturing semiconductor device |
| US3493431A (en) * | 1966-11-25 | 1970-02-03 | Bell Telephone Labor Inc | Vapor-liquid-solid crystal growth technique |
| US3697342A (en) * | 1970-12-16 | 1972-10-10 | Ibm | Method of selective chemical vapor deposition |
| US3697343A (en) * | 1970-12-16 | 1972-10-10 | Ibm | Method of selective chemical vapor deposition |
| US3777364A (en) * | 1972-07-31 | 1973-12-11 | Fairchild Camera Instr Co | Methods for forming metal/metal silicide semiconductor device interconnect system |
| SU590370A1 (ru) * | 1973-04-06 | 1978-01-30 | Предприятие П/Я А-1857 | Способ получени вольфрамовых покрытий |
| US4180596A (en) * | 1977-06-30 | 1979-12-25 | International Business Machines Corporation | Method for providing a metal silicide layer on a substrate |
| US4167819A (en) * | 1977-12-05 | 1979-09-18 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Pressure regulator |
| US4226898A (en) * | 1978-03-16 | 1980-10-07 | Energy Conversion Devices, Inc. | Amorphous semiconductors equivalent to crystalline semiconductors produced by a glow discharge process |
| JPS6047322B2 (ja) * | 1978-08-10 | 1985-10-21 | 日本ダイアクレバイト株式会社 | 多孔質焼結体の製造法 |
| DE2900512A1 (de) * | 1979-01-08 | 1980-11-27 | Petri Ag | Filter fuer gassack-aufprallschutzeinrichtungen |
| US4220460A (en) * | 1979-02-05 | 1980-09-02 | Western Electric Company, Inc. | Vapor delivery system and method |
| US4546370A (en) * | 1979-02-15 | 1985-10-08 | Texas Instruments Incorporated | Monolithic integration of logic, control and high voltage interface circuitry |
| JPS55158623A (en) * | 1979-05-29 | 1980-12-10 | Hitachi Ltd | Method of controlling semiconductor vapor phase growth |
| US4794019A (en) * | 1980-09-04 | 1988-12-27 | Applied Materials, Inc. | Refractory metal deposition process |
| US4351805A (en) * | 1981-04-06 | 1982-09-28 | International Business Machines Corporation | Single gas flow elevated pressure reactor |
| US4446476A (en) * | 1981-06-30 | 1984-05-01 | International Business Machines Corporation | Integrated circuit having a sublayer electrical contact and fabrication thereof |
| GB2114809B (en) * | 1982-02-04 | 1986-02-05 | Standard Telephones Cables Ltd | Metallic silicide production |
| US4400867A (en) * | 1982-04-26 | 1983-08-30 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | High conductivity metallization for semiconductor integrated circuits |
| US4565157A (en) * | 1983-03-29 | 1986-01-21 | Genus, Inc. | Method and apparatus for deposition of tungsten silicides |
| US4517225A (en) * | 1983-05-02 | 1985-05-14 | Signetics Corporation | Method for manufacturing an electrical interconnection by selective tungsten deposition |
| US5244500A (en) * | 1983-10-05 | 1993-09-14 | Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha | Process control system of semiconductor vapor phase growth apparatus |
| US4851295A (en) * | 1984-03-16 | 1989-07-25 | Genus, Inc. | Low resistivity tungsten silicon composite film |
| US4629635A (en) * | 1984-03-16 | 1986-12-16 | Genus, Inc. | Process for depositing a low resistivity tungsten silicon composite film on a substrate |
| JPS6177324A (ja) * | 1984-09-21 | 1986-04-19 | Toshiba Corp | 金属薄膜の形成方法 |
| US4584207A (en) * | 1984-09-24 | 1986-04-22 | General Electric Company | Method for nucleating and growing tungsten films |
| US5769950A (en) * | 1985-07-23 | 1998-06-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Device for forming deposited film |
| US4717596A (en) * | 1985-10-30 | 1988-01-05 | International Business Machines Corporation | Method for vacuum vapor deposition with improved mass flow control |
| GB2183204A (en) * | 1985-11-22 | 1987-06-03 | Advanced Semiconductor Mat | Nitrogen trifluoride as an in-situ cleaning agent |
| US4796562A (en) * | 1985-12-03 | 1989-01-10 | Varian Associates, Inc. | Rapid thermal cvd apparatus |
| US4709655A (en) * | 1985-12-03 | 1987-12-01 | Varian Associates, Inc. | Chemical vapor deposition apparatus |
| US4766006A (en) * | 1986-05-15 | 1988-08-23 | Varian Associates, Inc. | Low pressure chemical vapor deposition of metal silicide |
| US4795880A (en) * | 1986-09-11 | 1989-01-03 | Hayes James A | Low pressure chemical vapor deposition furnace plasma clean apparatus |
| US4786352A (en) * | 1986-09-12 | 1988-11-22 | Benzing Technologies, Inc. | Apparatus for in-situ chamber cleaning |
| US5044314A (en) * | 1986-10-15 | 1991-09-03 | Advantage Production Technology, Inc. | Semiconductor wafer processing apparatus |
| ATE102397T1 (de) * | 1986-12-19 | 1994-03-15 | Applied Materials Inc | Integriertes bearbeitungssystem mit vielfachkammer. |
| US4884123A (en) * | 1987-02-19 | 1989-11-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Contact plug and interconnect employing a barrier lining and a backfilled conductor material |
| JPS63267430A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-04 | Toshiba Corp | 反応室内の清浄方法 |
| US4751101A (en) * | 1987-04-30 | 1988-06-14 | International Business Machines Corporation | Low stress tungsten films by silicon reduction of WF6 |
| JPS6412521A (en) * | 1987-07-07 | 1989-01-17 | Nec Corp | Semiconductor manufacturing equipment |
| JP2592844B2 (ja) * | 1987-07-10 | 1997-03-19 | 株式会社東芝 | 高融点金属膜の形成方法 |
| US4902645A (en) * | 1987-08-24 | 1990-02-20 | Fujitsu Limited | Method of selectively forming a silicon-containing metal layer |
| US4749597A (en) * | 1987-10-19 | 1988-06-07 | Spectrum Cvd, Inc. | Process for CVD of tungsten |
| US4989160A (en) * | 1988-05-17 | 1991-01-29 | Sci Systems, Inc. | Apparatus and method for controlling functions of automated gas cabinets |
| JP3004696B2 (ja) * | 1989-08-25 | 2000-01-31 | アプライド マテリアルズ インコーポレーテッド | 化学的蒸着装置の洗浄方法 |
| US5211796A (en) * | 1990-01-08 | 1993-05-18 | Lst Logic Corporation | Apparatus for performing in-situ etch of CVD chamber |
| US5123375A (en) * | 1990-01-08 | 1992-06-23 | Lsi Logic Corporation | Structure for filtering CVD chamber process gases |
-
1990
- 1990-12-28 EP EP19900314410 patent/EP0437110B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-12-28 JP JP41560390A patent/JP3194971B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-12-28 EP EP20000203545 patent/EP1069207A3/en not_active Withdrawn
- 1990-12-28 EP EP20000203546 patent/EP1069208A3/en not_active Withdrawn
- 1990-12-28 DE DE69033760T patent/DE69033760T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-12-28 EP EP20000203543 patent/EP1069610A2/en not_active Withdrawn
- 1990-12-28 EP EP20000203544 patent/EP1069611A2/en not_active Withdrawn
-
1991
- 1991-01-08 KR KR1019910000144A patent/KR100236500B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 1991-07-29 US US07/739,773 patent/US5391394A/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-02-17 US US08/390,329 patent/US5681613A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-05-06 US US08/851,846 patent/US5853804A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-11-26 US US08/979,734 patent/US5914001A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-11-26 US US08/979,733 patent/US6113699A/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-12-12 JP JP2000376869A patent/JP2001185500A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001185500A (ja) | 2001-07-06 |
| EP0437110A2 (en) | 1991-07-17 |
| EP1069610A2 (en) | 2001-01-17 |
| EP1069208A2 (en) | 2001-01-17 |
| JP3194971B2 (ja) | 2001-08-06 |
| US5681613A (en) | 1997-10-28 |
| US6113699A (en) | 2000-09-05 |
| KR100236500B1 (ko) | 1999-12-15 |
| DE69033760D1 (de) | 2001-08-16 |
| US5914001A (en) | 1999-06-22 |
| EP1069611A2 (en) | 2001-01-17 |
| US5853804A (en) | 1998-12-29 |
| EP1069207A3 (en) | 2003-05-14 |
| EP0437110B1 (en) | 2001-07-11 |
| DE69033760T2 (de) | 2001-10-25 |
| EP1069207A2 (en) | 2001-01-17 |
| EP1069208A3 (en) | 2003-05-21 |
| EP0437110A3 (ja) | 1994-01-05 |
| US5391394A (en) | 1995-02-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04226029A (ja) | Ｃｖｄチャンバに導入されるプロセスガスをｃｖｄチャンバへの導入前に濾過するための装置 | |
| US5203956A (en) | Method for performing in-situ etch of a CVD chamber | |
| US5211796A (en) | Apparatus for performing in-situ etch of CVD chamber | |
| JP3228746B2 (ja) | シランを用いないｃｖｄにより窒化チタン上にタングステンを核生成する方法 | |
| EP0157052B1 (en) | Low resistivity tungsten silicon composite film | |
| US5123375A (en) | Structure for filtering CVD chamber process gases | |
| JP3590416B2 (ja) | 薄膜形成方法および薄膜形成装置 | |
| US20020168840A1 (en) | Deposition of tungsten silicide films | |
| JPH08236464A (ja) | 堆積プロセスにおけるＳｉＨ４ソーク及びパージの利用 | |
| JPH0120228B2 (ja) | ||
| WO1999028526A1 (en) | Low resistivity w using b2h6 nucleation step | |
| JP3381774B2 (ja) | ＣＶＤ−Ｔｉ膜の成膜方法 | |
| TW201840903A (zh) | 選擇性沉積無腐蝕金屬觸點之方法 | |
| US5180432A (en) | Apparatus for conducting a refractory metal deposition process | |
| KR100364257B1 (ko) | 텅스텐 화학 기상 퇴적방법 및 텅스텐 플러그 형성방법 | |
| JP3469420B2 (ja) | Ｃｖｄ成膜方法 | |
| US20020162500A1 (en) | Deposition of tungsten silicide films | |
| WO2000006795A1 (en) | Cvd tungsten deposition on oxide substrates | |
| US20020094387A1 (en) | Method for improving chemical vapor deposition of titanium | |
| KR100187485B1 (ko) | 챔버에 공급되는 공정 가스를 제어하는 장치 및 방법 | |
| US5211987A (en) | Method and apparatus for forming refractory metal films | |
| WO2023064011A1 (en) | Methods for preparing metal silicides | |
| JPH03278431A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH1131669A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2677230B2 (ja) | ＴｉＮ膜の形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080601 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080601 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090601 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090601 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100601 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100601 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110601 Year of fee payment: 10 |