JPS6177324A - 金属薄膜の形成方法 - Google Patents
金属薄膜の形成方法Info
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
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- H10W20/056—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections by filling conductive material into holes, grooves or trenches
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、金属薄膜の形成方法に係り、特に、（１）
−一−周期律表上の
第４族又は第６族典型元素薄膜を気相成長法により、基
板上に選択的に形成する方法に関する。
−一−周期律表上の
第４族又は第６族典型元素薄膜を気相成長法により、基
板上に選択的に形成する方法に関する。
近年、半導体装置の進歩はめざましく、高速化および高
集積化を目脂してさまざまな工夫がなされている。この
高速化および高集積化は素子の微細化によりて実現され
る。
集積化を目脂してさまざまな工夫がなされている。この
高速化および高集積化は素子の微細化によりて実現され
る。
例えば、ＭＯ８集積回路では、素子の微細化に伴い、各
素子領域と配線層との間で電気的接続を行なうためのコ
ンタクト部の面積を縮小すると共に、ＰＮ接合の深さも
浅くすることが必要となる。
素子領域と配線層との間で電気的接続を行なうためのコ
ンタクト部の面積を縮小すると共に、ＰＮ接合の深さも
浅くすることが必要となる。
しかしながら、コンタクト面積が縮小化されたり、ＰＮ
接合が浅く形成されたりするに伴い、コンタクト抵抗の
増加や電極形成時におけるＰＮ接合の破壊等の問題が顕
在化し”Ｃくる。
接合が浅く形成されたりするに伴い、コンタクト抵抗の
増加や電極形成時におけるＰＮ接合の破壊等の問題が顕
在化し”Ｃくる。
例えば、第３図に示す如くＰ型のシリコン（Ｓｉ）基板
１内に、砒素（Ａｓ）イオンをイオン注入して形成され
たＰＮ接合の深さＸがＸ＝Ｏ０１μｍとなるような炉−
型シリコン拡散層２に対し、絶縁膜３内に穿孔されたコ
ンタクト窓４を介してアルミニ＋ ラム（）−１）電極５を形成した場合、該Ｎ型シリコン
拡散層２とアルミニウム電極５０間でシリコンとアルミ
ニウムの相互作用に基づく界面反応によ型シリコン拡散
層２とアルミニウム電極５との間 、に前述の如き界面
反応が発生するのを防止するため、障壁金属（バリヤメ
タル）を介在させる方法が注目されている。障壁金属と
しては、通常チタン、タングステン等が用いられ１選択
気相成長法によってＮ十型シリコン拡散層２上にのみ析
出せしめられる。形成に際しては、例えば、まず、第拡
散層２を形成し、更に該基板表面に酸化シリコン膜３を
形成した後、フォトリソエツチング法により、該酸化シ
リコン膜３内に１゜０μｍ四方の開孔部６を形成する。
１内に、砒素（Ａｓ）イオンをイオン注入して形成され
たＰＮ接合の深さＸがＸ＝Ｏ０１μｍとなるような炉−
型シリコン拡散層２に対し、絶縁膜３内に穿孔されたコ
ンタクト窓４を介してアルミニ＋ ラム（）−１）電極５を形成した場合、該Ｎ型シリコン
拡散層２とアルミニウム電極５０間でシリコンとアルミ
ニウムの相互作用に基づく界面反応によ型シリコン拡散
層２とアルミニウム電極５との間 、に前述の如き界面
反応が発生するのを防止するため、障壁金属（バリヤメ
タル）を介在させる方法が注目されている。障壁金属と
しては、通常チタン、タングステン等が用いられ１選択
気相成長法によってＮ十型シリコン拡散層２上にのみ析
出せしめられる。形成に際しては、例えば、まず、第拡
散層２を形成し、更に該基板表面に酸化シリコン膜３を
形成した後、フォトリソエツチング法により、該酸化シ
リコン膜３内に１゜０μｍ四方の開孔部６を形成する。
そして、選択気相成長法によってチタン薄膜７を第４図
（ｂ）に示す如くシリコン表面が露呈している前記開孔
部６にのみ形成する。
（ｂ）に示す如くシリコン表面が露呈している前記開孔
部６にのみ形成する。
この後、第４図（Ｃ）に示す如く、アルミニウム電極５
を形成すると、熱処理時に基板内のシリコンがアルミニ
ウムＭ膜中に拡散するのを防止することができる。この
とき、チタン薄膜７によって開孔部６が埋まるように厚
く形成し、表面を平担にした後、アルミニウム電極５を
形成すると、膜厚の均一なアルミニウム電極となるため
、電気的に信頼性の高い配線がなされることがわかって
いる。
を形成すると、熱処理時に基板内のシリコンがアルミニ
ウムＭ膜中に拡散するのを防止することができる。この
とき、チタン薄膜７によって開孔部６が埋まるように厚
く形成し、表面を平担にした後、アルミニウム電極５を
形成すると、膜厚の均一なアルミニウム電極となるため
、電気的に信頼性の高い配線がなされることがわかって
いる。
しかしながら、チタン薄膜・の選択気相成長工程におい
て、選択性を維持しつつ、チタン＊Ｖを厚く形成するの
は困難であった。
て、選択性を維持しつつ、チタン＊Ｖを厚く形成するの
は困難であった。
こｔｌは、チタン薄膜の形成のみならず、周期律表上第
４族又は第６族典型元素のハロゲン化物を原料ガスとし
、窒素又は水素又は不活性ガスなキャリアガスとして、
シリコン表面および絶縁物表面の混在する基板上に気相
成長を行ない、シリコン表面にの→選択的に、第４族又
は第６族典型元素薄膜を形成する−いわゆる高融点金属
の選択気相成長一般についてもあてはまり、同様に、選
択性を維持しつつ、厚い高融点金属薄膜を形成するのは
困難であった。
４族又は第６族典型元素のハロゲン化物を原料ガスとし
、窒素又は水素又は不活性ガスなキャリアガスとして、
シリコン表面および絶縁物表面の混在する基板上に気相
成長を行ない、シリコン表面にの→選択的に、第４族又
は第６族典型元素薄膜を形成する−いわゆる高融点金属
の選択気相成長一般についてもあてはまり、同様に、選
択性を維持しつつ、厚い高融点金属薄膜を形成するのは
困難であった。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、選択性を
維持しつつ、厚い高融点薄膜を形成する方法を提供する
ことを目的とする。
維持しつつ、厚い高融点薄膜を形成する方法を提供する
ことを目的とする。
そこで、本発明の方法では、高融点金属を選択気相成長
法によって形成するにあたり、該高融点金属のハロゲン
化物にハロゲンガス又はハロゲン化水素ガスを添加した
ものを原料ガスとして用いるようにしている。
法によって形成するにあたり、該高融点金属のハロゲン
化物にハロゲンガス又はハロゲン化水素ガスを添加した
ものを原料ガスとして用いるようにしている。
本発明によれば、ハロゲンガス又はハロゲン化水素ガス
の添加により、高融点金属がシリコン表面に析出する際
の主な反応生成物であるハロゲン化シリコンが該ハロゲ
ンガス又はハロゲン化水素ガスと反応し、揮発性で絶縁
物表面に吸着しにくい物質に変化するため、選択性を維
持しつつ、シリコン表面にのみ高融点金属薄膜を厚く形
成することが可能となる。
の添加により、高融点金属がシリコン表面に析出する際
の主な反応生成物であるハロゲン化シリコンが該ハロゲ
ンガス又はハロゲン化水素ガスと反応し、揮発性で絶縁
物表面に吸着しにくい物質に変化するため、選択性を維
持しつつ、シリコン表面にのみ高融点金属薄膜を厚く形
成することが可能となる。
以下、本発明の実施例について、図面を参照しつつ詳細
に説明する。
に説明する。
この方法は、第１図（ａ）に部分概要図を示す如く、Ｐ
型のシリコン基板１０１内に砒素のイオン注入によって
形成された鹸型シリコン拡散層１０２上に膜厚の厚いタ
ングステン層１０３を有すると共に、その上層にアルミ
ニウム電極１０４を形成してなるＭＯ８集積回路を形成
しようとするものである。
型のシリコン基板１０１内に砒素のイオン注入によって
形成された鹸型シリコン拡散層１０２上に膜厚の厚いタ
ングステン層１０３を有すると共に、その上層にアルミ
ニウム電極１０４を形成してなるＭＯ８集積回路を形成
しようとするものである。
なお、該タングステン層１０３０膜厚は他の領域を覆う
絶縁層としての酸化シリコン膜１０５と同程度の厚さを
有しており、上層のアルミニウム電極１０３が平担面上
に形成されるようになっている。
絶縁層としての酸化シリコン膜１０５と同程度の厚さを
有しており、上層のアルミニウム電極１０３が平担面上
に形成されるようになっている。
このタングステン層１０３は、第１図（ｂ）に示す＋
如く、Ｎ 型シリコン拡散層１０２を形成した後、開孔
部１０６を有する酸化シリコン膜１０５を形成した状態
のＰ型のシリコン基板１０１に対し、選択気相成長法に
よって形成される。
部１０６を有する酸化シリコン膜１０５を形成した状態
のＰ型のシリコン基板１０１に対し、選択気相成長法に
よって形成される。
形成に際しては、通常、第２図に示す如き気相成長装置
が用いられる。この気相成長装置は、反応炉１０と、第
１．第２および第３のストップコック１１，１２．１３
により、夫々水素とアルゴン、塩素（Ｃｚｔ）、六弗化
タングステン（ＷＦｌｌ ）の該反応炉への導入を制御
し、各ガスの分圧を調整するように構成されたガス制御
器１４と、反応炉１０内を排気するための排気系１５と
、抵抗型加熱器１６のヒータな切り換え、反応炉１０内
の温度を制御するように構成された温度制御装置１７と
を具えている。
が用いられる。この気相成長装置は、反応炉１０と、第
１．第２および第３のストップコック１１，１２．１３
により、夫々水素とアルゴン、塩素（Ｃｚｔ）、六弗化
タングステン（ＷＦｌｌ ）の該反応炉への導入を制御
し、各ガスの分圧を調整するように構成されたガス制御
器１４と、反応炉１０内を排気するための排気系１５と
、抵抗型加熱器１６のヒータな切り換え、反応炉１０内
の温度を制御するように構成された温度制御装置１７と
を具えている。
次に、前記気相成長装置を用いて、第１図（ｂ）に示し
たような、表面にシリコン層（ここではＮ＋型シリコン
拡散層）と酸化シリコン層との混在するシリコン基板１
０１のシリコン層表面上に厚いタングステン層１０３を
選択的に形成する方法について説明する。
たような、表面にシリコン層（ここではＮ＋型シリコン
拡散層）と酸化シリコン層との混在するシリコン基板１
０１のシリコン層表面上に厚いタングステン層１０３を
選択的に形成する方法について説明する。
まず、該シリコン基板１０１をボート１８に設置し、反
応炉１０内に挿入する。
応炉１０内に挿入する。
そして、排気系１５を駆動し、反応炉内を排気した後、
第１のストップコック１１を開き、キャリアガスとして
アルゴンを流し、アルゴン分圧０．０５〜０．１ Ｔｏ
ｒｒとなったところで、抵抗型加熱器１６を駆動し、基
板温度をモニターしながら、３００〜７００℃に安定さ
せる。
第１のストップコック１１を開き、キャリアガスとして
アルゴンを流し、アルゴン分圧０．０５〜０．１ Ｔｏ
ｒｒとなったところで、抵抗型加熱器１６を駆動し、基
板温度をモニターしながら、３００〜７００℃に安定さ
せる。
この後、第１のストップコック１１を切り換えて、アル
ゴンガスを止め、水素ガスを導入し、水素分圧を０．０
１〜２０ Ｔｏｒｒとする。
ゴンガスを止め、水素ガスを導入し、水素分圧を０．０
１〜２０ Ｔｏｒｒとする。
次いで、第２のストップコック１２を開き、塩素ガスを
反応炉内に流入せしめる。このとき塩素の分圧は０．０
０１〜１０ Ｔｏｒｒとする。
反応炉内に流入せしめる。このとき塩素の分圧は０．０
０１〜１０ Ｔｏｒｒとする。
そして最後に、第３のストップコック１３を開き、六弗
化タングステンガスな、分圧０．０１〜０．１’ｐｇｒ
ｒ程度となるように所定の時間流入せしめることにより
、該基板１０１上の開孔部１０６内にのみ厚いタングス
テン層が；析出する（第１図（ａ））。
化タングステンガスな、分圧０．０１〜０．１’ｐｇｒ
ｒ程度となるように所定の時間流入せしめることにより
、該基板１０１上の開孔部１０６内にのみ厚いタングス
テン層が；析出する（第１図（ａ））。
このときタングステンの堆積速度は１０〜５００膜１０
５上には堆積することなく、開孔部内のＮ＋型シリコン
拡散層表面にのみ選択的に堆積した。
５上には堆積することなく、開孔部内のＮ＋型シリコン
拡散層表面にのみ選択的に堆積した。
これは塩素ガスの添加により、次に示すような反応がお
こったためと考えられる。
こったためと考えられる。
まず、六弗化タングステンは、Ｎ１型シリコン拡散層表
面で反応し、タングステンとなって堆積する一方、反応
生成物として弗化シリコン（８ｉＦｘ、Ｘ＝１〜４）を
生じる。
面で反応し、タングステンとなって堆積する一方、反応
生成物として弗化シリコン（８ｉＦｘ、Ｘ＝１〜４）を
生じる。
塩素ガスの添加により、この８ｉＦＸは、塩素ガスと反
応してＪＦ３Ｃｔ、ＳｉＦ、Ｃ／、、、８ｉＦＣ１，。
応してＪＦ３Ｃｔ、ＳｉＦ、Ｃ／、、、８ｉＦＣ１，。
５ｉｃｔ、に変換されるが、これらのガスは揮発性で酸
化シリコン膜との相互作用が８ｉＦＸよりも弱い。従っ
て塩素ガスの添加は５ｉＦｘが酸化シリコン膜表面に吸
着するのを防止すると共に吸着した５ｉＦＸを除去する
役割をする。
化シリコン膜との相互作用が８ｉＦＸよりも弱い。従っ
て塩素ガスの添加は５ｉＦｘが酸化シリコン膜表面に吸
着するのを防止すると共に吸着した５ｉＦＸを除去する
役割をする。
このようにして、厚いタングステン層を前記開孔部内に
のみ選択的に形成することができる。従って酸化シリコ
ン膜に形成された開孔部をタングステン層によって埋め
、平担な表面が形成されるため、この上層に蒸着法によ
って形成されるアルミニウム電極１０３は第１図（ａ）
に示す如く均一な薄膜となり、極めて信頼性の高いＭＯ
８集積回路を得ることが可能となる。
のみ選択的に形成することができる。従って酸化シリコ
ン膜に形成された開孔部をタングステン層によって埋め
、平担な表面が形成されるため、この上層に蒸着法によ
って形成されるアルミニウム電極１０３は第１図（ａ）
に示す如く均一な薄膜となり、極めて信頼性の高いＭＯ
８集積回路を得ることが可能となる。
なお、実施例においては、高融点金属薄膜の原料ガスと
して用いる金属ハロゲン化物としては、六弗化タングス
テンを使用したが、この他、六塩化タングステン（ＷＣ
Ｚ６）、五塩化モリブデン（Ｍｏｃｔ、）等、第４族又
は第６族典型元素のノ１０ゲン化物であればよい。この
とき、添加するハロゲンガス、ハロゲン化水素ガスは、
該第４族又は第６族典型元素のハロゲン化物を構成する
ハロゲンよりも電気陰性度の小さいハロゲン元素からな
るものを用いる。すなわち、実施例の場合のように原料
゛ガスとして用いるハロゲン化金属が六弗化タングステ
ンである場合は、このハロゲンは弗素であるからフッ素
よりも電気陰性度の小さいハロゲン又はその水素化物か
らなる気体すなわち塩素、臭素（Ｂｒｔ）、ヨウ素（Ｉ
２）又は、塩化水素ガス（ＨＣ１）、臭化水素ガス（Ｈ
Ｂｒ）、Ｂつ化水素ガス（ＨＩ）のうちのいずれかを添
加することにより、酸化シリコン膜上への高融点金属膜
（Ｗ等）の形成が抑制され、シリコン表面にのみ、選択
的に厚い高融点金属膜が形成される。
して用いる金属ハロゲン化物としては、六弗化タングス
テンを使用したが、この他、六塩化タングステン（ＷＣ
Ｚ６）、五塩化モリブデン（Ｍｏｃｔ、）等、第４族又
は第６族典型元素のノ１０ゲン化物であればよい。この
とき、添加するハロゲンガス、ハロゲン化水素ガスは、
該第４族又は第６族典型元素のハロゲン化物を構成する
ハロゲンよりも電気陰性度の小さいハロゲン元素からな
るものを用いる。すなわち、実施例の場合のように原料
゛ガスとして用いるハロゲン化金属が六弗化タングステ
ンである場合は、このハロゲンは弗素であるからフッ素
よりも電気陰性度の小さいハロゲン又はその水素化物か
らなる気体すなわち塩素、臭素（Ｂｒｔ）、ヨウ素（Ｉ
２）又は、塩化水素ガス（ＨＣ１）、臭化水素ガス（Ｈ
Ｂｒ）、Ｂつ化水素ガス（ＨＩ）のうちのいずれかを添
加することにより、酸化シリコン膜上への高融点金属膜
（Ｗ等）の形成が抑制され、シリコン表面にのみ、選択
的に厚い高融点金属膜が形成される。
第１図（ａ）は、本発明実施例の方法によって形成され
たＭＯ８集積回路の１部概要図、第１図（ｂ）乃至第１
図（Ｃ）は、同ＭＯ８集積回路の製造工程を示、す図、
第２図は、気相成長装置を示す図、第３図は従来のＭＯ
Ｂ集積回路の１部概要図、第４図（ａ）乃至第４図（Ｃ
）は、第３図に示されたＭＯ８集積回路の改良例の製造
工程を示す図である。 ＋ １・・・−Ｐ型のシリコン基板、２・・・Ｎ 型シリコ
ン拡散層、３・・・絶縁膜、４・−・コンタクト窓、５
・・・アルミニウム電極、６・・・開孔部、７・・・チ
タン薄膜、１０１・・・Ｐ型のシリコン基板、１０２−
・・Ｎ＋シリコン拡散層、１０３−・・タングステン層
、１０４・・・アルミニウム電極、１０５・・・酸化シ
リコン膜、１０６・・・開孔部、１０・・・反応炉、１
１・・・第１のストップコック、１２・・・第２のスト
ップコック、１３・・・第３のストップコック、１４・
・・ガス制御器、１５・・・排気系、１６・・・抵抗型
加熱器、１７・・・温度制御製置、１８・・・ボート。 手続補正書 昭和６０年４月１１日 １、事件の表示 昭和５９年特許願第１９８０７２号 ２、発明の名称 金属、１Ｉｌｌの形成方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （３０７）株式会社 東芝 ４、代理人 （〒１０４）東京都中央区銀座２丁目１１番２号明細用
の特許請求の範囲の欄および発明の詳細な説明の欄およ
び図面 ６、補正の内容 （１）本願の明細出の特許請求の範囲を別紙の如く訂正
する。 （２）本願の明細沈の第２ページ第７行目の「この高速
化」を「例えば、シリコンデバイスの高速化」と訂正す
る。 （３）同明細書の第３ページ第１１行目「選択気相成長
法」を「例えば選択気相成長法、スパッタリング法等」
と訂正する。 （４）同明細書の第３ページ第１４行目「Ｐ型の」を「
酸化シリコン膜のパターンをマスクとして、Ｐ型の」と
訂正する。 （５）同明細書の第４ページ第１３行乃至第１９行目の
「周期律・・・形成するー」を削除する。 （６）同明細書の第１０ページ第７行目および第９行目
乃至第１０行目の「第４族又は第６族典型元素」を「高
融点金属元素」と訂正する。 （７〉同明細書の第１０ページ第１６行目の「塩素」を
１塩素（ＣＩ２）Ｊと訂正する。 （８）本願の明細書の添付図面中、第１図（ｂ）を別紙
朱書きの如く訂正する。 ２、特許請求の範囲 （１） 高融点金属元素のハロゲン化物と水素ガスとを
含有する混合ガスを原料ガスとして気相成長法により、
基板上に選択的に該高融点金属元素薄膜を形成するに際
し、前記原料ガス中の前記高融点金属元素のハロゲン化
物を構成する第１のハロゲン元素よりも電気陰性度の小
さい第２のハロゲン元素からなるハロゲンガス又はハロ
ゲン化水素ガスを前記原料ガスに加えて用いることを特
徴とする金属薄膜の形成方法。 （２） 前記高融点金属のハロゲン化物は、六弗化タン
グステンであり、添加すべきハロゲンガス又はハロゲン
化水素ガスは、塩素（ＣＩ２＞、臭素（Ｂｒ２＞、−１
つ素（Ｉ２）、塩化水素（ＨＣｌ ＞ 、臭化水素（Ｈ
Ｂｒ＞、ヨウ化水素（ＨＩ）のうちのいずれかである特
許請求の範囲第（１）項記載の金属薄膜の形成方法。 （３） 前記高融点金属のハロゲン化物は、六塩化タン
グステン（ＷＣＩＧ）であり、添加すべきハロゲンガス
又はハロゲン化水素ガスは、臭素（Ｂｒ２）、ヨウ素（
Ｉ２）、臭化水素（ＨＢｒ＞、ヨウ化水素（Ｈｌ）のう
ちのいずれかである特許請求の範囲第（１）項記載の金
属薄膜の形成方法。 （４） 前記高融点金属のハロゲン化物は、五塩化モリ
ブデン（ＨＯＣＩｓ＞であり、添加すべきハロゲンガス
又はハロゲン化水素ガスは、臭素（Ｂｒ２）、ヨウ素（
Ｉ２）、臭化水素（ＨＢｒ”）、ヨウ化水素（Ｈｌ）の
うちのいずれかである特許請求の範囲第（１）項記載の
金属薄膜の形成方法。 （５） 前記基板は、シリコンおよび絶縁物が表面に混
在する基板であって、該シリコンの表面にのみ前記高融
点金属薄膜を選択的に形成するようにした特許請求の範
囲第（１）項乃至第（４）項のいずれかに記載の金属薄
膜の形成方法。 Ｉ８ φ
たＭＯ８集積回路の１部概要図、第１図（ｂ）乃至第１
図（Ｃ）は、同ＭＯ８集積回路の製造工程を示、す図、
第２図は、気相成長装置を示す図、第３図は従来のＭＯ
Ｂ集積回路の１部概要図、第４図（ａ）乃至第４図（Ｃ
）は、第３図に示されたＭＯ８集積回路の改良例の製造
工程を示す図である。 ＋ １・・・−Ｐ型のシリコン基板、２・・・Ｎ 型シリコ
ン拡散層、３・・・絶縁膜、４・−・コンタクト窓、５
・・・アルミニウム電極、６・・・開孔部、７・・・チ
タン薄膜、１０１・・・Ｐ型のシリコン基板、１０２−
・・Ｎ＋シリコン拡散層、１０３−・・タングステン層
、１０４・・・アルミニウム電極、１０５・・・酸化シ
リコン膜、１０６・・・開孔部、１０・・・反応炉、１
１・・・第１のストップコック、１２・・・第２のスト
ップコック、１３・・・第３のストップコック、１４・
・・ガス制御器、１５・・・排気系、１６・・・抵抗型
加熱器、１７・・・温度制御製置、１８・・・ボート。 手続補正書 昭和６０年４月１１日 １、事件の表示 昭和５９年特許願第１９８０７２号 ２、発明の名称 金属、１Ｉｌｌの形成方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （３０７）株式会社 東芝 ４、代理人 （〒１０４）東京都中央区銀座２丁目１１番２号明細用
の特許請求の範囲の欄および発明の詳細な説明の欄およ
び図面 ６、補正の内容 （１）本願の明細出の特許請求の範囲を別紙の如く訂正
する。 （２）本願の明細沈の第２ページ第７行目の「この高速
化」を「例えば、シリコンデバイスの高速化」と訂正す
る。 （３）同明細書の第３ページ第１１行目「選択気相成長
法」を「例えば選択気相成長法、スパッタリング法等」
と訂正する。 （４）同明細書の第３ページ第１４行目「Ｐ型の」を「
酸化シリコン膜のパターンをマスクとして、Ｐ型の」と
訂正する。 （５）同明細書の第４ページ第１３行乃至第１９行目の
「周期律・・・形成するー」を削除する。 （６）同明細書の第１０ページ第７行目および第９行目
乃至第１０行目の「第４族又は第６族典型元素」を「高
融点金属元素」と訂正する。 （７〉同明細書の第１０ページ第１６行目の「塩素」を
１塩素（ＣＩ２）Ｊと訂正する。 （８）本願の明細書の添付図面中、第１図（ｂ）を別紙
朱書きの如く訂正する。 ２、特許請求の範囲 （１） 高融点金属元素のハロゲン化物と水素ガスとを
含有する混合ガスを原料ガスとして気相成長法により、
基板上に選択的に該高融点金属元素薄膜を形成するに際
し、前記原料ガス中の前記高融点金属元素のハロゲン化
物を構成する第１のハロゲン元素よりも電気陰性度の小
さい第２のハロゲン元素からなるハロゲンガス又はハロ
ゲン化水素ガスを前記原料ガスに加えて用いることを特
徴とする金属薄膜の形成方法。 （２） 前記高融点金属のハロゲン化物は、六弗化タン
グステンであり、添加すべきハロゲンガス又はハロゲン
化水素ガスは、塩素（ＣＩ２＞、臭素（Ｂｒ２＞、−１
つ素（Ｉ２）、塩化水素（ＨＣｌ ＞ 、臭化水素（Ｈ
Ｂｒ＞、ヨウ化水素（ＨＩ）のうちのいずれかである特
許請求の範囲第（１）項記載の金属薄膜の形成方法。 （３） 前記高融点金属のハロゲン化物は、六塩化タン
グステン（ＷＣＩＧ）であり、添加すべきハロゲンガス
又はハロゲン化水素ガスは、臭素（Ｂｒ２）、ヨウ素（
Ｉ２）、臭化水素（ＨＢｒ＞、ヨウ化水素（Ｈｌ）のう
ちのいずれかである特許請求の範囲第（１）項記載の金
属薄膜の形成方法。 （４） 前記高融点金属のハロゲン化物は、五塩化モリ
ブデン（ＨＯＣＩｓ＞であり、添加すべきハロゲンガス
又はハロゲン化水素ガスは、臭素（Ｂｒ２）、ヨウ素（
Ｉ２）、臭化水素（ＨＢｒ”）、ヨウ化水素（Ｈｌ）の
うちのいずれかである特許請求の範囲第（１）項記載の
金属薄膜の形成方法。 （５） 前記基板は、シリコンおよび絶縁物が表面に混
在する基板であって、該シリコンの表面にのみ前記高融
点金属薄膜を選択的に形成するようにした特許請求の範
囲第（１）項乃至第（４）項のいずれかに記載の金属薄
膜の形成方法。 Ｉ８ φ
Claims (1)
- 周期律表上第４族又は第６族典型元素のハロゲン化物
を原料ガスとし、窒素又は水素又は不活性気体をキャリ
アガスとして気相成長法により、シリコン層および絶縁
物層が表面に混在する基板上のシリコン層表面にのみ選
択的に第４族又は第６族典型元素薄膜を形成するに際し
、前記原料ガスを構成する第１のハロゲン元素よりも電
気陰性度の小さい第２のハロゲン元素からなるハロゲン
ガス又はハロゲン化水素ガスを添加することを特徴とす
る金属薄膜の形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59198072A JPS6177324A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | 金属薄膜の形成方法 |
| US07/003,550 US4746549A (en) | 1984-09-21 | 1987-01-15 | Method for forming thin film of refractory material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59198072A JPS6177324A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | 金属薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6177324A true JPS6177324A (ja) | 1986-04-19 |
Family
ID=16385052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59198072A Pending JPS6177324A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | 金属薄膜の形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4746549A (ja) |
| JP (1) | JPS6177324A (ja) |
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-
1984
- 1984-09-21 JP JP59198072A patent/JPS6177324A/ja active Pending
-
1987
- 1987-01-15 US US07/003,550 patent/US4746549A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4746549A (en) | 1988-05-24 |
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