JPH04228284A - レーザ・エッチング方法及び装置 - Google Patents

レーザ・エッチング方法及び装置

Info

Publication number
JPH04228284A
JPH04228284A JP3042183A JP4218391A JPH04228284A JP H04228284 A JPH04228284 A JP H04228284A JP 3042183 A JP3042183 A JP 3042183A JP 4218391 A JP4218391 A JP 4218391A JP H04228284 A JPH04228284 A JP H04228284A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
etching
substrate
liquid
energy
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP3042183A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2785842B2 (ja
Inventor
Arunava Gupta
アルナバ・グプタ
Belgacem Haba
ベルガセム・ハバ
Brian W Hussey
ブライアン・ウォッシュボーン・ハッシー
Lubomyr T Romankiw
ルボミール・タラス・ロマンキウ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JPH04228284A publication Critical patent/JPH04228284A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2785842B2 publication Critical patent/JP2785842B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
    • G11B5/58—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head for the purpose of maintaining alignment of the head relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following
    • G11B5/60—Fluid-dynamic spacing of heads from record-carriers
    • G11B5/6005—Specially adapted for spacing from a rotating disc using a fluid cushion
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/12—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special environment or atmosphere, e.g. in an enclosure
    • B23K26/1224—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special environment or atmosphere, e.g. in an enclosure in vacuum
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/361—Removing material for deburring or mechanical trimming
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
    • G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、液体内の基板のレー
ザ・エッチングに関し、具体的には、レーザ励起ソニッ
ク・キャビテーションによるセラミック基板、半導体基
板、及び金属基板のエッチングに関する。この発明は、
特に、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣセラミックのスロット、レー
ル、溝、及び磁気ヘッド・スライダのフェライトの加工
に適用できる。
【０００２】
【従来の技術及びその課題】この１０年間、レーザ処理
、なかでも電子デバイスの作製やパッケージングの分野
の対象となる金属、セラミクス、ポリマなど各種物質の
被着とエッチングが発表されてきた。しかし、フルエン
ス（パワー密度）の高い気体または液体中でレーザ・エ
ッチングやレーザ加工を行う際に、エッチング後の基板
にリキャスト層が形成されたりクラックが生じたりする
ことを防ぐのは困難である。こうした“凍結ラーバ”や
これに伴う欠陥は、セラミック基板の特性を損ない、し
たがってセラミック基板が用いられるレーザ処理の使用
を制限する。
【０００３】レーザ・エッチングの方法として、レーザ
・エネルギと化学的に反応するエッチング液を組み合わ
せた微細加工がある。ここでレーザは、基板を局所的に
加熱し、それによって化学反応を局所的に促進するよう
に機能する。このプロセス（サブマージド・リキッド・
レーザ・エンハンス・プロセス）の重要性は、気体中の
エッチングの場合には同じ物質にクラックを生じさせて
酸化し、その性質を局所的に変化させるレーザ・エネル
ギによって、脆いセラミック物質、半導体、及び金属を
エッチングできることから明らかである。一般に用いら
れるエッチング液には、アルカリ水、ＫＯＨ、ＮａＯＨ
、ＨＮＯ３、Ｈ３ＰＯ４、　ＨＣＬの酸性溶液などがあ
る。エッチング速度は、エッチング対象の物質、化学溶
液のタイプと濃度、及びレーザの波長とフルエンス（パ
ワー密度）によって変化する。溶液中の水酸化アルカリ
や酸は、エッチングに対するフレキシビリティから有益
ではあるが、同時に、その全く同じ溶液に、エッチング
された基板と室温でも反応しやすいというデメリットも
ある。また、基板が、薄膜ヘッドなど、金属デバイス、
構成素子、導体などのキャリヤとして用いられると、デ
バイスの構成物質と反応してそれを破壊することがある
。
【０００４】直接描画による物質のエッチングに用いら
れるレーザ・ビームは、ミクロン・サイズのスポットに
集束される。各種物質のエッチングが報告されている。 たとえばＦ．　Ｂｕｎｋｉｎらによる“Ｓｉ　Ｅｔｃｈ
ｉｎｇ　Ａｆｆｅｃｔｅｄ　ｂｙ　ＩＲ　Ｌａｓｅｒ　
Ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ”、Ａｐｐｌ．　Ｐｈｙｓ．、
ｖｏｌ．　Ａ３７、１１７　（１９８５）、Ｔ．　Ｓｈ
ｉｏｓａｋｉらによる“Ｌａｓｅｒ　Ｍｉｃｒｏｍａｃ
ｈｎｉｎｇ　ｏｆ　ａ　Ｍｏｄｉｆｉｅｄ　ＰＢＴｉＯ
３　Ｃｅｒａｍｉｃｓｉｎ　ＫＯＨ　Ｗａｔｅｒ　Ｓｏ
ｌｕｔｉｏｎ”、Ｊｐｎ　Ｊ．　Ａｐｐｌ．　Ｐｈｙｓ
．、Ｓｕｐｐｌ．　２２−２、１０９　（１９８３）、
Ｋ．　Ｋｏｙａｂｕらによる“Ｌａｓｅｒ−Ａｓｓｉｓ
ｔｅｄ　Ｅｔｃｈｉｎｇ　ｆｏｒ　Ａｌ２Ｏ３／ＴｉＣ
　Ｃｅｒａｍｉｃｓ　Ｕｓｉｎｇ　Ｎｄ：ＹＡＧ　Ｌａ
ｓｅｒ　ａｎｄ　ＫＯＨ　Ｓｏｌｕｔｉｏｎ”、Ｊ．　
Ｊｐｎ．　Ｓｏｃ．　Ｐｒｅｃｉｓ．　Ｅｎｇ．、ｖｏ
ｌ．　５３、１０２７　（１９８７）、及びＥ．Ｋ．　
Ｙｕｎｇらによる“Ｌａｓｅｒ−Ａｓｓｉｓｔｅｄ　Ｅ
ｔｃｈｉｎｇ　ｏｆ　Ｍａｎｇａｎｅｓｅ−Ｚｉｎｃ−
Ｆｅｒｒｉｔｅ”、Ｊ．　Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．　
Ｓｏｃ．、ｖｏｌ．　１３６、６６５　（１９８９）で
は、ＰｂＴｉＯ３、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ、Ｍｎ０．６Ｚ
ｎ０．４Ｆｅ２．３Ｏ４など各種物質のレーザ加工にＫ
ＯＨまたはＮａＯＨが用いられる。いずれの論文でもＣ
Ｗレーザが用いられ、波長、吸収深さ、及び物質の熱特
性に応じて温度分布が変えられる。ｖｏｎ　Ｇｕｔｆｅ
ｌｄらによる“Ｌａｓｅｒ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　Ｅｔｃ
ｈｉｎｇ　ｉｎ　ＫＯＨ”、Ａｐｐｌ．　Ｐｈｙｓ．　
Ｌｅｔｔ．、Ｖｏｌ．４０、３５２　（１９８２）　で
は、濃縮ＫＯＨ溶液とＣＷアルゴン・レーザを用いたシ
リコンとＡｌ２Ｏ３のエッチングについて説明されてい
る。
【０００５】上述のように、水酸化アルカリ溶液は、室
温でも、エッチング対象の物質に対するエッチング効果
が変化し得るが、レーザの機能は、反応を局所的に促進
し、素早い局所エッチングを行うことにある。基板の物
質によって、水酸化アルカリまたは酸と反応するデバイ
スが形成されている場合は、基板が室温で水酸化アルカ
リによってほとんど影響をうけなくても、基板上に形成
されたデバイスは、アルカリまたは酸の溶液によって破
壊されることがある。
【０００６】Ｎ．　Ｍｏｒｉｔａらによる“Ｐｕｌｓｅ
ｄ　Ｌａｓｅｒ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　ｏｆ　Ｃｅｒ
ａｍｉｃｓ　ｉｎ　Ｗａｔｅｒ”、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ
．　Ｌｅｔｔ．、ｖｏｌ．　５２、１９６５　（１９８
８）　では、Ｎｄ：ＹＡＧレーザのパルス出力による水
中での窒化シリコン・セラミックの加工について説明さ
れている。この論文によると、昇華するセラミクスがプ
ロセスに用いられ、基本的には融点を持つアルミナ・セ
ラミクスを処理すれば決まってリキャスト層が形成され
る。
【０００７】Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣなどのアルミナ・セラ
ミクスをエッチングし切削すれば、溶融温度が高いため
に重大な問題が生じる。これまで、物質に微細なパター
ンを形成する唯一の方法は機械による加工であった。最
近では、アルミナ・セラミクスのエッチングには反応性
イオン・エッチングが有益とされる。しかし反応性イオ
ン・エッチングでは、薄膜磁気ヘッドの構成要素となり
、反応種の存在によって腐食しやすい金属膜の扱いが難
しい。このほかのエッチング方法としては、エキシマ・
レーザを用いたアブレイションによるエッチングがある
。 アブレイションの間に異物やレキャスト（表面クラスト
層）が形成されるのは避けられず、異物を除去するため
に別の処理ステップが必要になるという問題も生じ得る
。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、上述の方法
の欠点を克服するために、レーザ励起ソニック反応を利
用して基板のエッチングを行うものである。レーザには
、銅蒸気レーザ、断続ＣＷアルゴン・レーザ、低パワー
パルスＮｄ：ＹＡＧレーザ、低パワー密度で用いられ、
レーザ・エネルギのパルス幅がかなり狭いＮｄ：ＹＡＧ
レーザなどが使用できる。基板は、溶融温度が高く、加
熱時に昇華しないレーザ・エネルギ吸収材から作製する
のが望ましい。エッチング液は、室温では基板と反応せ
ず、照射されたレーザ・エネルギを吸収しない有機また
は無機の不活性液体がよい。
【０００９】このようなレーザでは、基板表面が即座に
加熱される。また、照射されるレーザ・エネルギは、レ
ーザによって微細なガス・バブルが発生し、これが基板
表面で内破して物質を除去するのに充分な所定の反復レ
ート、パルス幅、ピーク出力のものが選択される。照射
されるレーザ・エネルギはまた、大きい安定したバブル
が発生し、基板にラーバ（ｌａｖａ）やクラックが形成
されるのを防ぐように選択される。液体には水が望まし
いが、脂肪族や芳香族系列の有機物、アルコールなどの
液体も使用できる。基板物質は、レーザ・エネルギを吸
収し、有限溶融温度を持ち、レーザ・エネルギが照射さ
れたとき昇華しないものでなくてはならない。代表的な
基板物質として、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣセラミック、フェ
ライト、炭化チタン、シリコンまたは酸化シリコンを被
覆したシリコン、その他のレーザ・エネルギを吸収する
酸化物が挙げられる。
【００１０】この発明は特に、セラミック基板のエッチ
ングと、通常存在する厚いアルミナ・オーバコートが同
時に起こる、磁気ヘッドを担持するスライダの作製に適
用できる。さらに、薄膜ヘッドが形成されたスライダ材
（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）をエッチングする際に、スライ
ダ全体を保護するために、薄い金属の極片（通常はＮｉ
Ｆｅ）または耐磁ストライプ（水中でも腐食し得るＭｎ
Ｆｅ／ＮｉＦｅ）、パラフィン薄膜、ＡＺレジスト、ノ
ボラック系レジスト、その他、容易に溶融または除去で
きる同様の被膜が付加される。パラフィンとノボラック
のレジストはレーザ・ビームを透過させるので、Ａｌ２
Ｏ３−ＴｉＣのレーザ・ソニック・エッチングのメカニ
ズムに干渉しない。
【００１１】一般に、磁気ヘッド・アセンブリは、１枚
の基板上に形成された大きいヘッド・アレイに作製され
る。この発明のエッチング方法は、方向性に優れるため
、アレイの個々のヘッド・アセンブリのダイシング、カ
ッティング、分離などを迅速に行える。このような分離
はこれまで、メカニカル・ソーを用いて行われてきたが
、このプロセスは時間がかかり、ダスト汚染がひどくな
る。
【００１２】この発明の目的は、不活性液体中に置かれ
た基板を、レーザを用い、音波によってエッチングする
方法及び装置を提供することにある。
【００１３】この発明の目的には、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ
セラミックまたはフェライトの基板のレールをレーザで
エッチングする方法を提供することも含まれる。
【００１４】この発明の目的には、不活性液体中の基板
をレーザ励起ソニック・キャビテーションによってエッ
チングする方法を提供することも含まれる。
【００１５】この発明の目的には、磁気ヘッドを担持す
るスライダのレールをレーザでエッチングする方法を提
供することも含まれる。
【００１６】この発明の他の目的も、以下の説明と各図
から明らかになろう。
【００１７】
【実施例】各図、特に図１とあわせて、この発明の実施
例を示す。液体１２を充填したコンテナ１０は、Ｘ−Ｙ
マイクロメータ・ステージ１４上に配置され装着される
。ステージ１４は、これに接続されたステージ・コント
ローラ１６に応答して線形並進運動を行う。液体１２は
、ポンプ１８により循環し、フィルタ２０を通過してレ
ザーバ１９に流れ、エッチング・コンテナ１０に戻る。
【００１８】低パワー密度で動作し、レキャスト層など
の形成を防ぐ銅蒸気レーザ、ＣＷアルゴン・イオン・レ
ーザの断続ビーム、パルスＹＡＧレーザなどのレーザ２
２は、レーザ・エネルギをリフレクタ２４に伝え、リフ
レクタ２４は視準レンズ２６を通してコンテナ１０の液
体１２にレーザ・ビームを反射する。レンズ２６は、レ
ーザ・ビームを、コンテナ１０内の液体中に置かれた基
板２８の表面に集束する。
【００１９】カメラ３０は、基板表面のエッチング画像
をＴＶスクリーンに表示するためのものである。
【００２０】基板物質はレーザ・エネルギを吸収し、有
限溶融温度を持ち、加熱時に昇華しない。代表的な基板
物質は、Ａｌ２Ｏ３ーＰＴｉＣセラミック、フェライト
、炭化チタン、炭化シリコン、シリコンまたは酸化シリ
コンで被覆したシリコン、その他レーザ・エネルギ吸収
する酸化物である。液体は有機または無機の液体で、基
板と化学的に反応せず、照射されたレーザ・エネルギを
吸収しないものが望ましい。液体には、水、フレオン、
脂肪族か芳香族の炭化水素、不活性液体などが使用でき
る。液体が、基板と化学的に反応する場合、レーザ・エ
ネルギは、ソニック・キャビテーションに対して調節さ
れる。ただし化学的エッチングの効果も高まる。
【００２１】動作時、レーザ・ビームは固定レーザ２２
からリフレクタ２４に照射され、反射して視準レンズ２
６を通過する。レーザ・ビームは、Ｘ−Ｙマイクロメー
タ・ステージ１４上に配置・装着された、液体を充填し
たコンテナ１０内の基板２８表面の小スポットに集束す
る。ステージつまり基板２８は、ステージ・コントロー
ラ１６からの信号に応答して、レーザ・ビーム軸に垂直
なＸ−Ｙ面上にて線形並進運動を行う。コントローラ１
６は、レーザ・ビームに対する、基板２８の方向と走査
速度を決定する。物質は、レーザ・エネルギ・ビーム内
の、エッチングが起こる行路をたどる。走査速度とレー
ザのフルエンス（パワー密度）はエッチングの深さを決
定する。
【００２２】レーザ２２の反復レート、パルス幅、及び
ピーク出力は、微小な、比較的不安定なバブルが発生す
るように選択される。このバブルは、レーザ・パルスが
基板２８の表面で終端するごとに崩壊（内破）しやすく
、基板にラーバやクラックを生じさせたり、液体１２に
大きい安定したバブルを発生させたりすることはない。 これらが発生すれば、表面に存続するため、表面がレー
ザ・ビームから隠れるか、またはレーザ・ビームが集束
しなかったり偏位したりする。
【００２３】エッチングは、固体と液体の界面において
レーザによって励起されるソニック・キャビテーション
によって起こる。これは、基板表面の局所的、瞬間的な
加熱、液体のフラッシュ蒸発、及び液体の蒸気バブルの
崩壊から、固体表面に対して強力な“ハンマー作用”が
起こるため、基板物質に腐食とキャビテーションが生じ
ることによる。レーザ・ソニック・キャビテーションに
より、基板物質の高温粒子が表面から脱離すると、高温
粒子はすぐさま液体１２によって焼入れされる。これは
高温粒子が、エッチングされた溝やレールのエッジに溶
け出す前に起こる。液体が循環する間、レーザ・エッチ
ングの間に焼入れされて形成された粒子は、流液に運ば
れて表面を通過し、フィルタ２０に捕捉される。エッジ
付近及びトレンチの下部はいくらか粒子状になるが、こ
れは、除去された高温物質の被着ではなく粒子のプル・
アウトによると考えられる。このようなメカニズムは、
空中でのレーザ・アブレイションとは異なる。後者の場
合、ラーバが溶融し、ラーバの流滴がかかるため、エッ
チングの間にレーザによって照射されなかった表面の溶
融した高温粒子が再被着する。
【００２４】この発明の実施例では、波長５１１、５７
８ｎｍで動作する銅蒸気レーザは、レンズ２６を通過し
た後、面ビームが約３ないし４ｃｍと比較的大きく、平
均パワーが約３０ないし４０ワットの範囲、ピーク・パ
ワーが約２５０キロワット、短パルス幅約２０ないし３
０ナノ秒、高反復レート約５ないし１０ｋＨｚの範囲と
なる。これらのレーザ・パラメータ値では、銅蒸気レー
ザは、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ、フェライトなどの高溶融温
度物質を水中でエッチングするのに適する。
【００２５】パルス当たり６ｋＨｚ、２．１Ｊ／ｃｍ２
　で動作する銅蒸気レーザによって加熱されたフェライ
ト表面の、時間の関数としての温度分布は、図２に示す
ように、各レーザ・パルスの持続時に高温と低温の間を
振れる。
【００２６】銅蒸気レーザが、これまで特定のエッチン
グ用途に用いられてきたアルゴン・イオン・レーザと異
なるのは、銅蒸気レーザによって得られる瞬間温度が高
いという点である。レーザ・パルスが短いと（通常は３
０ｎｓ未満）、基板のエッチングされた表面に大きい安
定したバブルが生じるほどの時間はない。しかし、この
レーザは、微小なバブルが形成されて崩壊し、表面から
脱離するのには充分なエネルギを供給する。レーザは、
水などの不活性液体中でキャビテイションを励起するの
で、腐食エッチング液は必要ない。低パワー密度（フル
エンス）で動作する断続ビームＣＷアルゴン・イオン・
レーザやＹＡＧレーザは、多くの分野で、本発明に従っ
たエッチングに使用できる。
【００２７】１ｍｍ幅のレールや溝をエッチングするた
めに、ビーム幅が約１００μｍのレーザ・ビームがオー
バラップするように繰り返し走査される。レール深さは
、オーバラップ距離、走査速度、及びレーザ出力による
。図３に、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ基板において、走査速度
０．１ｃｍ／秒、レーザ出力５ワットでエッチングされ
た溝の深さプロファイルを示す。走査速度とレーザ出力
を適度に調節すれば、基板を切断・分離できる。図３は
、表面にレキャスト層やクラックのないことを示してい
る。
【００２８】この発明で重要な用途として、薄膜ヘッド
を担持するスライダのエッチングがある。図４を参照す
る。薄膜ヘッドを担持するスライダは現在、Ａｌ２Ｏ３
−ＴｉＣから作製され、これに、銅コイル、パーマロイ
・ヨーク、及びＮｉＦｅ／ＭｎＦｅの耐磁性材料から成
る薄膜ヘッドが被着される。薄膜ヘッド４８はＡｌ２Ｏ
３で被覆される。たとえばＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣセラミッ
クが、スライダのヘッド４８と上面５０に添加された３
０μｍの厚いアルミナ・オーバコート４２で覆われる。 銅蒸気レーザはセラミック４０をエッチングするが、ア
ルミナの非吸収性により、レーザでアルミナ４２、５０
がエッチングされることはない。ただし、アルミナ層が
レーザ・エネルギ吸収層に接触していると、レール４６
に沿ったアルミナ・オーバコートとセラミックは容易に
エッチングされる。吸収層としては、金属ペイント（銀
、金、コバルト、ニッケル、アルミニウムなど）、Ｎｉ
Ｆｅなどの金属の薄膜、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣセラミック
、その他の吸収性金属の薄膜などが望ましい。吸収層は
、アルミナ層の上面、アルミナ層とセラミック基板との
間、またはアルミナ内に埋め込む形で添加または被着で
きる。
【００２９】レーザ・エネルギは、エッチングが起こる
際に、アルミナ領域に対して角度をつけて照射できる。 その場合、レーザ・エネルギにより、吸収層が充分加熱
され、コンテナ１０の固体／液体界面が発熱し、水蒸気
バブルが音波と同程度の速度で発生・崩壊するのに適し
た熱が得られる。
【００３０】ここでいう磁気ヘッドを担持スライダは、
普通、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣの単一基板上に大きいアレイ
の形で作製される。レーザ・エネルギ、パルス幅、及び
走査速度を適度に調節すれば、各スライダ・ヘッドをア
レイから素早く簡単に分離できる。
【００３１】液体により、焼入れされた異物も、レール
に付着するのを防ぎ、薄い金属の極片や耐磁性（ＭＲ）
ストライプ（ＭｎＦｅ／ＮｉＦｅ）に生じる腐食を防ぐ
ために、パラフィンの薄膜、ＡＺレジスト、ノボラック
樹脂レジスト、その他、容易に溶融し除去できる類似の
物質が、浸清、スピニング、スプレ、その他類似の手段
によってスライダ全体に薄膜の形で付加され、一時的な
腐食保護膜が得られる。パラフィンはレーザ・エネルギ
を透過させるので、エッチング・メカニズムに影響を与
えない。レーザ・ビームが基板表面を加熱すると、パラ
フィンは溶融して、局所的に加熱された部分のレールか
ら脱離する。これにより別にプロセス・ステップを踏ま
ずに一時マスクが選択的に除去される。溶融したパラフ
ィンは、不活性液体または水によってすぐさま凝固する
。パラフィンの開口は、レーザ・ビームほどの幅であり
、リデポジットやスタティック・アトラクションがある
場合、これはパラフィンの上部に発生する。このように
、レールは、異物の再付着に対して保護される。同時に
パラフィンは、液体による腐食からヘッドを保護する。 パラフィンは、露出して空気に触れるヘッド面に対して
、エッチングによるアタックその他の影響を与えない芳
香族の溶剤、ベンジン、その他数多い有機溶剤によって
簡単に除去される。ＡＺレジストなど、容易に溶融・除
去できる物質を用いた場合、これは、アセトン、アルコ
ールなど適当な溶剤によってスライダから除去でき、導
電ヘッドやＭＲヘッドを損なうことはない。
【００３２】図１の実施例では、基板は可動ステージに
つながれ、ステージが運動してレーザ・ビームが表面を
走査する間、レーザは静止状態におかれる。このような
構成は、走査が高速であれば、基板と液体の界面上にお
ける運動とレーザ・ビームの焦点ボケによって何らかの
制約を受けることがある。したがって、別の実施例では
、レーザ・ビームが走査され、基板は固定位置に保たれ
る。レーザ・ビームを振動ミラーなど従来の手段によっ
て走査したとき、寸法がかなり小さい場合は、走査速度
と精度の調節はさらに容易になる。走査速度の調節とレ
ーザ・ビームの出力とにより、基板内のレールを、高速
かつ所定の深さでエッチングできる。
【００３３】もう１つの例では、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣの
代わりにフェライトが用いられ、水中で同一のレーザ・
ソニック・エッチングが観測された。
【００３４】また別の例ではＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣの代わ
りにＳｉ／ＳｉＯ２　が用いられ、かなりの高速で同一
のエッチングが観測された。
【００３５】この発明については、実施例及び変形例に
ついて説明しているが、当業者には明らかなように、他
の変形例も、本発明の広い適用範囲から逸脱することな
く可能であり、適用範囲は、特許請求の範囲にによって
のみ制限されるものである。
【００３６】
【発明の効果】この発明により、不活性液体中に置かれ
た基板を、レーザを用い、音波によってエッチングする
方法及び装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施例を示す図である。
【図２】レーザによる表面温度変化を示すグラフの図で
ある
【図３】エッチング後のレール断面プロファイルの拡大
図である。
【図４】この発明に従った薄膜ヘッドを担持する磁気ス
ライダの斜視図である。

Claims (42)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】有限溶融温度を持ち、液相にまで加熱され
    たときに昇華しない、エッチング対象のレーザ・エネル
    ギを吸収する基板を配置するステップと、基板をエッチ
    ングするために、エッチング位置において液体の蒸気バ
    ブルを発生・崩壊させるレーザ・エネルギのビームで、
    該位置において上記基板を走査するステップとを含む、
    レーザ・エッチング方法。
  2. 【請求項２】請求項１に記載の方法であって、基板が、
    Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣセラミック、炭化チタン、シリコン
    、炭化シリコン、酸化シリコンで被覆されたシリコン、
    フェライト、及びレーザ・エネルギを吸収する金属、金
    属酸化物より成るグループから選択された物質である、
    レーザ・エッチング方法。
  3. 【請求項３】請求項１に記載の方法であって、液体が水
    である、レーザ・エッチング方法。
  4. 【請求項４】請求項３に記載の方法であって、レーザが
    銅蒸気レーザである、レーザ・エッチング方法。
  5. 【請求項５】請求項１に記載の方法であって、レーザが
    銅蒸気レーザである、レーザ・エッチング方法。
  6. 【請求項６】請求項１に記載の方法であって、レーザが
    、パルス・ビーム・レーザ・エネルギを発生させるため
    に断続されるＣＷアルゴン・イオン・レーザである、レ
    ーザ・エッチング方法。
  7. 【請求項７】請求項３に記載の方法であって、パルス・
    ビーム・レーザ・エネルギを発生させるために断続され
    るＣＷアルゴン・イオン・レーザである、レーザ・エッ
    チング方法。
  8. 【請求項８】請求項１に記載の方法であって、レーザが
    ＹＡＧレーザである、レーザ・エッチング方法。
  9. 【請求項９】請求項３に記載の方法であって、レーザが
    ＹＡＧレーザである、レーザ・エッチング方法。
  10. 【請求項１０】請求項１に記載の方法であって、液体が
    、水、フレオン、脂肪族または芳香族の炭化水素、及び
    不活性液体より成るグループから選択される、レーザ・
    エッチング方法。
  11. 【請求項１１】請求項１に記載の方法であって、走査が
    基板を移動させて行われる、レーザ・エッチング方法。
  12. 【請求項１２】請求項１に記載の方法であって、走査が
    レーザ・エネルギのビームを移動させて行われる、レー
    ザ・エッチング方法。
  13. 【請求項１３】請求項１に記載の方法であって、レーザ
    ・エネルギのビームによる基板の走査によって基板が切
    断される、レーザ・エッチング方法。
  14. 【請求項１４】請求項１に記載の方法であって、走査の
    前に、エッチング位置において基板を保護層で被覆する
    ステップと、該走査の後に該保護層を除去するステップ
    とを含む、レーザ・エッチング方法。
  15. 【請求項１５】請求項１４に記載の方法であって、保護
    層がレーザ・エネルギを吸収せず、基板と反応せず、容
    易に溶融・除去できる、レーザ・エッチング方法。
  16. 【請求項１６】請求項１４に記載の方法であって、保護
    層が、パラフィンとノボラック系レジストより成るグル
    ープから選択される、レーザ・エッチング方法。
  17. 【請求項１７】請求項１に記載の方法であって、液体が
    基板と反応しない、レーザ・エッチング方法。
  18. 【請求項１８】ヘッドを担持するスライダのレールをレ
    ーザでエッチングする方法であって、エッチング領域に
    おいて、ヘッド・スライダ基板を配置し、非レーザ・エ
    ネルギ吸収層で該基板を被覆し、該基板及び該非レーザ
    ・エネルギ吸収層の付近にレーザ・エネルギ吸収層を配
    置することによって、磁気ヘッドを担持する上記スライ
    ダを形成するステップと、ヘッドを担持する上記スライ
    ダを液体中に配置し、上記基板が上記領域のエッチング
    位置において発熱し、且つ該領域の該エッチング位置に
    おいて液体蒸気バブルが発生・崩壊することによって、
    該スライダのレールが該位置においてエッチングされる
    ように、レーザ・エネルギのビームで該スライダを走査
    するステップとを含む、レーザ・エッチング方法。
  19. 【請求項１９】請求項１８に記載の方法であって、走査
    の前に、磁気ヘッドを担持するスライダを保護層で被覆
    するステップと、該走査の後に保護層を除去するステッ
    プとを含む、レーザ・エッチング方法。
  20. 【請求項２０】請求項１９に記載の方法であって、保護
    層が、ヘッドを担持するスライダと反応せず、レーザ・
    エネルギを吸収せず、容易に溶融・除去できる物質であ
    る、レーザ・エッチング方法。
  21. 【請求項２１】請求項１９に記載の方法であって、保護
    層が、パラフィンとノボラック系レジストより成るグル
    ープから選択される、レーザ・エッチング方法。
  22. 【請求項２２】請求項１８に記載の方法であって、ヘッ
    ドを担持するスライダがスライダ・ヘッドのアレイにあ
    り、走査によって該アレイが切断される、レーザ・エッ
    チング方法。
  23. 【請求項２３】請求項１８に記載の方法であって、基板
    がＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ、非レーザ・エネルギ吸収層がア
    ルミナであり、レーザ・エネルギ吸収層が、金属ペイン
    ト、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣセラミック、及びレーザ・エネ
    ルギ吸収金属の薄膜より成るグループから選択される、
    レーザ・エッチング方法。
  24. 【請求項２４】エッチング対象の物質が配置される、液
    体を容れるコンテナと、上記物質をエッチングするため
    に、液体蒸気バブルを発生・崩壊させるレーザ・エネル
    ギ・ビームを、上記コンテナの、エッチング対象の該物
    質へ透過させるレーザ手段と、上記レーザ・エネルギ・
    ビームによって上記物質が所定位置において走査・エッ
    チングされるように、上記コンテナ内の上記レーザ及び
    物質に相対運動を起こす原動手段とを含む、レーザ・エ
    ッチング装置。
  25. 【請求項２５】請求項２４に記載の装置であって、液体
    が水である、レーザ・エッチング装置。
  26. 【請求項２６】請求項２５に記載の装置であって、レー
    ザ手段が銅蒸気レーザを含む、レーザ・エッチング装置
    。
  27. 【請求項２７】請求項２４に記載の装置であって、レー
    ザ手段が銅蒸気レーザを含む、レーザ・エッチング装置
    。
  28. 【請求項２８】請求項２４に記載の装置であって、レー
    ザ手段が、パルス・ビーム・レーザ・エネルギを発生さ
    せるために断続されるＣＷアルゴン・イオン・レーザで
    ある、レーザ・エッチング装置。
  29. 【請求項２９】請求項２５に記載の装置であって、レー
    ザ手段が、パルス・ビーム・レーザ・エネルギを発生さ
    せるために断続されるＣＷアルゴン・イオン・レーザで
    ある、レーザ・エッチング装置。
  30. 【請求項３０】請求項２４に記載の装置であって、レー
    ザ手段がＹＡＧレーザを含む、レーザ・エッチング装置
    。
  31. 【請求項３１】請求項２５に記載の装置であって、レー
    ザ手段がＹＡＧレーザを含む、レーザ・エッチング装置
    。
  32. 【請求項３２】請求項２４に記載の装置であって、液体
    が、水、フレオン、脂肪族または芳香族の炭化水素、及
    び不活性液体より成るグループから選択される、レーザ
    ・エッチング装置。
  33. 【請求項３３】請求項２４に記載の装置であって、原動
    手段によってコンテナ内の物質が運動する、レーザ・エ
    ッチング装置。
  34. 【請求項３４】請求項２４に記載の装置であって、原動
    手段によってレーザ手段が運動する、レーザ・エッチン
    グ装置。
  35. 【請求項３５】請求項２４に記載の装置であって、レー
    ザ手段が、物質を切断するのに充分なレーザ・エネルギ
    ・ビームを透過させる、レーザ・エッチング装置。
  36. 【請求項３６】請求項２４に記載の装置であって、原動
    手段により、レーザ・エネルギ・ビームが物質を、該物
    質を切断するのに充分な速度で走査する、レーザ・エッ
    チング装置。
  37. 【請求項３７】請求項２４に記載の装置であって、物質
    が、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣセラミック、シリコン、炭化シ
    リコン、フェライト、及びレーザ・エネルギを吸収する
    金属、金属酸化物より成るグループから選択される、レ
    ーザ・エッチング装置。
  38. 【請求項３８】請求項２４に記載の装置であって、液体
    を循環させ、ろ過する手段を含む、レーザ・エッチング
    装置。
  39. 【請求項３９】請求項２４に記載の装置であって、液体
    を貯蔵・冷却するレザーバを含む、レーザ・エッチング
    装置。
  40. 【請求項４０】請求項２４に記載の装置であって、物質
    のエッチングを表示する手段を含む、レーザ・エッチン
    グ装置。
  41. 【請求項４１】請求項２４に記載の装置であって、原動
    手段がＸ−Ｙステージを含む、レーザ・エッチング装置
    。
  42. 【請求項４２】請求項２４に記載の装置であって、液体
    が基板と反応しない、レーザ・エッチング装置。
JP3042183A 1990-04-06 1991-02-15 レーザ・エッチング方法及び装置 Expired - Fee Related JP2785842B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US505380 1990-04-06
US07/505,380 US5057184A (en) 1990-04-06 1990-04-06 Laser etching of materials in liquids

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04228284A true JPH04228284A (ja) 1992-08-18
JP2785842B2 JP2785842B2 (ja) 1998-08-13

Family

ID=24010083

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3042183A Expired - Fee Related JP2785842B2 (ja) 1990-04-06 1991-02-15 レーザ・エッチング方法及び装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5057184A (ja)
EP (1) EP0450313B1 (ja)
JP (1) JP2785842B2 (ja)
DE (1) DE69113845T2 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0761879A (ja) * 1992-01-21 1995-03-07 Nippon Alum Co Ltd 金属部材とセラミック部材との接合方法
JP2003203889A (ja) * 2002-01-08 2003-07-18 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
US6730447B2 (en) 2001-03-09 2004-05-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Manufacturing system in electronic devices
JP2012240099A (ja) * 2011-05-23 2012-12-10 Shibaura Mechatronics Corp レーザ処理装置及び方法
JP2014065649A (ja) * 2012-09-27 2014-04-17 Seiren Co Ltd セラミックスの表面改質方法
JP2019130552A (ja) * 2018-01-30 2019-08-08 株式会社ディスコ レーザー加工方法

Families Citing this family (94)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4021541C1 (ja) * 1990-07-06 1991-12-19 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev, 8000 Muenchen, De
US5142120A (en) * 1990-12-21 1992-08-25 Hewlett-Packard Company Contact cooling of a projection mask
US5486264A (en) * 1992-03-25 1996-01-23 The Trustees Of Columbia University Laser etching of semiconductors
US5238530A (en) * 1992-04-20 1993-08-24 Texas Instruments Incorporated Anisotropic titanate etch
US5238529A (en) * 1992-04-20 1993-08-24 Texas Instruments Incorporated Anisotropic metal oxide etch
US5374330A (en) * 1992-04-20 1994-12-20 Texas Instruments Incorporated Anisotropic barium strontium titanate etch
US5201989A (en) * 1992-04-20 1993-04-13 Texas Instruments Incorporated Anisotropic niobium pentoxide etch
US5312516A (en) * 1992-04-20 1994-05-17 Texas Instruments Incorporated Anisotropic tantalum pentoxide etch
JPH0729141A (ja) * 1993-07-15 1995-01-31 Yamaha Corp 磁気ヘッドのレール面加工方法
DE4418845C5 (de) * 1994-05-30 2012-01-05 Synova S.A. Verfahren und Vorrichtung zur Materialbearbeitung mit Hilfe eines Laserstrahls
US5683601A (en) * 1994-10-24 1997-11-04 Panasonic Technologies, Inc. Laser ablation forward metal deposition with electrostatic assisted bonding
US5935462A (en) * 1994-10-24 1999-08-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Repair of metal lines by electrostatically assisted laser ablative deposition
US5567336A (en) * 1994-10-24 1996-10-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Laser ablation forward metal deposition with electrostatic assisted bonding
DE29505985U1 (de) * 1995-04-06 1995-07-20 Bestenlehrer, Alexander, 91074 Herzogenaurach Vorrichtung zum Bearbeiten, insbesondere zum Polieren und Strukturieren von beliebigen 3D-Formflächen mittels eines Laserstrahls
US6073337A (en) * 1996-06-12 2000-06-13 Seagate Technology, Inc. Compressive stress treatment method for controlling curvature of a hydrodynamic bearing slider
US6211080B1 (en) 1996-10-30 2001-04-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Repair of dielectric-coated electrode or circuit defects
US6180912B1 (en) 1998-03-31 2001-01-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Fan-out beams for repairing an open defect
US6037564A (en) * 1998-03-31 2000-03-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for scanning a beam and an apparatus therefor
US6060127A (en) * 1998-03-31 2000-05-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Mechanically restricted laser deposition
US6327290B1 (en) 1999-02-12 2001-12-04 Lambda Physik Ag Beam delivery system for molecular fluorine (F2) laser
US6795456B2 (en) 1999-12-20 2004-09-21 Lambda Physik Ag 157 nm laser system and method for multi-layer semiconductor failure analysis
US6720522B2 (en) 2000-10-26 2004-04-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus and method for laser beam machining, and method for manufacturing semiconductor devices using laser beam machining
JP4127601B2 (ja) * 2001-03-09 2008-07-30 株式会社東芝 レーザ加工装置
CA2381028A1 (en) * 2001-04-09 2002-10-09 Marc Nantel Photo processing of materials
DE10130349A1 (de) * 2001-06-22 2003-01-02 Konrad Seppelt Verfahren zum lokalen laserinduzierten Ätzen von Feststoffen
DE10137570A1 (de) * 2001-07-30 2003-02-27 Infineon Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung mindestens einer Vertiefung in einem Halbleitermaterial
US20030062126A1 (en) * 2001-10-03 2003-04-03 Scaggs Michael J. Method and apparatus for assisting laser material processing
SG121697A1 (en) * 2001-10-25 2006-05-26 Inst Data Storage A method of patterning a substrate
DE10162191A1 (de) * 2001-12-17 2003-06-18 Wolfgang Coenen Automatisches Vielkanalätzsystem
US7994450B2 (en) * 2002-01-07 2011-08-09 International Business Machines Corporation Debris minimization and improved spatial resolution in pulsed laser ablation of materials
US6932914B2 (en) * 2002-01-18 2005-08-23 Leclair Mark L. Method and apparatus for the controlled formation of cavitation bubbles using target bubbles
US20040004055A1 (en) * 2002-01-18 2004-01-08 Barros Emanuel F. Method and apparatus for the controlled formation of cavitation bubbles
US6960307B2 (en) * 2002-01-18 2005-11-01 Leclair Mark L Method and apparatus for the controlled formation of cavitation bubbles
DE10206687B4 (de) * 2002-02-18 2004-02-19 Infineon Technologies Ag Vorrichtung und Verfahren zur lichtinduzierten chemischen Behandlung eines Werkstücks
SG114560A1 (en) * 2002-07-31 2005-09-28 Inst Data Storage A method and apparatus for cleaning surfaces
CN100359645C (zh) * 2002-08-06 2008-01-02 Xsil技术有限公司 激光加工
EP1529309A1 (en) * 2002-08-06 2005-05-11 Xsil Technology Limited Laser machinining
US6770568B2 (en) * 2002-09-12 2004-08-03 Intel Corporation Selective etching using sonication
US6746967B2 (en) * 2002-09-30 2004-06-08 Intel Corporation Etching metal using sonication
DE10328534B4 (de) * 2003-06-24 2006-04-20 Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V. Vorrichtung und Verfahren zum Laserabtrag transparenter Materialien
DE10328559B4 (de) * 2003-06-24 2006-04-20 Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V. Verfahren zur Präzisionsbearbeitung von transparenten Materialien mit gepulster Laserstrahlung
US20050126706A1 (en) * 2003-12-10 2005-06-16 Bunch Richard D. Non-corrosive low temperature liquid resist adhesive
US6869889B1 (en) * 2004-04-07 2005-03-22 Intel Corporation Etching metal carbide films
US8529738B2 (en) * 2005-02-08 2013-09-10 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York In situ plating and etching of materials covered with a surface film
US8496799B2 (en) 2005-02-08 2013-07-30 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for in situ annealing of electro- and electroless platings during deposition
US20060234269A1 (en) * 2005-04-18 2006-10-19 Matthew Asplund Laser Modification and Functionalization of Substrates
US20060255020A1 (en) * 2005-05-16 2006-11-16 Igor Troitski Method for production of laser-induced images inside liquids
US8184284B2 (en) * 2005-06-14 2012-05-22 Ebstein Steven M Laser-processed substrate for molecular diagnostics
US7586601B2 (en) 2005-06-14 2009-09-08 Ebstein Steven M Applications of laser-processed substrate for molecular diagnostics
JP2007064196A (ja) * 2005-08-05 2007-03-15 Valeo Thermal Systems Japan Corp 弁機構構成部材の加工方法
WO2007027907A2 (en) * 2005-09-02 2007-03-08 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York A system and method for obtaining anisotropic etching of patterned substrates
DE102005047082A1 (de) * 2005-09-30 2007-04-05 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Mikrostrukturierung von Oberflächen eines Werkstücks und seine Verwendung
DE102005055174B8 (de) * 2005-11-18 2007-07-26 Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V. Verfahren zum Abtrag von lichtdurchlässigen Materialien mit Laserstrahlung und Vorrichtung hierfür
ATE465843T1 (de) * 2006-01-25 2010-05-15 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zum materialabtrag an festkörpern und dessen verwendung
US7605063B2 (en) * 2006-05-10 2009-10-20 Lam Research Corporation Photoresist stripping chamber and methods of etching photoresist on substrates
JP4930095B2 (ja) * 2007-02-22 2012-05-09 富士通株式会社 ウエットエッチング方法および半導体装置の製造方法
DE102007010872A1 (de) * 2007-03-06 2008-09-18 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Präzisionsbearbeitung von Substraten und dessen Verwendung
EP1975276A1 (en) * 2007-03-30 2008-10-01 Danmarks Tekniske Universitet Preparation of a polymer article for selective metallization
DE102007058105A1 (de) * 2007-12-03 2009-06-10 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung von optischen Elementen mittels Laserablation
DE102008030725B4 (de) * 2008-07-01 2013-10-17 Deutsche Cell Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Kontakt-Struktur mittels einer Galvanikmaske
KR100862924B1 (ko) * 2008-07-14 2008-10-13 황부성 수소산소 혼합가스 발생장치
US8985050B2 (en) * 2009-11-05 2015-03-24 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Substrate laser oxide removal process followed by electro or immersion plating
CN102133687A (zh) * 2010-01-26 2011-07-27 豪晶科技股份有限公司 激光加工装置
US8288680B1 (en) * 2010-02-24 2012-10-16 Vinyl Technologies, Inc. Thin film remediation and edge deletion process
CN102248292B (zh) * 2011-06-24 2014-03-05 广东工业大学 利用激光空化微射流冲压成型微细零件的装置及方法
US9452495B1 (en) * 2011-07-08 2016-09-27 Sixpoint Materials, Inc. Laser slicer of crystal ingots and a method of slicing gallium nitride ingots using a laser slicer
CN102442082A (zh) * 2011-09-30 2012-05-09 武汉华工激光工程有限责任公司 利用激光在铝合金阳极层表面打标的设备及方法
DE102013002977B3 (de) * 2013-02-18 2013-12-19 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren und Vorrichtung zur Strukturierung von Bauteiloberflächen
CN103418912B (zh) * 2013-05-16 2016-04-20 广东工业大学 增强蓝宝石激光背向湿式刻蚀率的加工装置的加工方法
CN103894739B (zh) * 2014-03-26 2016-01-20 华中科技大学 一种高质量氧化铝陶瓷的刻蚀加工方法及装置
US9455127B2 (en) * 2014-04-14 2016-09-27 Northwestern University Laser induced plasma micromachining (LIPMM)
GB2539619A (en) 2014-06-20 2016-12-21 Halliburton Energy Services Inc Laser-leached polycrystalline diamond and laser-leaching methods and devices
CN104561516B (zh) * 2014-12-19 2017-12-05 江苏大学 一种激光诱导空化泡进行表面改性的装置和方法
CN104759753B (zh) * 2015-03-30 2016-08-31 江苏大学 多系统自动化协调工作提高激光诱导空化强化的方法
CN104722924A (zh) * 2015-04-08 2015-06-24 哈尔滨工业大学（威海） 一种光纤内制备三维微流通道与微腔的方法
CN106077970B (zh) * 2016-06-30 2018-04-20 维沃移动通信有限公司 一种电阻陶瓷基板的加工方法
CN106624352A (zh) * 2016-11-30 2017-05-10 大族激光科技产业集团股份有限公司 激光在金属表面打黑色的打标设备及其打标方法
CN106735888A (zh) * 2016-12-07 2017-05-31 深圳市海目星激光科技有限公司 一种臭氧辅助切割装置及方法
FR3061052B1 (fr) * 2016-12-28 2019-05-31 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede d'usinage par laser d'un diamant permettant d'obtenir une surface lisse et transparente
CN107262934A (zh) * 2017-06-26 2017-10-20 大族激光科技产业集团股份有限公司 打标方法及其装置
CN107363401A (zh) * 2017-07-21 2017-11-21 西安交通大学 一种基于功率调制提高紫铜光纤激光焊接热效率的方法
CN108817673B (zh) * 2018-06-12 2020-11-20 江苏大学 一种激光空泡表面预处理装置及方法
KR102538179B1 (ko) 2018-09-04 2023-06-01 삼성전자주식회사 습식 식각 장치
CN109482750A (zh) * 2018-12-24 2019-03-19 广东工业大学 一种无铆钉微铆接装置
CN110039187B (zh) * 2019-04-24 2021-01-26 苏州星泽激光科技有限公司 一种模具钢表面纹理成型方法
CN110076457A (zh) * 2019-06-04 2019-08-02 广东工业大学 一种基于激光诱导空化的图形复制装置
KR102310466B1 (ko) * 2019-06-27 2021-10-13 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
RU2729253C1 (ru) * 2019-08-07 2020-08-05 Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" Способ формирования 3D микроструктур в оптических материалах
CN110777250A (zh) * 2019-11-12 2020-02-11 徐州工程学院 一种水下粒子空泡耦合的材料强化装置及方法
CN111329580B (zh) * 2020-02-29 2021-05-07 北京工业大学 一种液体介质空化增强效应辅助激光钻切骨方法
CN114192987A (zh) * 2020-09-02 2022-03-18 上海新微技术研发中心有限公司 激光加工装置和方法
CN114012268B (zh) * 2021-10-13 2023-06-16 浙江师范大学 一种光伏增效微结构紫外激光加工装置及方法
US20260008129A1 (en) * 2022-06-30 2026-01-08 University Of Virginia Patent Foundation Use of lasers to selectively remove materials from substrates
US12337415B2 (en) * 2023-05-31 2025-06-24 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for laser texturing a component

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62192283A (ja) * 1986-02-17 1987-08-22 Toshiba Corp セラミツクス基板の溝加工方法
JPH01222071A (ja) * 1988-03-02 1989-09-05 Ngk Insulators Ltd 磁気ヘッド用コアの製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4272775A (en) * 1978-07-03 1981-06-09 National Semiconductor Corporation Laser trim protection process and structure
US4267011A (en) * 1978-09-29 1981-05-12 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Method for manufacturing a semiconductor device
EP0195825A3 (de) * 1985-02-20 1987-07-29 Robert Langen Verfahren zum Entfernen von Verunreinigungen, insbesondere Rost, von einer Metalloberfläche
JPH01168084A (ja) * 1987-12-24 1989-07-03 Toshiba Corp 金属蒸気レーザ装置
US4904340A (en) * 1988-10-31 1990-02-27 Microelectronics And Computer Technology Corporation Laser-assisted liquid-phase etching of copper conductors

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62192283A (ja) * 1986-02-17 1987-08-22 Toshiba Corp セラミツクス基板の溝加工方法
JPH01222071A (ja) * 1988-03-02 1989-09-05 Ngk Insulators Ltd 磁気ヘッド用コアの製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0761879A (ja) * 1992-01-21 1995-03-07 Nippon Alum Co Ltd 金属部材とセラミック部材との接合方法
US6730447B2 (en) 2001-03-09 2004-05-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Manufacturing system in electronic devices
JP2003203889A (ja) * 2002-01-08 2003-07-18 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP2012240099A (ja) * 2011-05-23 2012-12-10 Shibaura Mechatronics Corp レーザ処理装置及び方法
JP2014065649A (ja) * 2012-09-27 2014-04-17 Seiren Co Ltd セラミックスの表面改質方法
JP2019130552A (ja) * 2018-01-30 2019-08-08 株式会社ディスコ レーザー加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0450313A2 (en) 1991-10-09
DE69113845D1 (de) 1995-11-23
DE69113845T2 (de) 1996-05-30
JP2785842B2 (ja) 1998-08-13
US5057184A (en) 1991-10-15
EP0450313B1 (en) 1995-10-18
EP0450313A3 (en) 1993-03-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH04228284A (ja) レーザ・エッチング方法及び装置
TWI403379B (zh) 以短脈衝，固態紫外線雷射做微加工
JP5449665B2 (ja) レーザ加工方法
US4877480A (en) Lithographic technique using laser for fabrication of electronic components and the like
JP5476063B2 (ja) 加工対象物切断方法
US5221422A (en) Lithographic technique using laser scanning for fabrication of electronic components and the like
JPH10305420A (ja) 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法
WO2011013556A1 (ja) 加工対象物切断方法
JP2009503903A (ja) モノリシックマイクロ波集積回路用ビアホールの加工形成
JP2003133690A (ja) 超短パルスレーザを用いた回路形成方法
EP0256938B1 (en) Lithographic technique using laser for fabrication of electronic components and the like
WO2003028943A1 (en) Method and apparatus for fine liquid spray assisted laser material processing
CN109132998A (zh) 单脉冲纳秒激光诱导透明介电材料表面周期性结构的方法
Metev et al. Pattern generation by laser-induced oxidation of thin metal films (microcircuit fabrication)
Tam et al. Excimer laser ablation of ferrites
JP3082013B2 (ja) レーザ加工方法および装置
Panzner et al. Processing of silicon by Nd: YAG lasers with harmonics generation
JPH09141480A (ja) アブレーション加工方法
JPH07185875A (ja) パルスレーザによる材料加工方法
Nolte et al. Cutting of optical materials by using femtosecond laser pulses
JP3998974B2 (ja) 回路基板のパターニング方法
WO1999030865A1 (en) Method and apparatus for laser surface cleaning
Kupfer et al. Materials processing with copper vapor lasers
JP3280538B2 (ja) フェライトの加工方法
JP5739473B2 (ja) レーザー加工方法および電子デバイスの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees