JPH04229632A - Ｉｃチップ接続装置 - Google Patents

Ｉｃチップ接続装置

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JPH04229632A
JPH04229632A JP3145229A JP14522991A JPH04229632A JP H04229632 A JPH04229632 A JP H04229632A JP 3145229 A JP3145229 A JP 3145229A JP 14522991 A JP14522991 A JP 14522991A JP H04229632 A JPH04229632 A JP H04229632A
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  • Wire Bonding (AREA)
  • Multi-Conductor Connections (AREA)
  • Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＩＣチップ接続装置、特
にＩＣ（集積回路）チップをサブストレート（基板）上
に取付け電気的に相互接続する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術とその問題点】ＩＣチップは従来チップキ
ャリア基板に取付け且つチップ上のパッドとサブストレ
ート上のパッドとを冶金ボンディング手段により電気的
に信号接続している。普通のボンディング技術は、半田
バンプとリフロー、熱圧縮ボンディング、熱音波ボンデ
ィング、テープオートメーテッドボンディング（ＴＡＢ
）等を使用するワイヤボンディングを含んでいる。これ
ら冶金ボンディングにはいくつかの欠点がある。それら
欠点は主に電磁特性に起因し、これは好ましくない自己
インダクタンス、クロストーク（漏話）、伝播遅延及び
ノイズ感度の増加を生じる。加えて、斯る冶金ボンディ
ングはチップキャリア上のチップを交換する機能を極め
て制限する。
【０００３】従って本発明の目的はＩＣチップをチップ
キャリア上に分離して取付けられ冶金ボンディングを使
用することなくそこに電気的接続が可能であるＩＣチッ
プ接続装置を提供することである。
【課題解決の為の手段】
【０００４】本発明の原理に依ると、冶金ボンディング
を使用することなくＩＣチップをキャリアサブストレー
トに分離して取付け且つ電気的に接続可能なＩＣチップ
接続装置が提供される。この装置は測定可能な自己イン
ダクタンスを有せず、クロストークその他の好ましくな
い電磁気特性を有しない。この装置はＩＣチップ及びキ
ャリアサブストレート上に信号伝送及び受信ゾーンを有
する。次に、チップの信号伝送／受信ゾーンを夫々サブ
ストレート信号伝送／受信ゾーンと位置合せして配置す
る。各信号受信ゾーンは導電性材料の平面状フィルムよ
り成る。各信号伝送ゾーンは凹部を有し、この凹部領域
のフロア（　床面）から上方へ延びる複数のテーパ付き
突起を有する。伝送ゾーンから受信ゾーンへのコミュニ
ケーション（信号のやりとり）は電界放射で誘起された
電流により行われる。
【０００５】
【実施例】上述した事項は、添付図を参照して行う以下
の実施例に則した説明から一層よく理解できよう。尚、
各図において対応する素子には同様の参照符号を附して
いる。
【０００６】図１はチップキャリア基板（サブストレー
ト）に取付けられるＩＣチップ１０を示す。従来の如く
、サブストレート１２は小型のプリント基板のようなシ
リコンモジュールであってもよく、その表面に１層以上
の相互接続用パターンとコンタクトパッドが被着される
。このサブストレートはＩＣチップを製造するので同じ
工程を用いて製造される。また、このサブストレートは
ラインドライバ及び受信回路等の能動回路を一体に有し
ていてもよい。従来、ＩＣチップ１０の表面のコンタク
トパッドとサブストレート１２上のコンタクトパッド間
に延びるワイヤにより相互接続を行い、各ワイヤは夫々
対応するコンタクトパッド間を冶金的にボンディングし
ていた。 ＩＣチップ１０を電気的に接続する従来手段としてはリ
フロー技法、超音波ボンディング及び半田ボールがある
。 しかし、本発明ではこれらワイヤ、半田及び冶金ボンデ
ィングを排除し、電界放射電流誘導（　フィールドエミ
ッタカーレントインダクション）　原理を応用している
。
【０００７】夫々ＩＣチップ１０及びサブストレート１
２に形成されているコンタクトパッド間の信号の伝送は
単方向性である。即ち、ＩＣチップ１０の伝送パッドは
サブストレート１２上の受信パッドに接続され、また、
サブストレート１２上の伝送パッドはＩＣチップ１０上
の受信パッドに接続される。従って、後述する如く、ワ
イヤの双方向性電流伝送機能は電界放射アレイの単方向
性電流伝送機能に置換される。
【０００８】電界放射電流誘導自体は周知であり、技術
文献に説明されている。電界放射アレイは超小型真空電
子管の電子源又は電子顕微鏡の電子ビーム源として使用
されている。電界放射アレイは複数の放射尖端（エミッ
タチップ）より構成され、各放射尖端は略円錐状の突起
であり、ＩＣチップ１０又はサブストレート１２の伝送
パッド対応位置に形成されている。各受信パッドは好ま
しくは金である平坦導電膜である。ＩＣチップ１０がサ
ブストレート１２上に取付けられると、夫々対応する伝
送及び受信ゾーンが相互に位置合せされる。伝送及び受
信ゾーン間の距離を制御することにより、電流が流れ始
めるしきい電圧の制御が可能である。
【０００９】図１に模型で示す如く、ＩＣチップ１０は
その平坦表面２０に伝送ゾーン１４及び受信ゾーン１６
、１８を有する。同様に、サブストレート１２の平坦表
面２２には受信ゾーン２４と伝送ゾーン２６、２８を有
する。各受信ゾーン１６、１８、２４は対応する平坦表
面２０、２２に形成された導電材料の平坦被膜を含んで
いる。各ゾーン１４、１６、１８、２４、２６、２８は
例えば約２ミル（　約０．０５ｍｍ）　平方の微小面積
である。ＩＣチップ１０をサブストレート１２上に取付
けると、ＩＣチップ１０の伝送ゾーン１４はサブストレ
ート１２の受信ゾーン２４と、ＩＣチップ１０の受信ゾ
ーン１６はサブストレート１２の伝送ゾーン２６と、ま
たＩＣチップ１０の受信ゾーン１８はサブストレート１
２の伝送ゾーン２８と位置合せされる。各伝送ゾーン１
４、２６、２８は対応平面２０、２２から少し凹んだ領
域である。この凹んだ領域は床（　フロア）　とそこか
ら外方へ延びる（　但し各平面から突出することはない
）　複数のテーパ付き突起である。これら突起は好まし
くは円錐状である。各突起は略等しい高さであって、そ
の先端は平面２０、２２と平且つ少し後退している。好
ましくは、各円錐状突起の半径は約３乃至約１００　Ａ
（オングストローム）の範囲であり、平面２０、２２か
ら約１２Ａ以上後退している。
【００１０】図１と同じ縮尺ではない図２に示す如く、
伝送ゾーン１４の突起３０は平面２２に向って延びるが
、この平面２２に到達することはない。同様に、伝送ゾ
ーン２８の突起３２は平面２２に向って延びるがその平
面２２に到達することはない。突起３０、３２は例えば
液体エッチング、プラズマエッチング、イオンビームエ
ッチング、電子ビームエッチング又はこれらとフォトリ
ソグラフィ処理の組合せ等の周知の処理工程で形成可能
である。図２に示す受信ゾーン１８、２４は好ましくは
周知の各種技法により金その他の導電材料の薄い被膜に
より形成する。
【００１１】突起先端のなす面と受信ゾーンの面との間
隔を制御することにより、突起と受信ゾーン間に電流が
流れ始めるしきい値電圧も制御可能である。導電メカニ
ズムから、実効エネルギー伝達は伝送ゾーンから受信ゾ
ーンへ実質的に単方向であることが明らかである。従っ
て、電界放射アレイを介して信号を対応するサブストレ
ート受信部へ伝送するチップはサブストレートによる信
号の反射を本質的に防止する回路を具えていることとな
る。従って、反射信号がチップのロジックに生じるイン
パクトは、高速ロジックでは大きな問題の１つであるが
、上述した取付け及び接続構成を用いることにより排除
可能である。
【００１２】図３は複数のＩＣチップ１０をチップキャ
リア基板１２上に分離して取付ける組立体を示す模型図
である。図３に示す如く、各ＩＣチップ１０を所定位置
に保持する複数の離間した開口３６を有する位置決め板
３４が設けられている。従って、サブストレート１２に
は上述した如く適当に配置した伝送及び受信ゾーンが形
成され、同様にＩＣチップ１０にも適当に配置された伝
送及び受信ゾーンが形成され、ＩＣチップ１０が開口３
６に配置され、位置決め板３４がサブストレート１２に
適当に位置合せされると、ＩＣチップ１０とサブストレ
ート１２の対応する伝送及び受信ゾーンが相互に適正位
置合せされ、円錐状突起の先端のなす面は対応する受信
ゾーンの平面板膜と平行になる。さらに、下側クランプ
板３８、上側放熱及びクランプ板４０が設けられている
。放熱板４０、位置決め板３４、サブストレート１２及
び下側クランプ板３８には開口４２が形成され、これら
各素子を相互に重ねてＩＣチップ１０とサブストレート
１２の対応する伝送及び受信ゾーンが位置合せされると
これら各開口４２が正しく位置合せされるようにする。 次に、ねじ付きボルト４４等の締付け金具を開口４２に
挿通してねじ切りされたナット４６によりこの組立体を
分離可能に保持してもよい。図示せずもＩＣチップ１０
の背面を金属化することにより電源及び接地を設け、放
熱板４０を介してＩＣチップ１０の金属化領域に適当に
電源と接地を供給してもよい。
【００１３】以上、ＩＣチップをチップキャリア基板上
に冶金ボンディングを使用することなく分離可能に取付
け且つ電気的に接続する構成を説明した。ここに好適実
施例のみを説明したが、これは例示にすぎず本発明の要
旨を逸脱することなく種々の変形変更が可能であること
が理解できよう。
【００１４】
【発明の効果】本発明のＩＣチップ接続装置によるとワ
イヤボンディング等の冶金的接続手段を用いることなく
１個以上のＩＣチップをサブストレートの所定位置に相
互接続し、且つ必要に応じて簡単に取外し可能である。 従って、高周波動作に好ましくないインダクタンスやク
ロストーク等を付随させることがなく、最小伝播遅延が
得られ且つ保守サービス等の為に必要に応じて取外しを
可能とする。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるＩＣチップ及びチップキャリア基
板の一部分を示す斜視図。
【図２】図１のＩＣチップと基板の信号伝送／受信ゾー
ンの簡略断面図。
【図３】本発明のＩＣチップ接続装置の組立体を示す分
解部分斜視図。
【符号の説明】
１０　　　　　　　　　　ＩＣチップ １２　　　　　　　　　　サブストレート１６、１８、
２４　　受信ゾーン １４、２６、２８　　伝送ゾーン ２０、２２　　　　　　内面 ３０、３２　　　　　　針状突起

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　ＩＣチップとサブストレートとの平坦
    内面間を電気的に相互接続するＩＣチップ接続装置にお
    いて、前記ＩＣチップ及び前記サブストレートの内面に
    形成された導電性金属被膜の少なくとも１個の受信ゾー
    ンと、前記ＩＣチップ及び前記サブストレートの内面よ
    り凹面から前記内面に向って形成された複数の針状突起
    を有する少なくとも１個の伝送ゾーンとを具え、前記Ｉ
    Ｃチップの前記受信ゾーン及び伝送ゾーンを夫々前記サ
    ブストレートの前記伝送ゾーン及び受信ゾーンに位置合
    せして重ね合せることを特徴とするＩＣチップ接続装置
    。
JP3145229A 1990-05-22 1991-05-22 Ｉｃチップ接続装置 Expired - Lifetime JP2896404B2 (ja)

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US07/526,877 1990-05-22
US07/526,877 US5047830A (en) 1990-05-22 1990-05-22 Field emitter array integrated circuit chip interconnection

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JPH04229632A true JPH04229632A (ja) 1992-08-19
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04341772A (ja) * 1990-10-12 1992-11-27 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 円錐状接点を有する電気的接続体

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5917707A (en) 1993-11-16 1999-06-29 Formfactor, Inc. Flexible contact structure with an electrically conductive shell
US5150192A (en) * 1990-09-27 1992-09-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Field emitter array
US5660570A (en) * 1991-04-09 1997-08-26 Northeastern University Micro emitter based low contact force interconnection device
US5245248A (en) * 1991-04-09 1993-09-14 Northeastern University Micro-emitter-based low-contact-force interconnection device
US5220725A (en) * 1991-04-09 1993-06-22 Northeastern University Micro-emitter-based low-contact-force interconnection device
US5414298A (en) * 1993-03-26 1995-05-09 Tessera, Inc. Semiconductor chip assemblies and components with pressure contact
US5648890A (en) * 1993-07-30 1997-07-15 Sun Microsystems, Inc. Upgradable multi-chip module
US5820014A (en) 1993-11-16 1998-10-13 Form Factor, Inc. Solder preforms
US7073254B2 (en) 1993-11-16 2006-07-11 Formfactor, Inc. Method for mounting a plurality of spring contact elements
US5455390A (en) * 1994-02-01 1995-10-03 Tessera, Inc. Microelectronics unit mounting with multiple lead bonding
US5798286A (en) 1995-09-22 1998-08-25 Tessera, Inc. Connecting multiple microelectronic elements with lead deformation
US5830782A (en) * 1994-07-07 1998-11-03 Tessera, Inc. Microelectronic element bonding with deformation of leads in rows
US6828668B2 (en) * 1994-07-07 2004-12-07 Tessera, Inc. Flexible lead structures and methods of making same
US6117694A (en) * 1994-07-07 2000-09-12 Tessera, Inc. Flexible lead structures and methods of making same
US5518964A (en) * 1994-07-07 1996-05-21 Tessera, Inc. Microelectronic mounting with multiple lead deformation and bonding
US5688716A (en) 1994-07-07 1997-11-18 Tessera, Inc. Fan-out semiconductor chip assembly
US6429112B1 (en) 1994-07-07 2002-08-06 Tessera, Inc. Multi-layer substrates and fabrication processes
US5590460A (en) 1994-07-19 1997-01-07 Tessera, Inc. Method of making multilayer circuit
US5994152A (en) 1996-02-21 1999-11-30 Formfactor, Inc. Fabricating interconnects and tips using sacrificial substrates
US8033838B2 (en) 1996-02-21 2011-10-11 Formfactor, Inc. Microelectronic contact structure
US6247228B1 (en) 1996-08-12 2001-06-19 Tessera, Inc. Electrical connection with inwardly deformable contacts
US6133072A (en) 1996-12-13 2000-10-17 Tessera, Inc. Microelectronic connector with planar elastomer sockets
US8178435B2 (en) 1998-12-21 2012-05-15 Megica Corporation High performance system-on-chip inductor using post passivation process
US8421158B2 (en) 1998-12-21 2013-04-16 Megica Corporation Chip structure with a passive device and method for forming the same
US6612852B1 (en) * 2000-04-13 2003-09-02 Molex Incorporated Contactless interconnection system
TWI236763B (en) * 2003-05-27 2005-07-21 Megic Corp High performance system-on-chip inductor using post passivation process

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3423638A (en) * 1964-09-02 1969-01-21 Gti Corp Micromodular package with compression means holding contacts engaged
JPS5325632B2 (ja) * 1973-03-22 1978-07-27
NL7713758A (nl) * 1977-12-13 1979-06-15 Philips Nv Halfgeleiderinrichting.
DE2926756C2 (de) * 1979-07-03 1984-03-22 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Schottky-Dioden-Anordnung
JPS56126933A (en) * 1980-03-11 1981-10-05 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Contactless evaluator for semiconductor
JPS5738540A (en) * 1980-08-19 1982-03-03 Toshiba Corp Field emission type ion source
US4513308A (en) * 1982-09-23 1985-04-23 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy p-n Junction controlled field emitter array cathode
WO1987004009A1 (en) * 1985-12-20 1987-07-02 Hughes Aircraft Company Compressive pedestal for microminiature connections
FR2593953B1 (fr) * 1986-01-24 1988-04-29 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitee par emission de champ
AU598253B2 (en) * 1986-05-07 1990-06-21 Digital Equipment Corporation System for detachably mounting semi-conductors on conductor substrates
JPH02139843A (ja) * 1988-11-18 1990-05-29 Fujitsu Ltd 電界放射型３極素子およびその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04341772A (ja) * 1990-10-12 1992-11-27 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 円錐状接点を有する電気的接続体

Also Published As

Publication number Publication date
JP2896404B2 (ja) 1999-05-31
US5047830A (en) 1991-09-10
FR2662543B1 (fr) 1993-08-13
FR2662543A1 (fr) 1991-11-29

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