JPH04229833A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
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- JPH04229833A JPH04229833A JP2414612A JP41461290A JPH04229833A JP H04229833 A JPH04229833 A JP H04229833A JP 2414612 A JP2414612 A JP 2414612A JP 41461290 A JP41461290 A JP 41461290A JP H04229833 A JPH04229833 A JP H04229833A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置特に、非
線形素子を表示画面に対応してマトリックス状に配置し
た液晶表示装置の素子基板の製造方法に関する。
線形素子を表示画面に対応してマトリックス状に配置し
た液晶表示装置の素子基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図８は、画素を駆動するための画素用素
子としてＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍ
ｅｔａｌ）を用いた従来の素子基板の平面図、図９はそ
の断面図（Ｉ−Ｉ’）を示す。両図によれば第１の導電
体２１の側面２２だけを画素用素子として利用するラテ
ラル（側面）ＭＩＭの構造を用いていることがわかる。
子としてＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍ
ｅｔａｌ）を用いた従来の素子基板の平面図、図９はそ
の断面図（Ｉ−Ｉ’）を示す。両図によれば第１の導電
体２１の側面２２だけを画素用素子として利用するラテ
ラル（側面）ＭＩＭの構造を用いていることがわかる。
【０００３】ラテラルＭＩＭは、図９のように第１の導
電体２１の側面２２、つまりＭＩＭを形成する部分以外
の表面を絶縁体であるバリア層２３で覆い、バリア層２
３の電気抵抗を高くしてＭＩＭ素子として働かないよう
にしたものである。２５は非線形素子を形成する第２の
導電体、２６は画素電極、２７は透明基板である。第１
の導電体２１と絶縁体２４と第２の導電体２５の重なる
部分が液晶表示装置の画素電極を駆動するための画素用
素子となる。このような構造にすることで、ＭＩＭ素子
の面積を非常に小さくすることができる。ＭＩＭ素子を
画素用素子に用いた液晶表示装置の高密度化、高精細化
には有効な技術である。
電体２１の側面２２、つまりＭＩＭを形成する部分以外
の表面を絶縁体であるバリア層２３で覆い、バリア層２
３の電気抵抗を高くしてＭＩＭ素子として働かないよう
にしたものである。２５は非線形素子を形成する第２の
導電体、２６は画素電極、２７は透明基板である。第１
の導電体２１と絶縁体２４と第２の導電体２５の重なる
部分が液晶表示装置の画素電極を駆動するための画素用
素子となる。このような構造にすることで、ＭＩＭ素子
の面積を非常に小さくすることができる。ＭＩＭ素子を
画素用素子に用いた液晶表示装置の高密度化、高精細化
には有効な技術である。
【０００４】上記従来の液晶表示装置の素子基板の製造
工程プロセスを図１０に示す。 １．工程（ａ）で、透明基板２７（その上に透明な下地
膜を形成したものを含む）上に第１の導電体２１の膜を
形成する。 ２．工程（ｂ）で、第１の導電体２１の膜上にバリア層
２３を形成する。 ３．工程（ｃ）で、第１の導電体２１と第１の絶縁体と
してのバリア層２３を同時にフォトエッチングによって
パターニングする。 ４．工程（ｄ）で、工程（ｃ）によって得られた第１の
導電体２１の側面に第２の絶縁体（膜）２４を形成する
。 ５．工程（ｅ）で、第２の導電体２５と画素電極２６を
それぞれ形成しパターニングする。
工程プロセスを図１０に示す。 １．工程（ａ）で、透明基板２７（その上に透明な下地
膜を形成したものを含む）上に第１の導電体２１の膜を
形成する。 ２．工程（ｂ）で、第１の導電体２１の膜上にバリア層
２３を形成する。 ３．工程（ｃ）で、第１の導電体２１と第１の絶縁体と
してのバリア層２３を同時にフォトエッチングによって
パターニングする。 ４．工程（ｄ）で、工程（ｃ）によって得られた第１の
導電体２１の側面に第２の絶縁体（膜）２４を形成する
。 ５．工程（ｅ）で、第２の導電体２５と画素電極２６を
それぞれ形成しパターニングする。
【０００５】ここで、第１の導電体２１と第２の絶縁体
２４および第２の導電体２５の重なる部分がＭＩＭ素子
を形成する。ＭＩＭ素子に用いられる導電体として、Ｔ
ａ，Ａｌ，Ａｕ，ＩＴＯ，ＮｉＣｒ＋ＡｕさらにＩＴＯ
＋Ｃｒなどがよく知られている。また第２の絶縁体とし
て、ＴａＯｘ，ＳｉＯｘ，ＳｉＮｘ，ＳｉＯｘＮｙ，Ｔ
ａＮｘ，ＺｎＯｘなどが良く知られている。これらの第
２の絶縁体は、熱酸化又は陽極酸化して形成したり、ま
たはスパッタリングなどで形成される。またバリア層に
は、上記第２の絶縁体に使われる無機材料のほかにポリ
イミドなどの有機膜を用いるものも知られている。
２４および第２の導電体２５の重なる部分がＭＩＭ素子
を形成する。ＭＩＭ素子に用いられる導電体として、Ｔ
ａ，Ａｌ，Ａｕ，ＩＴＯ，ＮｉＣｒ＋ＡｕさらにＩＴＯ
＋Ｃｒなどがよく知られている。また第２の絶縁体とし
て、ＴａＯｘ，ＳｉＯｘ，ＳｉＮｘ，ＳｉＯｘＮｙ，Ｔ
ａＮｘ，ＺｎＯｘなどが良く知られている。これらの第
２の絶縁体は、熱酸化又は陽極酸化して形成したり、ま
たはスパッタリングなどで形成される。またバリア層に
は、上記第２の絶縁体に使われる無機材料のほかにポリ
イミドなどの有機膜を用いるものも知られている。
【０００６】ＭＩＭ素子として最もよく知られている構
造は、第１の導電体２１にＴａ（タンタル）、第２の絶
縁体２４にＴａＯｘ（酸化タンタル）、第２の導電体２
５にＣｒ（クロム）を用いたもの（Ｔａ／ＴａＯｘ／Ｃ
ｒ構造）がある。
造は、第１の導電体２１にＴａ（タンタル）、第２の絶
縁体２４にＴａＯｘ（酸化タンタル）、第２の導電体２
５にＣｒ（クロム）を用いたもの（Ｔａ／ＴａＯｘ／Ｃ
ｒ構造）がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の図
１０で示される製造方法では、著しく歩留りが悪く、実
用的でないという問題点あった。この問題点を図１１に
よって説明する。
１０で示される製造方法では、著しく歩留りが悪く、実
用的でないという問題点あった。この問題点を図１１に
よって説明する。
【０００８】同図において（ａ）ないし（ｅ）は図９の
（ａ）工程ないし（ｅ）工程に対応するものであるが、
（ｃ）工程においてエッチングを行う際、一般に酸化膜
や窒化膜のバリア層２３は導電体である第１の導電体２
１よりもエッチングレートが遅い。ＴａとＴａＯｘでは
ＴａＯｘのほうが１／２程度のエッチングレートであり
、ＴａＮｘの場合には、さらに差が開く。従って図１１
（ｃ）工程に示されるように第１の導電体２１の側面が
オーバーハング形状となる。
（ａ）工程ないし（ｅ）工程に対応するものであるが、
（ｃ）工程においてエッチングを行う際、一般に酸化膜
や窒化膜のバリア層２３は導電体である第１の導電体２
１よりもエッチングレートが遅い。ＴａとＴａＯｘでは
ＴａＯｘのほうが１／２程度のエッチングレートであり
、ＴａＮｘの場合には、さらに差が開く。従って図１１
（ｃ）工程に示されるように第１の導電体２１の側面が
オーバーハング形状となる。
【０００９】その後の（ｄ）工程で第２の絶縁体２４（
ＴａＯｘ）を形成し、（ｅ）工程で第２の導電体２５（
Ｃｒ）と画素電極２６を形成するが、第２の導電体２５
を形成するときに第２の絶縁体２４のオーバーハングに
よって第２の導電体２５が段差切れをおこしてしまう欠
点がある。また段差切れが無い場合でも第１の導電体２
１の側面の形状（テーパー形状）を制御することができ
ないためラテラルＭＩＭ素子の面積を制御できない問題
が生ずる。ＭＩＭ素子の素子面積が制御できないという
ことは、液晶表示装置にとって画素の表示状態が制御で
きないことになり、致命的な欠陥となる。このように従
来の製造方法では著しく歩留りが悪く実用的でないとい
う問題点があった。
ＴａＯｘ）を形成し、（ｅ）工程で第２の導電体２５（
Ｃｒ）と画素電極２６を形成するが、第２の導電体２５
を形成するときに第２の絶縁体２４のオーバーハングに
よって第２の導電体２５が段差切れをおこしてしまう欠
点がある。また段差切れが無い場合でも第１の導電体２
１の側面の形状（テーパー形状）を制御することができ
ないためラテラルＭＩＭ素子の面積を制御できない問題
が生ずる。ＭＩＭ素子の素子面積が制御できないという
ことは、液晶表示装置にとって画素の表示状態が制御で
きないことになり、致命的な欠陥となる。このように従
来の製造方法では著しく歩留りが悪く実用的でないとい
う問題点があった。
【００１０】本発明は、上記従来の問題点を解消する素
子基板の製造方法を提供することを目的とする。
子基板の製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明による液晶表示装
置の素子基板の製造方法は、透明基板上の第１の導電体
と、該第１の導電体の側面に形成された絶縁体と、、第
２の導電体が積層してなり、該第１の導電体と該絶縁体
と該第２の導電体の重なる部分が、液晶表示装置の画素
電極を駆動するための画素用素子となる液晶表示装置の
素子基板の製造方法において、該透明基板上に該第１の
導電体を形成し、該第１の導電体の上部及び側面に透明
な絶縁体、ポジレジストを順次膜付、塗布した後、該透
明基板の裏面から露光を行い、現像し、該透明な絶縁体
を該第１の導電体の側面が露出するまでエッチングし、
該側面に絶縁体、第２の導電体を順次形成して該画素用
素子を形成することを特徴とする。
置の素子基板の製造方法は、透明基板上の第１の導電体
と、該第１の導電体の側面に形成された絶縁体と、、第
２の導電体が積層してなり、該第１の導電体と該絶縁体
と該第２の導電体の重なる部分が、液晶表示装置の画素
電極を駆動するための画素用素子となる液晶表示装置の
素子基板の製造方法において、該透明基板上に該第１の
導電体を形成し、該第１の導電体の上部及び側面に透明
な絶縁体、ポジレジストを順次膜付、塗布した後、該透
明基板の裏面から露光を行い、現像し、該透明な絶縁体
を該第１の導電体の側面が露出するまでエッチングし、
該側面に絶縁体、第２の導電体を順次形成して該画素用
素子を形成することを特徴とする。
【００１２】又、本発明は、該透明基板上に該第１の導
電体を形成し、該第１の導電体の上部及び側面にポジレ
ジストを塗布した後、該透明基板の裏面から露光を行い
、現像して該第１の導電体の側面を露出させ、該側面に
絶縁体、第２の導電体を順次形成して該画素用素子を形
成することを特徴とする。
電体を形成し、該第１の導電体の上部及び側面にポジレ
ジストを塗布した後、該透明基板の裏面から露光を行い
、現像して該第１の導電体の側面を露出させ、該側面に
絶縁体、第２の導電体を順次形成して該画素用素子を形
成することを特徴とする。
【００１３】さらに本発明は、該透明基板上に該第１の
導電体を形成し、該第１の導電体の上部及び側面にネガ
レジストを塗布した後、該透明基板の裏面から露光を行
い、現像して、該第１の導電体の上部を露出させ、該上
部に絶縁体を形成させた後、レジスト剥離によって該第
１の導電体の側面を露出させ、該側面に絶縁体、該第２
の導電体を順次形成して該画素用素子を形成することを
特徴とする。
導電体を形成し、該第１の導電体の上部及び側面にネガ
レジストを塗布した後、該透明基板の裏面から露光を行
い、現像して、該第１の導電体の上部を露出させ、該上
部に絶縁体を形成させた後、レジスト剥離によって該第
１の導電体の側面を露出させ、該側面に絶縁体、該第２
の導電体を順次形成して該画素用素子を形成することを
特徴とする。
【００１４】
【実施例】本発明による液晶表示装置の素子基板の製造
工程プロセスを実施例に基づき説明する。図１中の（ａ
）ないし（ｆ）はその工程の概要を示すものである。
工程プロセスを実施例に基づき説明する。図１中の（ａ
）ないし（ｆ）はその工程の概要を示すものである。
【００１５】まず（ａ）工程は、透明基板７上にＴａ膜
１を膜付けするものである。透明基板７は透明なＴａＯ
ｘ膜が下地膜として形成されているものを用いる。
１を膜付けするものである。透明基板７は透明なＴａＯ
ｘ膜が下地膜として形成されているものを用いる。
【００１６】次に、（ｂ）工程において、フォトエッチ
ングにより第１の導電体としてＴａ電極２を形成した後
、（ｃ）工程において透明基板７及びＴａ電極２の上に
バリア層としてのＴａＯｘ膜３を膜付けする。（ｃ）工
程においてのバリア層の膜付けは、スパッタリングやＣ
ＶＤ（ケミカル・ベイパー・デポジション）によってＴ
ａＯｘ膜３を膜付けする。バリア層をＴａＯｘ膜以外の
材料（例えば、ＴａＮｘ，ＳｉＮｘなど）で行う場合も
同様である。
ングにより第１の導電体としてＴａ電極２を形成した後
、（ｃ）工程において透明基板７及びＴａ電極２の上に
バリア層としてのＴａＯｘ膜３を膜付けする。（ｃ）工
程においてのバリア層の膜付けは、スパッタリングやＣ
ＶＤ（ケミカル・ベイパー・デポジション）によってＴ
ａＯｘ膜３を膜付けする。バリア層をＴａＯｘ膜以外の
材料（例えば、ＴａＮｘ，ＳｉＮｘなど）で行う場合も
同様である。
【００１７】（ｄ）工程においては、Ｔａ電極２上のＴ
ａＯｘ６だけ残しバリア層とするためにフォトエッチン
グを行い、（ｅ）工程において、陽極酸化または熱酸化
によってＴａ電極２の側面に絶縁層としての薄いＴａＯ
ｘ膜５を形成させる。次に、（ｆ）工程において、Ｃｒ
と画素電極を膜付けし、フォトエッチングによりＣｒパ
ターン８と画素電極パターン９を形成する。
ａＯｘ６だけ残しバリア層とするためにフォトエッチン
グを行い、（ｅ）工程において、陽極酸化または熱酸化
によってＴａ電極２の側面に絶縁層としての薄いＴａＯ
ｘ膜５を形成させる。次に、（ｆ）工程において、Ｃｒ
と画素電極を膜付けし、フォトエッチングによりＣｒパ
ターン８と画素電極パターン９を形成する。
【００１８】図１においては（ｄ）工程が本発明に特徴
的なプロセスであるので、それらをより詳細に図２によ
って説明する。図１の（ｄ）工程でバリア層としてＴａ
Ｏｘ６をＴａ電極２に残す方法を図２の（ａ）〜（ｄ）
を用いて説明する。図１のＣ工程で得た結果の断面図は
図２の（ａ）であるが、Ｔａ電極２の存在する面にポジ
レジスト１０（光の当たらない部分が残るレジスト）を
図２（ｂ）のように塗布し、次に透明基板７の膜面と逆
の面つまり透明基板７の裏側（矢印方向）から露光を行
う。その結果、ＴａＯｘ３などの酸化膜や窒化膜は露光
に対して透明であるので、不透明膜であるＴａ電極２の
上のポジレジストだけが露光されないことになる。従っ
て、現像を行えば同図（ｃ）に示すようにＴａ電極２の
上のレジスト１１だけが残り、この状態でＴａ電極２の
側面が露出するまでエッチングを行えば同図（ｄ）に示
すような状態となる。図１０の（ｃ）工程で示される従
来方法の状態と異なり、上記によってエッチングされる
膜は透明基板上全面に膜付けされたＴａＯｘ３であるの
で、エッチングレートはそろっているからである。従っ
てＴａ電極２の側面がオーバーハング状にならないよう
にエッチングすることができる。またＴａ電極２の側面
のテーパー形状は、図１の（ｂ）の工程で既に形成され
ているので均一で良好な側面形状を得ることができる。 これによって、Ｃｒ電極パターン８がＴａ電極２の側面
で段差切れをおこさず、第１図（ｆ）に示すようにＴａ
電極２とＴａＯｘ膜５とＣｒパターン８の重なる部分か
らなるラテラルＭＩＭ素子面積も均一にすることができ
る。
的なプロセスであるので、それらをより詳細に図２によ
って説明する。図１の（ｄ）工程でバリア層としてＴａ
Ｏｘ６をＴａ電極２に残す方法を図２の（ａ）〜（ｄ）
を用いて説明する。図１のＣ工程で得た結果の断面図は
図２の（ａ）であるが、Ｔａ電極２の存在する面にポジ
レジスト１０（光の当たらない部分が残るレジスト）を
図２（ｂ）のように塗布し、次に透明基板７の膜面と逆
の面つまり透明基板７の裏側（矢印方向）から露光を行
う。その結果、ＴａＯｘ３などの酸化膜や窒化膜は露光
に対して透明であるので、不透明膜であるＴａ電極２の
上のポジレジストだけが露光されないことになる。従っ
て、現像を行えば同図（ｃ）に示すようにＴａ電極２の
上のレジスト１１だけが残り、この状態でＴａ電極２の
側面が露出するまでエッチングを行えば同図（ｄ）に示
すような状態となる。図１０の（ｃ）工程で示される従
来方法の状態と異なり、上記によってエッチングされる
膜は透明基板上全面に膜付けされたＴａＯｘ３であるの
で、エッチングレートはそろっているからである。従っ
てＴａ電極２の側面がオーバーハング状にならないよう
にエッチングすることができる。またＴａ電極２の側面
のテーパー形状は、図１の（ｂ）の工程で既に形成され
ているので均一で良好な側面形状を得ることができる。 これによって、Ｃｒ電極パターン８がＴａ電極２の側面
で段差切れをおこさず、第１図（ｆ）に示すようにＴａ
電極２とＴａＯｘ膜５とＣｒパターン８の重なる部分か
らなるラテラルＭＩＭ素子面積も均一にすることができ
る。
【００１９】図３は本発明による液晶表示装置の素子基
板の製造方法の他の実施例を示す。同図の（ｃ）及び（
ｄ）の各工程が本実施例に特徴的なプロセスであり、同
図の（ｃ）工程から（ｄ）工程へのプロセスを詳細に示
したものが図４の（ａ）〜（ｄ）である。本実施例の（
ａ）・（ｂ）の各工程は図１の（ａ）・（ｂ）の各工程
と同じである。
板の製造方法の他の実施例を示す。同図の（ｃ）及び（
ｄ）の各工程が本実施例に特徴的なプロセスであり、同
図の（ｃ）工程から（ｄ）工程へのプロセスを詳細に示
したものが図４の（ａ）〜（ｄ）である。本実施例の（
ａ）・（ｂ）の各工程は図１の（ａ）・（ｂ）の各工程
と同じである。
【００２０】図１に示した実施例の場合には図１の（ｃ
）の工程で透明基板７とＴａ電極２の上にバリア層のＴ
ａＯｘ膜３を膜付けしたが、本実施例では、図３（ｃ）
に示すように、Ｔａ電極２の上部及び側面だけにバリア
層となるＴａＯｘ膜３を膜付けし、透明基板７には膜付
けしない。本実施例の場合バリア層のＴａＯｘ膜３は、
陽極酸化や熱酸化で形成すれば、スパッタリングやＣＶ
Ｄなどの方法よりも、はるかに低コストでバリア層を形
成することができる。
）の工程で透明基板７とＴａ電極２の上にバリア層のＴ
ａＯｘ膜３を膜付けしたが、本実施例では、図３（ｃ）
に示すように、Ｔａ電極２の上部及び側面だけにバリア
層となるＴａＯｘ膜３を膜付けし、透明基板７には膜付
けしない。本実施例の場合バリア層のＴａＯｘ膜３は、
陽極酸化や熱酸化で形成すれば、スパッタリングやＣＶ
Ｄなどの方法よりも、はるかに低コストでバリア層を形
成することができる。
【００２１】図３の（ｄ）工程においてバリア層のＴａ
Ｏｘ膜３をＴａ電極２の側面を除いてＴａ電極２の上部
表面にＴａＯｘ６として残す方法を図４（ａ）〜（ｄ）
に示す。基本的には図２に示す方法と同じく裏から露光
を行い、図４（ｃ）に示すようにＴａ電極２の上部のレ
ジストが残る。これを（ｄ）の工程でＴａＯｘ膜３のエ
ッチングを行うが、透明基板７はバリア層のＴａＯｘの
エッチングに対して耐性が強いので、実質的にエッチン
グされる膜はＴａＯｘだけになる。従って図１または図
２で示される実施例と同等の効果が有り、Ｃｒパターン
がＴａ電極２の側面で段差切れを起こさない。以上の実
施例から明らかなように、バリア層を形成する膜は裏露
光の波長に対し透過性があればよいことがわかる。不透
明なバリア層であっては、裏露光によって残留するレジ
スト膜はバリア層の上部及び側面に残り、エッチングの
際に第１の導電体であるＴａ電極２の側面を図４（ｄ）
のように露出させることができないからである。透明性
を有するバリア層としては、ＴａＯｘ，ＣｒＯｘ，Ｓｉ
Ｎｘ，ＴａＮｘ，ＴａＯｘＮｘ，ＳｉＯｘＮｘ等の無機
物が考えられるが、有機物（例えばポリイミド）であっ
てもよい。膜付けの一般的な方法として、ＣＶＤ，スパ
ッタリング，蒸着，陽極酸化，スピンコート，ディピン
グ等が考えられ適宜選択すればよい。
Ｏｘ膜３をＴａ電極２の側面を除いてＴａ電極２の上部
表面にＴａＯｘ６として残す方法を図４（ａ）〜（ｄ）
に示す。基本的には図２に示す方法と同じく裏から露光
を行い、図４（ｃ）に示すようにＴａ電極２の上部のレ
ジストが残る。これを（ｄ）の工程でＴａＯｘ膜３のエ
ッチングを行うが、透明基板７はバリア層のＴａＯｘの
エッチングに対して耐性が強いので、実質的にエッチン
グされる膜はＴａＯｘだけになる。従って図１または図
２で示される実施例と同等の効果が有り、Ｃｒパターン
がＴａ電極２の側面で段差切れを起こさない。以上の実
施例から明らかなように、バリア層を形成する膜は裏露
光の波長に対し透過性があればよいことがわかる。不透
明なバリア層であっては、裏露光によって残留するレジ
スト膜はバリア層の上部及び側面に残り、エッチングの
際に第１の導電体であるＴａ電極２の側面を図４（ｄ）
のように露出させることができないからである。透明性
を有するバリア層としては、ＴａＯｘ，ＣｒＯｘ，Ｓｉ
Ｎｘ，ＴａＮｘ，ＴａＯｘＮｘ，ＳｉＯｘＮｘ等の無機
物が考えられるが、有機物（例えばポリイミド）であっ
てもよい。膜付けの一般的な方法として、ＣＶＤ，スパ
ッタリング，蒸着，陽極酸化，スピンコート，ディピン
グ等が考えられ適宜選択すればよい。
【００２２】図５及び図６は本発明の他の実施例を示す
図である。本実施例は、バリア層としてレジスト等のポ
ジ性感光絶縁膜を用いる方法である。この方法は上記実
施例と比較し、さらに工程数が少ない利点を有する。図
５の（ａ）はＴａ電極２の上にポジ性感光ポリイミド１
４を塗布した状態の断面図を示し、この状態で矢印の方
向に裏露光を行えば、同図（ｂ）に示すとおり、現像後
は不透明なＴａ電極２の上に絶縁有機物１５が残留する
。Ｔａ電極２の側面１６は露出しているので、これを同
図（ｃ）のように陽電極酸化してＴａＯｘ膜１７を形成
させた後、Ｃｒパターン電極をつけることによって、図
６（ａ）に示すように、Ｔａ電極２とＴａＯｘ膜１７と
Ｃｒパターン電極１８とによってＭＩＭ素子が形成され
る。又、陽電極酸化後に第２の導電体を形成する際、同
図（ｂ）に示すように第２の導電体層１９を一様に形成
させた後、レジスト剥離をすれば同図（ｃ）に示すよう
なＴａ電極２とＴａＯｘ膜１７と第２導電体１９によっ
て素子が形成される。第２の導電体１９の膜厚分布をコ
ントロールして適切な寸法精度が得られるならば第２の
導電体層１９の厚さを調整してもよい。
図である。本実施例は、バリア層としてレジスト等のポ
ジ性感光絶縁膜を用いる方法である。この方法は上記実
施例と比較し、さらに工程数が少ない利点を有する。図
５の（ａ）はＴａ電極２の上にポジ性感光ポリイミド１
４を塗布した状態の断面図を示し、この状態で矢印の方
向に裏露光を行えば、同図（ｂ）に示すとおり、現像後
は不透明なＴａ電極２の上に絶縁有機物１５が残留する
。Ｔａ電極２の側面１６は露出しているので、これを同
図（ｃ）のように陽電極酸化してＴａＯｘ膜１７を形成
させた後、Ｃｒパターン電極をつけることによって、図
６（ａ）に示すように、Ｔａ電極２とＴａＯｘ膜１７と
Ｃｒパターン電極１８とによってＭＩＭ素子が形成され
る。又、陽電極酸化後に第２の導電体を形成する際、同
図（ｂ）に示すように第２の導電体層１９を一様に形成
させた後、レジスト剥離をすれば同図（ｃ）に示すよう
なＴａ電極２とＴａＯｘ膜１７と第２導電体１９によっ
て素子が形成される。第２の導電体１９の膜厚分布をコ
ントロールして適切な寸法精度が得られるならば第２の
導電体層１９の厚さを調整してもよい。
【００２３】図７はレジストとしてネカレジストを用い
た場合の実施例である。同図（ａ）に示すように、Ｔａ
電極２の上に一様にネカジレスト３０を塗布した後、矢
印の方向で裏露光を行えば、Ｔａ電極２以外の部分にレ
ジストが残留するので、レジスト現像後に同図（ｂ）に
示すように絶縁膜３１をスパッタリング等によって形成
し、その後レジスト剥離を行えば図５（ｂ）と同じ状態
が得られる。又、Ｔａ電極２に絶縁膜を形成する方法と
して、陽極酸化を行えば、同図（ｃ）に示すように、Ｔ
ａ電極２の上に絶縁膜３２が形成され、その後は同様に
レジスト剥離を行えばよい。
た場合の実施例である。同図（ａ）に示すように、Ｔａ
電極２の上に一様にネカジレスト３０を塗布した後、矢
印の方向で裏露光を行えば、Ｔａ電極２以外の部分にレ
ジストが残留するので、レジスト現像後に同図（ｂ）に
示すように絶縁膜３１をスパッタリング等によって形成
し、その後レジスト剥離を行えば図５（ｂ）と同じ状態
が得られる。又、Ｔａ電極２に絶縁膜を形成する方法と
して、陽極酸化を行えば、同図（ｃ）に示すように、Ｔ
ａ電極２の上に絶縁膜３２が形成され、その後は同様に
レジスト剥離を行えばよい。
【００２４】
【発明の効果】以上述べたように本発明の製造プロセス
によって、上記従来の製造方法の問題点を解消し、ラテ
ラルＭＩＭを画素用素子に用いた液晶表示装置の素子基
板を高い歩留りで提供することができる。
によって、上記従来の製造方法の問題点を解消し、ラテ
ラルＭＩＭを画素用素子に用いた液晶表示装置の素子基
板を高い歩留りで提供することができる。
【００２５】
【図１】本発明による製造方法の実施例を示す図。
【図２】本発明による製造方法の実施例を示す図。
【図３】本発明の他の実施例を示す図。
【図４】本発明の他の実施例を示す図。
【図５】バリア層としてポジレジストを用いた場合の実
施例を示す図。
施例を示す図。
【図６】バリア層としてポジレジストを用いた場合の実
施例を示す図。
施例を示す図。
【図７】バリア層としてネガレジストを用いた場合の実
施例を示す図。
施例を示す図。
【図８】従来の液晶表示装置の素子基板の平面図
【図９
】従来の液晶表示装置の素子基板の断面図
】従来の液晶表示装置の素子基板の断面図
【図１０】従
来の液晶表示装置の素子基板の製造方法を示す図。
来の液晶表示装置の素子基板の製造方法を示す図。
【図１１】従来の液晶表示装置の素子基板の製造方法を
示す図。
示す図。
１ Ｔａ膜
２ Ｔａ電極
３ ＴａＯｘ膜
５ ＴａＯｘ膜
６ ＴａＯｘ
７ 透明基板
８ Ｃｒパターン
１０ ポジレジスト
Claims (4)
- 【請求項１】 透明基板上の第１の導電体と、該第１
の導電体の側面に形成された絶縁体と、第２の導電体が
積層してなり、該第１の導電体と該絶縁体と該第２の導
電体の重なる部分が、液晶表示装置の画素電極を駆動す
るための画素用素子となる液晶表示装置の素子基板の製
造方法において、該透明基板上に該第１の導電体を形成
し、該第１の導電体の上部及び側面に透明な絶縁体、ポ
ジレジストを順次膜付、塗布した後、該透明基板の裏面
から露光を行い、現像し、該透明な絶縁体を該第１の導
電体の側面が露出するまでエッチングし、該側面に絶縁
体、第２の導電体を順次形成して該画素用素子を形成す
ることを特徴とする液晶表示装置の素子基板の製造方法
。 - 【請求項２】 該第１の導電体の上部及び側面に透明
な絶縁体を膜付けする際、該透明基板上にも同時に膜付
けすることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の
素子基板の製造方法。 - 【請求項３】 透明基板上の第１の導電体と、該第１
の導電体の側面に形成された絶縁体と、第２の導電体が
積層してなり、該第１の導電体と該絶縁体と該第２の導
電体の重なる部分が、液晶表示装置の画素電極を駆動す
るための画素用素子となる液晶表示装置の素子基板の製
造方法において、該透明基板上に該第１の導電体を形成
し、該第１の導電体の上部及び側面にポジレジストを塗
布した後、該透明基板の裏面から露光を行い、現像して
該第１の導電体の側面を露出させ、該側面に絶縁体、第
２の導電体を順次形成して該画素用素子を形成すること
を特徴とする液晶表示装置の素子基板の製造方法。 - 【請求項４】 透明基板上の第１の導電体と、該第１
の導電体の側面に形成された絶縁体と、第２の導電体が
積層してなり、該第１の導電体と該絶縁体と該第２の導
電体の重なる部分が、液晶表示装置の画素電極を駆動す
るための画素用素子となる液晶表示装置の素子基板の製
造方法において、該透明基板上に該第１の導電体を形成
し、該第１の導電体の上部及び側面にネガレジストを塗
布した後、該透明基板の裏面から露光を行い、現像して
該第１の導電体の上部を露出させ、該上部に絶縁体を形
成させた後、レジスト剥離によって該第１の導電体の側
面を露出させ、該側面に絶縁体、第２の導電体を順次形
成して該画素用素子を形成することを特徴とする液晶表
示装置の素子基板の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2414612A JPH04229833A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 液晶表示装置の製造方法 |
| DE69109547T DE69109547T2 (de) | 1990-07-06 | 1991-07-04 | Verfahren zur Herstellung eines Substrates für eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung. |
| EP91111072A EP0464810B1 (en) | 1990-07-06 | 1991-07-04 | Method for producing an element substrate for a liquid crystal display device |
| US07/726,072 US5246468A (en) | 1990-07-06 | 1991-07-05 | Method of fabricating a lateral metal-insulator-metal device compatible with liquid crystal displays |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2414612A JPH04229833A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04229833A true JPH04229833A (ja) | 1992-08-19 |
Family
ID=18523068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2414612A Pending JPH04229833A (ja) | 1990-07-06 | 1990-12-27 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04229833A (ja) |
-
1990
- 1990-12-27 JP JP2414612A patent/JPH04229833A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000627 |