JPH04230060A - 冷却構造 - Google Patents
冷却構造Info
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- JPH04230060A JPH04230060A JP2415321A JP41532190A JPH04230060A JP H04230060 A JPH04230060 A JP H04230060A JP 2415321 A JP2415321 A JP 2415321A JP 41532190 A JP41532190 A JP 41532190A JP H04230060 A JPH04230060 A JP H04230060A
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- JP
- Japan
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- heat dissipation
- contact
- stud
- dissipation block
- conductive member
- Prior art date
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/877—Bump connectors and die-attach connectors
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、冷却構造に係り、特に
基板上に実装された集積回路素子（以下、ＬＳＩと称す
る）に弾性支持された伝導部材を当接させ、コールドプ
レート内の冷媒との熱交換によって当該ＬＳＩの冷却を
行う冷却構造に関するものである。
基板上に実装された集積回路素子（以下、ＬＳＩと称す
る）に弾性支持された伝導部材を当接させ、コールドプ
レート内の冷媒との熱交換によって当該ＬＳＩの冷却を
行う冷却構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来は、図１５に示すように、ＬＳＩ２
１が搭載された基板２０に対して、フランジ２４を介し
て熱伝導性に優れた部材によりなる放熱ブロック２３を
取り付ける。この放熱ブロック２３の背面には、その内
部に冷媒が流動する冷媒通路２８を有するコールドプレ
ート２２が接合される。尚、冷媒通路２８の両端には配
管接続用のカプラ２９ａ，２９ｂがそれぞれ取り付けら
れている。
１が搭載された基板２０に対して、フランジ２４を介し
て熱伝導性に優れた部材によりなる放熱ブロック２３を
取り付ける。この放熱ブロック２３の背面には、その内
部に冷媒が流動する冷媒通路２８を有するコールドプレ
ート２２が接合される。尚、冷媒通路２８の両端には配
管接続用のカプラ２９ａ，２９ｂがそれぞれ取り付けら
れている。
【０００３】上記放熱ブロック２３には、基板２０上の
ＬＳＩ２１の実装位置に対応して凹部２３ａが形成され
、その中に熱伝導性に優れたスタッド２６がスプリング
２７を介して取り付けられる。上記スプリング２７は基
板２０上に実装されるＬＳＩ２１の実装高さの調節を行
うもので、またスタッド２６のＬＳＩ２１と当接する面
は接触の確実さを実現するためにＲ曲面となっている。 尚、放熱ブロック２３と基板２０との間にはシール性を
高めるためにシール材２５が取り付けられている。
ＬＳＩ２１の実装位置に対応して凹部２３ａが形成され
、その中に熱伝導性に優れたスタッド２６がスプリング
２７を介して取り付けられる。上記スプリング２７は基
板２０上に実装されるＬＳＩ２１の実装高さの調節を行
うもので、またスタッド２６のＬＳＩ２１と当接する面
は接触の確実さを実現するためにＲ曲面となっている。 尚、放熱ブロック２３と基板２０との間にはシール性を
高めるためにシール材２５が取り付けられている。
【０００４】上記構成において、冷却時の熱は、まずＬ
ＳＩ２１からスタッド２６へ伝わり、スプリング２７お
よび放熱ブロック２３との間接熱伝導によってその熱が
伝わり、コールドプレート２２との熱交換を行うように
なっていた。
ＳＩ２１からスタッド２６へ伝わり、スプリング２７お
よび放熱ブロック２３との間接熱伝導によってその熱が
伝わり、コールドプレート２２との熱交換を行うように
なっていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしなから、従来で
は、いくらスプリングによってＬＳＩとスタッドの接触
を保証しても、結局は一点接触にしかすぎず、また放熱
ブロックとスタッドが直接接触している部分が殆どない
ため、熱伝導性に劣るという問題があった。
は、いくらスプリングによってＬＳＩとスタッドの接触
を保証しても、結局は一点接触にしかすぎず、また放熱
ブロックとスタッドが直接接触している部分が殆どない
ため、熱伝導性に劣るという問題があった。
【０００６】従って、本発明は、ＬＳＩと伝導部材間の
熱伝導を、または放熱ブロックと伝導部材間の熱伝導を
向上させることを目的とするものである。
熱伝導を、または放熱ブロックと伝導部材間の熱伝導を
向上させることを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的は、基板１上に
実装された集積回路素子２と当接し、弾性支持された伝
導部材７を有する放熱ブロック４と、該放熱ブロック４
と接触し、その内部に冷媒が流動する冷媒通路８を有す
るコールドプレート３とからなる冷却構造において、前
記伝導部材７は、円柱状のスタッド７ａと、該スタッド
７ａを弾性的に支持するベローズ７ｆと、該スタッド７
ａおよび該ベローズ７ｆをその内部に有する円筒状のパ
イプ７ｂと、該パイプ７ｂを弾性的に支持するベローズ
７ｅと、から構成されたことを特徴とする冷却構造、
実装された集積回路素子２と当接し、弾性支持された伝
導部材７を有する放熱ブロック４と、該放熱ブロック４
と接触し、その内部に冷媒が流動する冷媒通路８を有す
るコールドプレート３とからなる冷却構造において、前
記伝導部材７は、円柱状のスタッド７ａと、該スタッド
７ａを弾性的に支持するベローズ７ｆと、該スタッド７
ａおよび該ベローズ７ｆをその内部に有する円筒状のパ
イプ７ｂと、該パイプ７ｂを弾性的に支持するベローズ
７ｅと、から構成されたことを特徴とする冷却構造、
【
０００８】または、基板１上に実装された集積回路素子
２と当接し、弾性支持された伝導部材１２を有する放熱
ブロック４と、該放熱ブロック４と接触し、その内部に
冷媒が流動する冷媒通路８を有するコールドプレート３
とからなる冷却構造において、対向することで１つに形
成される前記伝導部材１２ａ，１２ｂと、分割された分
割伝導部材１２ａ，１２ｂの対向面に、該分割伝導部材
１２ａ，１２ｂを外側方向に向かって付勢する弾性部材
１２ｃを設けたことを特徴とする冷却構造、
０００８】または、基板１上に実装された集積回路素子
２と当接し、弾性支持された伝導部材１２を有する放熱
ブロック４と、該放熱ブロック４と接触し、その内部に
冷媒が流動する冷媒通路８を有するコールドプレート３
とからなる冷却構造において、対向することで１つに形
成される前記伝導部材１２ａ，１２ｂと、分割された分
割伝導部材１２ａ，１２ｂの対向面に、該分割伝導部材
１２ａ，１２ｂを外側方向に向かって付勢する弾性部材
１２ｃを設けたことを特徴とする冷却構造、
【０００９
】または、基板１上に実装された集積回路素子２と当接
し、弾性支持された伝導部材１４ａを有する放熱ブロッ
ク４と、該放熱ブロック４と接触し、その内部に冷媒が
流動する冷媒通路８を有するコールドプレート３とから
なる冷却構造において、その外面の任意の部分に凹部１
４ｃを有する前記伝導部材１４ａと、該凹部１４ｃ内に
内接され、該伝導部材１４ａの凹部形成面との反対の面
を放熱ブロック４に接触させるよう外側方向に付勢する
弾性体１４ｄと、から構成されたことを特徴とする冷却
構造、
】または、基板１上に実装された集積回路素子２と当接
し、弾性支持された伝導部材１４ａを有する放熱ブロッ
ク４と、該放熱ブロック４と接触し、その内部に冷媒が
流動する冷媒通路８を有するコールドプレート３とから
なる冷却構造において、その外面の任意の部分に凹部１
４ｃを有する前記伝導部材１４ａと、該凹部１４ｃ内に
内接され、該伝導部材１４ａの凹部形成面との反対の面
を放熱ブロック４に接触させるよう外側方向に付勢する
弾性体１４ｄと、から構成されたことを特徴とする冷却
構造、
【００１０】または、基板１上に実装された集積回路素
子２と当接し、弾性支持された伝導部材１５を有する放
熱ブロック４と、該放熱ブロック４と接触し、その内部
に冷媒が流動する冷媒通路８を有するコールドプレート
３とからなる冷却構造において、前記伝導部材１５の弾
性支持面の所定の傾斜をもってスライスし、該スライス
された面に該傾斜面を滑動して該伝導部材１５を偏心支
持すると共に、弾性支持された補助伝導部材１６を設け
たことを特徴とする冷却構造、によって達成することが
できる。
子２と当接し、弾性支持された伝導部材１５を有する放
熱ブロック４と、該放熱ブロック４と接触し、その内部
に冷媒が流動する冷媒通路８を有するコールドプレート
３とからなる冷却構造において、前記伝導部材１５の弾
性支持面の所定の傾斜をもってスライスし、該スライス
された面に該傾斜面を滑動して該伝導部材１５を偏心支
持すると共に、弾性支持された補助伝導部材１６を設け
たことを特徴とする冷却構造、によって達成することが
できる。
【００１１】
【作用】即ち、本発明においては、伝導部材を長手方向
の分割型とすることで、当該伝導部材とＬＳＩとの間の
接触を多点接触とすることができ、また、伝導部材内に
伝導部材を放熱ブロックの方向へと付勢してなる弾性材
を設けることにより、放熱ブロックに伝導部材を直接接
触することができる。
の分割型とすることで、当該伝導部材とＬＳＩとの間の
接触を多点接触とすることができ、また、伝導部材内に
伝導部材を放熱ブロックの方向へと付勢してなる弾性材
を設けることにより、放熱ブロックに伝導部材を直接接
触することができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の望ましい実施例について図１
乃至図１４を用いて詳細に説明する。
乃至図１４を用いて詳細に説明する。
【００１３】図１は本発明の第１の実施例を示す図であ
り、図２はスタッド分解図であり、図３は熱伝導状態を
示す図であり、図４は本発明の第２の実施例を示す図で
あり、図５はスタッド分解図（その１）であり、図６は
スタッド分解図（その２）であり、図７は熱伝導状態を
示す図（その１）であり、図８は熱伝導状態を示す図（
その２）であり、図９は本発明の第３の実施例を示す図
であり、図１０はスタッド分解図（その１）であり、図
１１はスタッド分解図（その２）であり、図１２は熱伝
導状態を示す図であり、図１３は本発明の第４の実施例
を示す図であり、図１４は熱伝導状態を示す図である。
り、図２はスタッド分解図であり、図３は熱伝導状態を
示す図であり、図４は本発明の第２の実施例を示す図で
あり、図５はスタッド分解図（その１）であり、図６は
スタッド分解図（その２）であり、図７は熱伝導状態を
示す図（その１）であり、図８は熱伝導状態を示す図（
その２）であり、図９は本発明の第３の実施例を示す図
であり、図１０はスタッド分解図（その１）であり、図
１１はスタッド分解図（その２）であり、図１２は熱伝
導状態を示す図であり、図１３は本発明の第４の実施例
を示す図であり、図１４は熱伝導状態を示す図である。
【００１４】図１乃至図１４において、１は基板，２は
ＬＳＩ，３はコールドプレート，４は放熱ブロック，４
ａは凹部，５はフランジ，６はシール材，７はスタッド
，７ａと７ｂはパイプ，７ｃはスタッド，７ｄ〜７ｆは
ベローズ，８は冷媒通路，９ａと９ｂはカプラ，１０は
ボルト，１１はバンプ，１２は伝導部材，１２ａと１２
ｂと１２ｉと１２ｊは分割スタッド，１２ｃはバネ，１
２ｄと１２ｅはバネ取付穴，１２ｆはミゾ，１２ｇは板
バネ，１２ｈネジ，１３はスプリング，１４ａと１４ｂ
はスタッド，１４ｃミゾ，１４ｄは板バネ，１４ｅはネ
ジ，１４ｆは凹部，１４ｇはバネ，１４ｈはボール，１
４ｉはネジ穴，１５ａ〜１５ｄはスタッド，１６ａと１
６ｂはサブスタッド，１７はボールをそれぞれ示す。
ＬＳＩ，３はコールドプレート，４は放熱ブロック，４
ａは凹部，５はフランジ，６はシール材，７はスタッド
，７ａと７ｂはパイプ，７ｃはスタッド，７ｄ〜７ｆは
ベローズ，８は冷媒通路，９ａと９ｂはカプラ，１０は
ボルト，１１はバンプ，１２は伝導部材，１２ａと１２
ｂと１２ｉと１２ｊは分割スタッド，１２ｃはバネ，１
２ｄと１２ｅはバネ取付穴，１２ｆはミゾ，１２ｇは板
バネ，１２ｈネジ，１３はスプリング，１４ａと１４ｂ
はスタッド，１４ｃミゾ，１４ｄは板バネ，１４ｅはネ
ジ，１４ｆは凹部，１４ｇはバネ，１４ｈはボール，１
４ｉはネジ穴，１５ａ〜１５ｄはスタッド，１６ａと１
６ｂはサブスタッド，１７はボールをそれぞれ示す。
【００１５】尚，図１乃至図１４において同一符号を付
したものは同一対象物をそれぞれ示すものである。
したものは同一対象物をそれぞれ示すものである。
【００１６】まず、第１の実施例について図１乃至図３
を用いて詳細に説明する。図１に示すように、ＬＳＩ２
が搭載された基板１に対してフランジ５を介し熱伝導性
に優れた部材によりなる放熱ブロック４を取り付ける。 基板１と放熱ブロック４の間のシール性を高めるために
その接合点にはシール材６を設けている。一方、放熱ブ
ロック４の背面には内部に冷媒が流動する冷媒通路８を
有するコールドプレート３が接触される。
を用いて詳細に説明する。図１に示すように、ＬＳＩ２
が搭載された基板１に対してフランジ５を介し熱伝導性
に優れた部材によりなる放熱ブロック４を取り付ける。 基板１と放熱ブロック４の間のシール性を高めるために
その接合点にはシール材６を設けている。一方、放熱ブ
ロック４の背面には内部に冷媒が流動する冷媒通路８を
有するコールドプレート３が接触される。
【００１７】一方、放熱ブロック４には、ＬＳＩ実装位
置に対応して凹部４ａが形成され，その凹部４ａ内に図
２に示すスタッド７が形成される。このスタッド７は、
その中心に位置する円柱状のスタッド７ａに対して、そ
の回りを覆う円筒状のパイプ７ｂおよびその円筒状のパ
イプ７ｂをも覆ってしまう同じく円筒状のパイプ７ｃを
設け、それらスタッド７ａおよび２つのパイプ７ｂ，７
ｃにはベローズ７ｄ〜７ｆの弾性体が取り付けられる。 尚、上記凹部４ａの奥側は取付時の問題から階段状とす
ることが望ましい。
置に対応して凹部４ａが形成され，その凹部４ａ内に図
２に示すスタッド７が形成される。このスタッド７は、
その中心に位置する円柱状のスタッド７ａに対して、そ
の回りを覆う円筒状のパイプ７ｂおよびその円筒状のパ
イプ７ｂをも覆ってしまう同じく円筒状のパイプ７ｃを
設け、それらスタッド７ａおよび２つのパイプ７ｂ，７
ｃにはベローズ７ｄ〜７ｆの弾性体が取り付けられる。 尚、上記凹部４ａの奥側は取付時の問題から階段状とす
ることが望ましい。
【００１８】図３は第１の実施例における熱伝導状態を
示す図であり、基板上に実装されるＬＳＩの実装高さに
バンプの接合状態でバラツキが発生した場合を示してい
る。ＬＳＩの放熱面に接触するスタッドは本実施例にお
いては、ＬＳＩの放熱面に凹凸がない以上、スタッドを
構成するスタッド７ｃと２つのパイプ７ａ，７ｂによっ
て必ず三点接触（図示■〜■）が保証される。本例にお
いて放熱ブロックの凹部の径とスタッドの径との距離に
充分余裕があれば１つの点接触と２つの円形の線接触を
得ることができ、ＬＳＩからスタッドへの熱伝導率を向
上することができる。
示す図であり、基板上に実装されるＬＳＩの実装高さに
バンプの接合状態でバラツキが発生した場合を示してい
る。ＬＳＩの放熱面に接触するスタッドは本実施例にお
いては、ＬＳＩの放熱面に凹凸がない以上、スタッドを
構成するスタッド７ｃと２つのパイプ７ａ，７ｂによっ
て必ず三点接触（図示■〜■）が保証される。本例にお
いて放熱ブロックの凹部の径とスタッドの径との距離に
充分余裕があれば１つの点接触と２つの円形の線接触を
得ることができ、ＬＳＩからスタッドへの熱伝導率を向
上することができる。
【００１９】次に第２の実施例について図４乃至図８を
用いて詳細に説明する。図４に示すように、ＬＳＩ２が
搭載された基板１に対してフランジ５を介し熱伝導性に
優れた部材によりなる放熱ブロック４を取り付ける。基
板１と放熱ブロック４の間のシール性を高めるためにそ
の接合点にはシール材６を設けている。一方、放熱ブロ
ック４の背面には内部に冷媒が流動する冷媒通路８を有
するコールドプレート３が接触される。
用いて詳細に説明する。図４に示すように、ＬＳＩ２が
搭載された基板１に対してフランジ５を介し熱伝導性に
優れた部材によりなる放熱ブロック４を取り付ける。基
板１と放熱ブロック４の間のシール性を高めるためにそ
の接合点にはシール材６を設けている。一方、放熱ブロ
ック４の背面には内部に冷媒が流動する冷媒通路８を有
するコールドプレート３が接触される。
【００２０】一方、放熱ブロック４には、ＬＳＩ実装位
置に対応して凹部４ａが形成され，その凹部４ａ内に図
５に示すスタッド１２が形成される。このスタッド１２
は長手方向に二等分され、その分割された分割スタッド
１２ａ，１２ｂにはそれぞれ２ヵ所にバネ取付穴１２ｄ
が形成される。そしてそのバネ取付穴１２ｄには図示上
下方向に付勢するバネ１２ｃが取り付けられる。
置に対応して凹部４ａが形成され，その凹部４ａ内に図
５に示すスタッド１２が形成される。このスタッド１２
は長手方向に二等分され、その分割された分割スタッド
１２ａ，１２ｂにはそれぞれ２ヵ所にバネ取付穴１２ｄ
が形成される。そしてそのバネ取付穴１２ｄには図示上
下方向に付勢するバネ１２ｃが取り付けられる。
【００２１】また図６には、分割スタッドの変形例を示
すもので、上記と同様に長手方向に二分割された分割ス
タッド１２ｉ，１２ｊの一方の分割スタッド１２ｊに、
長手方向にミゾ１２ｆを形成し、その中心部分にはネジ
穴が穿孔されている。そして、このミゾ１２ｆに側面視
Ｖ型のバネ性を有する板バネ１２ｇをネジ１２ｈによっ
て締結される。この板バネ１２ｇは図示上下方向に付勢
するバネ性を有している。
すもので、上記と同様に長手方向に二分割された分割ス
タッド１２ｉ，１２ｊの一方の分割スタッド１２ｊに、
長手方向にミゾ１２ｆを形成し、その中心部分にはネジ
穴が穿孔されている。そして、このミゾ１２ｆに側面視
Ｖ型のバネ性を有する板バネ１２ｇをネジ１２ｈによっ
て締結される。この板バネ１２ｇは図示上下方向に付勢
するバネ性を有している。
【００２２】このようなスタッド１２は放熱ブロック４
にスプリング１３によって取り付けられ、基板１上に実
装されたＬＳＩ２の高さ方向のバラツキを調節するよう
になっている。
にスプリング１３によって取り付けられ、基板１上に実
装されたＬＳＩ２の高さ方向のバラツキを調節するよう
になっている。
【００２３】図７及び図８は第２の実施例における熱伝
導状態を示す図であり、図７はその側面視図である。図
７において、基板１上に実装されたＬＳＩ２に対し、そ
の放熱面にスタッド１２を接触させる。このＬＳＩ２と
スタッド１２の接触点はａにて示すように二点接触を実
現することができると共に、分割スタッド１２ａ，１２
ｂの中に設けたバネ１２ｃによって放熱ブロック４とは
長手方向にｂとｃに示すように線接触を行うことができ
る（図８の上面図参照）。尚、分割スタッド１２ｉと１
２ｊの場合においてもバネ１２ｃが板バネ１２ｇに代わ
るだけで、作用・効果は同様である。従って、本例では
ＬＳＩ２とスタッド１２の熱伝導率を向上すると共に、
スタッド１２と放熱ブロック４との熱伝導率をも向上す
ることができる。
導状態を示す図であり、図７はその側面視図である。図
７において、基板１上に実装されたＬＳＩ２に対し、そ
の放熱面にスタッド１２を接触させる。このＬＳＩ２と
スタッド１２の接触点はａにて示すように二点接触を実
現することができると共に、分割スタッド１２ａ，１２
ｂの中に設けたバネ１２ｃによって放熱ブロック４とは
長手方向にｂとｃに示すように線接触を行うことができ
る（図８の上面図参照）。尚、分割スタッド１２ｉと１
２ｊの場合においてもバネ１２ｃが板バネ１２ｇに代わ
るだけで、作用・効果は同様である。従って、本例では
ＬＳＩ２とスタッド１２の熱伝導率を向上すると共に、
スタッド１２と放熱ブロック４との熱伝導率をも向上す
ることができる。
【００２４】次に第３の実施例について図９乃至図１２
を用いて詳細に説明する。図９に示すように、ＬＳＩ２
が搭載された基板１に対してフランジ５を介し熱伝導性
に優れた部材によりなる放熱ブロック４を取り付ける。 基板１と放熱ブロック４の間のシール性を高めるために
その接合点にはシール材６を設けている。一方、放熱ブ
ロック４の背面には内部に冷媒が流動する冷媒通路８を
有するコールドプレート３が接触される。
を用いて詳細に説明する。図９に示すように、ＬＳＩ２
が搭載された基板１に対してフランジ５を介し熱伝導性
に優れた部材によりなる放熱ブロック４を取り付ける。 基板１と放熱ブロック４の間のシール性を高めるために
その接合点にはシール材６を設けている。一方、放熱ブ
ロック４の背面には内部に冷媒が流動する冷媒通路８を
有するコールドプレート３が接触される。
【００２５】一方、放熱ブロック４には、ＬＳＩ実装位
置に対応して凹部４ａが形成され，その凹部４ａ内に図
１０に示すスタッド１４ａが形成される。このスタッド
１４ａは長手方向に所定長を有するミゾ１４ｃが形成さ
れ、そのミゾ１４ｃ内にネジ穴１４ｉが穿孔される。こ
のネジ穴１４ｉにはネジ１４ｅによって板バネ１４ｄが
締結される。この板バネ１４ｄは図示上方向に付勢する
バネ性を有している。
置に対応して凹部４ａが形成され，その凹部４ａ内に図
１０に示すスタッド１４ａが形成される。このスタッド
１４ａは長手方向に所定長を有するミゾ１４ｃが形成さ
れ、そのミゾ１４ｃ内にネジ穴１４ｉが穿孔される。こ
のネジ穴１４ｉにはネジ１４ｅによって板バネ１４ｄが
締結される。この板バネ１４ｄは図示上方向に付勢する
バネ性を有している。
【００２６】また図１１には、スタッドの変形例を示す
もので、スタッド１４ｂには任意の部分に凹部１４ｆが
形成され、その凹部１４ｆ内に図示上下方向に付勢して
なるバネ１４ｇが内接される。そのバネ１４ｇの先端に
はボール１４ｈが取り付けられている。
もので、スタッド１４ｂには任意の部分に凹部１４ｆが
形成され、その凹部１４ｆ内に図示上下方向に付勢して
なるバネ１４ｇが内接される。そのバネ１４ｇの先端に
はボール１４ｈが取り付けられている。
【００２７】このようなスタッド１４ａ，１４ｂは放熱
ブロック４にスプリング１３によって取り付けられ、基
板１上に実装されたＬＳＩ２の高さ方向のバラツキを調
節するようになっている。
ブロック４にスプリング１３によって取り付けられ、基
板１上に実装されたＬＳＩ２の高さ方向のバラツキを調
節するようになっている。
【００２８】図１２は第３の実施例における熱伝導状態
を示す図であり、図１２において基板１上に実装された
ＬＳＩ２の放熱面にスタッド１４ａを当接される。この
時、スリッド１４ａ内に設けられた板バネ１４ｄによっ
て板バネ１４ｄと反する面が放熱ブロックとｄに示すよ
うに線接触を得ることができる。尚、放熱ブロック４に
板バネ１４ｄが接する部分についても熱伝導を行うこと
ができる。従って、本例においてはスタッド１４ａと放
熱ブロック４巻の熱伝導を向上することができる。尚、
スリッド１４ｂの場合においても板バネ１４ｄがボール
１４ｈに代わるだけで、作用・効果はスタッド１４ａと
同様である。
を示す図であり、図１２において基板１上に実装された
ＬＳＩ２の放熱面にスタッド１４ａを当接される。この
時、スリッド１４ａ内に設けられた板バネ１４ｄによっ
て板バネ１４ｄと反する面が放熱ブロックとｄに示すよ
うに線接触を得ることができる。尚、放熱ブロック４に
板バネ１４ｄが接する部分についても熱伝導を行うこと
ができる。従って、本例においてはスタッド１４ａと放
熱ブロック４巻の熱伝導を向上することができる。尚、
スリッド１４ｂの場合においても板バネ１４ｄがボール
１４ｈに代わるだけで、作用・効果はスタッド１４ａと
同様である。
【００２９】最後に第４の実施例について図１３および
図１４を用いて詳細に説明する。図１３に示すように、
ＬＳＩ２が搭載された基板１に対してフランジ５を介し
熱伝導性に優れた部材によりなる放熱ブロック４を取り
付ける。基板１と放熱ブロック４の間のシール性を高め
るためにその接合点にはシール材６を設けている。一方
、放熱ブロック４の背面には内部に冷媒が流動する冷媒
通路８を有するコールドプレート３が接触される。
図１４を用いて詳細に説明する。図１３に示すように、
ＬＳＩ２が搭載された基板１に対してフランジ５を介し
熱伝導性に優れた部材によりなる放熱ブロック４を取り
付ける。基板１と放熱ブロック４の間のシール性を高め
るためにその接合点にはシール材６を設けている。一方
、放熱ブロック４の背面には内部に冷媒が流動する冷媒
通路８を有するコールドプレート３が接触される。
【００３０】一方、放熱ブロック４には、ＬＳＩ実装位
置に対応して凹部４ａが形成され，その凹部４ａ内にス
タッドが形成されるが、このスタッド１４ａは所定角度
をもって斜め方向にスライスされており、そのスライス
された面にはボール１７が設けられ、そのボール１７に
ＬＳＩ２の実装のバラツキを調節するスプリング１３が
設けられている。スタッド１５ｂのスライス面に当接す
る部分の他の例として、そのスライスされた面には表面
がＲ曲面となったサブスタッド１６ｂを設ける。更にス
タッド１５ｃ，１５ｄのスライス面に当接する部分の他
の例として、そのスライスされた面には上記所定角度と
同様の角度を対向面に有するサブスタッド１６ａを設け
る。これらサブスタッド１６ａ，１６ｂにはＬＳＩ２の
実装上のバラツキを調節するスプリング１３が取り付け
られている。
置に対応して凹部４ａが形成され，その凹部４ａ内にス
タッドが形成されるが、このスタッド１４ａは所定角度
をもって斜め方向にスライスされており、そのスライス
された面にはボール１７が設けられ、そのボール１７に
ＬＳＩ２の実装のバラツキを調節するスプリング１３が
設けられている。スタッド１５ｂのスライス面に当接す
る部分の他の例として、そのスライスされた面には表面
がＲ曲面となったサブスタッド１６ｂを設ける。更にス
タッド１５ｃ，１５ｄのスライス面に当接する部分の他
の例として、そのスライスされた面には上記所定角度と
同様の角度を対向面に有するサブスタッド１６ａを設け
る。これらサブスタッド１６ａ，１６ｂにはＬＳＩ２の
実装上のバラツキを調節するスプリング１３が取り付け
られている。
【００３１】図１４に第４の実施例における熱伝導状態
を示す図であり、基板１上に実装されたＬＳＩ２に対し
てスライス面を有するスタッド１５ｃを当接させる。そ
して、このスライス面にはサブスタット１６ｂが当接す
るが、この時スプリング１３の付勢及びサブスタッド１
６ｂの自重により、基板方向と基板と平行な方向にその
力が働く。すると、サブスタッド１６ｂは放熱ブロック
４に線接触すると共に、スタッド１５ｃのサブスタッド
側先端部分が放熱ブロック４に線接触することとなる。 放熱ブロック４とスタッドとの間にある程度の余裕があ
るのであればスタッド１５ｃのＬＳＩ側先端部分も放熱
ブロック４に線接触することとなる。このことはボール
１７の場合も、先端にＲ曲面を有するサブスタッド１６
ａの場合もその作用・効果は同様である（但し、ボール
１７を用いた場合は放熱ブロック４との接触は点接触に
なるが）。従って、本例においてはスタッド１５ａ〜１
５ｄと放熱ブロック４との熱伝導率を向上することがで
きる。
を示す図であり、基板１上に実装されたＬＳＩ２に対し
てスライス面を有するスタッド１５ｃを当接させる。そ
して、このスライス面にはサブスタット１６ｂが当接す
るが、この時スプリング１３の付勢及びサブスタッド１
６ｂの自重により、基板方向と基板と平行な方向にその
力が働く。すると、サブスタッド１６ｂは放熱ブロック
４に線接触すると共に、スタッド１５ｃのサブスタッド
側先端部分が放熱ブロック４に線接触することとなる。 放熱ブロック４とスタッドとの間にある程度の余裕があ
るのであればスタッド１５ｃのＬＳＩ側先端部分も放熱
ブロック４に線接触することとなる。このことはボール
１７の場合も、先端にＲ曲面を有するサブスタッド１６
ａの場合もその作用・効果は同様である（但し、ボール
１７を用いた場合は放熱ブロック４との接触は点接触に
なるが）。従って、本例においてはスタッド１５ａ〜１
５ｄと放熱ブロック４との熱伝導率を向上することがで
きる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ス
タッドとＬＳＩ間の、スタッドと放熱ブロックとの熱伝
導率を向上することができることから、冷却能力を向上
することができる。
タッドとＬＳＩ間の、スタッドと放熱ブロックとの熱伝
導率を向上することができることから、冷却能力を向上
することができる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す図である。
【図２】スタッド分解図である。
【図３】熱伝導状態を示す図である。
【図４】本発明の第２の実施例を示す図である。
【図５】スタッド分解図である（その１）。
【図６】スタッド分解図である（その２）。
【図７】熱伝導状態を示す図である（その１）。
【図８】熱伝導状態を示す図である（その２）。
【図９】本発明の第３の実施例を示す図である。
【図１０】スタッド分解図である（その１）。
【図１１】スタッド分解図である（その２）。
【図１２】熱伝導状態を示す図である。
【図１３】本発明の第４の実施例を示す図である。
【図１４】熱伝導状態を示す図である。
【図１５】従来例を示す図である。
１：基板
２：ＬＳＩ（集積回路素子） ３：コールドプレート ４
：放熱ブロック７，１２，１４ａ，１４ｂ，１５：スタ
ッド（伝導部材） ７ａ，７ｂ：パイプ
７ｅ，７ｆ：ベローズ ８：冷媒通路
１２ｃ：バネ（弾性部材） １４ｃ：ミゾ（凹部） １
４ｄ：板バネ（弾性体）
２：ＬＳＩ（集積回路素子） ３：コールドプレート ４
：放熱ブロック７，１２，１４ａ，１４ｂ，１５：スタ
ッド（伝導部材） ７ａ，７ｂ：パイプ
７ｅ，７ｆ：ベローズ ８：冷媒通路
１２ｃ：バネ（弾性部材） １４ｃ：ミゾ（凹部） １
４ｄ：板バネ（弾性体）
Claims (4)
- 【請求項１】 基板（１）上に実装された集積回路素
子（２）と当接し、弾性支持された伝導部材（７）を有
する放熱ブロック（４）と、該放熱ブロック（４）と接
触し、その内部に冷媒が流動する冷媒通路（８）を有す
るコールドプレート（３）とからなる冷却構造において
、前記伝導部材（７）は、円柱状のスタッド（７ａ）と
、該スタッド（７ａ）を弾性的に支持するベローズ（７
ｆ）と、該スタッド（７ａ）および該ベローズ（７ｆ）
をその内部に有する円筒状のパイプ（７ｂ）と、該パイ
プ（７ｂ）を弾性的に支持するベローズ（７ｅ）と、か
ら構成されたことを特徴とする冷却構造。 - 【請求項２】 基板（１）上に実装された集積回路素
子（２）と当接し、弾性支持された伝導部材（１２）を
有する放熱ブロック（４）と、該放熱ブロック（４）と
接触し、その内部に冷媒が流動する冷媒通路（８）を有
するコールドプレート（３）とからなる冷却構造におい
て、対向することで１つに形成される前記伝導部材（１
２ａ，１２ｂ，１２ｉ，１２ｊ）と、分割された分割伝
導部材（１２ａ，１２ｂ）の対向面に、該分割伝導部材
（１２ａ，１２ｂ）を外側方向に向かって付勢する弾性
部材（１２ｃ）を設けたことを特徴とする冷却構造。 - 【請求項３】 基板（１）上に実装された集積回路素
子（２）と当接し、弾性支持された伝導部材（１４ａ）
を有する放熱ブロック（４）と、該放熱ブロック（４）
と接触し、その内部に冷媒が流動する冷媒通路（８）を
有するコールドプレート（３）とからなる冷却構造にお
いて、その外面の任意の部分に凹部（１４ｃ）を有する
前記伝導部材（１４ａ）と、該凹部（１４ｃ）内に内接
され、該伝導部材（１４ａ）の凹部形成面との反対の面
を放熱ブロック（４）に接触させるよう外側方向に付勢
する弾性体（１４ｄ）と、から構成されたことを特徴と
する冷却構造。 - 【請求項４】 基板（１）上に実装された集積回路素
子（２）と当接し、弾性支持された伝導部材（１５）を
有する放熱ブロック（４）と、該放熱ブロック（４）と
接触し、その内部に冷媒が流動する冷媒通路（８）を有
するコールドプレート（３）とからなる冷却構造におい
て、前記伝導部材（１５）の弾性支持面の所定の傾斜を
もってスライスし、該スライスされた面に該傾斜面を滑
動して該伝導部材（１５）を偏心支持すると共に、弾性
支持された補助伝導部材（１６）を設けたことを特徴と
する冷却構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2415321A JPH04230060A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 冷却構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2415321A JPH04230060A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 冷却構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04230060A true JPH04230060A (ja) | 1992-08-19 |
Family
ID=18523696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2415321A Withdrawn JPH04230060A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 冷却構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04230060A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150140671A (ko) | 2013-04-09 | 2015-12-16 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 다층구조체 |
| US11177192B2 (en) * | 2018-09-27 | 2021-11-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device including heat dissipation structure and fabricating method of the same |
-
1990
- 1990-12-27 JP JP2415321A patent/JPH04230060A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150140671A (ko) | 2013-04-09 | 2015-12-16 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 다층구조체 |
| US11177192B2 (en) * | 2018-09-27 | 2021-11-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device including heat dissipation structure and fabricating method of the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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