JPH04233224A - 半導体ウエハ上のタングステン層をエッチングバックする方法 - Google Patents

半導体ウエハ上のタングステン層をエッチングバックする方法

Info

Publication number
JPH04233224A
JPH04233224A JP3184827A JP18482791A JPH04233224A JP H04233224 A JPH04233224 A JP H04233224A JP 3184827 A JP3184827 A JP 3184827A JP 18482791 A JP18482791 A JP 18482791A JP H04233224 A JPH04233224 A JP H04233224A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tungsten layer
polishing
etching back
tungsten
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP3184827A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH07105360B2 (ja
Inventor
Trung T Doan
トラング・トリ・ドーン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Micron Technology Inc
Original Assignee
Micron Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Micron Technology Inc filed Critical Micron Technology Inc
Publication of JPH04233224A publication Critical patent/JPH04233224A/ja
Publication of JPH07105360B2 publication Critical patent/JPH07105360B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F3/00—Brightening metals by chemical means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/32—Alkaline compositions
    • C23F1/38—Alkaline compositions for etching refractory metals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P52/40—Chemomechanical polishing [CMP]
    • H10P52/403—Chemomechanical polishing [CMP] of conductive or resistive materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般に半導体ウエハ上
のタングステン層のエッチングバックに関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路は、基板中の領域をパターニン
グし且つ基板上の層をパターニングすることによって化
学的且つ物理的に集積されてシリコンウエハのような基
板となる。これらの領域及び層は、導電体及び抵抗体の
製造用に導電性でありうる。それらは、同様に、種々の
導電性タイプからなりうる。これは、トランジスター及
びダイオードの製造に必須である。
【０００３】堆積した導電体は全ての集積回路の集積部
分であり、電流を流すための表面配線の役割を与えられ
ている。特に、堆積した導電体を使用して、ウエハの表
面に形成される種々の構成部分を共に結び付ける。ウエ
ハ内に形成される電子装置は、金属のような導電性ラン
ナーと接触しなければならない活性領域を含む。通常、
絶縁材料の層をウエハの頂上に施し選択的にマスキング
してコンタクトオープニングパターンを与える。層をそ
の後にエッチングして絶縁層の上面から下にウエハ中へ
コンタクトオープニングを与え、所定の活性領域との電
気的接触を得る。
【０００４】ある種の金属及び合金は、ウエハの表面に
施したときにコンタクトオープニングにおいて最大限の
望ましい被覆量を与えない。これを、図１を引用して示
す。この図は、中に形成された１組のコンタクトオープ
ニング１２、１４を備えたウエハ基板１０の概略的な断
面図である。金属層１６が基板１０に施されている。示
されているように、層１６は、オープニング１２及び１
４内に不十分で不完全な適用範囲を与えている。通常こ
のような不十分な被覆量を与える金属の例としては、ア
ルミニウム、又は珪素及び／若しくは銅とアルミニウム
との合金がある。
【０００５】接触バイアス内に良好な被覆量を与える金
属の１つにタングステンがある。図２は、ウエハ１０の
頂上に施されたタングステン層１８を示す。示されてい
るように、完全な被覆量がコンタクトオープニング１２
及び１４内にある。しかしながら、タングステンはアル
ミニウムほど導電性ではない。従って、タングステンオ
ープニングは通常研磨するか又はエッチングして、図３
において示されているように、新らしい上面層を基板の
上面を与える。アルミニウム層をその後に（ここでは示
されていないが）ウエハ１０の頂上に施すことができ、
その後に、選択的にエッチングして望ましい連続通路（
ｒｕｎｓ）を得ることができる。
【０００６】図４は、タングステンのエッチングバック
（ｅｔｃｈｉｎｇ　　ｂａｃｋ）、すなわち、周囲のウ
エハに対して選択的ではあるがオープニングにおいてオ
ーバーエッチングであるようなエッチに関する１つの問
題を示す。これは、後に施しうるアルミニウム又はアル
ミニウム合金の層のオープニング内に不十分な被覆量し
か備えていない可能性がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】半導体ウエハ上のタン
グステン層をエッチングバックするような改善された方
法の開発の必要性がある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】改善された研磨作業によ
って半導体ウエハ上のタングステン層を奥にエッチング
する方法及びそのような方法に使用する溶液を説明する
。その方法は、磨くべきウエハを予選択した温度で研磨
液に暴露することからなる。研磨液は、ウエハ上のタン
グステンを酸化させて酸化タングステンとするような酸
化剤を含む。ウエハを機械的に研磨して、ウエハから酸
化タングステンを取り除いて研磨液中に移す。研磨液は
、同様に、ＫＯＨ及びＮＨ４ＯＨからなる群又はそれら
の混合物からなる選択した溶解成分からなる。ウエハか
ら取り除かれた酸化タングステンは、溶液中の溶解成分
によって大体において溶解する。
【０００９】最も好適な酸化成分はＨ２Ｏ２からなる。 ＫＯＨ、ＮＨ４ＯＨ及びＨ２Ｏ２は、ウエハ上のＳｉＯ
２又はＳｉ３Ｏ４に関して非反応性である。これは、通
常、エッチングされるタングステン層の下層材料の組成
である。 Ｈ２Ｏ２はタングステンを容易に酸化させて、ＷＯ３形
態の酸化タングステンにする。ＷＯ３はＫＯＨと反応し
て、Ｋ２ＷＯ４（タングステン酸カリウム）を形成する
。 これは、水に容易に溶解する。ＷＯ３は、ＮＨ４ＯＨと
反応して、（ＮＨ４）２ＷＯ４（タングステン酸アンモ
ニウム）を形成する。これは、同様に、水に容易に溶解
する。
【００１０】Ｈ２Ｏ２は優れた酸化剤である。Ｈ２Ｏ２
中のタングステンの酸化速度は、反応温度によって制御
する。温度が高い程、酸化速度が速くなる。本発明の方
法においては、反応温度は、機械的な研磨速度更には研
磨機内のプラテン（ｐｌａｔｅｎ）の温度の両方によっ
て制御する。このような研磨に好適な温度範囲は約３８
〜９３℃（約１００°〜２００°Ｆ）、最も好適な範囲
は６６〜８２℃（１５０〜１８０°Ｆ）である。
【００１１】本発明に従って研磨を実施するのに好適な
方法は、最初に、プラナー化装置（ｐｌａｎａｒｉｚｉ
ｎｇ　　ａｐｐａｒａｔｕｓ）内に水溶液として溶解成
分を与えることからなる。研磨の間中、選択した供給速
度で、Ｈ２Ｏ２を含む溶液の流れをプラナー化装置に供
給する。混合研磨液は、大体において選択した速度でプ
ラナー化装置から回収する。好適な供給及び回収速度は
、約７５〜３００ｍｌ／ｍｉｎである。好適な供給溶液
は、３０容量％のＨ２Ｏ２水溶液である。溶解成分又は
コンパウンドの好適な濃度は、４５容量％の水溶液であ
る。
【００１２】
【実施例】１ミクロンの厚さのタングステン層を含むウ
エハを、Ｗｅｓｔｅｃｈ型Ｎｏ．３７２（Ｐｈｏｅｎｉ
ｘ，Ａｒｉｚｏｎａ）プラナー化装置を使用してエッチ
ングした。４５％ＫＯＨ水溶液１リットルを型Ｎｏ．３
７２プラナー化装置内内においた。研磨の間、Ｈ２Ｏ２
を７５ｍｌ／ｍｉｎの速度で供給し、作業の間プラナー
化装置から研磨液を約７５ｍｌ／ｍｉｎの速度で回収し
た。プラテンの温度は６６℃（１５０°Ｆ）に保持した
。プラテンの回転速度は１００ｒｐｍであり、ウエハの
速度は反対方向に向かって３０ｒｐｍであった。このよ
うな化学的且つ機械的な研磨を２分間実施してタングス
テン層を取り除いて、図３に示されるような平坦で均一
な構造を与える。
【００１３】上述のタングステンの研磨作業及び溶液は
、半導体ウエハからのタングステン層のより速く且つ高
制御可能な除去を可能とする。
【００１４】規則に従って、本発明は構造的及び方法的
な特徴に関して言い回しの点で多少明確に詳述している
。しかしながら、本発明は示され且つ詳述された明確な
特徴に限定されない。ここで詳述した手段及び構成は、
本発明を実施するのに好適な態様からなる。それ故、本
発明は、添付した特許請求の範囲の均等論に従って適切
に解釈される適切な範囲内においてはいずれの形態又は
改変でもその範囲に含む。
【図面の簡単な説明】
【図１】　　半導体ウエハの概略的な断面図であり、前
の「従来の技術」欄において詳述されている。
【図２】　　半導体ウエハの概略的な断面図であり、前
の「従来の技術」欄において詳述されている。
【図３】　　半導体ウエハの概略的な断面図であり、前
の「従来の技術」欄において詳述されている。
【図４】　　半導体ウエハの概略的な断面図であり、前
の「従来の技術」欄において詳述されている。
【符号の説明】
１０　　ウエハ １２　　コンタクトオープニング １４　　コンタクトオープニング １６　　金属層 １８　　タングステン層

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　研磨作業によって半導体ウエハ上のタ
    ングステン層をエッチングバックする方法であって：研
    磨すべきウエハを選択した温度で研磨液に暴露し、該研
    磨液はウエハ上のタングステンを酸化して酸化タングス
    テンとするような酸化成分を含むものであり；機械的に
    酸化タングステンを研磨してウエハから取り除いて研磨
    液中に移し；そして、研磨液は、同様に、ＫＯＨ及びＮ
    Ｈ４ＯＨからなる群又はそれらの混合物から選択した溶
    解成分を含むものであり、該酸化タングステンは溶液中
    の溶解成分によって大体において溶解するものである；
    前記方法。
  2. 【請求項２】　　予選択した温度は約３８〜９３℃（約
    １００〜２００°Ｆ）である、請求項１に記載のタング
    ステン層をエッチングバックする方法。
  3. 【請求項３】　　予選択した温度は約６６〜８２℃（約
    １５０〜１８０°Ｆ）である、請求項２に記載のタング
    ステン層をエッチングバックする方法。
  4. 【請求項４】　　酸化成分はＨ２Ｏ２からなる、請求項
    １に記載のタングステン層をエッチングバックする方法
    。
  5. 【請求項５】　　予選択した温度は約３８〜９３℃（約
    １００〜２００°Ｆ）である、請求項４に記載のタング
    ステン層をエッチングバックする方法。
  6. 【請求項６】　　予選択した温度は約６６〜８２℃（約
    １５０〜１８０°Ｆ）である、請求項５に記載のタング
    ステン層をエッチングバックする方法。
  7. 【請求項７】　　プラナー化装置内に溶解成分を含む水
    溶液を与え；選択した速度で酸化成分を含む溶液の流れ
    をプラナー化装置に供給し；そして、大体において選択
    した速度で研磨の間中プラナー化装置から研磨液を回収
    する；工程を更に含む、請求項１に記載のタングステン
    層をエッチングバックする方法。
  8. 【請求項８】　　選択した速度は約７５〜３００ｍｌ／
    ｍｉｎである、請求項７に記載のタングステン層をエッ
    チングバックする方法。
  9. 【請求項９】　　酸化成分はＨ２Ｏ２からなる、請求項
    ７に記載のタングステン層をエッチングバックする方法
    。
  10. 【請求項１０】　　酸化成分はＨ２Ｏ２からなり、且つ
    、選択した速度は約７５〜３００ｍｌ／ｍｉｎである、
    請求項７に記載のタングステン層をエッチングバックす
    る方法。
  11. 【請求項１１】　　予選択した温度は約３８〜９３℃（
    約１００〜２００°Ｆ）であり：且つ、プラナー化装置
    に溶解成分を含む水溶液を与え；選択した速度で酸化成
    分の溶液の流れをプラナー化装置に供給し；そして、大
    体において選択した速度で研磨の間中プラナー化装置か
    ら研磨液を回収する；工程を更に含む、請求項１に記載
    のタングステン層をエッチングバックする方法。
  12. 【請求項１２】　　選択した速度は約７５〜３００ｍｌ
    ／ｍｉｎである、請求項１１に記載のタングステン層を
    エッチングバックする方法。
  13. 【請求項１３】　　酸化成分はＨ２Ｏ２からなり、且つ
    、プラナー化装置内に溶解成分を含む水溶液を与え；選
    択した速度で酸化成分を含む溶液の流れをプラナー化装
    置に供給し；そして、大体において選択した速度で研磨
    の間中研磨液をプラナー化装置から回収する；工程を更
    に含む、請求項１に記載のタングステン層をエッチング
    バックする方法。
  14. 【請求項１４】　　選択した速度は約７５〜３００ｍｌ
    ／ｍｉｎである、請求項１３に記載のタングステン層を
    エッチングバックする方法。
  15. 【請求項１５】　　酸化成分はＨ２Ｏ２からなり；予選
    択した温度は約３８〜９３℃（約１００〜２００°Ｆ）
    であり：プラナー化装置に溶解成分を含む水溶液をプラ
    ナー化装置内に与え；選択した速度で酸化成分を含む溶
    液の流れをプラナー化装置に供給し；そして、大体にお
    いて選択した速度で研磨の間中プラナー化装置から研磨
    液を回収する；工程を更に含む、請求項１に記載のタン
    グステン層をエッチングバックする方法。
  16. 【請求項１６】　　選択した速度は約７５〜３００ｍｌ
    ／ｍｉｎである、請求項１５に記載のタングステン層を
    エッチングバックする方法。
  17. 【請求項１７】　　半導体ウエハ上のタングステン層を
    研磨する研磨液であって：ウエハ上のタングステンを酸
    化して酸化タングステンとしうる酸化成分；及びＫＯＨ
    及びＮＨ４ＯＨからなる群又はそれらの混合物から選択
    したコンパウンド；からなる前記研磨液。
  18. 【請求項１８】　　酸化成分はＨ２Ｏ２からなる、請求
    項１７に記載の研磨液。
  19. 【請求項１９】　　コンパウンドは約４５容量％の水溶
    液として与える、請求項１７に記載の研磨液。
  20. 【請求項２０】　　酸化成分を約３０容量％の水溶液と
    して与えるＨ２Ｏ２からなる、請求項１７に記載の研磨
    液。
  21. 【請求項２１】　　コンパウンドを約４５容量％の水溶
    液として与える、請求項２０に記載の研磨液。
JP3184827A 1990-07-24 1991-07-24 半導体ウエハ上のタングステン層をエッチングバックする方法 Expired - Fee Related JPH07105360B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/557,672 US4992135A (en) 1990-07-24 1990-07-24 Method of etching back of tungsten layers on semiconductor wafers, and solution therefore
US557672 1990-07-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04233224A true JPH04233224A (ja) 1992-08-21
JPH07105360B2 JPH07105360B2 (ja) 1995-11-13

Family

ID=24226419

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3184827A Expired - Fee Related JPH07105360B2 (ja) 1990-07-24 1991-07-24 半導体ウエハ上のタングステン層をエッチングバックする方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4992135A (ja)
JP (1) JPH07105360B2 (ja)
DE (1) DE4124411C2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5786275A (en) * 1996-06-04 1998-07-28 Nec Corporation Process of fabricating wiring structure having metal plug twice polished under different conditions
US6361708B1 (en) 1997-05-14 2002-03-26 Nec Corporation Method and apparatus for polishing a metal film
JP2014053456A (ja) * 2012-09-07 2014-03-20 Toshiba Corp エッチング方法、エッチング装置および薬液

Families Citing this family (93)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9105943D0 (en) * 1991-03-20 1991-05-08 Philips Nv A method of manufacturing a semiconductor device
JP3216104B2 (ja) * 1991-05-29 2001-10-09 ソニー株式会社 メタルプラグ形成方法及び配線形成方法
US5196353A (en) * 1992-01-03 1993-03-23 Micron Technology, Inc. Method for controlling a semiconductor (CMP) process by measuring a surface temperature and developing a thermal image of the wafer
US5244534A (en) * 1992-01-24 1993-09-14 Micron Technology, Inc. Two-step chemical mechanical polishing process for producing flush and protruding tungsten plugs
US5308438A (en) * 1992-01-30 1994-05-03 International Business Machines Corporation Endpoint detection apparatus and method for chemical/mechanical polishing
US5262354A (en) * 1992-02-26 1993-11-16 International Business Machines Corporation Refractory metal capped low resistivity metal conductor lines and vias
US5300813A (en) * 1992-02-26 1994-04-05 International Business Machines Corporation Refractory metal capped low resistivity metal conductor lines and vias
US5314843A (en) * 1992-03-27 1994-05-24 Micron Technology, Inc. Integrated circuit polishing method
US5209816A (en) * 1992-06-04 1993-05-11 Micron Technology, Inc. Method of chemical mechanical polishing aluminum containing metal layers and slurry for chemical mechanical polishing
US5612254A (en) * 1992-06-29 1997-03-18 Intel Corporation Methods of forming an interconnect on a semiconductor substrate
US5739579A (en) * 1992-06-29 1998-04-14 Intel Corporation Method for forming interconnections for semiconductor fabrication and semiconductor device having such interconnections
US5540810A (en) * 1992-12-11 1996-07-30 Micron Technology Inc. IC mechanical planarization process incorporating two slurry compositions for faster material removal times
US5300155A (en) * 1992-12-23 1994-04-05 Micron Semiconductor, Inc. IC chemical mechanical planarization process incorporating slurry temperature control
EP0606758B1 (en) * 1992-12-30 2000-09-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of producing an SOI transistor DRAM
US5607718A (en) * 1993-03-26 1997-03-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Polishing method and polishing apparatus
KR0166404B1 (ko) * 1993-03-26 1999-02-01 사토 후미오 연마방법 및 연마장치
US5271798A (en) * 1993-03-29 1993-12-21 Micron Technology, Inc. Method for selective removal of a material from a wafer's alignment marks
US5604158A (en) * 1993-03-31 1997-02-18 Intel Corporation Integrated tungsten/tungsten silicide plug process
US5391258A (en) * 1993-05-26 1995-02-21 Rodel, Inc. Compositions and methods for polishing
US5891352A (en) * 1993-09-16 1999-04-06 Luxtron Corporation Optical techniques of measuring endpoint during the processing of material layers in an optically hostile environment
US5395801A (en) * 1993-09-29 1995-03-07 Micron Semiconductor, Inc. Chemical-mechanical polishing processes of planarizing insulating layers
US5938504A (en) * 1993-11-16 1999-08-17 Applied Materials, Inc. Substrate polishing apparatus
US5582534A (en) * 1993-12-27 1996-12-10 Applied Materials, Inc. Orbital chemical mechanical polishing apparatus and method
US5643053A (en) * 1993-12-27 1997-07-01 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus with improved polishing control
US5650039A (en) * 1994-03-02 1997-07-22 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus with improved slurry distribution
US6027997A (en) * 1994-03-04 2000-02-22 Motorola, Inc. Method for chemical mechanical polishing a semiconductor device using slurry
US5733175A (en) 1994-04-25 1998-03-31 Leach; Michael A. Polishing a workpiece using equal velocity at all points overlapping a polisher
JP3303544B2 (ja) * 1994-07-27 2002-07-22 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法および配線層表面研磨用のスラリーおよび配線層表面研磨用のスラリーの製造方法
US5607341A (en) 1994-08-08 1997-03-04 Leach; Michael A. Method and structure for polishing a wafer during manufacture of integrated circuits
US5527423A (en) * 1994-10-06 1996-06-18 Cabot Corporation Chemical mechanical polishing slurry for metal layers
AU4866496A (en) * 1995-02-24 1996-09-18 Intel Corporation Polysilicon polish for patterning improvement
US5527736A (en) * 1995-04-03 1996-06-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Dimple-free tungsten etching back process
US5559428A (en) * 1995-04-10 1996-09-24 International Business Machines Corporation In-situ monitoring of the change in thickness of films
US5660672A (en) * 1995-04-10 1997-08-26 International Business Machines Corporation In-situ monitoring of conductive films on semiconductor wafers
US5885899A (en) * 1995-11-14 1999-03-23 International Business Machines Corporation Method of chemically mechanically polishing an electronic component using a non-selective ammonium hydroxide slurry
US5670019A (en) * 1996-02-26 1997-09-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Removal process for tungsten etchback precipitates
WO1997033716A1 (en) * 1996-03-13 1997-09-18 Trustees Of The Stevens Institute Of Technology Tribochemical polishing of ceramics and metals
US5993686A (en) * 1996-06-06 1999-11-30 Cabot Corporation Fluoride additive containing chemical mechanical polishing slurry and method for use of same
JP3507628B2 (ja) * 1996-08-06 2004-03-15 昭和電工株式会社 化学的機械研磨用研磨組成物
US6210525B1 (en) * 1996-08-16 2001-04-03 Rodel Holdings, Inc. Apparatus and methods for chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers
US6033596A (en) * 1996-09-24 2000-03-07 Cabot Corporation Multi-oxidizer slurry for chemical mechanical polishing
US5783489A (en) * 1996-09-24 1998-07-21 Cabot Corporation Multi-oxidizer slurry for chemical mechanical polishing
US6039891A (en) 1996-09-24 2000-03-21 Cabot Corporation Multi-oxidizer precursor for chemical mechanical polishing
US5972792A (en) * 1996-10-18 1999-10-26 Micron Technology, Inc. Method for chemical-mechanical planarization of a substrate on a fixed-abrasive polishing pad
US5958288A (en) * 1996-11-26 1999-09-28 Cabot Corporation Composition and slurry useful for metal CMP
US6068787A (en) * 1996-11-26 2000-05-30 Cabot Corporation Composition and slurry useful for metal CMP
US6001269A (en) * 1997-05-20 1999-12-14 Rodel, Inc. Method for polishing a composite comprising an insulator, a metal, and titanium
US5934980A (en) * 1997-06-09 1999-08-10 Micron Technology, Inc. Method of chemical mechanical polishing
US6083419A (en) * 1997-07-28 2000-07-04 Cabot Corporation Polishing composition including an inhibitor of tungsten etching
AT410043B (de) * 1997-09-30 2003-01-27 Sez Ag Verfahren zum planarisieren von halbleitersubstraten
US6294105B1 (en) 1997-12-23 2001-09-25 International Business Machines Corporation Chemical mechanical polishing slurry and method for polishing metal/oxide layers
US6220934B1 (en) 1998-07-23 2001-04-24 Micron Technology, Inc. Method for controlling pH during planarization and cleaning of microelectronic substrates
JP2000091278A (ja) 1998-09-10 2000-03-31 Nec Corp 半導体装置の製造方法
US6221775B1 (en) 1998-09-24 2001-04-24 International Business Machines Corp. Combined chemical mechanical polishing and reactive ion etching process
US6206756B1 (en) 1998-11-10 2001-03-27 Micron Technology, Inc. Tungsten chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a tungsten layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad
US6276996B1 (en) 1998-11-10 2001-08-21 Micron Technology, Inc. Copper chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a copper layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad
JP3652145B2 (ja) * 1998-11-17 2005-05-25 茂徳科技股▲フン▼有限公司 プラグの腐蝕を防止する内部配線の製造方法
US6083840A (en) * 1998-11-25 2000-07-04 Arch Specialty Chemicals, Inc. Slurry compositions and method for the chemical-mechanical polishing of copper and copper alloys
US6375693B1 (en) 1999-05-07 2002-04-23 International Business Machines Corporation Chemical-mechanical planarization of barriers or liners for copper metallurgy
WO2001034877A1 (en) * 1999-11-10 2001-05-17 Memc Electronic Materials, Inc. Alkaline etching solution and process for etching semiconductor wafers
US6841470B2 (en) * 1999-12-31 2005-01-11 Intel Corporation Removal of residue from a substrate
EP1218144A1 (en) 2000-01-18 2002-07-03 Rodel Holdings, Inc. Dissolution of metal particles produced by polishing
US6368886B1 (en) 2000-09-15 2002-04-09 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Method of recovering encapsulated die
US6896776B2 (en) * 2000-12-18 2005-05-24 Applied Materials Inc. Method and apparatus for electro-chemical processing
US6383065B1 (en) 2001-01-22 2002-05-07 Cabot Microelectronics Corporation Catalytic reactive pad for metal CMP
US7232514B2 (en) * 2001-03-14 2007-06-19 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US7128825B2 (en) 2001-03-14 2006-10-31 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US7582564B2 (en) * 2001-03-14 2009-09-01 Applied Materials, Inc. Process and composition for conductive material removal by electrochemical mechanical polishing
US7323416B2 (en) * 2001-03-14 2008-01-29 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US6811680B2 (en) 2001-03-14 2004-11-02 Applied Materials Inc. Planarization of substrates using electrochemical mechanical polishing
US20060169597A1 (en) * 2001-03-14 2006-08-03 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US6899804B2 (en) * 2001-04-10 2005-05-31 Applied Materials, Inc. Electrolyte composition and treatment for electrolytic chemical mechanical polishing
US7160432B2 (en) * 2001-03-14 2007-01-09 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US20070295611A1 (en) * 2001-12-21 2007-12-27 Liu Feng Q Method and composition for polishing a substrate
US7390429B2 (en) * 2003-06-06 2008-06-24 Applied Materials, Inc. Method and composition for electrochemical mechanical polishing processing
US20050092620A1 (en) * 2003-10-01 2005-05-05 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for polishing a substrate
US20060021974A1 (en) * 2004-01-29 2006-02-02 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US7390744B2 (en) * 2004-01-29 2008-06-24 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US7084064B2 (en) * 2004-09-14 2006-08-01 Applied Materials, Inc. Full sequence metal and barrier layer electrochemical mechanical processing
WO2006081589A2 (en) * 2005-01-28 2006-08-03 Applied Materials, Inc. Tungsten electroprocessing
US20060169674A1 (en) * 2005-01-28 2006-08-03 Daxin Mao Method and composition for polishing a substrate
US20060219663A1 (en) * 2005-03-31 2006-10-05 Applied Materials, Inc. Metal CMP process on one or more polishing stations using slurries with oxidizers
US20060249394A1 (en) * 2005-05-05 2006-11-09 Applied Materials, Inc. Process and composition for electrochemical mechanical polishing
US20060249395A1 (en) * 2005-05-05 2006-11-09 Applied Material, Inc. Process and composition for electrochemical mechanical polishing
US20070151866A1 (en) * 2006-01-05 2007-07-05 Applied Materials, Inc. Substrate polishing with surface pretreatment
US20070254485A1 (en) * 2006-04-28 2007-11-01 Daxin Mao Abrasive composition for electrochemical mechanical polishing
US7799689B2 (en) * 2006-11-17 2010-09-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Method and apparatus for chemical mechanical polishing including first and second polishing
DE102006062015B4 (de) * 2006-12-29 2012-04-26 Advanced Micro Devices, Inc. Verfahren zum Testen einer Materialschicht in einer Halbleiterstruktur auf Unversehrtheit
US7981698B2 (en) * 2007-03-09 2011-07-19 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Removal of integrated circuits from packages
CN102586792A (zh) * 2012-03-09 2012-07-18 株洲硬质合金集团有限公司 常温下钨材表面氧化物的处理方法及装置
US8883020B2 (en) 2013-01-30 2014-11-11 GlobalFoundries, Inc. Achieving greater planarity between upper surfaces of a layer and a conductive structure residing therein
KR20190104902A (ko) * 2018-03-02 2019-09-11 마이크로머티어리얼즈 엘엘씨 금속 산화물들을 제거하기 위한 방법들
TWI877406B (zh) * 2020-09-25 2025-03-21 日商福吉米股份有限公司 化學機械研磨漿料、化學機械研磨組合物、用於研磨表面的方法、及緩衝金屬氧化物鹽的方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01231348A (ja) * 1988-03-11 1989-09-14 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPH02109332A (ja) * 1988-10-19 1990-04-23 Canon Inc 半導体基板の製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3798060A (en) * 1971-10-28 1974-03-19 Westinghouse Electric Corp Methods for fabricating ceramic circuit boards with conductive through holes
DE2909985C3 (de) * 1979-03-14 1981-10-22 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Glas-Verbundwerkstoffs und Verwendung eines solchen Verbundwerkstoffes
JPH0682660B2 (ja) * 1987-08-17 1994-10-19 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン 導電性スタツドを形成する方法
US4956313A (en) * 1987-08-17 1990-09-11 International Business Machines Corporation Via-filling and planarization technique
JPH02146732A (ja) * 1988-07-28 1990-06-05 Fujitsu Ltd 研摩液及び研摩方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01231348A (ja) * 1988-03-11 1989-09-14 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPH02109332A (ja) * 1988-10-19 1990-04-23 Canon Inc 半導体基板の製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5786275A (en) * 1996-06-04 1998-07-28 Nec Corporation Process of fabricating wiring structure having metal plug twice polished under different conditions
US6361708B1 (en) 1997-05-14 2002-03-26 Nec Corporation Method and apparatus for polishing a metal film
JP2014053456A (ja) * 2012-09-07 2014-03-20 Toshiba Corp エッチング方法、エッチング装置および薬液

Also Published As

Publication number Publication date
DE4124411C2 (de) 2000-11-30
JPH07105360B2 (ja) 1995-11-13
DE4124411A1 (de) 1992-01-30
US4992135A (en) 1991-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH04233224A (ja) 半導体ウエハ上のタングステン層をエッチングバックする方法
TW523556B (en) Process for etching thin-film layers of a workpiece used to form microelectronic circuits or components
KR100188365B1 (ko) 연마제 및 그것을 이용한 연마방법
US7138073B2 (en) Slurry for chemical mechanical polishing for copper and method of manufacturing semiconductor device using the slurry
US6346144B1 (en) Chemical-mechanical polishing slurry
KR100907767B1 (ko) 반도체 집적 회로 장치의 양산 방법 및 전자 디바이스의제조 방법
KR100869044B1 (ko) 구리 및 텅스텐을 포함하는 반도체 장치 도전성 구조체들의폴리싱에 있어서 고정 연마제 폴리싱 패드들과 함께사용하기 위한 슬러리 및 폴리싱 방법들
EP0747939B1 (en) Copper-based metal polishing solution and method for manufacturing a semiconductor device
US6750128B2 (en) Methods of polishing, interconnect-fabrication, and producing semiconductor devices
US7179753B2 (en) Process for planarizing substrates of semiconductor technology
KR20000029148A (ko) 금속물의 화학적-기계적 평탄화 방법
KR19980041804A (ko) 반도체장치의 제조방법 및 연마장치
JP2003505859A (ja) スピンエッチ平坦化のための組成物及び方法
JPH09199455A (ja) ポリッシング方法、半導体装置の製造方法及び半導体製造装置。
JP2002506294A5 (ja)
JP2000164541A (ja) 化学的機械的に平坦化された電気デバイスの製法
JPH0955363A (ja) 銅系金属用研磨液および半導体装置の製造方法
JPH07233485A (ja) 銅系金属用研磨液および半導体装置の製造方法
JP2025519414A (ja) 非等温湿式原子層エッチングの方法
US6372111B1 (en) Method and apparatus for reclaiming a metal from a CMP process for use in an electroplating process
JP2001244265A (ja) 半導体装置の製造方法
US6362103B1 (en) Method and apparatus for rejuvenating a CMP chemical solution
JP2002305198A (ja) 電子デバイスの製造方法
US20060261041A1 (en) Method for manufacturing metal line contact plug of semiconductor device
JP3353831B2 (ja) Ｃｍｐスラリー、研摩方法及びｃｍｐツール

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19980512

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071113

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081113

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091113

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091113

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101113

Year of fee payment: 15

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees