JPH04236780A - 光ｃｖｄによる皮膜形成方法 - Google Patents
光ｃｖｄによる皮膜形成方法Info
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- JPH04236780A JPH04236780A JP346091A JP346091A JPH04236780A JP H04236780 A JPH04236780 A JP H04236780A JP 346091 A JP346091 A JP 346091A JP 346091 A JP346091 A JP 346091A JP H04236780 A JPH04236780 A JP H04236780A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ＣＶＤによる皮膜形成
方法に関する。
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ＣＶＤは、光エネルギーを利用してガ
ス材料に化学反応を起こし、基板上に薄膜を形成させる
手法である。その中でも、材料分子を光励起して分解さ
せる方法が代表的なものであって、光子一個を吸収させ
て分解させるため、エネルギーの大きい紫外光が必要で
ある。そのほか、赤外光によって分子を振動励起した効
果を利用する方法や、基板をレーザ加熱して熱分解を起
こさせる方法もある。
ス材料に化学反応を起こし、基板上に薄膜を形成させる
手法である。その中でも、材料分子を光励起して分解さ
せる方法が代表的なものであって、光子一個を吸収させ
て分解させるため、エネルギーの大きい紫外光が必要で
ある。そのほか、赤外光によって分子を振動励起した効
果を利用する方法や、基板をレーザ加熱して熱分解を起
こさせる方法もある。
【０００３】光ＣＶＤの装置としては、従来から例えば
図３に示すようなものが用いられている。図３において
反応室１０はロータリポンプ２４により排気され真空が
保たれており、反応室１０の中央にはヒータ１２を埋め
込んだホルダ１６に基板１８が取り付けられ、この基板
１８の上には原料ガス供給管２８から原料ガスが供給さ
れる。また、基板１８に対向する面には石英ガラス等か
らなる光透過窓４２が取り付けられ、低圧水銀灯等の強
力な紫外光を発光する光源４４からこの光透過窓４２を
通して基板１８上に光エネルギーが導入される。さらに
、この光透過窓４２には原料ガスが分解したものが堆積
して光透過窓４２が曇り、光の透過率を低下させるので
、光透過窓４２の内側にパージガス供給管４８が取り付
けられ内側から不活性ガス等のパージガスが吹きつけら
れる構造になっている。
図３に示すようなものが用いられている。図３において
反応室１０はロータリポンプ２４により排気され真空が
保たれており、反応室１０の中央にはヒータ１２を埋め
込んだホルダ１６に基板１８が取り付けられ、この基板
１８の上には原料ガス供給管２８から原料ガスが供給さ
れる。また、基板１８に対向する面には石英ガラス等か
らなる光透過窓４２が取り付けられ、低圧水銀灯等の強
力な紫外光を発光する光源４４からこの光透過窓４２を
通して基板１８上に光エネルギーが導入される。さらに
、この光透過窓４２には原料ガスが分解したものが堆積
して光透過窓４２が曇り、光の透過率を低下させるので
、光透過窓４２の内側にパージガス供給管４８が取り付
けられ内側から不活性ガス等のパージガスが吹きつけら
れる構造になっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
光ＣＶＤの従来装置においては、光透過窓の内面に不活
性ガス等のパージガスを吹きつけることによって、光透
過窓内面近傍への原料ガスの供給を抑止し、光透過窓の
曇りはかなり防止されるものの、ガス導入時のバルブ操
作の際に、瞬間的に原料ガスとパージガスの間に圧力変
動が生じ、原料ガスの一部が光透過窓内面に流れて、光
透過窓の曇りを完全に防止することはできない。
光ＣＶＤの従来装置においては、光透過窓の内面に不活
性ガス等のパージガスを吹きつけることによって、光透
過窓内面近傍への原料ガスの供給を抑止し、光透過窓の
曇りはかなり防止されるものの、ガス導入時のバルブ操
作の際に、瞬間的に原料ガスとパージガスの間に圧力変
動が生じ、原料ガスの一部が光透過窓内面に流れて、光
透過窓の曇りを完全に防止することはできない。
【０００５】そのため、光透過窓の洗浄あるいは交換の
ために成膜作業をしばしば中断する必要があり、長時間
の連続成膜が不可能であって、皮膜生成作業の中断によ
り皮膜に界面が生ずるとともに、光透過窓の交換に費用
を要するという問題点があった。
ために成膜作業をしばしば中断する必要があり、長時間
の連続成膜が不可能であって、皮膜生成作業の中断によ
り皮膜に界面が生ずるとともに、光透過窓の交換に費用
を要するという問題点があった。
【０００６】本発明は従来の光ＣＶＤ装置を用いて皮膜
を形成する場合に、原料ガスの分解生成物が光透過窓に
堆積し、光透過窓の曇りにより透過光量が減衰するとい
う問題点を解決するためになされたものであって、光導
入窓である光透過窓の内面に薄膜生成物の堆積すること
を防止し、光透過窓の洗浄、交換を不要とすることによ
り、長時間の連続成膜を可能とし、界面の無い厚膜を形
成することができる光ＣＶＤによる皮膜形成方法を提供
することを目的とする。
を形成する場合に、原料ガスの分解生成物が光透過窓に
堆積し、光透過窓の曇りにより透過光量が減衰するとい
う問題点を解決するためになされたものであって、光導
入窓である光透過窓の内面に薄膜生成物の堆積すること
を防止し、光透過窓の洗浄、交換を不要とすることによ
り、長時間の連続成膜を可能とし、界面の無い厚膜を形
成することができる光ＣＶＤによる皮膜形成方法を提供
することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】発明者等は従来の光ＣＶ
Ｄ法において、光透過窓の内面に薄膜生成物が堆積され
るのは、光透過窓近傍に原料ガスが侵入することにその
原因があることに鑑み、光透過窓近傍への原料ガスの侵
入を完全に防止する方法について、鋭意研究を重ねた。 その結果、反応室の光透過窓側に光透過室を設けるとと
もに、光透過室内のパージガスの圧力を反応室内の原料
ガスの圧力よりも高く保てば、光透過窓近傍への原料ガ
スの侵入を完全に防止することができることを見出して
本発明を完成した。
Ｄ法において、光透過窓の内面に薄膜生成物が堆積され
るのは、光透過窓近傍に原料ガスが侵入することにその
原因があることに鑑み、光透過窓近傍への原料ガスの侵
入を完全に防止する方法について、鋭意研究を重ねた。 その結果、反応室の光透過窓側に光透過室を設けるとと
もに、光透過室内のパージガスの圧力を反応室内の原料
ガスの圧力よりも高く保てば、光透過窓近傍への原料ガ
スの侵入を完全に防止することができることを見出して
本発明を完成した。
【０００８】本発明の光ＣＶＤによる薄膜形成方法は、
パージガス供給口４８とパージガス排出口５４を有し容
量がＶ２の光透過室３８と原料ガス供給口２６と原料ガ
ス排出口２０とを有し容量がＶ１の反応室１０とをゲー
トバルブ４０によって仕切り、前記光透過室３８にパー
ジガスをガス圧Ｐ２で満たし、前記反応室１０に原料ガ
スをガス圧Ｐ１で満たし、Ｐ１＜Ｐ２とした後、（ｖ１
／Ｖ１）＜（ｖ２／Ｖ２）なる関係を満足するように流
速ｖ１で前記原料ガスを流速ｖ２で前記パージガスを供
給しながら前記パージガス排出口５４を閉じるとともに
前記ゲートバルブ４０を開き、前記光透過室３８に設け
た光透過窓４２を介して光エネルギーを照射することに
より、前記反応室１０内に設置した基板１８に皮膜を形
成させることを要旨とする。
パージガス供給口４８とパージガス排出口５４を有し容
量がＶ２の光透過室３８と原料ガス供給口２６と原料ガ
ス排出口２０とを有し容量がＶ１の反応室１０とをゲー
トバルブ４０によって仕切り、前記光透過室３８にパー
ジガスをガス圧Ｐ２で満たし、前記反応室１０に原料ガ
スをガス圧Ｐ１で満たし、Ｐ１＜Ｐ２とした後、（ｖ１
／Ｖ１）＜（ｖ２／Ｖ２）なる関係を満足するように流
速ｖ１で前記原料ガスを流速ｖ２で前記パージガスを供
給しながら前記パージガス排出口５４を閉じるとともに
前記ゲートバルブ４０を開き、前記光透過室３８に設け
た光透過窓４２を介して光エネルギーを照射することに
より、前記反応室１０内に設置した基板１８に皮膜を形
成させることを要旨とする。
【０００９】
【作用】本発明の作用を図１に示す本発明方法で用いら
れる光ＣＶＤ装置の概略図に基づいて説明する。最初は
Ｖ１ｃｍ３の容量の反応室１０とＶ２ｃｍ３の容量の光
透過室３８とはゲートバルブ４０によって仕切られてい
る。 次いで、反応室１０には原料ガス供給口２６からｖ１ｃ
ｍ３／ｍｉｎの流速で原料ガスを供給し、原料ガス排出
口２０からロータリポンプ２４によって排気するととも
に、光透過室３８にはパージガス供給口４６からｖ２ｃ
ｍ３／ｍｉｎの流速でパージガスを供給し、パージガス
排出口５４からロータリポンプ６０によって排気する。
れる光ＣＶＤ装置の概略図に基づいて説明する。最初は
Ｖ１ｃｍ３の容量の反応室１０とＶ２ｃｍ３の容量の光
透過室３８とはゲートバルブ４０によって仕切られてい
る。 次いで、反応室１０には原料ガス供給口２６からｖ１ｃ
ｍ３／ｍｉｎの流速で原料ガスを供給し、原料ガス排出
口２０からロータリポンプ２４によって排気するととも
に、光透過室３８にはパージガス供給口４６からｖ２ｃ
ｍ３／ｍｉｎの流速でパージガスを供給し、パージガス
排出口５４からロータリポンプ６０によって排気する。
【００１０】この時ゲートバルブ４０は依然として閉じ
られているので、原料ガスが光透過窓４２の近傍に供給
されることはない。また、反応室１０の原料ガスのモル
数をｎ１モル、光透過室３８のパージガスのモル数をｎ
２モルとすると、 ｎ１∝ｖ１ ｎ２∝ｖ２ であるので、反応室１０の原料ガスの圧力Ｐ１および光
透過室３８のパージガスの圧力Ｐ２はそれぞれＰ１＝α
（ｖ１／Ｖ１）Ｔ α：比例係
数Ｐ２＝β（ｖ２／Ｖ２）Ｔ
β：比例係数となる。
られているので、原料ガスが光透過窓４２の近傍に供給
されることはない。また、反応室１０の原料ガスのモル
数をｎ１モル、光透過室３８のパージガスのモル数をｎ
２モルとすると、 ｎ１∝ｖ１ ｎ２∝ｖ２ であるので、反応室１０の原料ガスの圧力Ｐ１および光
透過室３８のパージガスの圧力Ｐ２はそれぞれＰ１＝α
（ｖ１／Ｖ１）Ｔ α：比例係
数Ｐ２＝β（ｖ２／Ｖ２）Ｔ
β：比例係数となる。
【００１１】ここで、Ｐ１＜Ｐ２の状態になるように原
料ガスおよびパージガスの流量を調整した後、バルブ５
０を閉じてパージガス排出口５４を閉じるとともにゲー
トバルブ４０を開く。そうすることによって、パージガ
スも反応室１０を通ってロータリポンプ２４により原料
ガスと一緒に排気される。従って、パージガスも原料ガ
スも同じロータリーポンプによって排気されるので、Ｐ
１およびＰ２の比例係数αとβは、α＝βとなる。故に
Ｐ１−Ｐ２＝α（ｖ１／Ｖ１−ｖ２／Ｖ２）Ｔ＜０とな
る条件、すなわち （ｖ１／Ｖ１）＜（ｖ２／Ｖ２）
となる関係を満足していれば、原料ガスは光透過窓４２
の方へ供給されることがない。
料ガスおよびパージガスの流量を調整した後、バルブ５
０を閉じてパージガス排出口５４を閉じるとともにゲー
トバルブ４０を開く。そうすることによって、パージガ
スも反応室１０を通ってロータリポンプ２４により原料
ガスと一緒に排気される。従って、パージガスも原料ガ
スも同じロータリーポンプによって排気されるので、Ｐ
１およびＰ２の比例係数αとβは、α＝βとなる。故に
Ｐ１−Ｐ２＝α（ｖ１／Ｖ１−ｖ２／Ｖ２）Ｔ＜０とな
る条件、すなわち （ｖ１／Ｖ１）＜（ｖ２／Ｖ２）
となる関係を満足していれば、原料ガスは光透過窓４２
の方へ供給されることがない。
【００１２】続いて、光透過室３８に設けた光透過窓４
２を介して光源４４から光エネルギーを照射すると、原
料ガスの分解により反応室１０内に設置した基板１８の
上に皮膜が形成されるが、光透過窓４２への原料ガスの
供給が完全に防止されているので、光透過窓４２が曇る
ことがなく、長時間の成膜作業が可能となる。
２を介して光源４４から光エネルギーを照射すると、原
料ガスの分解により反応室１０内に設置した基板１８の
上に皮膜が形成されるが、光透過窓４２への原料ガスの
供給が完全に防止されているので、光透過窓４２が曇る
ことがなく、長時間の成膜作業が可能となる。
【００１３】
【実施例】本発明の実施例を従来例と比較して説明し、
本発明の効果を明らかにする。図１は本発明に用いた光
ＣＶＤ装置の概略図である。反応室１０の中央にはヒー
タ１２および熱電対１４を埋め込んだホルダ１６が設置
され、このホルダ１６には基板１８が傾斜して固定され
ている。
本発明の効果を明らかにする。図１は本発明に用いた光
ＣＶＤ装置の概略図である。反応室１０の中央にはヒー
タ１２および熱電対１４を埋め込んだホルダ１６が設置
され、このホルダ１６には基板１８が傾斜して固定され
ている。
【００１４】ホルダ１６の下方の反応室１０の底面には
原料ガス排出口２０設けられており、この原料ガス排出
口２０に接続された原料ガス排気管２２に取り付けられ
たロータリーポンプ２４により、反応室１０内のガスが
排気され反応室１０は真空に保たれている。
原料ガス排出口２０設けられており、この原料ガス排出
口２０に接続された原料ガス排気管２２に取り付けられ
たロータリーポンプ２４により、反応室１０内のガスが
排気され反応室１０は真空に保たれている。
【００１５】また基板１８の上方に臨む反応室１０の天
井には原料ガス供給口２６が設けられており、この原料
ガス供給口２６に接続された原料供給管２８には、前後
に２つのバルブ３０・３０を有するリザーバ３２とマス
フローコントローラ３４とが取り付けられている。リザ
ーバ３２の中にはＣＶＤ用の原料３６が設置され、リザ
ーバ３２の減圧雰囲気により昇華されて昇華ガスとなる
。Ｈ２等のキャリャガスがマスフローコントローラ３４
により流量調整されてリザーバ３２に供給されるので、
キャリャガスが昇華ガスと混合し原料ガスとなって、原
料ガス供給口２６から反応室１０に供給される。
井には原料ガス供給口２６が設けられており、この原料
ガス供給口２６に接続された原料供給管２８には、前後
に２つのバルブ３０・３０を有するリザーバ３２とマス
フローコントローラ３４とが取り付けられている。リザ
ーバ３２の中にはＣＶＤ用の原料３６が設置され、リザ
ーバ３２の減圧雰囲気により昇華されて昇華ガスとなる
。Ｈ２等のキャリャガスがマスフローコントローラ３４
により流量調整されてリザーバ３２に供給されるので、
キャリャガスが昇華ガスと混合し原料ガスとなって、原
料ガス供給口２６から反応室１０に供給される。
【００１６】基板１８を側面から臨む反応室１０の側壁
には光透過室３８が設けられ、反応室１０との間に開閉
可能なゲートバルブ４０が取り付けられている。光透過
室３８の一番奥には光透過窓４２が取り付けられており
、この光透過窓４２の外側には紫外光を発光する光源４
４が置かれ、光透過窓４２を通して基板１８に向かって
紫外光を照射するようになっている。
には光透過室３８が設けられ、反応室１０との間に開閉
可能なゲートバルブ４０が取り付けられている。光透過
室３８の一番奥には光透過窓４２が取り付けられており
、この光透過窓４２の外側には紫外光を発光する光源４
４が置かれ、光透過窓４２を通して基板１８に向かって
紫外光を照射するようになっている。
【００１７】光透過室３８の光透過窓４２の近傍には光
透過窓４２に向けてパージガス供給口４６が開口してお
り、このバージガス供給口４６に接続するパージガス供
給管４８にはバルブ５０とマスフローコントローラ５２
とが取り付けられており、マスフローコントローラ５２
により流量調整されたＨ２等のバージガスが光透過窓４
２に向けて供給される。
透過窓４２に向けてパージガス供給口４６が開口してお
り、このバージガス供給口４６に接続するパージガス供
給管４８にはバルブ５０とマスフローコントローラ５２
とが取り付けられており、マスフローコントローラ５２
により流量調整されたＨ２等のバージガスが光透過窓４
２に向けて供給される。
【００１８】また、光透過室３８のゲートバルブ４０の
近傍にはパージガス排出口５４が設けられ、このパージ
ガス排出口５４に接続するパージガス排出管５６にはバ
ルブ５８とロータリーポンプ６０が取り付けられており
、光透過室３８内のパージガスが排気される。なお、６
２は反応室１０に取り付けられた圧力計、６４は光透過
室３８に取り付けられた圧力計である。
近傍にはパージガス排出口５４が設けられ、このパージ
ガス排出口５４に接続するパージガス排出管５６にはバ
ルブ５８とロータリーポンプ６０が取り付けられており
、光透過室３８内のパージガスが排気される。なお、６
２は反応室１０に取り付けられた圧力計、６４は光透過
室３８に取り付けられた圧力計である。
【００１９】本実施例装置を用いて本発明方法により光
ＣＶＤによる皮膜形成を行うには、ゲートバルブ４０を
閉じた状態で、容量Ｖ１の反応室１０へマスフローコン
トローラ３４によりｖ１に流量を制御した原料ガスを原
料ガス供給口２６から供給し、ロータリーポンプ２４に
より、反応室１０内のガスを排気する。一方、容量Ｖ２
の光透過室３８へマスフローコントローラ５２によりｖ
２に流量を制御したパージガスをパージガス供給口４６
から供給し、ロータリーポンプ６０により、パージガス
排出口５４から光透過室４２内のパージガスを排気する
。
ＣＶＤによる皮膜形成を行うには、ゲートバルブ４０を
閉じた状態で、容量Ｖ１の反応室１０へマスフローコン
トローラ３４によりｖ１に流量を制御した原料ガスを原
料ガス供給口２６から供給し、ロータリーポンプ２４に
より、反応室１０内のガスを排気する。一方、容量Ｖ２
の光透過室３８へマスフローコントローラ５２によりｖ
２に流量を制御したパージガスをパージガス供給口４６
から供給し、ロータリーポンプ６０により、パージガス
排出口５４から光透過室４２内のパージガスを排気する
。
【００２０】ここで、圧力計６２で示される反応室１０
の圧力Ｐ１よりも圧力計６４で示される光透過室３８の
圧力Ｐ２の方が高くなるように原料ガスの流量ｖ１およ
びパージガスの流量ｖ２を調整した後、バルブ５８を閉
じるとともに、ゲートバルブ４０を開放する。そうする
ことによって、パージガスも反応室１０を通ってロータ
リポンプ２４により原料ガスと一緒に排気される。従っ
て、Ｐ１およびＰ２の比例係数αとβは、α＝βとなる
。 故に Ｐ１−Ｐ２＝α（ｖ１／Ｖ１−ｖ２／Ｖ２）Ｔ＜０とな
る条件、すなわち （ｖ１／Ｖ１）＜（ｖ２／Ｖ２）
となる関係を満足することとなり、原料ガスは光透過窓
４２の方へ供給されることがない。
の圧力Ｐ１よりも圧力計６４で示される光透過室３８の
圧力Ｐ２の方が高くなるように原料ガスの流量ｖ１およ
びパージガスの流量ｖ２を調整した後、バルブ５８を閉
じるとともに、ゲートバルブ４０を開放する。そうする
ことによって、パージガスも反応室１０を通ってロータ
リポンプ２４により原料ガスと一緒に排気される。従っ
て、Ｐ１およびＰ２の比例係数αとβは、α＝βとなる
。 故に Ｐ１−Ｐ２＝α（ｖ１／Ｖ１−ｖ２／Ｖ２）Ｔ＜０とな
る条件、すなわち （ｖ１／Ｖ１）＜（ｖ２／Ｖ２）
となる関係を満足することとなり、原料ガスは光透過窓
４２の方へ供給されることがない。
【００２１】続いて、光透過室３８に設けた光透過窓４
２を通して光源４４から紫外光を基板１８に照射すると
、原料ガスの分解により反応室１０内に設置した基板１
８の上に皮膜が形成されるが、光透過窓４２への原料ガ
スの供給が完全に防止されているので、光透過窓４２が
曇ることがなく、長時間の成膜作業が可能となる。
２を通して光源４４から紫外光を基板１８に照射すると
、原料ガスの分解により反応室１０内に設置した基板１
８の上に皮膜が形成されるが、光透過窓４２への原料ガ
スの供給が完全に防止されているので、光透過窓４２が
曇ることがなく、長時間の成膜作業が可能となる。
【００２２】次に、本発明例として、反応室１０の容量
Ｖ１が５０００ｃｍ３、光透過室３８の内径５０ｍｍ、
長さ２００ｍｍで容量Ｖ２が５００ｃｍ３である装置を
用い、リザーバ３２に原料としてＷ（ＣＯ）６を設置し
、キャリャガスとしてＨ２を用い原料ガス流量ｖ１を５
０ｃｃ／ｍｉｎとし、パージガスとしてＨ２を用い流量
ｖ２を５０ｃｃ／ｍｉｎとして、前記の手順に従って１
時間の成膜作業を１０回繰り返して基板１８上にＷ膜を
形成した。
Ｖ１が５０００ｃｍ３、光透過室３８の内径５０ｍｍ、
長さ２００ｍｍで容量Ｖ２が５００ｃｍ３である装置を
用い、リザーバ３２に原料としてＷ（ＣＯ）６を設置し
、キャリャガスとしてＨ２を用い原料ガス流量ｖ１を５
０ｃｃ／ｍｉｎとし、パージガスとしてＨ２を用い流量
ｖ２を５０ｃｃ／ｍｉｎとして、前記の手順に従って１
時間の成膜作業を１０回繰り返して基板１８上にＷ膜を
形成した。
【００２３】なお、前記実施例におけるｖ１／Ｖ１＝０
．０１、ｖ２／Ｖ２＝０．１であって、（ｖ１／Ｖ１）
＜（ｖ２／Ｖ２）なる関係を満足するものである。比較
のために図３に示す従来装置を用い、従来例として同じ
原料ガスとパージガスを用いて、同様に１時間の成膜作
業を１０回繰り返して基板１８上にＷ膜を形成した。基
板１８上にＷ膜を形成した後に、本発明例と従来例の光
透過窓４２に堆積したＷ膜の膜圧を測定し、得られた結
果を図２にまとめて示した。
．０１、ｖ２／Ｖ２＝０．１であって、（ｖ１／Ｖ１）
＜（ｖ２／Ｖ２）なる関係を満足するものである。比較
のために図３に示す従来装置を用い、従来例として同じ
原料ガスとパージガスを用いて、同様に１時間の成膜作
業を１０回繰り返して基板１８上にＷ膜を形成した。基
板１８上にＷ膜を形成した後に、本発明例と従来例の光
透過窓４２に堆積したＷ膜の膜圧を測定し、得られた結
果を図２にまとめて示した。
【００２４】図２に示したように、従来法でＷ膜を形成
した場合に光透過窓のＷ膜厚は約１２００Åであったの
に対して、本発明法では光透過窓へのＷ膜の堆積が全く
認められず、本発明の効果が確認された。
した場合に光透過窓のＷ膜厚は約１２００Åであったの
に対して、本発明法では光透過窓へのＷ膜の堆積が全く
認められず、本発明の効果が確認された。
【００２５】
【発明の効果】本発明の光ＣＶＤ法による皮膜形成方法
は以上詳述したように、反応室の光透過窓側にゲートバ
ルブで仕切られた光透過室を設け、反応室の原料ガス圧
力よりも光透過室のパージガス圧力が高くなるように原
料ガス流量およびパージガス流量を調整した後ゲートバ
ルブを開き、光ＣＶＤ法により基板上に皮膜形成を行う
ものであり、反応室と光透過室との圧力差により原料ガ
スの光透過室への侵入が完全に遮断されるので、光透過
窓の内面に薄膜生成物の堆積することを防止し、皮膜形
成中に光透過窓が曇ることが完全に防止される。そのた
め、透過窓の洗浄、交換が不要となり、長時間の連続成
膜により界面の無い厚膜の形成を可能とする。
は以上詳述したように、反応室の光透過窓側にゲートバ
ルブで仕切られた光透過室を設け、反応室の原料ガス圧
力よりも光透過室のパージガス圧力が高くなるように原
料ガス流量およびパージガス流量を調整した後ゲートバ
ルブを開き、光ＣＶＤ法により基板上に皮膜形成を行う
ものであり、反応室と光透過室との圧力差により原料ガ
スの光透過室への侵入が完全に遮断されるので、光透過
窓の内面に薄膜生成物の堆積することを防止し、皮膜形
成中に光透過窓が曇ることが完全に防止される。そのた
め、透過窓の洗浄、交換が不要となり、長時間の連続成
膜により界面の無い厚膜の形成を可能とする。
【図１】本発明方法に用いられる光ＣＶＤ装置の概略図
である。
である。
【図２】従来法と本発明法により皮膜形成した後の光透
過窓の形成膜厚を示す図である。
過窓の形成膜厚を示す図である。
【図３】従来法で用いられている光ＣＶＤ装置の概略図
である。
である。
１０ 反応室
１８ 基板
２０ 原料ガス排出口
２６ 原料ガス供給口
３８ 光透過室
４０ ゲートバルブ
４２ 光透過窓
４４ 光源
４６ パージガス供給口
５４ パージガス排出口
Claims (1)
- 【請求項１】 パージガス供給口４８とパージガス排
出口５４を有し容量がＶ２の光透過室３８と原料ガス供
給口２６と原料ガス排出口２０とを有し容量がＶ１の反
応室１０とをゲートバルブ４０によって仕切り、前記光
透過室３８にパージガスをガス圧Ｐ２で満たし、前記反
応室１０に原料ガスをガス圧Ｐ１で満たし、Ｐ１＜Ｐ２
とした後、（ｖ１／Ｖ１）＜（ｖ２／Ｖ２）なる関係を
満足するように流速ｖ１で前記原料ガスを流速ｖ２で前
記パージガスを供給しながら前記パージガス排出口５４
を閉じるとともに前記ゲートバルブ４０を開き、前記光
透過室３８に設けた光透過窓４２を介して光エネルギー
を照射することにより、前記反応室１０内に設置した基
板１８に皮膜を形成させることを特徴とする光ＣＶＤに
よる皮膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP346091A JPH04236780A (ja) | 1991-01-16 | 1991-01-16 | 光ｃｖｄによる皮膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP346091A JPH04236780A (ja) | 1991-01-16 | 1991-01-16 | 光ｃｖｄによる皮膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04236780A true JPH04236780A (ja) | 1992-08-25 |
Family
ID=11557941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP346091A Pending JPH04236780A (ja) | 1991-01-16 | 1991-01-16 | 光ｃｖｄによる皮膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04236780A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114746576A (zh) * | 2019-11-28 | 2022-07-12 | 皮考逊公司 | 衬底处理装置和方法 |
-
1991
- 1991-01-16 JP JP346091A patent/JPH04236780A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114746576A (zh) * | 2019-11-28 | 2022-07-12 | 皮考逊公司 | 衬底处理装置和方法 |
| CN114746576B (zh) * | 2019-11-28 | 2024-11-15 | 皮考逊公司 | 衬底处理装置和方法 |
| US12325915B2 (en) | 2019-11-28 | 2025-06-10 | Picosun Oy | Substrate processing apparatus and method |
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