JPH0489322A - 原料供給装置に使用されている流量制御装置内の付着物除去方法 - Google Patents
原料供給装置に使用されている流量制御装置内の付着物除去方法Info
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- JPH0489322A JPH0489322A JP20283890A JP20283890A JPH0489322A JP H0489322 A JPH0489322 A JP H0489322A JP 20283890 A JP20283890 A JP 20283890A JP 20283890 A JP20283890 A JP 20283890A JP H0489322 A JPH0489322 A JP H0489322A
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
- C03B19/1415—Reactant delivery systems
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- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
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- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/80—Feeding the burner or the burner-heated deposition site
- C03B2207/81—Constructional details of the feed line, e.g. heating, insulation, material, manifolds, filters
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光フアイバ母材や半導体等の製造に使用され
る原料供給装置に関するもので、より具体的には原料供
給装置内に設けられた流量制御装置内部の付着物の除去
方法に関するものである。
る原料供給装置に関するもので、より具体的には原料供
給装置内に設けられた流量制御装置内部の付着物の除去
方法に関するものである。
光フアイバ母材や半導体を製造する場合、反応装置に対
して連続的に、かつ一定量の原料ガスを供給するために
原料供給装置が必要である。
して連続的に、かつ一定量の原料ガスを供給するために
原料供給装置が必要である。
いま、光フアイバ母材を製造する場合を例にとって説明
する。
する。
光フアイバ母材の代表的な製造方法にＶＡＤ法、外付法
あるいはＭＣＶＤ法等がある。これらの方法では、液体
原料を加熱して原料ガスとなし、これをガス供給用配管
の途中に設けられた流量制御装置を介して流量を制御し
ながら反応装置、例えば火炎加水分解用のバーナへと送
っている。
あるいはＭＣＶＤ法等がある。これらの方法では、液体
原料を加熱して原料ガスとなし、これをガス供給用配管
の途中に設けられた流量制御装置を介して流量を制御し
ながら反応装置、例えば火炎加水分解用のバーナへと送
っている。
具体的にＶＡＤ法の場合を第１図で説明する。原料タン
ク１の内部には、大気中の酸素または水分と接触すると
反応を起こすような原料液、例えば５ｉＣ１４等の原料
液２が収容されていて、これは前記原料タンク１の外側
に設けられているヒータ等の加熱手段３により加熱され
、気化されて原料タンク１の上部の空間４に原料ガスと
して満たされる。また空間４と図示されていない反応装
置との間には、原料ガスを供給する配管５が設けられて
いて、該配管５には開閉弁６や自動開閉弁７、さらには
マスフローコントローラ等の流量制御装置８が装着され
ている。また自動開閉弁７と流量制御装置８との間には
自動開閉弁１０が装着された配管９が接続されていて、
この配管９により、例えば窒素ガス等の不活性ガスを供
給できるようになっている。前記自動開閉弁１０は自動
開閉弁７と連動し、原料ガス供給中は自動開閉弁７が開
いていて、自動開閉弁１０が閉じる。そして原料ガスを
供給しないときは、自動開閉弁７が閉して自動開閉弁ｌ
Ｏが開き、配管９を介して窒素ガス等の不活性ガスを流
し、配管５や流量制御装置８等を含む原料供給装置内部
をパージする。
ク１の内部には、大気中の酸素または水分と接触すると
反応を起こすような原料液、例えば５ｉＣ１４等の原料
液２が収容されていて、これは前記原料タンク１の外側
に設けられているヒータ等の加熱手段３により加熱され
、気化されて原料タンク１の上部の空間４に原料ガスと
して満たされる。また空間４と図示されていない反応装
置との間には、原料ガスを供給する配管５が設けられて
いて、該配管５には開閉弁６や自動開閉弁７、さらには
マスフローコントローラ等の流量制御装置８が装着され
ている。また自動開閉弁７と流量制御装置８との間には
自動開閉弁１０が装着された配管９が接続されていて、
この配管９により、例えば窒素ガス等の不活性ガスを供
給できるようになっている。前記自動開閉弁１０は自動
開閉弁７と連動し、原料ガス供給中は自動開閉弁７が開
いていて、自動開閉弁１０が閉じる。そして原料ガスを
供給しないときは、自動開閉弁７が閉して自動開閉弁ｌ
Ｏが開き、配管９を介して窒素ガス等の不活性ガスを流
し、配管５や流量制御装置８等を含む原料供給装置内部
をパージする。
さてこの原料供給装置において、通常、原料ガスを反応
装置に送る場合、加熱手段３により原料液２を加熱、気
化せしめて、空間４の原料ガス圧を大気圧以上の所定圧
力にする。前述した５ｉＣ１゜の例で述べると、５ｉＣ
１４のガス圧を１ｋｇｆ／ｃｍ”Ｇにするためには、原
料タンクｌを約８０°Ｃに加熱する。
装置に送る場合、加熱手段３により原料液２を加熱、気
化せしめて、空間４の原料ガス圧を大気圧以上の所定圧
力にする。前述した５ｉＣ１゜の例で述べると、５ｉＣ
１４のガス圧を１ｋｇｆ／ｃｍ”Ｇにするためには、原
料タンクｌを約８０°Ｃに加熱する。
空間４のガス圧が所定の圧力に達したら、自動開閉弁１
０を閉じ、自動開閉弁７を開き、空間４内の原料ガスを
流量制御装置８にてその量を制御しながら反応装置側へ
と供給する。
０を閉じ、自動開閉弁７を開き、空間４内の原料ガスを
流量制御装置８にてその量を制御しながら反応装置側へ
と供給する。
ところで前述した原料供給装置においては、時間の経過
とともに、原料ガス中に含まれている不純物、あるいは
装置配管の一部のリークにより内部に流れ込んだ水分と
の反応により住した、例えば５ｉＯ１，さらにはその水
分による配管等の腐食による生成物が、配管５の内壁や
流量制御装置８の制御パルプ表面へ付着するようになっ
てくる。もちろん、前述した如く、原料ガスを供給しな
いときは、自動開閉弁７を閉し、自動開閉弁１０を開い
て流量制御装置８を含む配管５内を窒素ガス等でパージ
しているが、この不活性ガスによるパージだけでは、前
述した付着物を完全に除去することはできない。
とともに、原料ガス中に含まれている不純物、あるいは
装置配管の一部のリークにより内部に流れ込んだ水分と
の反応により住した、例えば５ｉＯ１，さらにはその水
分による配管等の腐食による生成物が、配管５の内壁や
流量制御装置８の制御パルプ表面へ付着するようになっ
てくる。もちろん、前述した如く、原料ガスを供給しな
いときは、自動開閉弁７を閉し、自動開閉弁１０を開い
て流量制御装置８を含む配管５内を窒素ガス等でパージ
しているが、この不活性ガスによるパージだけでは、前
述した付着物を完全に除去することはできない。
その結果、特に流量制御装置８の制御バルブ表面に付着
物が付着した場合、流量の制御性が不安定になってくる
、という問題があった。
物が付着した場合、流量の制御性が不安定になってくる
、という問題があった。
通常、このような場合、流量制御装置８を配管５から取
り外してその内部を洗浄するか、代替品と交換する方法
が一般的であるが、これらの方法だと作業が大掛かりに
なってしまう。
り外してその内部を洗浄するか、代替品と交換する方法
が一般的であるが、これらの方法だと作業が大掛かりに
なってしまう。
上記問題に鑑み本発明の目的は、より容易に流量制御装
置内に付着した付着物を除去する方法を提供することに
ある。
置内に付着した付着物を除去する方法を提供することに
ある。
前記目的を達成するため本発明は、液体原料を加熱して
原料ガスとなし、これを配管を通して反応装置へと導く
原料供給装置の前記配管の途中に設けられている流量制
御装置の内部に付着した付着物を除去する方法において
、前記配管内に不活性ガスを流しながら、前記流量制御
装置を通常使用温度以上の温度に加熱することを特徴と
するものである。
原料ガスとなし、これを配管を通して反応装置へと導く
原料供給装置の前記配管の途中に設けられている流量制
御装置の内部に付着した付着物を除去する方法において
、前記配管内に不活性ガスを流しながら、前記流量制御
装置を通常使用温度以上の温度に加熱することを特徴と
するものである。
このようにしてなる本発明によれば、通常使用温度以上
の温度に加熱されたことにより流量制御装置内部に付着
している付着物は軟化し、あるいは一部気化する。その
結果、配管内を流れている窒素ガス等の不活性ガスによ
り付着物は流量制御装置内面から剥がされ、外部へと排
出される。当然のことながら気化されたものはさらに容
易に不活性ガスにのって外部へ排出される。
の温度に加熱されたことにより流量制御装置内部に付着
している付着物は軟化し、あるいは一部気化する。その
結果、配管内を流れている窒素ガス等の不活性ガスによ
り付着物は流量制御装置内面から剥がされ、外部へと排
出される。当然のことながら気化されたものはさらに容
易に不活性ガスにのって外部へ排出される。
〔実施例］
以下本発明の実施例を前述した第１図を参照しながら詳
細に説明する。
細に説明する。
流量制御装置８の内部に付着した付着物を除去しようと
する場合には、まず第１図における自動開閉弁７を閉し
、自動開閉弁ｌＯを開く、この状態で配管９から流量制
御装置８、配管５内に、例えば窒素ガス等の不活性ガス
を流し込む。
する場合には、まず第１図における自動開閉弁７を閉し
、自動開閉弁ｌＯを開く、この状態で配管９から流量制
御装置８、配管５内に、例えば窒素ガス等の不活性ガス
を流し込む。
このように流量制御装置８及び配管５内に、具体的には
本実施例の場合、１．５ｋｇｆ／ｃ＋ｗ”Ｇの圧力で不
活性ガスを流した状態で、流量制御装置８を通常使用温
度以上の温度まで、例えば可搬式のヒータにて加熱した
。
本実施例の場合、１．５ｋｇｆ／ｃ＋ｗ”Ｇの圧力で不
活性ガスを流した状態で、流量制御装置８を通常使用温
度以上の温度まで、例えば可搬式のヒータにて加熱した
。
例えば５ｉＣ１４を単独で供給する場合の流量制御装置
８の通常使用温度は７０’Ｃ前後であるので、長期間５
ｉＣ１，のみ供給した原料供給装置においては、前記流
量制御装置８の加熱温度を９０℃に設定した。
８の通常使用温度は７０’Ｃ前後であるので、長期間５
ｉＣ１，のみ供給した原料供給装置においては、前記流
量制御装置８の加熱温度を９０℃に設定した。
一方、ＧｅＣ１ａのみを供給している原料供給装置の流
量制御装置８の通常使用温度は約１００℃であるので、
こちらの流量制御装置８については加熱温度を約１５０
’Ｃに設定した。
量制御装置８の通常使用温度は約１００℃であるので、
こちらの流量制御装置８については加熱温度を約１５０
’Ｃに設定した。
その結果、この作業を開始する前の時点で流量制御装置
８の設定条件を固定して、出口側で出てくる不活性ガス
の量を流量計で測定したところ共に５２７ｍ１ｎであっ
たものが、前述した本発明の作業を続けて１５時間後、
ＳｉＣ］ａ専用装置においては１２１ ／ｓｉｎに回復
し、一方ＧｅＣｌ４専用装置においては１５２／■ｉｎ
になった。
８の設定条件を固定して、出口側で出てくる不活性ガス
の量を流量計で測定したところ共に５２７ｍ１ｎであっ
たものが、前述した本発明の作業を続けて１５時間後、
ＳｉＣ］ａ専用装置においては１２１ ／ｓｉｎに回復
し、一方ＧｅＣｌ４専用装置においては１５２／■ｉｎ
になった。
このことは流量制御装置８の内部の、例えば制御バルブ
表面に付着物が付着し、流路が狭まっていて５ｆ／５ｉ
ｎＬか流れなくなっていたものが、本発明の方法により
付着物が除去されて、本来の通過量に近いガス量が流れ
るようになったことを意味している。
表面に付着物が付着し、流路が狭まっていて５ｆ／５ｉ
ｎＬか流れなくなっていたものが、本発明の方法により
付着物が除去されて、本来の通過量に近いガス量が流れ
るようになったことを意味している。
尚、本実施例においては流量制御装置の通常使用温度よ
りも２０℃及び５０℃高い温度になるように流量制御装
置を加熱しているが、これは通常使用している原料の種
類等に応じて設定すればよい。
りも２０℃及び５０℃高い温度になるように流量制御装
置を加熱しているが、これは通常使用している原料の種
類等に応じて設定すればよい。
また、この際流す不活性ガスの圧力も、付着物の量や種
類により適宜選択される。
類により適宜選択される。
以上のように本発明によれば、原料供給装置の配管から
流量制御装置を取外したり、そしてこれを分解、洗浄後
また装着するとか、あるいは代替品を装着するといった
大掛かりな作業によらず、すなわち、流量制御装置を取
り外すことなしに、その内部に付着した付着物を除去で
きる。それ故きわめて容易に流量制御装置内部の付着物
の除去ができる。
流量制御装置を取外したり、そしてこれを分解、洗浄後
また装着するとか、あるいは代替品を装着するといった
大掛かりな作業によらず、すなわち、流量制御装置を取
り外すことなしに、その内部に付着した付着物を除去で
きる。それ故きわめて容易に流量制御装置内部の付着物
の除去ができる。
第１図は本発明に係わる原料供給装置の一例を示す概略
図である。 １〜原料タンク ５〜配管 ８〜流量制御装置特許出願
人 古河電気工業株式会社
図である。 １〜原料タンク ５〜配管 ８〜流量制御装置特許出願
人 古河電気工業株式会社
Claims (1)
- 液体原料を加熱して原料ガスとなし、これを配管を通し
て反応装置へと導く原料供給装置の前記配管の途中に設
けられている流量制御装置の内部に付着した付着物を除
去する方法において、前記配管内に不活性ガスを流しな
がら、前記流量制御装置を通常使用温度以上の温度に加
熱することを特徴とする原料供給装置に使用されている
流量制御装置内の付着物除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20283890A JPH0489322A (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 原料供給装置に使用されている流量制御装置内の付着物除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20283890A JPH0489322A (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 原料供給装置に使用されている流量制御装置内の付着物除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0489322A true JPH0489322A (ja) | 1992-03-23 |
Family
ID=16464028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20283890A Pending JPH0489322A (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 原料供給装置に使用されている流量制御装置内の付着物除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0489322A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012020905A (ja) * | 2010-07-15 | 2012-02-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガラス微粒子堆積体製造方法およびガラス体製造方法 |
| JP2017088458A (ja) * | 2015-11-13 | 2017-05-25 | 住友電気工業株式会社 | 多孔質ガラス母材の脱水焼結装置および脱水焼結方法 |
| US11230489B2 (en) | 2018-02-05 | 2022-01-25 | Fujikura Ltd. | Method for manufacturing porous glass fine particle body, manufacturing apparatus for porous glass fine particle body, and method for manufacturing glass preform |
-
1990
- 1990-07-31 JP JP20283890A patent/JPH0489322A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012020905A (ja) * | 2010-07-15 | 2012-02-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガラス微粒子堆積体製造方法およびガラス体製造方法 |
| JP2017088458A (ja) * | 2015-11-13 | 2017-05-25 | 住友電気工業株式会社 | 多孔質ガラス母材の脱水焼結装置および脱水焼結方法 |
| US11230489B2 (en) | 2018-02-05 | 2022-01-25 | Fujikura Ltd. | Method for manufacturing porous glass fine particle body, manufacturing apparatus for porous glass fine particle body, and method for manufacturing glass preform |
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