JPH0423817B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0423817B2 JPH0423817B2 JP21390482A JP21390482A JPH0423817B2 JP H0423817 B2 JPH0423817 B2 JP H0423817B2 JP 21390482 A JP21390482 A JP 21390482A JP 21390482 A JP21390482 A JP 21390482A JP H0423817 B2 JPH0423817 B2 JP H0423817B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- chip
- photomask
- chip patterns
- patterns
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は同一チツプパターンを複数個配列形成
してなるホトマスク等の基板において、各チツプ
パターンに発生する共通欠陥を検査するための装
置に関するものである。
してなるホトマスク等の基板において、各チツプ
パターンに発生する共通欠陥を検査するための装
置に関するものである。
一般に半導体装置の製造工程に使用する複数個
のチツプパターンが形成された基板において、た
とえばホトマスクは、基になるレチクルのチツプ
パターンをステツプアンドリピートカメラによつ
て縮小して１枚のホトマスク上に枡目状に配列形
成しており、これにより完成されたホトマスクは
同一のチツプパターンを複数個備えている。この
ため、このホトマスクは、レチクルに欠陥が生じ
ていたりあるいは、異物などが付着していると、
形成された各チツプパターンには夫々同一の欠
陥、所謂共通欠陥が発生してしまう。この共通欠
陥はウエーハに形成するチツプ（パターン）の全
てを不良品にしてしまうため、必ずこれを検査し
なければならない。
のチツプパターンが形成された基板において、た
とえばホトマスクは、基になるレチクルのチツプ
パターンをステツプアンドリピートカメラによつ
て縮小して１枚のホトマスク上に枡目状に配列形
成しており、これにより完成されたホトマスクは
同一のチツプパターンを複数個備えている。この
ため、このホトマスクは、レチクルに欠陥が生じ
ていたりあるいは、異物などが付着していると、
形成された各チツプパターンには夫々同一の欠
陥、所謂共通欠陥が発生してしまう。この共通欠
陥はウエーハに形成するチツプ（パターン）の全
てを不良品にしてしまうため、必ずこれを検査し
なければならない。
ところで、従来、ホトマスクの一般的に検査方
法として１枚のホトマスクに形成された２以上の
チツプパターンを相互に対比して両者のパターン
の相違を検出する方法が提案されているが、前記
した共通欠陥は全てのチツプパターンに存在して
いるためこれをそのまま利用することができな
い。また、レチクル作成用の設計データと被検査
ホトマスクのチツプパターンの数個とを比較して
チツプパターンの共通欠陥の有無を検出するパタ
ーン検査装置も考えられている（たとえば、特開
昭57−130423号公報記載）。
法として１枚のホトマスクに形成された２以上の
チツプパターンを相互に対比して両者のパターン
の相違を検出する方法が提案されているが、前記
した共通欠陥は全てのチツプパターンに存在して
いるためこれをそのまま利用することができな
い。また、レチクル作成用の設計データと被検査
ホトマスクのチツプパターンの数個とを比較して
チツプパターンの共通欠陥の有無を検出するパタ
ーン検査装置も考えられている（たとえば、特開
昭57−130423号公報記載）。
しかしながら、このようなパターン検査装置に
おいては、設計データとの比較システムが必要と
されるため、装置が複雑化かつ大型化され、しか
も検査時間が長くなるという問題がある。このた
め、従来では２枚のホトマスクの各チツプパター
ンを比較顕微鏡にて目視検査する方法を採用して
装置の簡易化を図つているが、見落しを防止する
ために３回検査が必要とされる等、検査時間の短
縮については問題が残されている。
おいては、設計データとの比較システムが必要と
されるため、装置が複雑化かつ大型化され、しか
も検査時間が長くなるという問題がある。このた
め、従来では２枚のホトマスクの各チツプパター
ンを比較顕微鏡にて目視検査する方法を採用して
装置の簡易化を図つているが、見落しを防止する
ために３回検査が必要とされる等、検査時間の短
縮については問題が残されている。
本発明の目的は、前述のような設計データとの
比較等の装置を複雑化、大型化する要素をなくし
て装置構成の簡易化、小型化を図ると共に検査の
自動化を可能とし、かつ検査時間の短縮を実現す
ることができるホトマスク検査装置を提供するこ
とにある。
比較等の装置を複雑化、大型化する要素をなくし
て装置構成の簡易化、小型化を図ると共に検査の
自動化を可能とし、かつ検査時間の短縮を実現す
ることができるホトマスク検査装置を提供するこ
とにある。
この目的を達成するために本発明は、被検査基
板の少なくとも２個のチツプパターンと、標準ホ
トマスクの同数のチツプバターンとを夫々数値化
した上で相互に比較する手段と、比較から求めら
れた各欠陥の相関を計算して共通欠陥を算出する
演算手段とを備えるようにしたものである。
板の少なくとも２個のチツプパターンと、標準ホ
トマスクの同数のチツプバターンとを夫々数値化
した上で相互に比較する手段と、比較から求めら
れた各欠陥の相関を計算して共通欠陥を算出する
演算手段とを備えるようにしたものである。
以下、本発明を図示の実施例により説明する。
図は本発明の一実施例を示し、水平XY方向に
移動可能な検査テーブル１上には被検査基板とし
ての被検査ホトマスク２および標準基板としての
標準ホトマスク３とを夫々所定位置に支持できる
ようにしている。前記被検査ホトマスク２はレチ
クルをステツプアンドリピートカメラによりパタ
ーン転写したもので複数個の同一のチツプパター
ン４を枡目状に形成してある。また、標準ホトマ
スク３は複数種類のチツプパターン５ａ，５ｂ，
５ｃ……を適宜数個づつ（本例では８個づつ）形
成している。なお、この場合、標準ホトマスクの
各チツプパターンには共通欠陥が存在しないよう
に形成する。また、各チツプパターン５ａ，５
ｂ，５ｃ……は例えば半導体製造工程に合わせて
各工程で使用されるチツプパターンとしている。
移動可能な検査テーブル１上には被検査基板とし
ての被検査ホトマスク２および標準基板としての
標準ホトマスク３とを夫々所定位置に支持できる
ようにしている。前記被検査ホトマスク２はレチ
クルをステツプアンドリピートカメラによりパタ
ーン転写したもので複数個の同一のチツプパター
ン４を枡目状に形成してある。また、標準ホトマ
スク３は複数種類のチツプパターン５ａ，５ｂ，
５ｃ……を適宜数個づつ（本例では８個づつ）形
成している。なお、この場合、標準ホトマスクの
各チツプパターンには共通欠陥が存在しないよう
に形成する。また、各チツプパターン５ａ，５
ｂ，５ｃ……は例えば半導体製造工程に合わせて
各工程で使用されるチツプパターンとしている。
一方、前記テーブル１上には、被検査ホトマス
ク２と標準ホトマスク３に夫々対向してCCDタ
イプのリニアイメージセンサ６，７と、結像レン
ズ８，９からなるパターン検出手段１０，１１を
夫々設け、前記各ホトマスク２，３のチツプパタ
ーンを検出する。この場合、レンズとセンサの寸
法設定により、各チツプパターンは少なくとも２
個を同時に検出できるように構成することが好ま
しい。
ク２と標準ホトマスク３に夫々対向してCCDタ
イプのリニアイメージセンサ６，７と、結像レン
ズ８，９からなるパターン検出手段１０，１１を
夫々設け、前記各ホトマスク２，３のチツプパタ
ーンを検出する。この場合、レンズとセンサの寸
法設定により、各チツプパターンは少なくとも２
個を同時に検出できるように構成することが好ま
しい。
そして、前記各パターン検出手段１０，１１は
比較手段１２に一体的に接続し、ここで両パター
ンの比較を行なう。この比較手段１２は、二値化
変換部１３，１４と相互比較部１５を備え、前述
のように検出したパターンを夫々二値化した上で
各マスク２，３のチツプパターンを１個づつ対比
させる。この結果、チツプパターン数に応じた比
較結果（本例の場合は２個）が出力される。更に
前記比較手段１２には演算手段１６を接続してお
り、前記相互比較部１５の出力から得られた２個
の比較結果から各欠陥を検出しかつその相関を求
めることにより各結果に共通する欠陥を算出す
る。この演算手段１６には演算、記憶機能を有す
るマイクロコンピユータ１７を内装させており、
前記比較結果の一時的な記憶、演算、演算結果の
記憶を行なう。この演算計算はプリンタで代表さ
れる表示部１８に出力される。
比較手段１２に一体的に接続し、ここで両パター
ンの比較を行なう。この比較手段１２は、二値化
変換部１３，１４と相互比較部１５を備え、前述
のように検出したパターンを夫々二値化した上で
各マスク２，３のチツプパターンを１個づつ対比
させる。この結果、チツプパターン数に応じた比
較結果（本例の場合は２個）が出力される。更に
前記比較手段１２には演算手段１６を接続してお
り、前記相互比較部１５の出力から得られた２個
の比較結果から各欠陥を検出しかつその相関を求
めることにより各結果に共通する欠陥を算出す
る。この演算手段１６には演算、記憶機能を有す
るマイクロコンピユータ１７を内装させており、
前記比較結果の一時的な記憶、演算、演算結果の
記憶を行なう。この演算計算はプリンタで代表さ
れる表示部１８に出力される。
以上の構成によれば、図示のように被検査ホト
マスク２のチツプパターンの２個をパターン検出
手段１０によりパターン検出すると同時に、標準
ホトマスク３の対応するチツプパターンの２個を
パターン検出手段１１により検出する。そして、
各々のパターンは夫々二値化変換部１３，１４に
おいて二値化信号とされ相互比較部１５に入力さ
れる。相互比較部１５では二値化されたパターン
信号を、被検査ホトマスクと標準ホトマスクとで
１個づつ比較し、両者が一致されない部分、即ち
欠陥部分をその座標として演算手段１６に出力
し、マイクロコンピユータ１７に記憶させる。し
たがつて、比較した数（本例では２個）のチツプ
パターンの各欠陥がその座標により検出できる。
例えば同図に示すように、チツプ４Ａ，５Ａでは
欠陥A1（Xai，Yai）、A2（Xaj，Yaj）がチツプ４
Ｂ，５Ｂでは欠陥B1（Xbi，Ybi）、B2（Xbk，Ybk）
が夫々検出できる。
マスク２のチツプパターンの２個をパターン検出
手段１０によりパターン検出すると同時に、標準
ホトマスク３の対応するチツプパターンの２個を
パターン検出手段１１により検出する。そして、
各々のパターンは夫々二値化変換部１３，１４に
おいて二値化信号とされ相互比較部１５に入力さ
れる。相互比較部１５では二値化されたパターン
信号を、被検査ホトマスクと標準ホトマスクとで
１個づつ比較し、両者が一致されない部分、即ち
欠陥部分をその座標として演算手段１６に出力
し、マイクロコンピユータ１７に記憶させる。し
たがつて、比較した数（本例では２個）のチツプ
パターンの各欠陥がその座標により検出できる。
例えば同図に示すように、チツプ４Ａ，５Ａでは
欠陥A1（Xai，Yai）、A2（Xaj，Yaj）がチツプ４
Ｂ，５Ｂでは欠陥B1（Xbi，Ybi）、B2（Xbk，Ybk）
が夫々検出できる。
次いで、演算手段１６ではこれらの欠陥A1，
A2，B1，B2の相関計算を行ない、同一箇所に存
在する欠陥を求める。この場合、例えばチツプパ
ターンがＹ方向に並んでいるものとすればＸ座標
が等しくてＹ座標の差がチツプパターン寸法に等
しいものを求めるようにする。この結果、本例で
はXai＝Xbi，｜Yai−Ybi｜＝チツプ寸法、の関係
が検出でき欠陥A1，B1が夫々同一箇所、即ち共
通欠陥であると判明する。したがつて、この結果
を表示部１８において打ち出せば、被検査ホトマ
スクにおける共通欠陥の有無のみならずその箇所
をも検出することができる。なお、表示に際して
はCRT等を利用して欠陥箇所を表示するように
してもよい。
A2，B1，B2の相関計算を行ない、同一箇所に存
在する欠陥を求める。この場合、例えばチツプパ
ターンがＹ方向に並んでいるものとすればＸ座標
が等しくてＹ座標の差がチツプパターン寸法に等
しいものを求めるようにする。この結果、本例で
はXai＝Xbi，｜Yai−Ybi｜＝チツプ寸法、の関係
が検出でき欠陥A1，B1が夫々同一箇所、即ち共
通欠陥であると判明する。したがつて、この結果
を表示部１８において打ち出せば、被検査ホトマ
スクにおける共通欠陥の有無のみならずその箇所
をも検出することができる。なお、表示に際して
はCRT等を利用して欠陥箇所を表示するように
してもよい。
ここで、前例では両基板から夫々２個のチツプ
パターンを選択してこれを比較しているが、検査
の煩雑性を増さない範囲でこの比較個数を増して
もよく、これに応じて検査の精度を高めることが
できる。
パターンを選択してこれを比較しているが、検査
の煩雑性を増さない範囲でこの比較個数を増して
もよく、これに応じて検査の精度を高めることが
できる。
また、両基板の形状は角形、丸形等、任意の形
状とすることができ、また両基板本体の材質もガ
ラス等、任意の材質とすることができる。
状とすることができ、また両基板本体の材質もガ
ラス等、任意の材質とすることができる。
したがつて、以上の構成の検査装置によれば、
被検査ホトマスクのチツプパターンと、標準ホト
マスクのチツプパターンとを夫々数値化、演算処
理することにより共通欠陥を検出することができ
るので、設計データの導入、記憶、数値化処理を
行なうための部位を全て不要にして構成の簡易化
を図ることができ、かつ一方では検査の自動化を
可能にする。また、少なくとも２個のチツプパタ
ーンを検査すれば共通欠陥を検出できるので、検
査時間の短縮化を達成することもできるという効
果を奏する。
被検査ホトマスクのチツプパターンと、標準ホト
マスクのチツプパターンとを夫々数値化、演算処
理することにより共通欠陥を検出することができ
るので、設計データの導入、記憶、数値化処理を
行なうための部位を全て不要にして構成の簡易化
を図ることができ、かつ一方では検査の自動化を
可能にする。また、少なくとも２個のチツプパタ
ーンを検査すれば共通欠陥を検出できるので、検
査時間の短縮化を達成することもできるという効
果を奏する。
図は本発明の検査装置の全体を模式的に示す図
である。 １……テーブル、２……被検査ホトマスク、３
……標準ホトマスク、４，５……チツプパター
ン、１０，１１……パターン検出手段、１２……
比較手段、１３、１４……二値化変換部、１５…
…相互比較部、１６……演算手段、１７……マイ
クロコンピユータ、１８……表示部。
である。 １……テーブル、２……被検査ホトマスク、３
……標準ホトマスク、４，５……チツプパター
ン、１０，１１……パターン検出手段、１２……
比較手段、１３、１４……二値化変換部、１５…
…相互比較部、１６……演算手段、１７……マイ
クロコンピユータ、１８……表示部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 複数個の同一チツプパターンが形成された基
板の共通欠陥を検査する装置であつて、被検査基
板の少なくとも２個のチツプパターンと標準基板
の同数のチツプパターンを夫々検出するパターン
検出手段と、これらの各検出信号を数値化した上
で両基板に対応するチツプパターンを相互に比較
して夫々の欠陥を検出する比較手段と、この比較
により求められた各チツプパターンの欠陥の相関
を座標の演算により求めて各チツプパターンで一
致する欠陥を共通欠陥として検出する演算手段と
を備えることを特徴とするパターン検査装置。 ２ 共通欠陥位置を表示部に表示させるよう構成
してなる特許請求の範囲第１項記載のパターン検
査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57213904A JPS59105318A (ja) | 1982-12-08 | 1982-12-08 | パターン検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57213904A JPS59105318A (ja) | 1982-12-08 | 1982-12-08 | パターン検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59105318A JPS59105318A (ja) | 1984-06-18 |
| JPH0423817B2 true JPH0423817B2 (ja) | 1992-04-23 |
Family
ID=16646944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57213904A Granted JPS59105318A (ja) | 1982-12-08 | 1982-12-08 | パターン検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59105318A (ja) |
-
1982
- 1982-12-08 JP JP57213904A patent/JPS59105318A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59105318A (ja) | 1984-06-18 |
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