JPH04239143A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法及びそのための金型 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法及びそのための金型Info
- Publication number
- JPH04239143A JPH04239143A JP178691A JP178691A JPH04239143A JP H04239143 A JPH04239143 A JP H04239143A JP 178691 A JP178691 A JP 178691A JP 178691 A JP178691 A JP 178691A JP H04239143 A JPH04239143 A JP H04239143A
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- Japan
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- ultraviolet
- resin
- semiconductor device
- sample
- mold
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高信頼性を有する樹脂
封止型半導体装置の製造方法及びそのための金型に関す
るものである。
封止型半導体装置の製造方法及びそのための金型に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、下記に示されるようなものがあった。近年のＩ
Ｃパッケージは、従来から用いられているピンの挿入型
実装に代表されるＤＩＰ（Ｄｕａｌ Ｉｎｌｉｎｅ
Ｐａｃｋａｇｅ：デュアル・インライン・パッケージ
）から、表面実装型に代表されるＱＦＰ（Ｑｕａｄ
Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ：キュアッド・フラット・
パッケージ）に移行しつつある。
例えば、下記に示されるようなものがあった。近年のＩ
Ｃパッケージは、従来から用いられているピンの挿入型
実装に代表されるＤＩＰ（Ｄｕａｌ Ｉｎｌｉｎｅ
Ｐａｃｋａｇｅ：デュアル・インライン・パッケージ
）から、表面実装型に代表されるＱＦＰ（Ｑｕａｄ
Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ：キュアッド・フラット・
パッケージ）に移行しつつある。
【０００３】また、薄形の要求も強く、ＩＣカードやメ
モリカード等の超薄形モジュールが開発されている。中
でもメモリカードの応用例は広く、カメラ，電卓等にも
多く使われている。従来のメモリカードは、図６に示す
ように、トータル厚ｈで２ｍｍ程度であり、フレーム１
、半導体チップ２、コンタクト部３、半導体チップ封止
樹脂部４、コンタクト封止樹脂部５から成る。
モリカード等の超薄形モジュールが開発されている。中
でもメモリカードの応用例は広く、カメラ，電卓等にも
多く使われている。従来のメモリカードは、図６に示す
ように、トータル厚ｈで２ｍｍ程度であり、フレーム１
、半導体チップ２、コンタクト部３、半導体チップ封止
樹脂部４、コンタクト封止樹脂部５から成る。
【０００４】このＱＦＰの製造方法について述べると、
フレーム１上にダイペーストを用いて半導体チップ２を
固定した後、Ａｕワイヤを用いて半導体チップ上電極部
とフレーム１との外部コンタクトを取る。その後、図７
に示すように、上型７及び下型８を用いて半導体チップ
２を封止樹脂で封止した後、コンタクト部３をダイペー
スト或いは半田を用いて設置し、コンタクト部３の周囲
をコンタクト封止樹脂を用いて封止後完了とする。
フレーム１上にダイペーストを用いて半導体チップ２を
固定した後、Ａｕワイヤを用いて半導体チップ上電極部
とフレーム１との外部コンタクトを取る。その後、図７
に示すように、上型７及び下型８を用いて半導体チップ
２を封止樹脂で封止した後、コンタクト部３をダイペー
スト或いは半田を用いて設置し、コンタクト部３の周囲
をコンタクト封止樹脂を用いて封止後完了とする。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成の半導体装置では、コンタクト樹脂封入時、図８に示
すコンタクト部３の表面への樹脂漏れ（フラシュ）ａが
発生し、外部コンタクトｂをとる場合にコンタクト不良
を生じたり、また熱硬化性樹脂を用いているため、ラン
ナ部の封止樹脂のロスの問題、製品と金型間における離
型不良に伴う破壊等、信頼性面、コスト面で満足のいく
製品が得られなかった。
成の半導体装置では、コンタクト樹脂封入時、図８に示
すコンタクト部３の表面への樹脂漏れ（フラシュ）ａが
発生し、外部コンタクトｂをとる場合にコンタクト不良
を生じたり、また熱硬化性樹脂を用いているため、ラン
ナ部の封止樹脂のロスの問題、製品と金型間における離
型不良に伴う破壊等、信頼性面、コスト面で満足のいく
製品が得られなかった。
【０００６】本発明は、上記問題点を除去し、製品と金
型間における離型が容易で、しかもコンタクト部への薄
バリの発生することのない樹脂封止半導体装置の製造方
法及びそのための金型を提供することを目的とする。
型間における離型が容易で、しかもコンタクト部への薄
バリの発生することのない樹脂封止半導体装置の製造方
法及びそのための金型を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、樹脂封止半導体装置の製造方法において
、金型の紫外線透過用シリコーンゴムからなるサンプル
押さえ部によりサンプルをセットする工程と、金型のキ
ャビテイ部に紫外線硬化型のエポキシ樹脂を充填する工
程と、前記サンプルのコンタクト部のバリ発生部分の紫
外線マスク部を除き、紫外線を照射する工程とを施すよ
うにしたものである。
成するために、樹脂封止半導体装置の製造方法において
、金型の紫外線透過用シリコーンゴムからなるサンプル
押さえ部によりサンプルをセットする工程と、金型のキ
ャビテイ部に紫外線硬化型のエポキシ樹脂を充填する工
程と、前記サンプルのコンタクト部のバリ発生部分の紫
外線マスク部を除き、紫外線を照射する工程とを施すよ
うにしたものである。
【０００８】また、紫外線透過用シリコーンゴムからな
るサンプル押さえ部と、サンプルのコンタクト部のバリ
発生部分に設けられる紫外線マスクと、キャビティ部に
充填される紫外線硬化型のエポキシ樹脂と、充填された
紫外線硬化型のエポキシ樹脂を硬化するための紫外線照
射手段とを設けるようにしたものである。
るサンプル押さえ部と、サンプルのコンタクト部のバリ
発生部分に設けられる紫外線マスクと、キャビティ部に
充填される紫外線硬化型のエポキシ樹脂と、充填された
紫外線硬化型のエポキシ樹脂を硬化するための紫外線照
射手段とを設けるようにしたものである。
【０００９】
【作用】本発明によれば、上記のように構成したので、
サンプルのコンタクト部表面への樹脂漏れを防止するこ
とができ、ランナ部の封止樹脂のロスをなくすとともに
、離型不良に伴うコンタクト部破壊をなくすことができ
る。
サンプルのコンタクト部表面への樹脂漏れを防止するこ
とができ、ランナ部の封止樹脂のロスをなくすとともに
、離型不良に伴うコンタクト部破壊をなくすことができ
る。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示す樹
脂封止型半導体装置の製造装置である。この図に示すよ
うに、金型１０は上型１１と下型１２からなり、上型１
１には樹脂注入口１３、紫外線透過性シリコーンゴム１
４が設けられると共に、高圧水銀灯ランプ（ＨＦＱ─１
０００）１６及び紫外線硬化性ガラス（石英）１７が配
置されている。一方、下型１２には紫外線硬化性ガラス
（石英）１８を介して高圧水銀灯ランプ（ＨＦＱ─１０
００）１９が設けられる。更に、コンタクト部３の周辺
とチップ封止樹脂部４との間に紫外線マスク２０を設け
、紫外線透過性シリコーンゴム１５で押さえるようにし
ている。ここで、例えば、ＵＶ照射距離ｅは１２５ｍｍ
とする。
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示す樹
脂封止型半導体装置の製造装置である。この図に示すよ
うに、金型１０は上型１１と下型１２からなり、上型１
１には樹脂注入口１３、紫外線透過性シリコーンゴム１
４が設けられると共に、高圧水銀灯ランプ（ＨＦＱ─１
０００）１６及び紫外線硬化性ガラス（石英）１７が配
置されている。一方、下型１２には紫外線硬化性ガラス
（石英）１８を介して高圧水銀灯ランプ（ＨＦＱ─１０
００）１９が設けられる。更に、コンタクト部３の周辺
とチップ封止樹脂部４との間に紫外線マスク２０を設け
、紫外線透過性シリコーンゴム１５で押さえるようにし
ている。ここで、例えば、ＵＶ照射距離ｅは１２５ｍｍ
とする。
【００１１】次いで、本発明の樹脂封止半導体装置の製
造方法について図２〜図５を参照しながら説明する。ま
ず、図２に示すように、金型１０に、フレーム１付き半
導体チップ封止樹脂部４及びコンタクト部３を有するサ
ンプル９を設置する。その際、本発明の金型においては
、サンプル９を上下から押さえるように、紫外線透過性
シリコーンゴム１４，１５を用いるようにしているため
、型じめの際、サンプル９の反り等を吸収することがで
き、漏れ不良が低減される。
造方法について図２〜図５を参照しながら説明する。ま
ず、図２に示すように、金型１０に、フレーム１付き半
導体チップ封止樹脂部４及びコンタクト部３を有するサ
ンプル９を設置する。その際、本発明の金型においては
、サンプル９を上下から押さえるように、紫外線透過性
シリコーンゴム１４，１５を用いるようにしているため
、型じめの際、サンプル９の反り等を吸収することがで
き、漏れ不良が低減される。
【００１２】また、シリコーンゴムの特性として、エポ
キシ樹脂との離型にすぐれるため、離型剤を用いる必要
がないので、金型の汚れ低減、離型剤の塗布、清浄等の
工程をなくすことができる。次いで、図３に示すように
、キャビテイの内部を脱気し、２ｔｏｒｒに達した点で
、下型１２に設置された高圧水銀灯ランプ１９よりＵＶ
（紫外線）を照射する。照射強度は、８０ｍｗ／ｃｍ２
とする。
キシ樹脂との離型にすぐれるため、離型剤を用いる必要
がないので、金型の汚れ低減、離型剤の塗布、清浄等の
工程をなくすことができる。次いで、図３に示すように
、キャビテイの内部を脱気し、２ｔｏｒｒに達した点で
、下型１２に設置された高圧水銀灯ランプ１９よりＵＶ
（紫外線）を照射する。照射強度は、８０ｍｗ／ｃｍ２
とする。
【００１３】次に、図４に示すように、樹脂注入口１３
より、紫外線硬化型のエポキシ樹脂（例えば、Ｔ−４７
０／ＵＲ−２０００，２００１ 長瀬チバ株式会社製
）を充填する。注入圧力は、２〜３ｋｇ／ｃｍ２ とす
る。 この際、紫外線マスク２０には、樹脂の硬化は起こらず
、端子部への漏れが生じた場合、直ちに硬化する。これ
により、端子部への樹脂漏れ（薄バリ）は防止できる。
より、紫外線硬化型のエポキシ樹脂（例えば、Ｔ−４７
０／ＵＲ−２０００，２００１ 長瀬チバ株式会社製
）を充填する。注入圧力は、２〜３ｋｇ／ｃｍ２ とす
る。 この際、紫外線マスク２０には、樹脂の硬化は起こらず
、端子部への漏れが生じた場合、直ちに硬化する。これ
により、端子部への樹脂漏れ（薄バリ）は防止できる。
【００１４】充填が完了した後、図５に示すように、上
型１１に設置された高圧水銀灯ランプ１６よりＵＶを照
射し、樹脂を硬化する。照射時間は１０秒で完了とする
。なお、照射効率を上げるために、照射径内には紫外線
反射板２１を設置する。また、本発明は上記実施例に限
定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の
変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除する
ものではない。
型１１に設置された高圧水銀灯ランプ１６よりＵＶを照
射し、樹脂を硬化する。照射時間は１０秒で完了とする
。なお、照射効率を上げるために、照射径内には紫外線
反射板２１を設置する。また、本発明は上記実施例に限
定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の
変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除する
ものではない。
【００１５】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、メモリカードのような超薄型の樹脂封止型半導
体装置の製造にあたり、封止樹脂に紫外線硬化型のエポ
キシ樹脂を使用し、（１）紫外線透過用シリコーンゴム
を設けて、型締時にサンプルを押さえる。（２）紫外線
透過用ガラス（シリカ）を設置する。（３）サンプルの
コンタクト部の薄バリ発生部分に紫外線マスクを設置す
る。（４）紫外線透過用ガラスの側面に紫外線反射板を
設置する。更に、（５）紫外線照射用の高圧水銀灯ラン
プを設置する。（６）真空装置を設置する。
よれば、メモリカードのような超薄型の樹脂封止型半導
体装置の製造にあたり、封止樹脂に紫外線硬化型のエポ
キシ樹脂を使用し、（１）紫外線透過用シリコーンゴム
を設けて、型締時にサンプルを押さえる。（２）紫外線
透過用ガラス（シリカ）を設置する。（３）サンプルの
コンタクト部の薄バリ発生部分に紫外線マスクを設置す
る。（４）紫外線透過用ガラスの側面に紫外線反射板を
設置する。更に、（５）紫外線照射用の高圧水銀灯ラン
プを設置する。（６）真空装置を設置する。
【００１６】このように構成したので、サンプルのコン
タクト部表面への樹脂漏れを防止することができ、ラン
ナ部の封止樹脂のロスをなくすとともに、離型不良に伴
うコンタクト部破壊をなくすことができる。
タクト部表面への樹脂漏れを防止することができ、ラン
ナ部の封止樹脂のロスをなくすとともに、離型不良に伴
うコンタクト部破壊をなくすことができる。
【図１】本発明の実施例を示す樹脂封止型半導体装置の
製造装置である。
製造装置である。
【図２】本発明の実施例を示す樹脂封止型半導体装置の
第１の工程図である。
第１の工程図である。
【図３】本発明の実施例を示す樹脂封止型半導体装置の
第２の工程図である。
第２の工程図である。
【図４】本発明の実施例を示す樹脂封止型半導体装置の
第３の工程図である。
第３の工程図である。
【図５】本発明の実施例を示す樹脂封止型半導体装置の
第４の工程図である。
第４の工程図である。
【図６】従来の樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【図７】従来の樹脂封止型半導体装置の製造過程を示す
断面図である。
断面図である。
【図８】図７のＡ部拡大断面図である。
３ コンタクト部
４ チップ封止樹脂部
９ サンプル
１０ 金型
１１ 上型
１２ 下型
１３ 樹脂注入口
１４，１５ 紫外線透過性シリコーンゴム１６，
１９ 高圧水銀灯ランプ １７，１８ 紫外線硬化性ガラス（石英）２０
紫外線マスク ２１ 紫外線反射板
１９ 高圧水銀灯ランプ １７，１８ 紫外線硬化性ガラス（石英）２０
紫外線マスク ２１ 紫外線反射板
Claims (2)
- 【請求項１】（ａ）金型の紫外線透過用シリコーンゴム
からなるサンプル押さえ部によりサンプルをセットする
工程と、（ｂ）金型のキャビテイ部に紫外線硬化型のエ
ポキシ樹脂を充填する工程と、（ｃ）前記サンプルのコ
ンタクト部のバリ発生部分の紫外線マスク部を除き、紫
外線を照射する工程とを施す樹脂封止型半導体装置の製
造方法。 - 【請求項２】（ａ）紫外線透過用シリコーンゴムからな
るサンプル押さえ部と、（ｂ）該サンプルのコンタクト
部のバリ発生部分に設けられる紫外線マスクと、（ｃ）
キャビティ部に充填される紫外線硬化型のエポキシ樹脂
と、（ｄ）充填された紫外線硬化型のエポキシ樹脂を硬
化するための紫外線照射手段とを具備する樹脂封止型半
導体装置の製造用金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP178691A JPH04239143A (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法及びそのための金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP178691A JPH04239143A (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法及びそのための金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04239143A true JPH04239143A (ja) | 1992-08-27 |
Family
ID=11511261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP178691A Withdrawn JPH04239143A (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法及びそのための金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04239143A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009150919A1 (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-17 | 新東工業株式会社 | 半導体ウエハの保護膜の形成装置 |
-
1991
- 1991-01-11 JP JP178691A patent/JPH04239143A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009150919A1 (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-17 | 新東工業株式会社 | 半導体ウエハの保護膜の形成装置 |
| JP2010021509A (ja) * | 2008-06-10 | 2010-01-28 | Sintokogio Ltd | 半導体ウエハの保護膜の形成装置 |
| CN101919034B (zh) | 2008-06-10 | 2012-05-02 | 新东工业株式会社 | 半导体晶片的保护膜的形成装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |