JPH04240607A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH04240607A JPH04240607A JP737091A JP737091A JPH04240607A JP H04240607 A JPH04240607 A JP H04240607A JP 737091 A JP737091 A JP 737091A JP 737091 A JP737091 A JP 737091A JP H04240607 A JPH04240607 A JP H04240607A
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- Japan
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- semiconductor laser
- optical fiber
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- laser device
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 7
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 4
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は主として光出力用光ファ
イバを備えた半導体レーザ装置に関し、特に小型化が可
能であり、かつ温度特性が優れるとともに組立が容易で
、かつ実装性の優れた半導体レーザ装置に関する。
イバを備えた半導体レーザ装置に関し、特に小型化が可
能であり、かつ温度特性が優れるとともに組立が容易で
、かつ実装性の優れた半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体レーザ装置は、大別に２種
類あり、１つは図３に示されるように、半導体レーザ１
の光出力を効率よく光ファイバに供給する為に集光用レ
ンズ１５を有し、前記集光用レンズを保持する構造を有
した金属ベース１４が必要であった。また、もう１つは
図４に示されるように、半導体レーザ１の光出力を効率
よく光ファイバ９に結合するよう調整を行なった後、先
球ファイバ９をハンダ８で固定していた。
類あり、１つは図３に示されるように、半導体レーザ１
の光出力を効率よく光ファイバに供給する為に集光用レ
ンズ１５を有し、前記集光用レンズを保持する構造を有
した金属ベース１４が必要であった。また、もう１つは
図４に示されるように、半導体レーザ１の光出力を効率
よく光ファイバ９に結合するよう調整を行なった後、先
球ファイバ９をハンダ８で固定していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
レーザ装置の内、集光用レンズを用いたスライドリング
６で調整固定するタイプは、結合系が長く、又、集光用
レンズ１５そのもの及び集光用レンズを保持する金属ベ
ース１４が、半導体レーザ装置内で占める割合が大きく
、小型化に制限があるという欠点がある。
レーザ装置の内、集光用レンズを用いたスライドリング
６で調整固定するタイプは、結合系が長く、又、集光用
レンズ１５そのもの及び集光用レンズを保持する金属ベ
ース１４が、半導体レーザ装置内で占める割合が大きく
、小型化に制限があるという欠点がある。
【０００４】先球ファイバ９をハンダ８で固定したタイ
プは、ハンダのクリープ現象等によって結合系が変動を
起こすという欠点がある。すなわち、結合系が安定でか
つ小型であるという両方を満たした半導体レーザ装置が
無かった。
プは、ハンダのクリープ現象等によって結合系が変動を
起こすという欠点がある。すなわち、結合系が安定でか
つ小型であるという両方を満たした半導体レーザ装置が
無かった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ装
置は、半導体レーザ，チップキャリア，金属ベース，光
出力用光ファイバ，および、側壁に前記光ファイバを通
過させる導入孔を有する金属ケースからなり、前記半導
体レーザが前記チップキャリアを介して前記金属ベース
の平坦部にマウントされ、前記金属ベースが前記金属ケ
ースの内部に固定され、前記光ファイバが前記導入孔よ
り挿入された半導体レーザ装置において、前記光ファイ
バが先端部を金属管に保護された先球光ファイバであり
、一方、前記金属ベースが貫通孔を有する管状部を持ち
、スライドリングを介して前記光ファイバの金属管部と
前記金属ベースの管状部をＹＡＧ溶接により固定するこ
とで、前記光ファイバと前記半導体レーザの光学結合を
得ることを特徴としている。
置は、半導体レーザ，チップキャリア，金属ベース，光
出力用光ファイバ，および、側壁に前記光ファイバを通
過させる導入孔を有する金属ケースからなり、前記半導
体レーザが前記チップキャリアを介して前記金属ベース
の平坦部にマウントされ、前記金属ベースが前記金属ケ
ースの内部に固定され、前記光ファイバが前記導入孔よ
り挿入された半導体レーザ装置において、前記光ファイ
バが先端部を金属管に保護された先球光ファイバであり
、一方、前記金属ベースが貫通孔を有する管状部を持ち
、スライドリングを介して前記光ファイバの金属管部と
前記金属ベースの管状部をＹＡＧ溶接により固定するこ
とで、前記光ファイバと前記半導体レーザの光学結合を
得ることを特徴としている。
【０００６】
【実施例】図１は本発明の半導体レーザ装置の一実施例
の構造を示す側面構造図である。同図において半導体レ
ーザ１はヒートシンク２およびチップキャリア３を介し
てベース４の平坦部にマウントされている。ベース４の
先端部（管状部）４ａには、先端部をフェルール７で保
護された先球光ファイバ９がスライドリング６を介して
ＹＡＧ溶接固定されている。フェルールー７と金属ケー
ス１１はハンダ８により接続封止されている。この構造
の場合、集光用レンズを用いない分結合系がコンパクト
であり、従来の半導体レーザ装置より３ｍｍ程度薄型に
出来る。また、チップキャリア３がマウントされるベー
ス４と先球光ファイバが固定されるベース先端部が一体
化されており、さらに、先球光ファイバはスライドリン
グを介してベース先端部４ａにＹＡＧ溶接固定されてい
るため、結合光学系が安定に支持され、クリープ現象が
顕著に観察される１℃／ｍｉｎの温度サイクルでほとん
どＰｆ変動は見られなくなりΔＰｆが０．５ｄＢ以内で
安定している。
の構造を示す側面構造図である。同図において半導体レ
ーザ１はヒートシンク２およびチップキャリア３を介し
てベース４の平坦部にマウントされている。ベース４の
先端部（管状部）４ａには、先端部をフェルール７で保
護された先球光ファイバ９がスライドリング６を介して
ＹＡＧ溶接固定されている。フェルールー７と金属ケー
ス１１はハンダ８により接続封止されている。この構造
の場合、集光用レンズを用いない分結合系がコンパクト
であり、従来の半導体レーザ装置より３ｍｍ程度薄型に
出来る。また、チップキャリア３がマウントされるベー
ス４と先球光ファイバが固定されるベース先端部が一体
化されており、さらに、先球光ファイバはスライドリン
グを介してベース先端部４ａにＹＡＧ溶接固定されてい
るため、結合光学系が安定に支持され、クリープ現象が
顕著に観察される１℃／ｍｉｎの温度サイクルでほとん
どＰｆ変動は見られなくなりΔＰｆが０．５ｄＢ以内で
安定している。
【０００７】図２は本発明の実施例２の側面構造図であ
る。同図は、実施例１に示した半導体レーザ装置にフェ
ルールを二分割した構造を有する先球光ファイバー９を
用いている事を特徴としている。この他は先の実施例と
同じである。
る。同図は、実施例１に示した半導体レーザ装置にフェ
ルールを二分割した構造を有する先球光ファイバー９を
用いている事を特徴としている。この他は先の実施例と
同じである。
【０００８】この実施例の半導体レーザ装置は光学系が
短かい分二分割したフェルール７ａ，７ｂの間の心線長
を５ｍｍ程度の長さにする事が出来る為、金属ケース１
１のひずみが、結合系にあたえる影響を最小限におさえ
る事が出来、温度差４５℃でのＰｆ変動が従来±０．５
ｄＢ以内であったのに対し、±０．３ｄＢ以内に納まっ
た。
短かい分二分割したフェルール７ａ，７ｂの間の心線長
を５ｍｍ程度の長さにする事が出来る為、金属ケース１
１のひずみが、結合系にあたえる影響を最小限におさえ
る事が出来、温度差４５℃でのＰｆ変動が従来±０．５
ｄＢ以内であったのに対し、±０．３ｄＢ以内に納まっ
た。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体レ
ーザ装置では、従来見られた構造に対して、小型化が可
能であり、かつ温度特性が優れるとともに組立が容易で
、かつ実装性に優れるという効果が得られる。
ーザ装置では、従来見られた構造に対して、小型化が可
能であり、かつ温度特性が優れるとともに組立が容易で
、かつ実装性に優れるという効果が得られる。
【図１】本発明の半導体レーザ装置の実施例１を示す側
面構造図である。
面構造図である。
【図２】本発明の実施例２を示す側面構造図である。
【図３】従来の半導体レーザ装置の側面構造図である。
【図４】従来例の側面構造図である。
１ 半導体レーザ
２ ヒートシンク
３ チップキャリア
４ ベース
６ スライドリング
７ フェルールー
８ ハンダ
９ 先球光ファイバ
１１ 金属ケース
１４ レンズ付ベース
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体レーザ，チップキャリア，金属
ベース，光出力用光ファイバ，および、側壁に前記光フ
ァイバを通過させる導入孔を有する金属ケースからなり
、前記半導体レーザが前記チップキャリアを介して前記
金属ベースの平坦部にマウントされ、前記金属ベースが
前記金属ケースの内部に固定され、前記光ファイバが前
記導入孔より挿入された半導体レーザ装置において、前
記光ファイバが先端部を金属管に保護された先球光ファ
イバであり、一方、前記金属ベースが貫通孔を有する管
状部を持ち、スライドリングを介して前記光ファイバの
金属管部と前記金属ベースの管状部をＹＡＧ溶接により
固定することで、前記光ファイバと前記半導体レーザの
光学結合を得ることを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP737091A JPH04240607A (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP737091A JPH04240607A (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04240607A true JPH04240607A (ja) | 1992-08-27 |
Family
ID=11664086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP737091A Pending JPH04240607A (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04240607A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0948104A3 (en) * | 1998-03-30 | 1999-10-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor laser module and method of manufacturing the same |
| US6219364B1 (en) | 1997-01-09 | 2001-04-17 | Nec Corporation | Semiconductor laser module having improved metal substrate on peltier element |
-
1991
- 1991-01-25 JP JP737091A patent/JPH04240607A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6219364B1 (en) | 1997-01-09 | 2001-04-17 | Nec Corporation | Semiconductor laser module having improved metal substrate on peltier element |
| EP0948104A3 (en) * | 1998-03-30 | 1999-10-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor laser module and method of manufacturing the same |
| US6244754B1 (en) | 1998-03-30 | 2001-06-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor laser module and method of manufacturing the same |
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