JPH04241222A - 磁気ディスク用基板およびそれを用いた磁気記録媒体 - Google Patents
磁気ディスク用基板およびそれを用いた磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH04241222A JPH04241222A JP1303391A JP1303391A JPH04241222A JP H04241222 A JPH04241222 A JP H04241222A JP 1303391 A JP1303391 A JP 1303391A JP 1303391 A JP1303391 A JP 1303391A JP H04241222 A JPH04241222 A JP H04241222A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic
- amorphous alloy
- titanium
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 33
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 52
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 52
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 52
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 42
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 26
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 27
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 12
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 12
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 9
- SZMZREIADCOWQA-UHFFFAOYSA-N chromium cobalt nickel Chemical compound [Cr].[Co].[Ni] SZMZREIADCOWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910002058 ternary alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 31
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 19
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 18
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 18
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 abstract description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 37
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 229910000623 nickel–chromium alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 6
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- GUBSQCSIIDQXLB-UHFFFAOYSA-N cobalt platinum Chemical compound [Co].[Pt].[Pt].[Pt] GUBSQCSIIDQXLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010687 lubricating oil Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M sodium;oxocalcium;hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+].[Ca]=O HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- LMHKOBXLQXJSOU-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ni].[Pt] Chemical compound [Co].[Ni].[Pt] LMHKOBXLQXJSOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000004347 Perilla Nutrition 0.000 description 1
- 244000124853 Perilla frutescens Species 0.000 description 1
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001093 Zr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- DTJAVSFDAWLDHQ-UHFFFAOYSA-N [Cr].[Co].[Pt] Chemical compound [Cr].[Co].[Pt] DTJAVSFDAWLDHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TZVJRPRFJIXRGV-UHFFFAOYSA-N [Cr].[Co].[Ta] Chemical compound [Cr].[Co].[Ta] TZVJRPRFJIXRGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSKUKTCDKBZOPF-UHFFFAOYSA-N [Ta].[Cr].[Ni].[Co] Chemical compound [Ta].[Cr].[Ni].[Co] BSKUKTCDKBZOPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- LYLITXREHOKIEO-UHFFFAOYSA-N chromium cobalt zirconium Chemical compound [Co][Cr][Zr] LYLITXREHOKIEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGDWHDKHJKZZIQ-UHFFFAOYSA-N cobalt nickel Chemical compound [Co].[Ni].[Ni].[Ni] ZGDWHDKHJKZZIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置に用
いられる磁気記録媒体および磁気記録媒体を製造するの
に用いられる磁気ディスク用基板に関する。
いられる磁気記録媒体および磁気記録媒体を製造するの
に用いられる磁気ディスク用基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】ガラス基板は表面の平滑性が優れ、硬く
、変形抵抗が大きく、かつ表面欠陥が少ない等の理由か
ら、高密度磁気ディスク用基板として注目されている。 （例えば特開昭４９−１２２７０７号、特開昭５２−１
８００２号）
、変形抵抗が大きく、かつ表面欠陥が少ない等の理由か
ら、高密度磁気ディスク用基板として注目されている。 （例えば特開昭４９−１２２７０７号、特開昭５２−１
８００２号）
【０００３】又上記ガラス基板表面に有機金属化合物の
溶液の微少な液滴を噴霧する方法を用いて凹凸を形成し
、被覆する膜とガラス基板との接触特性を改善したもの
が知られている。（例えば特開昭６３−１６００１４）
溶液の微少な液滴を噴霧する方法を用いて凹凸を形成し
、被覆する膜とガラス基板との接触特性を改善したもの
が知られている。（例えば特開昭６３−１６００１４）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ガラス
基板上に有機金属化合物の溶液の微少な液滴を噴霧し乾
燥あるいは焼成したものでは、表面に吸着水分などが多
いためにその上に被覆する下地膜や磁性膜の初期堆積層
の結晶性が良くないため、膜全体の結晶性が悪くなり、
磁気特性や記録再生特性が劣化するという問題があった
。
基板上に有機金属化合物の溶液の微少な液滴を噴霧し乾
燥あるいは焼成したものでは、表面に吸着水分などが多
いためにその上に被覆する下地膜や磁性膜の初期堆積層
の結晶性が良くないため、膜全体の結晶性が悪くなり、
磁気特性や記録再生特性が劣化するという問題があった
。
【０００５】また、上記問題を解決するためにガラス基
板上にチタニウムのような非磁性膜を設けたものでは、
磁性膜などの酸化は抑えられるものの、非磁性膜が結晶
性の膜であるため、その上に設ける下地膜や磁性膜の結
晶性に影響し、良好な磁気特性が得られないといった問
題点があった。
板上にチタニウムのような非磁性膜を設けたものでは、
磁性膜などの酸化は抑えられるものの、非磁性膜が結晶
性の膜であるため、その上に設ける下地膜や磁性膜の結
晶性に影響し、良好な磁気特性が得られないといった問
題点があった。
【０００６】本発明は、上記の問題点を解決するために
なされたものであって、すなわち基板上に磁性膜あるい
は磁性膜に先立ち下地膜を被覆して、磁気記録媒体を製
造するに際して、前記磁性膜の結晶性を再現性よく被覆
することができ、これにより良好な磁気特性を有する磁
気記録媒体を再現性よく得ることができる磁気ディスク
用基板を提供するものである。さらに本発明は前記の磁
気ディスク用基板を用いた磁気特性が良好な磁気記録媒
体を提供するものである。
なされたものであって、すなわち基板上に磁性膜あるい
は磁性膜に先立ち下地膜を被覆して、磁気記録媒体を製
造するに際して、前記磁性膜の結晶性を再現性よく被覆
することができ、これにより良好な磁気特性を有する磁
気記録媒体を再現性よく得ることができる磁気ディスク
用基板を提供するものである。さらに本発明は前記の磁
気ディスク用基板を用いた磁気特性が良好な磁気記録媒
体を提供するものである。
【０００７】本発明は、非磁性支持体の上に表面に露出
した膜としてチタニウムとシリコンとからなる非晶質合
金膜が被覆された磁気ディスク用の基板である。本発明
の非晶質合金膜中のシリコンの含有量は、３５〜６５原
子％であることが好ましい。シリコンの含有量が３５原
子％より少いか、あるいは６５原子％より多いと、前記
合金膜は結晶化しやすくなるので好ましくない。合金膜
が表面に露出した状態で結晶化して被覆されていると、
その上に磁性膜を被覆あるいは下地膜を被覆しその下地
膜の上に磁性膜を被覆するとき、前記磁性膜の結晶粒径
をそろえ、それを再現性よく制御することが困難になり
、良好な磁気特性や記録再生特性を有する磁気記録媒体
を得ることが困難になる。前記シリコンの含有量は、４
０〜６０原子％とすることがさらに好ましい。
した膜としてチタニウムとシリコンとからなる非晶質合
金膜が被覆された磁気ディスク用の基板である。本発明
の非晶質合金膜中のシリコンの含有量は、３５〜６５原
子％であることが好ましい。シリコンの含有量が３５原
子％より少いか、あるいは６５原子％より多いと、前記
合金膜は結晶化しやすくなるので好ましくない。合金膜
が表面に露出した状態で結晶化して被覆されていると、
その上に磁性膜を被覆あるいは下地膜を被覆しその下地
膜の上に磁性膜を被覆するとき、前記磁性膜の結晶粒径
をそろえ、それを再現性よく制御することが困難になり
、良好な磁気特性や記録再生特性を有する磁気記録媒体
を得ることが困難になる。前記シリコンの含有量は、４
０〜６０原子％とすることがさらに好ましい。
【０００８】また、本発明にかかるチタニウムとシリコ
ンとからなる非晶質合金膜の厚みは、２ｎｍ以上である
ことが好ましい。厚みが２ｎｍより薄いと、その上に被
覆される磁性膜または磁性膜に先立ち被覆される下地膜
の結晶性を良くすることができず、高保持力、大きい保
持力角型性を得るのが困難になる。また完全に非晶質合
金膜で非磁性支持体を覆うために３ｎｍ以上が好ましく
、生産効率の低下を防止し、膜の応力による膜はがれを
防止する上から５０ｎｍ以下の厚みが好ましい。
ンとからなる非晶質合金膜の厚みは、２ｎｍ以上である
ことが好ましい。厚みが２ｎｍより薄いと、その上に被
覆される磁性膜または磁性膜に先立ち被覆される下地膜
の結晶性を良くすることができず、高保持力、大きい保
持力角型性を得るのが困難になる。また完全に非晶質合
金膜で非磁性支持体を覆うために３ｎｍ以上が好ましく
、生産効率の低下を防止し、膜の応力による膜はがれを
防止する上から５０ｎｍ以下の厚みが好ましい。
【０００９】本発明に係る非磁性支持体としては、例え
ば、ガラス板、セラミック板、アルミニウム板、チタニ
ウム板が挙げられる。これらの中でも、表面の平坦性の
面からガラス板の使用が好ましく、またガラス板の中で
もとりわけフロート法で製造されたソーダライム組成の
ガラス板の使用は最も安価に入手できるので特に好まし
い。
ば、ガラス板、セラミック板、アルミニウム板、チタニ
ウム板が挙げられる。これらの中でも、表面の平坦性の
面からガラス板の使用が好ましく、またガラス板の中で
もとりわけフロート法で製造されたソーダライム組成の
ガラス板の使用は最も安価に入手できるので特に好まし
い。
【００１０】また、本発明の磁気ディスク用基板におい
ては、前記チタニウムとシリコンとからなる非晶質合金
膜と非磁性支持体との間に、金属膜を介在させるように
設けることができる。かかる金属膜としては、非磁性支
持体の表面から放出される酸素や水分などの酸化性ガス
が磁性膜中へ拡散することなく前記金属膜中に閉じ込め
る性質を有する、すなわち前記酸化性ガスを吸蔵するゲ
ッタリング作用を有する金属膜が好ましく、チタニウム
、クロム、タングステンの膜が好ましい。なかでもチタ
ニウム膜が最も好ましい。これらの金属膜の厚みとして
は、２〜１００ｎｍが好ましい。厚みが２ｎｍより小さ
いと、上記のガスの吸蔵する可能量が小さくなり、また
１００ｎｍより厚いと金属膜の応力が大きくなるので好
ましくない。また基板を製造するときの生産性を低下さ
せない上からも１００ｎｍ以下とするのが好ましい。
ては、前記チタニウムとシリコンとからなる非晶質合金
膜と非磁性支持体との間に、金属膜を介在させるように
設けることができる。かかる金属膜としては、非磁性支
持体の表面から放出される酸素や水分などの酸化性ガス
が磁性膜中へ拡散することなく前記金属膜中に閉じ込め
る性質を有する、すなわち前記酸化性ガスを吸蔵するゲ
ッタリング作用を有する金属膜が好ましく、チタニウム
、クロム、タングステンの膜が好ましい。なかでもチタ
ニウム膜が最も好ましい。これらの金属膜の厚みとして
は、２〜１００ｎｍが好ましい。厚みが２ｎｍより小さ
いと、上記のガスの吸蔵する可能量が小さくなり、また
１００ｎｍより厚いと金属膜の応力が大きくなるので好
ましくない。また基板を製造するときの生産性を低下さ
せない上からも１００ｎｍ以下とするのが好ましい。
【００１１】また、本発明の磁気ディスク用基板におい
ては、前記非晶質合金膜の表面に凹凸を形成するように
、前記非晶質合金膜の被覆に先立ち低融点金属を層状ま
たは不連続な島状に設けることができる。低融点金属と
しては、アルミニウム、銀などを用いることができる。 連続した層状または不連続な島状に設けられる上記の表
面凹凸形成物は、非磁性支持体とその上に設けられた非
晶質合金膜との間に設けることができる。また前記金属
膜を前記非磁性支持体と前記非晶質合金膜との間に介在
するように設けた場合は、前記非磁性支持体と前記金属
膜との間、あるいは前記金属膜と前記非晶質合金膜との
間のいずれについても表面凹凸形成物を設けることがで
きる。
ては、前記非晶質合金膜の表面に凹凸を形成するように
、前記非晶質合金膜の被覆に先立ち低融点金属を層状ま
たは不連続な島状に設けることができる。低融点金属と
しては、アルミニウム、銀などを用いることができる。 連続した層状または不連続な島状に設けられる上記の表
面凹凸形成物は、非磁性支持体とその上に設けられた非
晶質合金膜との間に設けることができる。また前記金属
膜を前記非磁性支持体と前記非晶質合金膜との間に介在
するように設けた場合は、前記非磁性支持体と前記金属
膜との間、あるいは前記金属膜と前記非晶質合金膜との
間のいずれについても表面凹凸形成物を設けることがで
きる。
【００１２】本発明の磁気ディスク用基板のチタニウム
とシリコンとからなる非晶質合金膜は、非磁性支持体上
にチタニウム膜とシリコン膜を公知のスパッタリング法
や蒸着法などにより順次被覆し、その後熱処理すること
により少なくとも表面をチタニウムとシリコンの非晶質
の合金にすることにより得られる。また、チタニウムと
シリコンを含むターゲットを用いて、これをスパッタリ
ングすることにより得ることもできる。
とシリコンとからなる非晶質合金膜は、非磁性支持体上
にチタニウム膜とシリコン膜を公知のスパッタリング法
や蒸着法などにより順次被覆し、その後熱処理すること
により少なくとも表面をチタニウムとシリコンの非晶質
の合金にすることにより得られる。また、チタニウムと
シリコンを含むターゲットを用いて、これをスパッタリ
ングすることにより得ることもできる。
【００１３】また、前記非晶質合金膜と非磁性支持体と
の間に介在させて設けられる金属膜は、その金属をター
ゲットとして減圧した雰囲気中でおこなうスパッタリン
グ法や蒸着法により被覆することができる。
の間に介在させて設けられる金属膜は、その金属をター
ゲットとして減圧した雰囲気中でおこなうスパッタリン
グ法や蒸着法により被覆することができる。
【００１４】さらに、前記表面凹凸形成物は、低融点金
属をターゲットとして、公知のスパッタリング法を用い
て設けることができる。表面凹凸形成物の凹凸の程度や
島の大きさは、低融点金属を付着させるときの非磁性支
持体を加熱し、その加熱温度により調節することができ
る。
属をターゲットとして、公知のスパッタリング法を用い
て設けることができる。表面凹凸形成物の凹凸の程度や
島の大きさは、低融点金属を付着させるときの非磁性支
持体を加熱し、その加熱温度により調節することができ
る。
【００１５】本発明の第２は、非磁性支持体の上に、第
１層としてチタニウムとシリコンとからなる非晶質合金
膜、第２層としてクロム、モリブテン、タングステンの
群から少なくとも１種以上が選ばれた金属または合金の
膜、第３層としてコバルト−ニッケル−クロムの３元系
合金磁性膜、第４層として保護膜、第５層として潤滑層
が順次設けられた磁気記録媒体である。
１層としてチタニウムとシリコンとからなる非晶質合金
膜、第２層としてクロム、モリブテン、タングステンの
群から少なくとも１種以上が選ばれた金属または合金の
膜、第３層としてコバルト−ニッケル−クロムの３元系
合金磁性膜、第４層として保護膜、第５層として潤滑層
が順次設けられた磁気記録媒体である。
【００１６】第１層のチタニウムとシリコンとからなる
非晶質合金膜中のシリコンの含有量は、３５〜６５原子
％であることが好ましい。シリコンの含有量が３５原子
％より少いかあるいは６５原子％より多いと、前記非晶
質合金膜は結晶化しやすくなるので好ましくない。前記
非晶質合金膜が、結晶化していると、その上に磁性膜を
被覆あるいは下地膜を被覆し引きつづき磁性膜を被覆す
るとき、前記磁性膜の結晶粒径をそろえ、それを再現性
よく制御することができず、良好な磁気特性や記録再生
特性が得ることが困難となる。前記シリコンの含有量は
、４０〜６０原子％とすることがさらに上記の理由から
好ましい。
非晶質合金膜中のシリコンの含有量は、３５〜６５原子
％であることが好ましい。シリコンの含有量が３５原子
％より少いかあるいは６５原子％より多いと、前記非晶
質合金膜は結晶化しやすくなるので好ましくない。前記
非晶質合金膜が、結晶化していると、その上に磁性膜を
被覆あるいは下地膜を被覆し引きつづき磁性膜を被覆す
るとき、前記磁性膜の結晶粒径をそろえ、それを再現性
よく制御することができず、良好な磁気特性や記録再生
特性が得ることが困難となる。前記シリコンの含有量は
、４０〜６０原子％とすることがさらに上記の理由から
好ましい。
【００１７】また、本発明のチタニウムとシリコンとか
らなる非晶質合金膜の厚みは、２ｎｍ以上であることが
好ましい。完全に連続した非晶質合金膜とするために３
ｎｍ以上が好ましい。一方、生産効率の低下を防止し、
かつ、膜の応力による膜はがれを防止する上から５０ｎ
ｍ以下の厚みが好ましい。
らなる非晶質合金膜の厚みは、２ｎｍ以上であることが
好ましい。完全に連続した非晶質合金膜とするために３
ｎｍ以上が好ましい。一方、生産効率の低下を防止し、
かつ、膜の応力による膜はがれを防止する上から５０ｎ
ｍ以下の厚みが好ましい。
【００１８】第２層の膜はクロム、モリブデン、タング
ステンの群から少なくとも１種以上が選ばれた金属また
は合金の膜で、前記非晶質合金膜の上に被覆されて、磁
性膜の結晶粒径をそろえ下地膜となる。とりわけクロム
膜が好んで用いられる。
ステンの群から少なくとも１種以上が選ばれた金属また
は合金の膜で、前記非晶質合金膜の上に被覆されて、磁
性膜の結晶粒径をそろえ下地膜となる。とりわけクロム
膜が好んで用いられる。
【００１９】第３層の磁性膜は、コバルト−ニッケル合
金、コバルト−ニッケル−クロム合金、コバルト−ニッ
ケル−クロム−タンタル合金、コバルト−クロム−タン
タル合金、コバルト−クロム−ジルコニウム合金を用い
ることができ、とりわけ下地膜のクロム膜と組合せした
コバルト−ニッケル−クロム合金磁性膜は、磁気特性が
良好なために好んで用いられる。そして、この合金磁性
膜の結晶粒径は０．２〜０．６ｎｍ、好ましくは０．３
〜０．５ｎｍにそろえられる。
金、コバルト−ニッケル−クロム合金、コバルト−ニッ
ケル−クロム−タンタル合金、コバルト−クロム−タン
タル合金、コバルト−クロム−ジルコニウム合金を用い
ることができ、とりわけ下地膜のクロム膜と組合せした
コバルト−ニッケル−クロム合金磁性膜は、磁気特性が
良好なために好んで用いられる。そして、この合金磁性
膜の結晶粒径は０．２〜０．６ｎｍ、好ましくは０．３
〜０．５ｎｍにそろえられる。
【００２０】第４層の保護膜としては、通常用いられる
カーボンや二酸化ケイ素が用いられ、さらに第５層とし
てはパーフロロカーボンの潤滑油を塗布したものが用い
られる。
カーボンや二酸化ケイ素が用いられ、さらに第５層とし
てはパーフロロカーボンの潤滑油を塗布したものが用い
られる。
【００２１】前記非磁性支持体と前記非晶質合金膜との
間に介在するように、チタニウム膜を設け、さらに前記
非晶質合金膜と前記チタニウム膜との間に、前記保護膜
の表面に凹凸を形成するように、低融点金属を層状また
は島状に設けることができる。
間に介在するように、チタニウム膜を設け、さらに前記
非晶質合金膜と前記チタニウム膜との間に、前記保護膜
の表面に凹凸を形成するように、低融点金属を層状また
は島状に設けることができる。
【００２２】低融点金属としては、アルミニウム、銀な
どを用いることをでき、これにより前記保護膜の表面に
凹凸を形成するには、低融点金属をスパッタリングによ
り被覆するときの非磁性支持体を加熱しその温度を調整
することによりおこなうことができる。
どを用いることをでき、これにより前記保護膜の表面に
凹凸を形成するには、低融点金属をスパッタリングによ
り被覆するときの非磁性支持体を加熱しその温度を調整
することによりおこなうことができる。
【００２３】本発明の第３は、非磁性支持体の上に、第
１層としてチタニウムとシリコンとからなる非晶質合金
膜、第２層としてコバルトと白金とを含む合金磁性膜、
第３層として保護膜、第４層として潤滑層が、順次設け
られた磁気記録媒体である。
１層としてチタニウムとシリコンとからなる非晶質合金
膜、第２層としてコバルトと白金とを含む合金磁性膜、
第３層として保護膜、第４層として潤滑層が、順次設け
られた磁気記録媒体である。
【００２４】第１層のチタニウムとシリコンからなる非
晶質合金膜中のシリコンの含有量は、本発明の第２と同
じように３５〜６５原子％であることが好ましい。シリ
コンの含有量が３５原子％より少いかあるいは６５原子
％より多いと、前記非晶質合金膜は結晶化しやすくなる
ので好ましくない。前記非晶質合金膜が、結晶化してい
ると、その上にコバルト白金系の磁性膜を被覆すると、
前記コバルト白金系の磁性膜の結晶粒径をそろえ、それ
を再現性よく制御することができず、良好な磁気特性や
記録再生特性を得ることが困難となる。前記シリコンの
含有量は、４０〜６０原子％とすることがさらに好まし
い。
晶質合金膜中のシリコンの含有量は、本発明の第２と同
じように３５〜６５原子％であることが好ましい。シリ
コンの含有量が３５原子％より少いかあるいは６５原子
％より多いと、前記非晶質合金膜は結晶化しやすくなる
ので好ましくない。前記非晶質合金膜が、結晶化してい
ると、その上にコバルト白金系の磁性膜を被覆すると、
前記コバルト白金系の磁性膜の結晶粒径をそろえ、それ
を再現性よく制御することができず、良好な磁気特性や
記録再生特性を得ることが困難となる。前記シリコンの
含有量は、４０〜６０原子％とすることがさらに好まし
い。
【００２５】また、本発明のチタニウムとシリコンとか
らなる非晶質合金膜の厚みは、２ｎｍ以上であることが
好ましい。厚みが２ｎｍより薄いと、合金膜の下地が、
磁性膜の被覆に際してコバルト白金系磁性膜の結晶成長
に悪影響を及ぼすので、良好な磁気特性が得られにくく
なる。完全に連続した膜とするために３ｎｍ以上が好ま
しい。また、生産効率の低下を防止し、かつ、膜の応力
による膜はがれを防止する上で５０ｎｍ以下の厚みが好
ましい。
らなる非晶質合金膜の厚みは、２ｎｍ以上であることが
好ましい。厚みが２ｎｍより薄いと、合金膜の下地が、
磁性膜の被覆に際してコバルト白金系磁性膜の結晶成長
に悪影響を及ぼすので、良好な磁気特性が得られにくく
なる。完全に連続した膜とするために３ｎｍ以上が好ま
しい。また、生産効率の低下を防止し、かつ、膜の応力
による膜はがれを防止する上で５０ｎｍ以下の厚みが好
ましい。
【００２６】前記チタニウムとシリコンとの非晶質合金
膜の上に設けられるコバルト白金系の磁性膜としては、
コバルト−白金合金、コバルト−クロム−白金合金、コ
バルト−ニッケル−白金合金などの白金を含む磁性膜を
用いることができる。これらの合金磁性膜は前記非晶質
合金膜の上に良好な保持力と保磁力角型比を有するよう
に被覆することができる。
膜の上に設けられるコバルト白金系の磁性膜としては、
コバルト−白金合金、コバルト−クロム−白金合金、コ
バルト−ニッケル−白金合金などの白金を含む磁性膜を
用いることができる。これらの合金磁性膜は前記非晶質
合金膜の上に良好な保持力と保磁力角型比を有するよう
に被覆することができる。
【００２７】第３層の保護膜としては、通常用いられる
カーボン膜や二酸化珪素膜が用いられ、さらに第４層と
してはパーフロロカーボンの潤滑油を塗布したものが用
いられる。
カーボン膜や二酸化珪素膜が用いられ、さらに第４層と
してはパーフロロカーボンの潤滑油を塗布したものが用
いられる。
【００２８】前記非磁性支持体と前記非晶質合金膜との
間に介在するように、チタニウム膜を設け、さらに前記
非晶質合金膜と前記チタニウム膜との間に、前記保護膜
の表面に凹凸を形成するように、低融点金属を層状また
は島状に設けることができる。
間に介在するように、チタニウム膜を設け、さらに前記
非晶質合金膜と前記チタニウム膜との間に、前記保護膜
の表面に凹凸を形成するように、低融点金属を層状また
は島状に設けることができる。
【００２９】低融点金属としては、アルミニウム、銀な
どを用いることをできる。前記保護膜の表面に凹凸を形
成するには、低融点金属をスパッタリングにより被覆す
るときの非磁性支持体を加熱し、その温度を調節するこ
とによりおこなうことができる。
どを用いることをできる。前記保護膜の表面に凹凸を形
成するには、低融点金属をスパッタリングにより被覆す
るときの非磁性支持体を加熱し、その温度を調節するこ
とによりおこなうことができる。
【００３０】本発明の第２、第３の、非磁性支持体上に
設けられる非晶質合金膜、合金磁性膜、保護膜は減圧し
た雰囲気内でおこなう公知のスパッタリング法により連
続して被覆することができる。
設けられる非晶質合金膜、合金磁性膜、保護膜は減圧し
た雰囲気内でおこなう公知のスパッタリング法により連
続して被覆することができる。
【００３１】
【作用】本発明にかかる、チタニウムとシリコンとから
なる非晶質合金膜はその上に磁性膜あるいは下地膜と磁
性膜を順次被覆するに際して、下地膜や磁性膜の結晶粒
径をそろえ、磁性膜の磁気特性や記録再生特性を向上さ
せる。
なる非晶質合金膜はその上に磁性膜あるいは下地膜と磁
性膜を順次被覆するに際して、下地膜や磁性膜の結晶粒
径をそろえ、磁性膜の磁気特性や記録再生特性を向上さ
せる。
【００３２】
【実施例】以下に本発明を実施例により説明する。図１
の（ａ），（ｂ），（Ｃ）は本発明の磁気ディスク用基
板１の実施例の一部断面図で、図１（ａ）では、ガラス
板２の上にチタニウムとシリコンとからなる非晶質合金
膜３が被覆されており、図１（ｂ）ではガラス板２の上
にチタニウム膜４が被覆され、さらにチタニウム膜４の
上にチタニウムとシリコンとからなる非晶質合金膜３が
被覆されている。図１（ｃ）では、ガラス板２の上にチ
タニウム膜４が被覆され、チタニウム膜４の上に磁気デ
ィスク用基板１の表面に凹凸を形成するためのアルミニ
ウム５が不連続な島状構造を呈するように被覆され、さ
らにこのアルミニウム５の上にチタニウムとシリコンと
からなる非晶質合金膜３が被覆されている。図２の（ａ
），（ｂ），（Ｃ）は、本発明の磁気記録媒体１０の実
施例の一部断面図で、図２（ａ）では、図１（Ｃ）で示
される磁気ディスク用基板の上にクロムの下地膜１１が
被覆され、クロムの下地膜１１の上にコバルト−ニッケ
ル−クロム合金の磁性膜１２が被覆され、前記磁性膜１
２の上にカーボン保護膜１３が被覆され、さらにカーボ
ン保護膜１３の上にパーフロロアルキルの潤滑層１４が
塗布されている。そして潤滑層１４の表面は凹凸が形成
されている。
の（ａ），（ｂ），（Ｃ）は本発明の磁気ディスク用基
板１の実施例の一部断面図で、図１（ａ）では、ガラス
板２の上にチタニウムとシリコンとからなる非晶質合金
膜３が被覆されており、図１（ｂ）ではガラス板２の上
にチタニウム膜４が被覆され、さらにチタニウム膜４の
上にチタニウムとシリコンとからなる非晶質合金膜３が
被覆されている。図１（ｃ）では、ガラス板２の上にチ
タニウム膜４が被覆され、チタニウム膜４の上に磁気デ
ィスク用基板１の表面に凹凸を形成するためのアルミニ
ウム５が不連続な島状構造を呈するように被覆され、さ
らにこのアルミニウム５の上にチタニウムとシリコンと
からなる非晶質合金膜３が被覆されている。図２の（ａ
），（ｂ），（Ｃ）は、本発明の磁気記録媒体１０の実
施例の一部断面図で、図２（ａ）では、図１（Ｃ）で示
される磁気ディスク用基板の上にクロムの下地膜１１が
被覆され、クロムの下地膜１１の上にコバルト−ニッケ
ル−クロム合金の磁性膜１２が被覆され、前記磁性膜１
２の上にカーボン保護膜１３が被覆され、さらにカーボ
ン保護膜１３の上にパーフロロアルキルの潤滑層１４が
塗布されている。そして潤滑層１４の表面は凹凸が形成
されている。
【００３３】図２（ｂ）では、図１（ａ）で示される磁
気ディスク用基板１の上にクロム下地膜１１が被覆され
、クロム下地膜１１の上にコバルト−ニッケル−クロム
合金の磁性膜１２が被覆され、前記磁性膜１２の上にカ
ーボン保護膜１３が被覆され、さらにカーボン保護膜１
３の上にパーフロロアルキルの潤滑層１４が塗布されて
いる。
気ディスク用基板１の上にクロム下地膜１１が被覆され
、クロム下地膜１１の上にコバルト−ニッケル−クロム
合金の磁性膜１２が被覆され、前記磁性膜１２の上にカ
ーボン保護膜１３が被覆され、さらにカーボン保護膜１
３の上にパーフロロアルキルの潤滑層１４が塗布されて
いる。
【００３４】図２（ｃ）では、図１（ａ）で示される磁
気ディスク用基板１の上にコバルト−ニッケル−白金合
金の磁性膜１２が被覆され、前記磁性膜１２の上にカー
ボン保護膜１３が被覆され、さらにカーボン保護膜１３
の上にパーフロロアルキルの潤滑層１４が塗布されてい
る。
気ディスク用基板１の上にコバルト−ニッケル−白金合
金の磁性膜１２が被覆され、前記磁性膜１２の上にカー
ボン保護膜１３が被覆され、さらにカーボン保護膜１３
の上にパーフロロアルキルの潤滑層１４が塗布されてい
る。
【００３５】実施例１
円盤状に加工され化学強化されたソーダライム組成のガ
ラス板を良く洗浄し、インラインスパッタリング装置内
にセットし、連続してガラス板上に被膜を被覆した。ま
ず０．０００１３Ｐａ（パスカル）の圧力下で２００℃
に加熱した。その後０．１３Ｐａのアルゴン雰囲気でチ
タニウムターゲットをスパッタし、３０ｎｍの厚みのチ
タニウム膜を２００℃に加熱したガラス板上に被覆した
。次に２００℃に加熱した状態で、アルミニウムの凹凸
形成物を形成した。凹凸形成物の形成条件は、アルミニ
ウムのターゲットを０．１３Ｐａのアルゴン雰囲気でス
パッタすることによりおこない、スパッタするアルミニ
ウムの量は、ガラス板を常温の状態にして１００〜２０
０ｎｍの厚みの平滑な連続膜を被覆する量とした。次に
０．１３Ｐａのアルゴン雰囲気によりチタニウムとシリ
コンを含むターゲット（シリコン５０原子％チタニウム
５０原子％）をスパッタして２０ｎｍの厚みのチタニウ
ムとシリコンとからなる非晶質の合金膜を被覆し、その
後ガラス板を３００℃に加熱した。次に０．１３Ｐａの
アルゴン雰囲気によりクロムターゲットをスパッタして
１５０ｎｍの厚みのクロム膜を被覆した。次に、コバル
トニッケルクロム合金ターゲットを０．１３Ｐａのアル
ゴン雰囲気でスパッタし、６０ｎｍの磁性膜を被覆した
。次に０．１３Ｐａのアルゴン雰囲気でカーボンターゲ
ットをスパッタして３０ｎｍの厚みのカーボン保護膜を
被覆した。次にガラス板をスパッタリング装置から取り
出し、パーフロロアルキル系の潤滑油をカーボン保護膜
上に塗布して、図２（ａ）に示す膜構成の磁気記録媒体
を得た。
ラス板を良く洗浄し、インラインスパッタリング装置内
にセットし、連続してガラス板上に被膜を被覆した。ま
ず０．０００１３Ｐａ（パスカル）の圧力下で２００℃
に加熱した。その後０．１３Ｐａのアルゴン雰囲気でチ
タニウムターゲットをスパッタし、３０ｎｍの厚みのチ
タニウム膜を２００℃に加熱したガラス板上に被覆した
。次に２００℃に加熱した状態で、アルミニウムの凹凸
形成物を形成した。凹凸形成物の形成条件は、アルミニ
ウムのターゲットを０．１３Ｐａのアルゴン雰囲気でス
パッタすることによりおこない、スパッタするアルミニ
ウムの量は、ガラス板を常温の状態にして１００〜２０
０ｎｍの厚みの平滑な連続膜を被覆する量とした。次に
０．１３Ｐａのアルゴン雰囲気によりチタニウムとシリ
コンを含むターゲット（シリコン５０原子％チタニウム
５０原子％）をスパッタして２０ｎｍの厚みのチタニウ
ムとシリコンとからなる非晶質の合金膜を被覆し、その
後ガラス板を３００℃に加熱した。次に０．１３Ｐａの
アルゴン雰囲気によりクロムターゲットをスパッタして
１５０ｎｍの厚みのクロム膜を被覆した。次に、コバル
トニッケルクロム合金ターゲットを０．１３Ｐａのアル
ゴン雰囲気でスパッタし、６０ｎｍの磁性膜を被覆した
。次に０．１３Ｐａのアルゴン雰囲気でカーボンターゲ
ットをスパッタして３０ｎｍの厚みのカーボン保護膜を
被覆した。次にガラス板をスパッタリング装置から取り
出し、パーフロロアルキル系の潤滑油をカーボン保護膜
上に塗布して、図２（ａ）に示す膜構成の磁気記録媒体
を得た。
【００３６】得られた磁気記録媒体の保磁力を測定した
ところ、約１５００Ｏｅであり、保磁力角型比Ｓ＊ は
０．９１で良好な値であった。また、グライド特性は２
マイクロインチ以下で、記録再生特性は良好で、ヘッド
と磁気ディスク表面の間の距離フライングハイトを３マ
イクロインチとして測定したところ、Ｓ／Ｎ値が３０ｄ
Ｂ、Ｄ５０（出力が低周波数での値の１／２になる周波
数）が６０ｋＦＣＩ（１インチ当りの磁化反転回数）で
あった。
ところ、約１５００Ｏｅであり、保磁力角型比Ｓ＊ は
０．９１で良好な値であった。また、グライド特性は２
マイクロインチ以下で、記録再生特性は良好で、ヘッド
と磁気ディスク表面の間の距離フライングハイトを３マ
イクロインチとして測定したところ、Ｓ／Ｎ値が３０ｄ
Ｂ、Ｄ５０（出力が低周波数での値の１／２になる周波
数）が６０ｋＦＣＩ（１インチ当りの磁化反転回数）で
あった。
【００３７】実施例２
円盤状に加工され化学強化されたソーダライム組成のガ
ラス板を良く洗浄し、インラインスパッタリング装置内
にセットし、連続してガラス板上に被膜を被覆した。ま
ず０．０００１３Ｐａ（パスカル）の圧力下で２００℃
に加熱した。
ラス板を良く洗浄し、インラインスパッタリング装置内
にセットし、連続してガラス板上に被膜を被覆した。ま
ず０．０００１３Ｐａ（パスカル）の圧力下で２００℃
に加熱した。
【００３８】次に０．１３Ｐａのアルゴン雰囲気により
チタニウムとシリコンを含むターゲット（シリコン５０
原子％チタニウム５０原子％）をスパッタして３０ｎｍ
の厚みのチタニウムとシリコンとからなる非晶質の合金
膜を被覆し、その後ガラス板を３００℃に加熱した。次
に０．１３Ｐａのアルゴン雰囲気によりクロムターゲッ
トをスパッタして１５０ｎｍの厚みのクロム膜を被覆し
た。次に、コバルトニッケルクロム合金ターゲットを０
．１３Ｐａのアルゴン雰囲気でスパッタし、６０ｎｍの
磁性膜を被覆した。次に０．１３Ｐａのアルゴン雰囲気
でカーボンターゲットをスパッタして３０ｎｍの厚みの
カーボン保護膜を被覆した。次にガラス板をスパッタリ
ング装置から取り出し、パーフロロアルキル系の潤滑油
をカーボン保護膜上に塗布して、図２（ｂ）に示す膜構
成の磁気記録媒体を得た。
チタニウムとシリコンを含むターゲット（シリコン５０
原子％チタニウム５０原子％）をスパッタして３０ｎｍ
の厚みのチタニウムとシリコンとからなる非晶質の合金
膜を被覆し、その後ガラス板を３００℃に加熱した。次
に０．１３Ｐａのアルゴン雰囲気によりクロムターゲッ
トをスパッタして１５０ｎｍの厚みのクロム膜を被覆し
た。次に、コバルトニッケルクロム合金ターゲットを０
．１３Ｐａのアルゴン雰囲気でスパッタし、６０ｎｍの
磁性膜を被覆した。次に０．１３Ｐａのアルゴン雰囲気
でカーボンターゲットをスパッタして３０ｎｍの厚みの
カーボン保護膜を被覆した。次にガラス板をスパッタリ
ング装置から取り出し、パーフロロアルキル系の潤滑油
をカーボン保護膜上に塗布して、図２（ｂ）に示す膜構
成の磁気記録媒体を得た。
【００３９】得られた磁気記録媒体の保磁力を測定した
ところ、約１５００Ｏｅであり、保磁力角型比Ｓ＊ は
０．９３で良好な値であった。また、グライド特性は２
マイクロインチ以下で、記録再生特性は良好で、ヘッド
と磁気ディスク表面の間の距離フライングハイトを３マ
イクロインチとして測定したところ、Ｓ／Ｎ値が３２ｄ
Ｂ、Ｄ５０（出力が低周波数での値の１／２になる周波
数）が６５ｋＦＣＩ（１インチ当りの磁化反転回数）で
あった。
ところ、約１５００Ｏｅであり、保磁力角型比Ｓ＊ は
０．９３で良好な値であった。また、グライド特性は２
マイクロインチ以下で、記録再生特性は良好で、ヘッド
と磁気ディスク表面の間の距離フライングハイトを３マ
イクロインチとして測定したところ、Ｓ／Ｎ値が３２ｄ
Ｂ、Ｄ５０（出力が低周波数での値の１／２になる周波
数）が６５ｋＦＣＩ（１インチ当りの磁化反転回数）で
あった。
【００４０】実施例３
円盤状に加工され化学強化されたソーダライム組成のガ
ラス板を良く洗浄し、インラインスパッタリング装置内
にセットし、連続してガラス板上に被膜を被覆した。ま
ず０．０００１３Ｐａ（パスカル）の圧力下で２００℃
に加熱した。次に０．１３Ｐａのアルゴン雰囲気でチタ
ニウムとシリコンを含むターゲット（シリコン４０原子
％チタニウム６０原子％）をスパッタして３０ｎｍの厚
みのチタニウムとシリコンとからなる非晶質の合金膜を
被覆し、その後ガラス板を３００℃に加熱した。次にコ
バルトニッケル白金合金ターゲットを０．１３Ｐａのア
ルゴン雰囲気でスパッタし、６０ｎｍの磁性膜（白金１
５原子％ニッケル７原子％コバルト７８原子％）を被覆
した。次に０．１３Ｐａのアルゴン雰囲気でカーボンタ
ーゲットをスパッタして３０ｎｍの厚みのカーボン保護
膜を被覆した。次にガラス板をスパッタリング装置から
取り出し、パーフロロアルキル系の潤滑油をカーボン保
護膜上に塗布して、図２（ｃ）に示す膜構成の磁気記録
媒体を得た。
ラス板を良く洗浄し、インラインスパッタリング装置内
にセットし、連続してガラス板上に被膜を被覆した。ま
ず０．０００１３Ｐａ（パスカル）の圧力下で２００℃
に加熱した。次に０．１３Ｐａのアルゴン雰囲気でチタ
ニウムとシリコンを含むターゲット（シリコン４０原子
％チタニウム６０原子％）をスパッタして３０ｎｍの厚
みのチタニウムとシリコンとからなる非晶質の合金膜を
被覆し、その後ガラス板を３００℃に加熱した。次にコ
バルトニッケル白金合金ターゲットを０．１３Ｐａのア
ルゴン雰囲気でスパッタし、６０ｎｍの磁性膜（白金１
５原子％ニッケル７原子％コバルト７８原子％）を被覆
した。次に０．１３Ｐａのアルゴン雰囲気でカーボンタ
ーゲットをスパッタして３０ｎｍの厚みのカーボン保護
膜を被覆した。次にガラス板をスパッタリング装置から
取り出し、パーフロロアルキル系の潤滑油をカーボン保
護膜上に塗布して、図２（ｃ）に示す膜構成の磁気記録
媒体を得た。
【００４１】得られた磁気記録媒体の保磁力を測定した
ところ、約１５００Ｏｅであり、保磁力角型比Ｓ＊ は
０．７５で良好な値であった。また、グライド特性は２
マイクロインチ以下で、記録再生特性は良好で、ヘッド
と磁気ディスク表面の間の距離フライングハイトを３マ
イクロインチとして測定したところ、Ｓ／Ｎ値が３３ｄ
Ｂ、Ｄ５０（出力が低周波数での値の１／２になる周波
数）が６５ｋＦＣＩ（１インチ当りの磁化反転回数）で
あった。
ところ、約１５００Ｏｅであり、保磁力角型比Ｓ＊ は
０．７５で良好な値であった。また、グライド特性は２
マイクロインチ以下で、記録再生特性は良好で、ヘッド
と磁気ディスク表面の間の距離フライングハイトを３マ
イクロインチとして測定したところ、Ｓ／Ｎ値が３３ｄ
Ｂ、Ｄ５０（出力が低周波数での値の１／２になる周波
数）が６５ｋＦＣＩ（１インチ当りの磁化反転回数）で
あった。
【００４２】
【発明の効果】本発明の磁気ディスク用基板には、チタ
ニウムとシリコンとからなる非晶質合金膜が表面に露出
するように被覆されている。したがって本発明の磁気デ
ィスク用基板の上に磁性膜を被覆して磁気記録媒体を製
造するにあたっては、磁性膜の結晶粒径をそろえて設け
ることができ、さらにその粒径を再現性よく制御するこ
とができ、記録再生特性が改善された磁気記録媒体を得
ることができる。
ニウムとシリコンとからなる非晶質合金膜が表面に露出
するように被覆されている。したがって本発明の磁気デ
ィスク用基板の上に磁性膜を被覆して磁気記録媒体を製
造するにあたっては、磁性膜の結晶粒径をそろえて設け
ることができ、さらにその粒径を再現性よく制御するこ
とができ、記録再生特性が改善された磁気記録媒体を得
ることができる。
【００４３】また本発明の磁気記録媒体は、大きい保磁
力と大きい保持力角型比を有し、さらに記録再生時のＳ
／Ｎが大きい。
力と大きい保持力角型比を有し、さらに記録再生時のＳ
／Ｎが大きい。
【図１】本発明の磁気ディスク用基板の実施例の一部断
面図
面図
【図２】本発明の磁気記録媒体の実施例の一部断面図
１ ガラス板
２ 非磁性支持体
３ チタニウムとシリコンとからなる非晶質合金
膜４ チタニウム膜 ５ アルミニウムの凹凸形成物 １１ クロム膜 １２ 磁性膜 １３ カーボン保護膜 １４ 潤滑層
膜４ チタニウム膜 ５ アルミニウムの凹凸形成物 １１ クロム膜 １２ 磁性膜 １３ カーボン保護膜 １４ 潤滑層
Claims (8)
- 【請求項１】 非磁性支持体の上に、表面に露出した
膜としてチタニウムとシリコンとからなる非晶質合金膜
が被覆された磁気ディスク用基板。 - 【請求項２】 前記非磁性支持体と前記非晶質合金膜
との間にチタニウム膜が介在するように設けられた請求
項１に記載の磁気ディスク用基板。 - 【請求項３】 前記非晶質合金膜の表面に凹凸を形成
するように、前記非晶質合金膜の被覆に先立ち低融点金
属を層状または島状に設けた請求項１または２に記載の
磁気ディスク用基板。 - 【請求項４】 前記非晶質合金膜の厚みが２ｎｍ以上
である請求項１，２，３のいずれかの項に記載の磁気デ
ィスク用基板。 - 【請求項５】 前記非晶質合金膜の厚みが３〜５０ｎ
ｍである請求項４に記載の磁気ディスク用基板。 - 【請求項６】 非磁性支持体の上に、第１層としてチ
タニウムとシリコンとからなる非晶質合金膜、第２層と
してクロム、モリブテン、タングステンの群から少なく
とも１種以上が選ばれた結晶性の金属または合金の膜、
第３層としてコバルト−ニッケル−クロムの３元系合金
磁性膜、第４層として保護膜、第５層として潤滑層が順
次設けられた磁気記録媒体。 - 【請求項７】 前記非磁性支持体と前記非晶質合金膜
との間に介在するように、チタニウム膜が被覆され、さ
らに前記非晶質合金膜と前記チタニウム膜との間に、前
記保護膜の表面に凹凸を形成するように、低融点金属を
層状または島状に設けた請求項６に記載の磁気記録媒体
。 - 【請求項８】 非磁性支持体の上に、第１層としてチ
タニウムとシリコンとからなる非晶質合金膜、第２層と
してコバルトと白金とを含む合金磁性膜、第３層として
保護膜、第４層として潤滑層が、順次設けられた磁気記
録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1303391A JP2819839B2 (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | 磁気ディスク用基板およびそれを用いた磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1303391A JP2819839B2 (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | 磁気ディスク用基板およびそれを用いた磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04241222A true JPH04241222A (ja) | 1992-08-28 |
| JP2819839B2 JP2819839B2 (ja) | 1998-11-05 |
Family
ID=11821816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1303391A Expired - Fee Related JP2819839B2 (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | 磁気ディスク用基板およびそれを用いた磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2819839B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06259739A (ja) * | 1993-02-18 | 1994-09-16 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 磁気抵抗読取りセンサを備えた接触磁気記録ディスク・ファイル |
| US5700593A (en) * | 1993-06-23 | 1997-12-23 | Kubota Corporation | Metal thin film magnetic recording medium and manufacturing method thereof |
| US5789090A (en) * | 1996-02-05 | 1998-08-04 | Stormedia, Inc. | Metallic thin-film magnetic recording media |
-
1991
- 1991-01-10 JP JP1303391A patent/JP2819839B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06259739A (ja) * | 1993-02-18 | 1994-09-16 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 磁気抵抗読取りセンサを備えた接触磁気記録ディスク・ファイル |
| US5700593A (en) * | 1993-06-23 | 1997-12-23 | Kubota Corporation | Metal thin film magnetic recording medium and manufacturing method thereof |
| US5789090A (en) * | 1996-02-05 | 1998-08-04 | Stormedia, Inc. | Metallic thin-film magnetic recording media |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2819839B2 (ja) | 1998-11-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2786621B2 (ja) | 水平記録用磁気記録ディスク及び製造方法 | |
| US6586116B1 (en) | Nonmetallic thin film magnetic recording disk with pre-seed layer | |
| US5866227A (en) | Magnetic recording medium with partially oxidized seed layer | |
| JPH0363919A (ja) | 磁気薄膜記録媒体及びその製法 | |
| US5830584A (en) | Bicrystal cluster magnetic recording medium | |
| JP2911782B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JP2833190B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| US20020146594A1 (en) | Magnetic recording medium and production method thereof and magenetic recording device | |
| JP2000331338A (ja) | コバルトベース合金製の高保磁度縦方向記録媒体およびその製造法 | |
| JP2697227B2 (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPH04241222A (ja) | 磁気ディスク用基板およびそれを用いた磁気記録媒体 | |
| JP2864770B2 (ja) | 磁気ディスク用基板およびそれを用いた磁気記録媒体 | |
| JPH04276314A (ja) | 薄膜磁気記録ディスク製造プロセス | |
| JPH0647722B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH04255908A (ja) | 磁気ディスク用基板 | |
| JP2536993B2 (ja) | 薄膜磁気記録層の磁気特性を制御する方法 | |
| JP2853529B2 (ja) | 磁気記録媒体用基板およびそれを用いた磁気記録媒体 | |
| JP2949875B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH10283626A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH03235218A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH07254131A (ja) | 磁気記録媒体用基板およびそれを用いた磁気記録媒体 | |
| JPH01169719A (ja) | 磁気ディスクおよびその製造方法 | |
| JP2001250216A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造法 | |
| JPH10177712A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH11339239A (ja) | 磁気記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |