JPH04241354A - 放射線装置 - Google Patents
放射線装置Info
- Publication number
- JPH04241354A JPH04241354A JP3002531A JP253191A JPH04241354A JP H04241354 A JPH04241354 A JP H04241354A JP 3002531 A JP3002531 A JP 3002531A JP 253191 A JP253191 A JP 253191A JP H04241354 A JPH04241354 A JP H04241354A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- window
- radiation
- vacuum duct
- exposure
- exposure stepper
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置等の製造に用
いられる放射線装置に関し、特に光の取り出し部分の構
造に関する。近年、半導体装置の高集積化、高密度化に
伴い、リソグラフィ工程で扱うパターンがますます微細
化されてきているため、Ｘ線露光におけるパターン転写
技術が注目されている。
いられる放射線装置に関し、特に光の取り出し部分の構
造に関する。近年、半導体装置の高集積化、高密度化に
伴い、リソグラフィ工程で扱うパターンがますます微細
化されてきているため、Ｘ線露光におけるパターン転写
技術が注目されている。
【０００２】Ｘ線露光方法においてはシンクロトロン放
射光を利用した方法が研究されている。この方法は従来
のＸ線管を使用した方法に比べてＸ線強度が大きいため
スループットが改善されることや、平行性が高いことか
ら半影ぼけがなく、より微細なパターン転写ができるこ
と等から注目されている。
射光を利用した方法が研究されている。この方法は従来
のＸ線管を使用した方法に比べてＸ線強度が大きいため
スループットが改善されることや、平行性が高いことか
ら半影ぼけがなく、より微細なパターン転写ができるこ
と等から注目されている。
【０００３】
【従来の技術】図２はシンクロトロン放射光発生装置の
原理図である。同図において、１は入射器、２は、偏向
磁石３と高周波空胴４と真空ダクト５とよりなる荷電粒
子蓄積リング、６はシンクロトロン放射光７の取り出し
口である。そして入射器１から荷電粒子蓄積リング２に
入射された荷電粒子は偏向磁石３によって進行方向を曲
げられ荷電粒子蓄積リング２内を周回し、且つその荷電
粒子の周回に同期した高周波電圧が印加された高周波空
胴４を通過するたびにエネルギーが与えられ、遂にシン
クロトロン放射光が発生されるようになる。この放射光
は磁石による偏向を受けないため、偏向磁石部３にある
放射光取り出し口６から取り出される。この放射光７は
図３に示すＸ線露光装置等の放射線装置に取り込まれる
。
原理図である。同図において、１は入射器、２は、偏向
磁石３と高周波空胴４と真空ダクト５とよりなる荷電粒
子蓄積リング、６はシンクロトロン放射光７の取り出し
口である。そして入射器１から荷電粒子蓄積リング２に
入射された荷電粒子は偏向磁石３によって進行方向を曲
げられ荷電粒子蓄積リング２内を周回し、且つその荷電
粒子の周回に同期した高周波電圧が印加された高周波空
胴４を通過するたびにエネルギーが与えられ、遂にシン
クロトロン放射光が発生されるようになる。この放射光
は磁石による偏向を受けないため、偏向磁石部３にある
放射光取り出し口６から取り出される。この放射光７は
図３に示すＸ線露光装置等の放射線装置に取り込まれる
。
【０００４】この図３に示す放射線装置は、真空ダクト
８と露光ステッパ９とよりなり、真空ダクト８にはスリ
ットＳ１ ，Ｓ２ 、ゲートバルブＧＶ１， ＧＶ２、
ターボポンプＴＰ１ ，ＴＰ２ 、イオンゲージＩＧ１
， ＩＧ２，ＩＧ３ 等が設けられ、露光ステッパとの
間にはＸ線を通過させ、且つ真空ダクト内の真空を保持
するためのＢｅ 薄膜の窓１０が設けられている。そし
て真空ダクト８内に導入されたＸ線７はＢｅ 窓１０を
透過し、露光ステッパ９内にセットされているマスク１
１を通してウェハ１２を露光するようになっている。
８と露光ステッパ９とよりなり、真空ダクト８にはスリ
ットＳ１ ，Ｓ２ 、ゲートバルブＧＶ１， ＧＶ２、
ターボポンプＴＰ１ ，ＴＰ２ 、イオンゲージＩＧ１
， ＩＧ２，ＩＧ３ 等が設けられ、露光ステッパとの
間にはＸ線を通過させ、且つ真空ダクト内の真空を保持
するためのＢｅ 薄膜の窓１０が設けられている。そし
て真空ダクト８内に導入されたＸ線７はＢｅ 窓１０を
透過し、露光ステッパ９内にセットされているマスク１
１を通してウェハ１２を露光するようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の放射線装置
では、Ｂｅ 窓１０の露光ステッパ側には該Ｂｅ 窓の
劣化を防ぐため露光ステッパ９を通してＨｅ ガスが導
入されており、ほぼ大気圧である。このためＢｅ 窓１
０には光源側と露光ステッパ側との圧力差がかかり破壊
され易くなる。従ってＢｅ 窓１０の膜厚を薄膜化する
ことができない。そのためＢｅ 窓１０を破壊しない程
度に厚くしているため長波長領域のＸ線が吸収され、Ｘ
線露光におけるパターン転写技術を行う上でＸ線マスク
のコントラスト特性が向上できず、また光の強度を上げ
ることができない等の問題があった。
では、Ｂｅ 窓１０の露光ステッパ側には該Ｂｅ 窓の
劣化を防ぐため露光ステッパ９を通してＨｅ ガスが導
入されており、ほぼ大気圧である。このためＢｅ 窓１
０には光源側と露光ステッパ側との圧力差がかかり破壊
され易くなる。従ってＢｅ 窓１０の膜厚を薄膜化する
ことができない。そのためＢｅ 窓１０を破壊しない程
度に厚くしているため長波長領域のＸ線が吸収され、Ｘ
線露光におけるパターン転写技術を行う上でＸ線マスク
のコントラスト特性が向上できず、また光の強度を上げ
ることができない等の問題があった。
【０００６】本発明は、Ｂｅ 窓にかかる圧力差を低減
することによりＢｅ 窓を薄くし、長波長領域のＸ線の
取り出しが可能な放射線装置を実現しようとする。
することによりＢｅ 窓を薄くし、長波長領域のＸ線の
取り出しが可能な放射線装置を実現しようとする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の放射線装置にお
いては、放射線を導入する真空ダクトと、該真空ダクト
に接続された露光ステッパと、真空ダクトと露光ステッ
パとの間に設けられたＢｅ 窓とを具備して成る放射線
装置において、上記Ｂｅ 窓と露光ステッパとの間に、
複数のスリットと排気ポンプとよりなる複数段の差動排
気系を設けたことを特徴とする。
いては、放射線を導入する真空ダクトと、該真空ダクト
に接続された露光ステッパと、真空ダクトと露光ステッ
パとの間に設けられたＢｅ 窓とを具備して成る放射線
装置において、上記Ｂｅ 窓と露光ステッパとの間に、
複数のスリットと排気ポンプとよりなる複数段の差動排
気系を設けたことを特徴とする。
【０００８】
【作用】Ｂｅ 窓１０と露光ステッパ９との間に複数段
の差動の差動排気系１４を設けたことにより、Ｂｅ 窓
１０にかかる圧力差を低減することができるためＢｅ
窓１０の薄膜化が可能となり、長波長領域（１０Å）の
Ｘ線を取り出すことができる。
の差動の差動排気系１４を設けたことにより、Ｂｅ 窓
１０にかかる圧力差を低減することができるためＢｅ
窓１０の薄膜化が可能となり、長波長領域（１０Å）の
Ｘ線を取り出すことができる。
【０００９】
【実施例】図１は本発明の実施例を示す断面図である。
同図において、８は放射光７を導入する真空ダクトであ
り、該真空ダクト８には、スリットＳ１ ，Ｓ２ 及び
ターボポンプＴＰ１ よりなる差動排気系と、圧力測定
用のイオンゲージＩＧ１ 〜ＩＧ３ と、ゲートバルブ
ＧＶ１ ，ＧＶ２ 及びターボポンプＴＰ２ よりなる
ゲートと、Ｘ線取り出し用のＢｅ 窓１０等が設けられ
ている。また９は露光ステッパであり、その中にマスク
１１及びウェハ１２がセットされ、且つガス供給口１３
からＨｅ ガスが送入されている。
り、該真空ダクト８には、スリットＳ１ ，Ｓ２ 及び
ターボポンプＴＰ１ よりなる差動排気系と、圧力測定
用のイオンゲージＩＧ１ 〜ＩＧ３ と、ゲートバルブ
ＧＶ１ ，ＧＶ２ 及びターボポンプＴＰ２ よりなる
ゲートと、Ｘ線取り出し用のＢｅ 窓１０等が設けられ
ている。また９は露光ステッパであり、その中にマスク
１１及びウェハ１２がセットされ、且つガス供給口１３
からＨｅ ガスが送入されている。
【００１０】１４は本発明の要点である差動排気系であ
り、該差動排気系１４は、Ｂｅ 窓１０と露光ステッパ
９との間に設けられている。また該差動排気系１４はＸ
線の通過を妨げないように配置された複数のスリット１
５と１個の排気ポンプ１６とよりなる単位差動排気系が
複数段（図は３段）直列に接続されている。なおＰＧは
各単位差動排気系に設けられた圧力測定用のピラニゲー
ジである。また前記排気ポンプ１６としては、真空ダク
ト程の高真空（１０−８ Ｔｏｌｌ）を必要とせず、低
真空（１０ Ｔｏｌｌ程度）で良いのでロータリーポン
プを用いることができる。
り、該差動排気系１４は、Ｂｅ 窓１０と露光ステッパ
９との間に設けられている。また該差動排気系１４はＸ
線の通過を妨げないように配置された複数のスリット１
５と１個の排気ポンプ１６とよりなる単位差動排気系が
複数段（図は３段）直列に接続されている。なおＰＧは
各単位差動排気系に設けられた圧力測定用のピラニゲー
ジである。また前記排気ポンプ１６としては、真空ダク
ト程の高真空（１０−８ Ｔｏｌｌ）を必要とせず、低
真空（１０ Ｔｏｌｌ程度）で良いのでロータリーポン
プを用いることができる。
【００１１】以上のように構成された本実施例は、露光
ステッパ９がガス供給口１３からＨｅ ガスが供給され
てほぼ大気圧になっているが、スリット１５及び排気ポ
ンプ１６とよりなる複数段の差動排気系１４によって順
次真空度を高めて行き、Ｂｅ 窓１０の近傍では１０
Ｔｏｌｌ 程度の真空とすることができる。従ってＢｅ
窓１０の真空ダクト側の圧力と露光ステッパ側の圧力
との差は殆んど無くなる。これによりＢｅ 窓１０は圧
力差による破壊の恐れが無くなるため従来に比してＢｅ
膜の厚さを薄くすることができる。
ステッパ９がガス供給口１３からＨｅ ガスが供給され
てほぼ大気圧になっているが、スリット１５及び排気ポ
ンプ１６とよりなる複数段の差動排気系１４によって順
次真空度を高めて行き、Ｂｅ 窓１０の近傍では１０
Ｔｏｌｌ 程度の真空とすることができる。従ってＢｅ
窓１０の真空ダクト側の圧力と露光ステッパ側の圧力
との差は殆んど無くなる。これによりＢｅ 窓１０は圧
力差による破壊の恐れが無くなるため従来に比してＢｅ
膜の厚さを薄くすることができる。
【００１２】実際例としてＢｅ 窓のサイズ２ｍｍ×２
０ｍｍの場合、Ｂｅ の厚さを３μｍにしても破壊され
なかった。 なお図３に示した従来例ではＢｅ 膜の破壊される膜厚
限界は３０μｍであった。本実施例によればＢｅ 窓１
０のＢｅ 膜厚を薄くできることにより、Ｘ線の波長が
８〜１０Å以下の波長から１０〜１５Åの長波長領域が
取り出し可能となり、またＸ線の波長１０Åにおいて光
の強度が従来に比し１０倍以上となる。
０ｍｍの場合、Ｂｅ の厚さを３μｍにしても破壊され
なかった。 なお図３に示した従来例ではＢｅ 膜の破壊される膜厚
限界は３０μｍであった。本実施例によればＢｅ 窓１
０のＢｅ 膜厚を薄くできることにより、Ｘ線の波長が
８〜１０Å以下の波長から１０〜１５Åの長波長領域が
取り出し可能となり、またＸ線の波長１０Åにおいて光
の強度が従来に比し１０倍以上となる。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、Ｂｅ 窓と露光ステッ
パとの間に差動排気系を設けたことにより、露光ステッ
パ側がほぼ大気であっても、Ｂｅ 窓の近傍を真空とす
ることができ、それにより真空ダクト側との差圧が小さ
くなり、Ｂｅ 窓の厚さを薄くすることが可能となる。 そしてＢｅ 窓の厚さが薄くなることにより長波長領域
のＸ線を取り出すことができ、そのＸ線強度も大となる
。
パとの間に差動排気系を設けたことにより、露光ステッ
パ側がほぼ大気であっても、Ｂｅ 窓の近傍を真空とす
ることができ、それにより真空ダクト側との差圧が小さ
くなり、Ｂｅ 窓の厚さを薄くすることが可能となる。 そしてＢｅ 窓の厚さが薄くなることにより長波長領域
のＸ線を取り出すことができ、そのＸ線強度も大となる
。
【図１】本発明の実施例を示す断面図である。
【図２】従来のシンクロトロン放射光発生装置を示す図
である。
である。
【図３】従来のＸ線露光用の放射線装置を示す図である
。
。
７…放射光
８…真空ダクト
９…露光ステッパ
１０…Ｂｅ 窓
１１…マスク
１２…ウェハ
１３…ガス供給口
１４…差動排気系
１５，Ｓ１ ，Ｓ２ …スリット
１６…排気ポンプ
ＴＰ１， ＴＰ２…ターボポンプ
ＩＧ１ 〜ＩＧ３ …イオンゲージ
ＧＶ１， ＧＶ２…ゲートバルブ
ＰＧ…ピラニゲージ
Claims (2)
- 【請求項１】 放射線を導入する真空ダクト（８）と
、該真空ダクト（８）に接続された露光ステッパ（９）
と、真空ダクト（８）に設けられたＸ線取り出し用のＢ
ｅ 窓（１０）とを具備して成る放射線装置において、
上記Ｂｅ 窓（１０）と露光ステッパ（９）との間に複
数のスリット（１５）と排気ポンプ（１６）とよりなる
複数段の差動排気系（１４）を設けたことを特徴とする
放射線装置。 - 【請求項２】 上記差動排気系（１４）の排気ポンプ
（１６）にロータリーポンプを用いることを特徴とする
請求項１の放射線装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3002531A JPH04241354A (ja) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | 放射線装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3002531A JPH04241354A (ja) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | 放射線装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04241354A true JPH04241354A (ja) | 1992-08-28 |
Family
ID=11531968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3002531A Withdrawn JPH04241354A (ja) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | 放射線装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04241354A (ja) |
-
1991
- 1991-01-14 JP JP3002531A patent/JPH04241354A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |