JPH04237113A - 放射線露光装置 - Google Patents
放射線露光装置Info
- Publication number
- JPH04237113A JPH04237113A JP3005753A JP575391A JPH04237113A JP H04237113 A JPH04237113 A JP H04237113A JP 3005753 A JP3005753 A JP 3005753A JP 575391 A JP575391 A JP 575391A JP H04237113 A JPH04237113 A JP H04237113A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- slit plate
- rays
- opening
- sample chamber
- slit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置等の製造に用
いられる放射線露光装置に関し、特に光の取り出し部分
の構造に関する。近年、半導体装置の高集積化、高密度
化に伴い、リソグラフィ工程で扱うパターンがますます
微細化され、X線露光におけるパターン転写技術が注目
されている。
いられる放射線露光装置に関し、特に光の取り出し部分
の構造に関する。近年、半導体装置の高集積化、高密度
化に伴い、リソグラフィ工程で扱うパターンがますます
微細化され、X線露光におけるパターン転写技術が注目
されている。
【0002】X線露光方法においてはシンクロトロン放
射光を利用した方法が研究されている。この方法は従来
のX線管を使用した方法に比べてX線強度が大きいため
スループットが改善されることや、平行性が高いことか
ら半影ぼけがなく、より微細なパターン転写ができるこ
と等から注目されている。
射光を利用した方法が研究されている。この方法は従来
のX線管を使用した方法に比べてX線強度が大きいため
スループットが改善されることや、平行性が高いことか
ら半影ぼけがなく、より微細なパターン転写ができるこ
と等から注目されている。
【0003】
【従来の技術】図4はシンクロトロン放射光発生装置の
原理図である。同図において、1は入射器、2は、偏向
磁石3と高周波空胴4と真空ダクト5とよりなる荷電粒
子蓄積リング、6はシンクロトロン放射光7の取り出し
口である。そして入射器1から荷電粒子蓄積リング2に
入射された荷電粒子は偏向磁石3によって進行方向を曲
げられ荷電粒子蓄積リング2内を周回し、且つその荷電
粒子の周回に同期した高周波電圧が印加された高周波空
胴4を通過するたびにエネルギーが与えられ、遂にシン
クロトロン放射光が発生されるようになる。この放射光
は磁石による偏向を受けないため、偏向磁石部3にある
放射光取り出し口6から取り出される。この放射光7は
図5に示す放射線露光装置に取り込まれる。
原理図である。同図において、1は入射器、2は、偏向
磁石3と高周波空胴4と真空ダクト5とよりなる荷電粒
子蓄積リング、6はシンクロトロン放射光7の取り出し
口である。そして入射器1から荷電粒子蓄積リング2に
入射された荷電粒子は偏向磁石3によって進行方向を曲
げられ荷電粒子蓄積リング2内を周回し、且つその荷電
粒子の周回に同期した高周波電圧が印加された高周波空
胴4を通過するたびにエネルギーが与えられ、遂にシン
クロトロン放射光が発生されるようになる。この放射光
は磁石による偏向を受けないため、偏向磁石部3にある
放射光取り出し口6から取り出される。この放射光7は
図5に示す放射線露光装置に取り込まれる。
【0004】図5に示す放射線露光装置は、スリットS
1,S2 、ゲートバルブGV1, GV2、ターボポ
ンプTP1, TP2、イオンゲージIG1, IG2
, IG3 及びX線取り出し用のBe 窓8が設けら
れた真空ダクト9と、該真空ダクト9に差動排気系10
を介して接続された試料室11とにより構成されている
。そして試料室11はX線マスク12とウェハ13が収
容され、且つ該X線マスク12が放射光を吸収して加熱
されるのを防ぐためHe 等の不活性ガスで低真空、ま
たは大気圧程度に保たれている。またBe 窓8はX線
を通し易い金属である。Be を用い、光源側の真空ダ
クト9と試料室11間を真空遮断し、かつ光源から試料
室11へX線を通過させるようになっている。
1,S2 、ゲートバルブGV1, GV2、ターボポ
ンプTP1, TP2、イオンゲージIG1, IG2
, IG3 及びX線取り出し用のBe 窓8が設けら
れた真空ダクト9と、該真空ダクト9に差動排気系10
を介して接続された試料室11とにより構成されている
。そして試料室11はX線マスク12とウェハ13が収
容され、且つ該X線マスク12が放射光を吸収して加熱
されるのを防ぐためHe 等の不活性ガスで低真空、ま
たは大気圧程度に保たれている。またBe 窓8はX線
を通し易い金属である。Be を用い、光源側の真空ダ
クト9と試料室11間を真空遮断し、かつ光源から試料
室11へX線を通過させるようになっている。
【0005】また差動排気系10は複数のスリット板1
4と複数の排気ポンプ15とで構成され、次のような理
由で設けられている。即ち、Be 窓8は、その厚さを
厚くすると強度は大となるが、光源から放射されるX線
のうち、物質に吸収されやすい(透過力の弱い)長波長
成分が吸収され、X線マスク12のコントラスト(X線
を遮蔽したい部分と透過させたい部分での透過X線の強
度差)がとりにくくなる。このため試料室11からBe
窓8にいたる部分を、Be 窓側が低圧力になるよう
に差動排気してBe 窓8に加わる力を弱め、薄いBe
窓を使用できるようにしている。
4と複数の排気ポンプ15とで構成され、次のような理
由で設けられている。即ち、Be 窓8は、その厚さを
厚くすると強度は大となるが、光源から放射されるX線
のうち、物質に吸収されやすい(透過力の弱い)長波長
成分が吸収され、X線マスク12のコントラスト(X線
を遮蔽したい部分と透過させたい部分での透過X線の強
度差)がとりにくくなる。このため試料室11からBe
窓8にいたる部分を、Be 窓側が低圧力になるよう
に差動排気してBe 窓8に加わる力を弱め、薄いBe
窓を使用できるようにしている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の放射線露光
装置においては、各スリット板14はX線の光軸16に
対して垂直に取付けられている。このため、スリット板
14の高圧側から低圧側へ噴出する気体の流れはスリッ
ト板14に対してほぼ垂直となるため、この気体の流れ
は次のスリット板を通過しやすく、圧力差がとりにくく
なる。このため必要な圧力差を得るためには多数のスリ
ット板が必要になる。その結果、光源から試料室11ま
での距離が長くなり、装置が大型になる。しかもX線が
広がるため試料面上で単位面積当りのX線強度が弱くな
る等の問題がある。
装置においては、各スリット板14はX線の光軸16に
対して垂直に取付けられている。このため、スリット板
14の高圧側から低圧側へ噴出する気体の流れはスリッ
ト板14に対してほぼ垂直となるため、この気体の流れ
は次のスリット板を通過しやすく、圧力差がとりにくく
なる。このため必要な圧力差を得るためには多数のスリ
ット板が必要になる。その結果、光源から試料室11ま
での距離が長くなり、装置が大型になる。しかもX線が
広がるため試料面上で単位面積当りのX線強度が弱くな
る等の問題がある。
【0007】本発明は、差動排気系のスリット板の数を
減少し、小型化及びX線強度の低下防止を可能とした放
射線露光装置を実現しようとする。
減少し、小型化及びX線強度の低下防止を可能とした放
射線露光装置を実現しようとする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の放射線露光装置
においては、放射線を導入する真空ダクトと、該真空ダ
クトに設けられたBe 窓と、該真空ダクトに複数のス
リット板と複数の排気ポンプとよりなる差動排気系を介
して接続された試料室とよりなる放射線露光装置におい
て、上記スリット板の開口部のみをX線の光軸に対して
垂直とし、開口部以外の部分をX線の光軸に対する垂直
面から傾けたことを特徴とする。
においては、放射線を導入する真空ダクトと、該真空ダ
クトに設けられたBe 窓と、該真空ダクトに複数のス
リット板と複数の排気ポンプとよりなる差動排気系を介
して接続された試料室とよりなる放射線露光装置におい
て、上記スリット板の開口部のみをX線の光軸に対して
垂直とし、開口部以外の部分をX線の光軸に対する垂直
面から傾けたことを特徴とする。
【0009】
【作用】スリット板14の開口部14aを通る気体の流
れは、スリット板14に対してほぼ垂直方向に流れる。 この気体の流れの方向はスリット板14が傾斜している
ため、X線の光軸16に対して平行ではなく、斜めとな
る。このため次のスリット板14の開口部14aとはず
れるため気体の流れは乱流を生じて流れにくくなる。従
ってスリット板14の前後における差圧が大きくなり、
スリット板14の枚数を減少させることができる。
れは、スリット板14に対してほぼ垂直方向に流れる。 この気体の流れの方向はスリット板14が傾斜している
ため、X線の光軸16に対して平行ではなく、斜めとな
る。このため次のスリット板14の開口部14aとはず
れるため気体の流れは乱流を生じて流れにくくなる。従
ってスリット板14の前後における差圧が大きくなり、
スリット板14の枚数を減少させることができる。
【0010】
【実施例】第1図は本発明の第1の実施例を示す図であ
る。本実施例は、スリットS1,S2 、ゲートバルブ
GV1, GV2、ターボポンプTP1, TP2、イ
オンゲージ IG1〜IG3 及びBe 窓8が設けら
れた真空ダクト9と、差動排気系10と、該差動排気系
10を介して真空ダクト9に接続された試料室11とを
具備していることは図5で説明した従来例と同様であり
、本実施例の要点は、差動排気系のスリット板14にあ
る。
る。本実施例は、スリットS1,S2 、ゲートバルブ
GV1, GV2、ターボポンプTP1, TP2、イ
オンゲージ IG1〜IG3 及びBe 窓8が設けら
れた真空ダクト9と、差動排気系10と、該差動排気系
10を介して真空ダクト9に接続された試料室11とを
具備していることは図5で説明した従来例と同様であり
、本実施例の要点は、差動排気系のスリット板14にあ
る。
【0011】本実施例におけるスリット板14は、図1
及び図2に示すようにスリット開口部14aはX線の光
軸16に対して垂直であるが、開口部14a以外の部分
をX線の光軸16に対する垂直面に対して傾けたことで
ある。このように構成された本実施例において、スリッ
ト板14の開口部14aを通る気体は、図2(b)に示
すように気体の流れは矢印のようにスリット板14にほ
ぼ垂直であり、X線の光軸16と平行ではない。このた
めこの気体の流れは次のスリット板14の開口部14a
とはずれるため乱流を生じ流れにくくなり、スリット板
14の前後における圧力差は大きくなる。このため差動
排気系全体の圧力差を従来と同様とすれば、スリット板
14の枚数を減らすことができる。
及び図2に示すようにスリット開口部14aはX線の光
軸16に対して垂直であるが、開口部14a以外の部分
をX線の光軸16に対する垂直面に対して傾けたことで
ある。このように構成された本実施例において、スリッ
ト板14の開口部14aを通る気体は、図2(b)に示
すように気体の流れは矢印のようにスリット板14にほ
ぼ垂直であり、X線の光軸16と平行ではない。このた
めこの気体の流れは次のスリット板14の開口部14a
とはずれるため乱流を生じ流れにくくなり、スリット板
14の前後における圧力差は大きくなる。このため差動
排気系全体の圧力差を従来と同様とすれば、スリット板
14の枚数を減らすことができる。
【0012】実際例として、各スリット板14は厚さ1
mmのステンレススチール板を用い、開口部の大きさは
2mm×20mmとし、スリット板のX線の光軸に対す
る垂直面とのなす角度を15度、枚数を30枚とし、
500l/min の排気速度を持つロータリーポンプ
を2台使用し、試料室の圧力を 100Torrとした
とき、Be 窓の試料室側の圧力を10Torrまで下
げることができた。従来例ではBe窓の試料室側の圧力
を10Torrにするには 100枚のスリットと4台
のロータリーポンプが必要であった。
mmのステンレススチール板を用い、開口部の大きさは
2mm×20mmとし、スリット板のX線の光軸に対す
る垂直面とのなす角度を15度、枚数を30枚とし、
500l/min の排気速度を持つロータリーポンプ
を2台使用し、試料室の圧力を 100Torrとした
とき、Be 窓の試料室側の圧力を10Torrまで下
げることができた。従来例ではBe窓の試料室側の圧力
を10Torrにするには 100枚のスリットと4台
のロータリーポンプが必要であった。
【0013】図3は本発明の他の実施例の要部を示す図
である。本実施例は基本的には図1で説明した第1の実
施例と同様であり、異なるところは、スリット板14の
開口部14aの位置を上下方向 (スリット開口部の長
手方向に対し直角方向)に順次ずらし、且つスリット板
を支持する筒17をX線の光軸16に対して傾斜させた
ことである。
である。本実施例は基本的には図1で説明した第1の実
施例と同様であり、異なるところは、スリット板14の
開口部14aの位置を上下方向 (スリット開口部の長
手方向に対し直角方向)に順次ずらし、且つスリット板
を支持する筒17をX線の光軸16に対して傾斜させた
ことである。
【0014】このように構成された本実施例の作用効果
は前実施例と同様である。
は前実施例と同様である。
【0015】
【発明の効果】本発明に依れば、差動排気系のスリット
板を傾け、気体の流れに乱流を起こさせることにより、
必要な差圧をとるためのスリット板の数及び排気ポンプ
の数を従来に比して減小させることができる。またスリ
ット板の枚数が少なくてすむため、光源から試料までの
距離を短かくすることができ、装置が小型になり、X線
の広がりも抑えられる。
板を傾け、気体の流れに乱流を起こさせることにより、
必要な差圧をとるためのスリット板の数及び排気ポンプ
の数を従来に比して減小させることができる。またスリ
ット板の枚数が少なくてすむため、光源から試料までの
距離を短かくすることができ、装置が小型になり、X線
の広がりも抑えられる。
【図1】本発明の第1の実施例を示す図である。
【図2】本発明の第1の実施例におけるスリット板を示
す図である。
す図である。
【図3】本発明の第2の実施例の要部を示す図である。
【図4】従来のシンクロトロン放射光発生装置を示す図
である。
である。
【図5】従来の放射線露光装置を示す図である。
7…放射線
8…Be 窓
9…真空ダクト
10…差動排気系
11…試料室
12…マスク
13…ウェハ
14…スリット板
15…排気ポンプ
16…X線の光軸
Claims (1)
- 【請求項1】 放射線を導入する真空ダクト(9)と
、該真空ダクト(9)に設けられたBe 窓(8)と、
該真空ダクト(9)に複数のスリット板(14)と複数
の排気ポンプ(15)とよりなる差動排気系(10)を
介して接続された試料室(11)とより成る放射線露光
装置において、上記スリット板(14)の開口部(14
a)のみをX線の光軸(16) に対して垂直とし、開
口部 (14a)以外の部分をX線の光軸(16)に対
する垂直面から傾けたことを特徴とする放射線露光装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3005753A JPH04237113A (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | 放射線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3005753A JPH04237113A (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | 放射線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04237113A true JPH04237113A (ja) | 1992-08-25 |
Family
ID=11619883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3005753A Withdrawn JPH04237113A (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | 放射線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04237113A (ja) |
-
1991
- 1991-01-22 JP JP3005753A patent/JPH04237113A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6714624B2 (en) | Discharge source with gas curtain for protecting optics from particles | |
| Conrad et al. | Electron spectroscopy of surfaces by impact of metastable He atoms: CO on Pd (110) | |
| US4771447A (en) | X-ray source | |
| JP2003521812A (ja) | ガスクラスターイオンビーム・スムーザー装置 | |
| JP2002529927A (ja) | 極短波長紫外光リソグラフィー用気体幕を有するウエハー容器 | |
| KR20230054859A (ko) | 레티클 및 펠리클 어셈블리를 처리하기 위한 장치 및 방법 | |
| US6194733B1 (en) | Method and apparatus for adjustably supporting a light source for use in photolithography | |
| JPS6047417A (ja) | 光電陰極型電子線リソグラフィー装置 | |
| Saville et al. | Feasibility study of photocathode electron projection lithography | |
| JPH04237113A (ja) | 放射線露光装置 | |
| US4902897A (en) | Ion beam gun and ion beam exposure device | |
| JPH04241354A (ja) | 放射線装置 | |
| JPS61163547A (ja) | X線取り出し窓 | |
| TW202339550A (zh) | 光源裝置 | |
| JP4406311B2 (ja) | エネルギー線照射装置およびそれを用いたパタン作成方法 | |
| JPH05129096A (ja) | イオンビームの電荷中和方法および装置ならびにドライプロセス装置および表面計測装置 | |
| JP2785190B2 (ja) | パターン形成装置 | |
| JPS6132947A (ja) | 荷電粒子線装置用超高真空装置 | |
| JP2556112B2 (ja) | 荷電粒子装置 | |
| KR930001433B1 (ko) | 이온 빔 총 | |
| JPH03215800A (ja) | X線露光方法 | |
| JPH0638391B2 (ja) | X線露光装置 | |
| JPH02102725A (ja) | 差動排気装置 | |
| JPH01292827A (ja) | 集束荷電ビームエッチング装置 | |
| JPS61161723A (ja) | イオンエツチング装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |