JPH0424366B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0424366B2 JPH0424366B2 JP62254924A JP25492487A JPH0424366B2 JP H0424366 B2 JPH0424366 B2 JP H0424366B2 JP 62254924 A JP62254924 A JP 62254924A JP 25492487 A JP25492487 A JP 25492487A JP H0424366 B2 JPH0424366 B2 JP H0424366B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- formula
- general formula
- trimethyl
- polysilane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Silicon Polymers (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明は、一般式（）
（式中、Ｒは水酸基、アミノ基、ビニル基、低
級アルキル基、低級アルコキシ基またはハロゲン
原子を表わす） で示される繰り返し単位よりなる１，２，２−ト
リメチル−１−（置換フエニル）ポリジシラン
（以下、ポリシラン（）と称する）に関する発
明、および原料である一般式（） （式中、R′は前記Ｒと同一もしくは保護基を
有する水酸基またはアミノ基を表わす）で示され
る１，２−ジクロロ−１，２，２−トリメチル−
１−置換フエニルジシラン（以下、ジシラン
（）と称する）を、アルカリ金属またはアルカ
リ土類金属の存在下に、縮合反応させることから
なるポリシラン（）の製造法に関する。 本発明のポリシラン（）は、フオトレジスト
材料、有機半導体、光情報記憶材料などの電子材
料またはプレセラミツクスとしての機能を有する
有用な化合物であり、文献未載の新規化合物であ
る。 （従来の技術） 従来、ポリシラン類の製造法としては、一般式
（） （式中、Ｘはアルキル基またはアリール基を、
は正の整数を表わす） で示される鎖状または環状のポリシランを製造
する方法〔The Journal of American
Chemical Society，71，963（1949年）、
Chemistry Letters，1976，551（1976）および
Journal of Polymer Science：Polymer
Letters Edition，21，819（1983）〕、あるいは一
般式（） （式中、Ｘは前記と同一の意味を、Ｙはアルキ
ル基またはアリール基を、ｎおよびｍは正の整数
を表わす） で示されるジメチルポリシランとアリールアルキ
ルポリシランのコポリマーを製造する方法〔アメ
リカ特許第4260780号およびJournal of Polymer
Science：Polymer Chemistry Edicion，22，
159（1984）〕が展示されている。 （発明が解決すべき問題点） 従来のポリシラン類は、前述の一般式（）で
示されるように、ケイ素−けい素結合よりなる主
鎖にアルキル基およびアリール基を導入したホモ
ポリマー、あるいは一般式（）で示されるよう
に、ジメチルシラン単位とアリールアルキルシラ
ン単位が不規則に重合したコポリマーの如きポリ
シランのみであり、本発明の如くケイ素−ケイ素
結合よりなる主鎖に、置換基としてメチル基およ
び置換フエニル基を規則的に導入したポリシラン
は見い出されていない。 （問題点を解決するための手段） 本発明者らは、ケイ素−ケイ素結合よりなる主
鎖に置換基としてメチル基および置換フエニル基
を規則的に導入したポリシランの製造法として、
一般式（） （式中、R′は前記と同一の意味を表わす）で
示されるジシラン（）を原料とし、このジシラ
ン（）をアルカリ金属またはアルカリ土類金属
の存在下に縮合反応させることにより、一般式
（） （式中、Ｒは前記と同一の意味を表わす）で示
される繰り返し単位よりなるポリシラン（）が
得られることを見い出し、本発明を完成したもの
である。 本発明のポリシラン（）の製造法は、ジシラ
ン（）をアルカリ金属またはアルカリ土類金属
の存在下に、非プロトン溶媒例えばｎ−ペンタ
ン、ｎ−ヘキサン、ベンセン、トルエン、テトラ
ヒドロフランなどの溶媒中で縮合させる。本発明
で用いるアルカリ金属としてはリチウム、ナトリ
ウム、カリウムなどが、アルカリ土類金属として
はマグネシウム、カルシウムなどが好ましいが、
特にリチウム、ナトリウム、カリウムが好適であ
る。また、本発明の原料であるジシラン（）の
置換フエニル基の置換基としては水酸基、アミノ
基、ビニル基、低級アルキル基、低級アルコキシ
基ハロゲン原子であり、このうち水酸基、アミノ
基は保護基により保護されていてもよく、保護基
としてはトリアルキルシリル基が好適であり、こ
のほか水酸基の保護基としてべンジル基、テトラ
ヒドロピラニル基が適している。 本反応において、ジシラン（）１当量に対し
てアルカリ金属またはアルカリ土類金属は最少２
当量必要であり、通常は２〜３当量用いる。反応
温度は０℃以上、反応溶媒の沸点以下で行う。反
応時間は使用するアルカリ金属またはアルカリ土
類金属の種類、反応溶媒や反応温度により変動す
るが、通常は１〜50時間を要する。反応終了後、
反応溶媒を除去し、必要に応じてポリシラン類の
通常の精製法、例えばベンゼン−アルコール系で
再沈殿を繰り返す等の手段により精製することに
よりポリシラン（）を得る。 （発明の効果） 本発明は、ジシラン（）をアルカリ金属また
はアルカリ土類金属の存在下に縮合反応を行うこ
とにより、ケイ素−ケイ素結合よりなる主鎖に、
置換基としてメチル基および置換フエニル基を規
則的に導入したポリシラン（）を見い出したも
のである。本発明で得られるポリシラン（）
は、重量平均分子量（Ｍｗ）5000〜500000、分散
度（Ｍｗ／Ｍｎ）2.0〜30.0であり、フオトレジ
スト材料、有機半導体、光情報記憶材料などの電
子材料またはプレセラミツクスとしての機能を有
する。 （実施例） 以下、実施例により本発明を説明する。 実施例 １ 冷却管、滴下ロート、温度計および攪拌機を備
えた１四つ口フラスコをアルゴン置換した後
に、トルエン300gおよびナトリウム23g（１モル）
を仕込み、攪拌しながら１，２−ジクロロ−１，
２，２−トリメチル−１−（４−メトキシフエニ
ル）ジシラン131.6g（0.5モル）のトルエン溶液
を、反応温度を50℃に保ちながら１時間を要して
滴下した。滴下終了後、引続き50℃で20時間反応
する。反応終了後室温まで冷却し、副生したナト
リウム塩を別したのち、液を濃縮してトルエ
ンを留去する。濃縮残にベンゼン300mlを加え、
攪拌しながらエタノール１を加えてポリシラン
を晶析させた。減圧下に付着した溶媒を完全に除
去し、白色粉末の１，２，２−トリメチル−１−
（４−メトキシフエニル）ポリジシラン49.1gを得
た。収率51％。 H1−核磁気共鳴スペクトル（60MHz，CDC3） δppm＝−0.5〜1.0（ブロード、Si−CH3、9H） 3.5〜4.1（ブロード，Ph−OCH3 ，3H） 6.0〜7.5（ブロード、Si−Ph−、4H） ゲルパーミエーシヨンクロマトグラフイー 測定条件：カラム 日立化成GL−R400M 溶離剤 テトラヒドロフラン 流 速 1.0ml／min 重量平均分子量（ｗ） 97000 分 散 度（ｗ／ｎ） 6.5 実施例 ２〜８ 第１表記載のジシラン（）を原料とし、実施
例１と同様に操作して、第１表記載のポリシラン
（）を得た。収率および分析値を第１表に記載
する。
級アルキル基、低級アルコキシ基またはハロゲン
原子を表わす） で示される繰り返し単位よりなる１，２，２−ト
リメチル−１−（置換フエニル）ポリジシラン
（以下、ポリシラン（）と称する）に関する発
明、および原料である一般式（） （式中、R′は前記Ｒと同一もしくは保護基を
有する水酸基またはアミノ基を表わす）で示され
る１，２−ジクロロ−１，２，２−トリメチル−
１−置換フエニルジシラン（以下、ジシラン
（）と称する）を、アルカリ金属またはアルカ
リ土類金属の存在下に、縮合反応させることから
なるポリシラン（）の製造法に関する。 本発明のポリシラン（）は、フオトレジスト
材料、有機半導体、光情報記憶材料などの電子材
料またはプレセラミツクスとしての機能を有する
有用な化合物であり、文献未載の新規化合物であ
る。 （従来の技術） 従来、ポリシラン類の製造法としては、一般式
（） （式中、Ｘはアルキル基またはアリール基を、
は正の整数を表わす） で示される鎖状または環状のポリシランを製造
する方法〔The Journal of American
Chemical Society，71，963（1949年）、
Chemistry Letters，1976，551（1976）および
Journal of Polymer Science：Polymer
Letters Edition，21，819（1983）〕、あるいは一
般式（） （式中、Ｘは前記と同一の意味を、Ｙはアルキ
ル基またはアリール基を、ｎおよびｍは正の整数
を表わす） で示されるジメチルポリシランとアリールアルキ
ルポリシランのコポリマーを製造する方法〔アメ
リカ特許第4260780号およびJournal of Polymer
Science：Polymer Chemistry Edicion，22，
159（1984）〕が展示されている。 （発明が解決すべき問題点） 従来のポリシラン類は、前述の一般式（）で
示されるように、ケイ素−けい素結合よりなる主
鎖にアルキル基およびアリール基を導入したホモ
ポリマー、あるいは一般式（）で示されるよう
に、ジメチルシラン単位とアリールアルキルシラ
ン単位が不規則に重合したコポリマーの如きポリ
シランのみであり、本発明の如くケイ素−ケイ素
結合よりなる主鎖に、置換基としてメチル基およ
び置換フエニル基を規則的に導入したポリシラン
は見い出されていない。 （問題点を解決するための手段） 本発明者らは、ケイ素−ケイ素結合よりなる主
鎖に置換基としてメチル基および置換フエニル基
を規則的に導入したポリシランの製造法として、
一般式（） （式中、R′は前記と同一の意味を表わす）で
示されるジシラン（）を原料とし、このジシラ
ン（）をアルカリ金属またはアルカリ土類金属
の存在下に縮合反応させることにより、一般式
（） （式中、Ｒは前記と同一の意味を表わす）で示
される繰り返し単位よりなるポリシラン（）が
得られることを見い出し、本発明を完成したもの
である。 本発明のポリシラン（）の製造法は、ジシラ
ン（）をアルカリ金属またはアルカリ土類金属
の存在下に、非プロトン溶媒例えばｎ−ペンタ
ン、ｎ−ヘキサン、ベンセン、トルエン、テトラ
ヒドロフランなどの溶媒中で縮合させる。本発明
で用いるアルカリ金属としてはリチウム、ナトリ
ウム、カリウムなどが、アルカリ土類金属として
はマグネシウム、カルシウムなどが好ましいが、
特にリチウム、ナトリウム、カリウムが好適であ
る。また、本発明の原料であるジシラン（）の
置換フエニル基の置換基としては水酸基、アミノ
基、ビニル基、低級アルキル基、低級アルコキシ
基ハロゲン原子であり、このうち水酸基、アミノ
基は保護基により保護されていてもよく、保護基
としてはトリアルキルシリル基が好適であり、こ
のほか水酸基の保護基としてべンジル基、テトラ
ヒドロピラニル基が適している。 本反応において、ジシラン（）１当量に対し
てアルカリ金属またはアルカリ土類金属は最少２
当量必要であり、通常は２〜３当量用いる。反応
温度は０℃以上、反応溶媒の沸点以下で行う。反
応時間は使用するアルカリ金属またはアルカリ土
類金属の種類、反応溶媒や反応温度により変動す
るが、通常は１〜50時間を要する。反応終了後、
反応溶媒を除去し、必要に応じてポリシラン類の
通常の精製法、例えばベンゼン−アルコール系で
再沈殿を繰り返す等の手段により精製することに
よりポリシラン（）を得る。 （発明の効果） 本発明は、ジシラン（）をアルカリ金属また
はアルカリ土類金属の存在下に縮合反応を行うこ
とにより、ケイ素−ケイ素結合よりなる主鎖に、
置換基としてメチル基および置換フエニル基を規
則的に導入したポリシラン（）を見い出したも
のである。本発明で得られるポリシラン（）
は、重量平均分子量（Ｍｗ）5000〜500000、分散
度（Ｍｗ／Ｍｎ）2.0〜30.0であり、フオトレジ
スト材料、有機半導体、光情報記憶材料などの電
子材料またはプレセラミツクスとしての機能を有
する。 （実施例） 以下、実施例により本発明を説明する。 実施例 １ 冷却管、滴下ロート、温度計および攪拌機を備
えた１四つ口フラスコをアルゴン置換した後
に、トルエン300gおよびナトリウム23g（１モル）
を仕込み、攪拌しながら１，２−ジクロロ−１，
２，２−トリメチル−１−（４−メトキシフエニ
ル）ジシラン131.6g（0.5モル）のトルエン溶液
を、反応温度を50℃に保ちながら１時間を要して
滴下した。滴下終了後、引続き50℃で20時間反応
する。反応終了後室温まで冷却し、副生したナト
リウム塩を別したのち、液を濃縮してトルエ
ンを留去する。濃縮残にベンゼン300mlを加え、
攪拌しながらエタノール１を加えてポリシラン
を晶析させた。減圧下に付着した溶媒を完全に除
去し、白色粉末の１，２，２−トリメチル−１−
（４−メトキシフエニル）ポリジシラン49.1gを得
た。収率51％。 H1−核磁気共鳴スペクトル（60MHz，CDC3） δppm＝−0.5〜1.0（ブロード、Si−CH3、9H） 3.5〜4.1（ブロード，Ph−OCH3 ，3H） 6.0〜7.5（ブロード、Si−Ph−、4H） ゲルパーミエーシヨンクロマトグラフイー 測定条件：カラム 日立化成GL−R400M 溶離剤 テトラヒドロフラン 流 速 1.0ml／min 重量平均分子量（ｗ） 97000 分 散 度（ｗ／ｎ） 6.5 実施例 ２〜８ 第１表記載のジシラン（）を原料とし、実施
例１と同様に操作して、第１表記載のポリシラン
（）を得た。収率および分析値を第１表に記載
する。
【表】
溶離剤 テトラヒドロフラン
流速 1.0ml〓〓
流速 1.0ml〓〓
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式（） （式中、Ｒは水酸基、アミノ基、ビニル基、低
級アルキル基、低級アルコキシ基またはハロゲン
原子を表わす） で示される繰り返し単位よりなり、重量平均分子
量5000〜500000の１，２，２−トリメチル−１−
（置換フエニル）ポリジシラン。 ２ 一般式（） （式中、R′は水酸基、アミノ基、ビニル基、
低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原
子もしくは保護基を有する水酸基またはアミノ基
を表わす） で示される１，２−ジクロロ−１，２，２−トリ
メチル−１−置換フエニルジシランを、アルカリ
金属またはアルカリ土類金属の存在下に、縮合反
応させることを特徴とする、一般式（） （式中、Ｒは前記と同一の意味を表わす）で示
される繰り返し単位よりなり、重量平均分子量
5000〜500000の１，２，２−トリメチル−１−
（置換フエニル）ポリジシランの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25492487A JPH0196222A (ja) | 1987-10-08 | 1987-10-08 | １，２，２−トリメチル−１−（置換フェニル）ポリジシランおよびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25492487A JPH0196222A (ja) | 1987-10-08 | 1987-10-08 | １，２，２−トリメチル−１−（置換フェニル）ポリジシランおよびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0196222A JPH0196222A (ja) | 1989-04-14 |
| JPH0424366B2 true JPH0424366B2 (ja) | 1992-04-24 |
Family
ID=17271749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25492487A Granted JPH0196222A (ja) | 1987-10-08 | 1987-10-08 | １，２，２−トリメチル−１−（置換フェニル）ポリジシランおよびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0196222A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3843458B2 (ja) * | 1996-06-07 | 2006-11-08 | 大阪瓦斯株式会社 | ポリシランおよび正孔輸送材料 |
| JP2002167438A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-11 | Jsr Corp | ケイ素ポリマー、膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料 |
| JP4000836B2 (ja) * | 2001-11-28 | 2007-10-31 | セイコーエプソン株式会社 | 膜パターンの形成方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6098431A (ja) * | 1983-11-04 | 1985-06-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタン形成材料及びパタン形成方法 |
| US4588801A (en) * | 1984-04-05 | 1986-05-13 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Polysilane positive photoresist materials and methods for their use |
| JPS63141046A (ja) * | 1986-12-03 | 1988-06-13 | Toshiba Corp | レジスト |
-
1987
- 1987-10-08 JP JP25492487A patent/JPH0196222A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0196222A (ja) | 1989-04-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0296433A2 (en) | New polysilazane and process for production of the same | |
| JPH0424366B2 (ja) | ||
| JPS63250388A (ja) | モノアルコキシシラン化合物の製造方法 | |
| JPH06228316A (ja) | 片末端ビニル重合性シリコーンの製造方法 | |
| GB2207918A (en) | Photodecomposing organosilicon compounds and photopolymerizable epoxy resin compositions containing them | |
| JP2542520B2 (ja) | １，２，２―トリメチル―１―アルキル―又は１，２，２―トリメチル―１―アルケニル―ポリジシラン及びその製法 | |
| JPH064699B2 (ja) | １，２，２−トリメチル−１−フエニルポリジシランおよびその製造方法 | |
| JPH0424365B2 (ja) | ||
| JPH064698B2 (ja) | ジメチルフエニルシリルメチルポリシランおよびその製造法 | |
| JP2542519B2 (ja) | ジメチルアルキル―又はジメチルアルケニル―シリルメチルポリシラン及びその製造法 | |
| JPH0827275A (ja) | Ｎ−カルバゾリルポリシランおよびオルガノ−ｎ−カルバゾリルジハロゲノシラン化合物 | |
| JP3277770B2 (ja) | ポリシランの製造方法 | |
| JP2815548B2 (ja) | ビス（シリルプロピル）アレーン及びその製造方法 | |
| JPS63213528A (ja) | トリメチルシリルメチルポリシランおよびその製造法 | |
| JP3236409B2 (ja) | オルガノシロキシ置換ポリシラン及びその製造方法 | |
| JP2875639B2 (ja) | スチレン骨格含有アルコキシシラン化合物およびその製造方法 | |
| JP2617774B2 (ja) | 官能性末端を有するイソブチレン系重合体及びその製造法 | |
| JPS63135393A (ja) | アルキルシリルシアニドの製造方法 | |
| JP2003137891A (ja) | 含フッ素有機ケイ素化合物 | |
| JPH08283415A (ja) | ポリシランの製造方法 | |
| JP2512348B2 (ja) | ブタジエニル基含有シロキサン化合物及びその製造方法 | |
| JPS61183305A (ja) | アクリル酸誘導体類の準‐イオン重合方法 | |
| JP2718601B2 (ja) | 鎖状ポリオルガノシランの製造方法 | |
| EP0493995A1 (fr) | Poly(organosilylhydrazines) réticulés et leur procédé de préparation | |
| JPH01170620A (ja) | ポリシラン誘導体及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |