JPH04245663A - 半導体ウエハのダイシング方法とダイシングブレードの冷却構造 - Google Patents
半導体ウエハのダイシング方法とダイシングブレードの冷却構造Info
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- JPH04245663A JPH04245663A JP3010464A JP1046491A JPH04245663A JP H04245663 A JPH04245663 A JP H04245663A JP 3010464 A JP3010464 A JP 3010464A JP 1046491 A JP1046491 A JP 1046491A JP H04245663 A JPH04245663 A JP H04245663A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は単体半導体あるいは化合
物半導体材料よりなる半導体ウエハをダイシングする方
法と構造に関する。
物半導体材料よりなる半導体ウエハをダイシングする方
法と構造に関する。
【０００２】半導体材料としてはシリコン（Ｓｉ）で代
表される単体半導体とインジウム燐（ＩｎＰ） やガリ
ウム砒素（ＧａＡｓ）で代表される化合物半導体とがあ
り、これらの単結晶ロッドを約５００ μｍ の厚さの
ウエハにスライスし、研磨と表面処理を行って凹凸と表
面不純物を除き、平滑なウエハを用いてデバイスの形成
が行われている。
表される単体半導体とインジウム燐（ＩｎＰ） やガリ
ウム砒素（ＧａＡｓ）で代表される化合物半導体とがあ
り、これらの単結晶ロッドを約５００ μｍ の厚さの
ウエハにスライスし、研磨と表面処理を行って凹凸と表
面不純物を除き、平滑なウエハを用いてデバイスの形成
が行われている。
【０００３】こゝで、引上げ法などにより得られる単結
晶ロッドの大きさは需要の増加と共に大きくなり、Ｓｉ
を例にとると直径が６インチのものが量産化されており
、一部では８インチのものも用いられている。
晶ロッドの大きさは需要の増加と共に大きくなり、Ｓｉ
を例にとると直径が６インチのものが量産化されており
、一部では８インチのものも用いられている。
【０００４】次に、ＩＣやＬＳＩ などのデバイス形成
は、かゝるウエハについて写真蝕刻技術（ フォトリソ
グラフィ），薄膜形成技術，不純物導入技術などを用い
、数多くの素子をマトリックス状に形成した後、この境
界部をダイシング（Ｄｉｃｅｉｎｇ） して個々のチッ
プに分割している。
は、かゝるウエハについて写真蝕刻技術（ フォトリソ
グラフィ），薄膜形成技術，不純物導入技術などを用い
、数多くの素子をマトリックス状に形成した後、この境
界部をダイシング（Ｄｉｃｅｉｎｇ） して個々のチッ
プに分割している。
【０００５】
【従来の技術】素子形成が終わっているウエハのダイシ
ングにはモータにより回転するダイシングブレード（Ｄ
ｉｃｅｉｎｇ−ｂｌａｄｅ）を備えたダイサーが使われ
ている。
ングにはモータにより回転するダイシングブレード（Ｄ
ｉｃｅｉｎｇ−ｂｌａｄｅ）を備えたダイサーが使われ
ている。
【０００６】こゝでダイシングブレードは厚さ６０μｍ
程度で直径２インチ程度の銅（Ｃｕ）板の断面に数多
くのダイヤモンドを埋め込み成形したものからなってお
り、ウエハの裏面に粘着テープ（ ダイシングテープ）
を張り真空吸着機能を備えた作業台に固定した状態で
、回転しているダイシングブレードを降下させ両側面か
ら冷却水をブレードに噴射させながらウエハを移動させ
、粘着テープまで部分的にカットすることにより行われ
ている。
程度で直径２インチ程度の銅（Ｃｕ）板の断面に数多
くのダイヤモンドを埋め込み成形したものからなってお
り、ウエハの裏面に粘着テープ（ ダイシングテープ）
を張り真空吸着機能を備えた作業台に固定した状態で
、回転しているダイシングブレードを降下させ両側面か
ら冷却水をブレードに噴射させながらウエハを移動させ
、粘着テープまで部分的にカットすることにより行われ
ている。
【０００７】こゝで、ダイシングに当たって必要なこと
は、■ チップに欠けやクラックを生じさせないこと
、■ ブレードを破損させたり、刃先の変形を起こさ
せないこと、である。
は、■ チップに欠けやクラックを生じさせないこと
、■ ブレードを破損させたり、刃先の変形を起こさ
せないこと、である。
【０００８】すなわち、チップに欠けやクラックが生じ
ると直接に歩留りが低下し、また、ブレードが破損する
と破損したブレードが半導体素子（チップ）の表面に叩
きつけられるために不良発生の原因となる。
ると直接に歩留りが低下し、また、ブレードが破損する
と破損したブレードが半導体素子（チップ）の表面に叩
きつけられるために不良発生の原因となる。
【０００９】また、ブレードへの冷却不良によって、ブ
レードの片減りや中凹みなどが起こると、チップサイズ
の不均一を生じ、またブレード破損の原因となる。さて
、ウエハのダイシングにあたっては、従来、第２図（Ａ
）および（Ｂ）に示すようにウエハ１の面上に設けられ
ているダイシングライン２の端から順次にダイシングを
行っていた。
レードの片減りや中凹みなどが起こると、チップサイズ
の不均一を生じ、またブレード破損の原因となる。さて
、ウエハのダイシングにあたっては、従来、第２図（Ａ
）および（Ｂ）に示すようにウエハ１の面上に設けられ
ているダイシングライン２の端から順次にダイシングを
行っていた。
【００１０】すなわち、同図（Ａ）に示すように■，■
，■，■，■，■，■，■，■の順序でダイシングした
後、同図（Ｂ）に示すように基板を回転して先の切断方
向を直角に変えた状態で上より順次■，■，■，■，■
，■，■，■，■の順序でダイシングしてチップに分離
していた。
，■，■，■，■，■，■，■の順序でダイシングした
後、同図（Ｂ）に示すように基板を回転して先の切断方
向を直角に変えた状態で上より順次■，■，■，■，■
，■，■，■，■の順序でダイシングしてチップに分離
していた。
【００１１】また、ダイシングを行う手段としては通常
のダイシングブレードあるいはスリット付のダイシング
ブレードを用い、ブレードの先端に冷却水を噴射して冷
却させながらダイシングする方法がとられていた。
のダイシングブレードあるいはスリット付のダイシング
ブレードを用い、ブレードの先端に冷却水を噴射して冷
却させながらダイシングする方法がとられていた。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】従来のウエハダイシン
グ方法は裏面に粘着テープを貼ったウエハを真空吸着機
能を備えたダイサー（ダイシング装置）に位置決めして
真空吸着した状態で、先端にダイヤモンドを埋めこんだ
ダイシングブレードを用い、ウエハの端部のダイシング
ラインから順次にダイシングを行っていたが、ウエハの
欠けやクラックが生じ易く、またブレードも破損し易い
ことが問題であった。
グ方法は裏面に粘着テープを貼ったウエハを真空吸着機
能を備えたダイサー（ダイシング装置）に位置決めして
真空吸着した状態で、先端にダイヤモンドを埋めこんだ
ダイシングブレードを用い、ウエハの端部のダイシング
ラインから順次にダイシングを行っていたが、ウエハの
欠けやクラックが生じ易く、またブレードも破損し易い
ことが問題であった。
【００１３】そこで、この問題を解決して製造歩留りを
向上することが課題である。
向上することが課題である。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記の課題は半導体素子
形成の終わった半導体ウエハをダイシングして個々のチ
ップに分割する際に、最初にウエハのほぼ中心線をダイ
シングし、次にダイシングした半片ウエハの中心線をダ
イシングする方法を繰り返すことを特徴として半導体ウ
エハのダイシング方法を構成し、また、スリット付ダイ
シングブレードを保持しながら回転させるスピンドルユ
ニットに冷却水の供給路を設けると共に、このスリット
付ダイシングブレードを固定しているフランジの内部に
冷却水の通路を設け、冷却水をダイシングブレードのス
リットを通じ、切削部に噴出させることを特徴としてダ
イシングブレードの冷却構造を構成することにより解決
することができる。
形成の終わった半導体ウエハをダイシングして個々のチ
ップに分割する際に、最初にウエハのほぼ中心線をダイ
シングし、次にダイシングした半片ウエハの中心線をダ
イシングする方法を繰り返すことを特徴として半導体ウ
エハのダイシング方法を構成し、また、スリット付ダイ
シングブレードを保持しながら回転させるスピンドルユ
ニットに冷却水の供給路を設けると共に、このスリット
付ダイシングブレードを固定しているフランジの内部に
冷却水の通路を設け、冷却水をダイシングブレードのス
リットを通じ、切削部に噴出させることを特徴としてダ
イシングブレードの冷却構造を構成することにより解決
することができる。
【００１５】
【作用】本発明はダイシング時にチップの欠けやクラッ
クが生ずる原因はダイシング時にブレードに加わる負荷
が均等でないためであり、またこれがブレード破損の原
因となっていることに着目してなされたものである。
クが生ずる原因はダイシング時にブレードに加わる負荷
が均等でないためであり、またこれがブレード破損の原
因となっていることに着目してなされたものである。
【００１６】また、ウエハの直径は量産化が進むに従っ
て増加し、ウエハの厚さもこれに比例して４５０ μｍ
より５００ μｍ へと増大しているが、このような
増加と共にダイシングブレード先端の摩耗， 片減り，
中凹みなどの障害が増加している。
て増加し、ウエハの厚さもこれに比例して４５０ μｍ
より５００ μｍ へと増大しているが、このような
増加と共にダイシングブレード先端の摩耗， 片減り，
中凹みなどの障害が増加している。
【００１７】そして、この原因はダイシングブレードの
両面から冷却水を噴射して冷却させる方法ではブレード
の先端に冷却水が行き渡らず、冷却が不十分なことによ
ることから、冷却水をスリット付のダイシングブレード
のスリットより切削溝に冷却水を噴射することにより直
接にブレードを冷却し、これにより冷却効率を高めるも
のである。
両面から冷却水を噴射して冷却させる方法ではブレード
の先端に冷却水が行き渡らず、冷却が不十分なことによ
ることから、冷却水をスリット付のダイシングブレード
のスリットより切削溝に冷却水を噴射することにより直
接にブレードを冷却し、これにより冷却効率を高めるも
のである。
【００１８】このように、ダイサーの構造を変え、また
ウエハをダイシングする順序を変えて負荷を均等に保ち
ながら、ダイシングすることにより従来の問題を解決す
ることができる。
ウエハをダイシングする順序を変えて負荷を均等に保ち
ながら、ダイシングすることにより従来の問題を解決す
ることができる。
【００１９】
【実施例】実施例１：（ダイシング方法）図１（Ａ）と
（Ｂ）は本発明に係るダイシング方法を示すものである
。
（Ｂ）は本発明に係るダイシング方法を示すものである
。
【００２０】すなわち、ウエハ１の上にマトリックス状
に集積回路が形成されており、この境界部に設けられて
いるダイシングライン２に沿ってそれぞれ直角方向にダ
イシングすることでチップが形成されているが、このダ
イシング順序として、先ず真ん中のダイシングライン■
に沿ってダイシングして上半分と下半分に分割し、次に
上半分をダイシングライン■に沿ってダイシングして二
分割する。
に集積回路が形成されており、この境界部に設けられて
いるダイシングライン２に沿ってそれぞれ直角方向にダ
イシングすることでチップが形成されているが、このダ
イシング順序として、先ず真ん中のダイシングライン■
に沿ってダイシングして上半分と下半分に分割し、次に
上半分をダイシングライン■に沿ってダイシングして二
分割する。
【００２１】次に下半分をダイシングライン■に沿って
二分割し、次に、上部領域を■のダイシングラインに沿
って二分割する。なお、作業台を１／４ 回転して短冊
状に分割してあるウエハをダイシングしてチップにする
場合も同図（Ｂ）に示すように同じ順序でダイシングを
行う。
二分割し、次に、上部領域を■のダイシングラインに沿
って二分割する。なお、作業台を１／４ 回転して短冊
状に分割してあるウエハをダイシングしてチップにする
場合も同図（Ｂ）に示すように同じ順序でダイシングを
行う。
【００２２】このようにすると、ダイシングブレードに
対して、左右のウエハの面積が略同じとなるためにダイ
シングテープで固定されている力も均等になり、そのた
めブレードに加わる力も均等になり、チップの欠け，ク
ラックの発生やブレードの破損を抑制することができる
。
対して、左右のウエハの面積が略同じとなるためにダイ
シングテープで固定されている力も均等になり、そのた
めブレードに加わる力も均等になり、チップの欠け，ク
ラックの発生やブレードの破損を抑制することができる
。
【００２３】実施例２：（ダイシングブレードの冷却構
造）図３は本発明に係るダイサーの動作状態を示す側面
図、また図４は冷却水の供給状態を示す断面図である。
造）図３は本発明に係るダイサーの動作状態を示す側面
図、また図４は冷却水の供給状態を示す断面図である。
【００２４】本発明に係るダイサーは図３および図４に
示すようにスリット５の付いたダイシングブレード６を
使用し、スリット５から冷却水を切削部分７に直接に噴
射することによりダイシングブレード６の先端部８を冷
却し、これによりダイシングブレード６の先端の発熱に
よる中凹みや冷却不均等による片減りなどを無くするも
のである。
示すようにスリット５の付いたダイシングブレード６を
使用し、スリット５から冷却水を切削部分７に直接に噴
射することによりダイシングブレード６の先端部８を冷
却し、これによりダイシングブレード６の先端の発熱に
よる中凹みや冷却不均等による片減りなどを無くするも
のである。
【００２５】すなわち、ダイシングブレード６を回転す
るスピンドルユニット９の中心に冷却水の供給路１０を
設けると共に、ダイシングブレード６を保持するフラン
ジ１１の中にも冷却水の供給路を設け、スリット５の付
け根の部分から左斜線で示すように冷却水１２を噴射す
るようにするものである。
るスピンドルユニット９の中心に冷却水の供給路１０を
設けると共に、ダイシングブレード６を保持するフラン
ジ１１の中にも冷却水の供給路を設け、スリット５の付
け根の部分から左斜線で示すように冷却水１２を噴射す
るようにするものである。
【００２６】図は粘着テープ１３を貼ったウエハ１４が
作業台１５に真空吸着されており、ダイシングブレード
６により粘着テープ１３の表面部分まで切削が進行した
状態を示している。
作業台１５に真空吸着されており、ダイシングブレード
６により粘着テープ１３の表面部分まで切削が進行した
状態を示している。
【００２７】従来はダイシングブレードの両側面より冷
却水を噴射しているため、冷却水は先端ブレード８にま
で達せず、そのために発熱による摩耗が大きく、また不
均一な摩耗により中凹みや片減りなどの現象が避けられ
なかったが、本発明の実施によりダイシングブレード６
の先端部８への冷却水１２の供給が充分に行われるため
に上記の問題を解決することができた。
却水を噴射しているため、冷却水は先端ブレード８にま
で達せず、そのために発熱による摩耗が大きく、また不
均一な摩耗により中凹みや片減りなどの現象が避けられ
なかったが、本発明の実施によりダイシングブレード６
の先端部８への冷却水１２の供給が充分に行われるため
に上記の問題を解決することができた。
【００２８】
【発明の効果】ダイサーの構造を改良してダイシングブ
レードの先端に冷却水を供給するようにし、また、ウエ
ハのダイシング順序を変更することにより、チップの欠
けやクラック発生などの不良が減少し、またダイシング
ブレードの中凹みや片減りなどの現象を無くすることが
できた。
レードの先端に冷却水を供給するようにし、また、ウエ
ハのダイシング順序を変更することにより、チップの欠
けやクラック発生などの不良が減少し、またダイシング
ブレードの中凹みや片減りなどの現象を無くすることが
できた。
【図１】本発明に係るダイシング順序を示す平面図であ
る。
る。
【図２】従来のダイシング順序を示す平面図である。
【図３】本発明に係るダイサーの動作状態を示す側面図
である。
である。
【図４】本発明に係るダイサーの冷却水の供給状態を示
す断面図である。
す断面図である。
１，１４ ウエハ
２ ダイシングライン
５ スリット
６ ダイシングブレード
７ 切削部分
８ 先端部
１０ 冷却水の供給路
１３ 粘着テープ
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体素子形成の終わった半導体ウエ
ハをダイシングして個々のチップに分割する際に、最初
にウエハの略中心線をダイシングし、次にダイシングし
た半片ウエハの中心線をダイシングする方法を繰り返す
ことを特徴とする半導体ウエハのダイシング方法。 - 【請求項２】 スリット付ダイシングブレード（６）
を保持しながら回転させるスピンドルユニット（９）に
冷却水の供給路（１０）を設けると共に、該スリット付
ダイシングブレード（６）を固定しているフランジ（１
１）の内部に冷却水（１２）の通路を設け、該冷却水（
１２）をダイシングブレード（６）のスリット（５）を
通じ、切削部分（７）に噴出させることを特徴とするダ
イシングブレードの冷却構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3010464A JPH04245663A (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 半導体ウエハのダイシング方法とダイシングブレードの冷却構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3010464A JPH04245663A (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 半導体ウエハのダイシング方法とダイシングブレードの冷却構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04245663A true JPH04245663A (ja) | 1992-09-02 |
Family
ID=11750858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3010464A Withdrawn JPH04245663A (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 半導体ウエハのダイシング方法とダイシングブレードの冷却構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04245663A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010050295A (ja) * | 2008-08-22 | 2010-03-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | 被加工物の切削方法 |
| JP2010274630A (ja) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Daitron Technology Co Ltd | 基板分割方法及び基板分割装置 |
| JP2011096941A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | ブレイク装置 |
| JP2017501561A (ja) * | 2013-10-29 | 2017-01-12 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． | 発光デバイスのウエハを分離する方法 |
| JP2019201061A (ja) * | 2018-05-15 | 2019-11-21 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
| JP2019201067A (ja) * | 2018-05-15 | 2019-11-21 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2020136555A (ja) * | 2019-02-22 | 2020-08-31 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
-
1991
- 1991-01-31 JP JP3010464A patent/JPH04245663A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010050295A (ja) * | 2008-08-22 | 2010-03-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | 被加工物の切削方法 |
| JP2010274630A (ja) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Daitron Technology Co Ltd | 基板分割方法及び基板分割装置 |
| JP2011096941A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | ブレイク装置 |
| TWI414406B (zh) * | 2009-10-30 | 2013-11-11 | Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd | Disconnect the device |
| JP2017501561A (ja) * | 2013-10-29 | 2017-01-12 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． | 発光デバイスのウエハを分離する方法 |
| JP2019201061A (ja) * | 2018-05-15 | 2019-11-21 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
| JP2019201067A (ja) * | 2018-05-15 | 2019-11-21 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| KR20190130970A (ko) | 2018-05-15 | 2019-11-25 | 가부시기가이샤 디스코 | 피가공물의 가공 방법 |
| KR20190130961A (ko) | 2018-05-15 | 2019-11-25 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 |
| JP2020136555A (ja) * | 2019-02-22 | 2020-08-31 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |