JPH04247315A - 磁気記録媒体 - Google Patents
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- JPH04247315A JPH04247315A JP3366891A JP3366891A JPH04247315A JP H04247315 A JPH04247315 A JP H04247315A JP 3366891 A JP3366891 A JP 3366891A JP 3366891 A JP3366891 A JP 3366891A JP H04247315 A JPH04247315 A JP H04247315A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は強磁性金属薄膜を有する
磁気記録媒体に関する。
磁気記録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】近年磁気テープはますます高密度化して
おり、中でもCoを主体としNi等を添加した強磁性金
属薄膜を用いた磁気テープは、飽和磁束密度が大きくし
かも保磁力が高いので、盛んに研究されている。
おり、中でもCoを主体としNi等を添加した強磁性金
属薄膜を用いた磁気テープは、飽和磁束密度が大きくし
かも保磁力が高いので、盛んに研究されている。
【0003】この型の磁気テープは種々の方法で製造さ
れるが、特に優れた方法としては、非磁性基体上に斜め
蒸着法により強磁性金属薄膜を単層膜として形成したり
、2層以上積層して多層構造としたりすることが提案さ
れている。
れるが、特に優れた方法としては、非磁性基体上に斜め
蒸着法により強磁性金属薄膜を単層膜として形成したり
、2層以上積層して多層構造としたりすることが提案さ
れている。
【0004】磁気テープの非磁性基体としては、通常、
ポリエチレンテレフタレート等の樹脂フィルムが用いら
れている。
ポリエチレンテレフタレート等の樹脂フィルムが用いら
れている。
【0005】このような樹脂フィルム基体とする磁気記
録媒体においては、磁性層にはクラックが発生しやすい
。すなわち、樹脂フィルムを基体とする磁気テープでは
、樹脂と金属との熱膨張率の違いや、樹脂と金属の付着
性、さらには薄膜中の内部応力等の理由から、連続薄膜
型の金属磁性層にクラックが発生してしまう。そして、
磁性層の成膜時に基体内部から脱ガスが起こったり、あ
るいはテープ作製後、基体を通して水分や空気が侵入し
たりして、磁性層が腐食酸化して、引っ張り応力が増大
し、クラックが増大する。クラックはテープにとって致
命的である。
録媒体においては、磁性層にはクラックが発生しやすい
。すなわち、樹脂フィルムを基体とする磁気テープでは
、樹脂と金属との熱膨張率の違いや、樹脂と金属の付着
性、さらには薄膜中の内部応力等の理由から、連続薄膜
型の金属磁性層にクラックが発生してしまう。そして、
磁性層の成膜時に基体内部から脱ガスが起こったり、あ
るいはテープ作製後、基体を通して水分や空気が侵入し
たりして、磁性層が腐食酸化して、引っ張り応力が増大
し、クラックが増大する。クラックはテープにとって致
命的である。
【0006】また、金属磁性層のうち特に蒸着膜である
場合には、内部応力は引っ張り応力となる。引っ張り応
力によってテープにカッピングが生じると、ヘッドタッ
チが悪くなるので、ヘッドタッチを良好にするために熱
処理等により平面化を行ない、磁性層の上面に特に強い
引っ張り応力を加える必要が生じる。このような場合に
は、クラックの発生が増大し、また錆の発生も増大する
。
場合には、内部応力は引っ張り応力となる。引っ張り応
力によってテープにカッピングが生じると、ヘッドタッ
チが悪くなるので、ヘッドタッチを良好にするために熱
処理等により平面化を行ない、磁性層の上面に特に強い
引っ張り応力を加える必要が生じる。このような場合に
は、クラックの発生が増大し、また錆の発生も増大する
。
【0007】このような事情から、磁性層のクラックを
防止する方法として、特開平2−9T6919号公報で
は、樹脂製基板上に、圧縮応力をもつSi3 N4 膜
と、引っ張り応力をもつSi3 N4 膜とを交互に積
み重ねたバッファ層を設層し、この上に磁性層を形成す
る旨、同2−96921号公報では、非磁性金属膜と、
セラミックス膜とを交互に積み重ねたバッファ層を設層
する旨が提案されている。
防止する方法として、特開平2−9T6919号公報で
は、樹脂製基板上に、圧縮応力をもつSi3 N4 膜
と、引っ張り応力をもつSi3 N4 膜とを交互に積
み重ねたバッファ層を設層し、この上に磁性層を形成す
る旨、同2−96921号公報では、非磁性金属膜と、
セラミックス膜とを交互に積み重ねたバッファ層を設層
する旨が提案されている。
【0008】しかし、基板上に上記公報のバッファ層を
設けただけでは、磁性層のクラック防止能は、不十分で
ある。しかも、バッファ層が、複数の層から形成されて
いるため、量産上非常に不利である。
設けただけでは、磁性層のクラック防止能は、不十分で
ある。しかも、バッファ層が、複数の層から形成されて
いるため、量産上非常に不利である。
【0009】また、特開平2−132630号公報では
、樹脂製基板と、磁気記録層との間に、Al2 O3
、SiOx 、SiC等のビッカース硬度が800以上
の膜からなる硬質化層と、SnO3 、C等の表面抵抗
が109 Ω/□以下の膜からなる導電性層とを形成し
、CSS耐久性を向上させる旨を提案している。しかし
、上記公報の硬質化層および導電性層の2層を設けただ
けでは磁性層のクラック防止能は不十分である。
、樹脂製基板と、磁気記録層との間に、Al2 O3
、SiOx 、SiC等のビッカース硬度が800以上
の膜からなる硬質化層と、SnO3 、C等の表面抵抗
が109 Ω/□以下の膜からなる導電性層とを形成し
、CSS耐久性を向上させる旨を提案している。しかし
、上記公報の硬質化層および導電性層の2層を設けただ
けでは磁性層のクラック防止能は不十分である。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】本発明の主たる目的は
、強磁性金属薄膜を磁性層とする磁気記録媒体の磁性層
のクラックや発錆を防止することである。
、強磁性金属薄膜を磁性層とする磁気記録媒体の磁性層
のクラックや発錆を防止することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
(1)〜(7)の本発明により達成される。
(1)〜(7)の本発明により達成される。
【0012】(1)非磁性の樹脂基体上に、下地膜と、
強磁性金属薄膜とを有する磁気記録媒体において、前記
下地膜により、前記強磁性金属薄膜に圧縮応力が印加さ
れていることを特徴とする磁気記録媒体。
強磁性金属薄膜とを有する磁気記録媒体において、前記
下地膜により、前記強磁性金属薄膜に圧縮応力が印加さ
れていることを特徴とする磁気記録媒体。
【0013】(2)非磁性の樹脂製基体上に、下地膜と
強磁性金属薄膜とトップコート膜とを有する磁気記録媒
体において、前記下地膜およびトップコート膜により前
記強磁性金属薄膜に圧縮応力が印加されていることを特
徴とする磁気記録媒体。
強磁性金属薄膜とトップコート膜とを有する磁気記録媒
体において、前記下地膜およびトップコート膜により前
記強磁性金属薄膜に圧縮応力が印加されていることを特
徴とする磁気記録媒体。
【0014】(3)前記圧縮応力が108 〜1010
dyn /cm2 である上記(1)または(2)のい
ずれかに記載の磁気記録媒体。
dyn /cm2 である上記(1)または(2)のい
ずれかに記載の磁気記録媒体。
【0015】(4)前記トップコート膜、あるいはトッ
プコート膜および下地膜のうち少なくとも一方がプラズ
マ重合膜または酸化物蒸着膜である上記(1)ないし(
3)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
プコート膜および下地膜のうち少なくとも一方がプラズ
マ重合膜または酸化物蒸着膜である上記(1)ないし(
3)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【0016】(5)前記下地膜の厚さが50〜1000
A である上記(1)ないし(4)のいずれかに記載の
磁気記録媒体。
A である上記(1)ないし(4)のいずれかに記載の
磁気記録媒体。
【0017】(6)前記トップコート膜の厚さが10〜
50A である上記(1)ないし(5)のいずれかに記
載の磁気記録媒体
50A である上記(1)ないし(5)のいずれかに記
載の磁気記録媒体
【0018】(7)前記強磁性金属薄膜が蒸着膜である
上記(1)ないし(6)のいずれかに記載の磁気記録媒
体。
上記(1)ないし(6)のいずれかに記載の磁気記録媒
体。
【0019】
【作用】本発明の磁気記録媒体では、テープ基体として
に樹脂を使用する。そして、この樹脂基体と磁性層間、
あるいはこれに加えて磁性層上に、プラズマ重合膜や酸
化物の蒸着膜を、下地膜、あるいはこれに加えてトップ
コート膜として形成する。
に樹脂を使用する。そして、この樹脂基体と磁性層間、
あるいはこれに加えて磁性層上に、プラズマ重合膜や酸
化物の蒸着膜を、下地膜、あるいはこれに加えてトップ
コート膜として形成する。
【0020】この下地膜、あるいはこれに付加されるト
ップコート膜としてのプラズマ重合膜または酸化物蒸着
膜は、接触する磁性層に圧縮応力を与える。特に蒸着法
による磁性層金属薄膜は、引っ張り応力を有し、磁性層
を形成する金属原子のある特定の面でのすべりが発生し
、このすべり面から酸化およびクラックが多発生するも
のであるが、本発明では金属薄膜の引っ張り応力に逆ら
い、圧縮応力を加えることにより酸化とクラックとが防
止される。
ップコート膜としてのプラズマ重合膜または酸化物蒸着
膜は、接触する磁性層に圧縮応力を与える。特に蒸着法
による磁性層金属薄膜は、引っ張り応力を有し、磁性層
を形成する金属原子のある特定の面でのすべりが発生し
、このすべり面から酸化およびクラックが多発生するも
のであるが、本発明では金属薄膜の引っ張り応力に逆ら
い、圧縮応力を加えることにより酸化とクラックとが防
止される。
【0021】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。
に説明する。
【0022】本発明の磁気記録媒体の好適例は磁気テー
プである。
プである。
【0023】<非磁性基体>本発明の磁気テープで用い
る非磁性基体の材質に特に制限はなく、強磁性金属薄膜
蒸着時の熱に耐える各種フィルム、例えばポリエチレン
テレフタレート等を用いることができる。また特開昭6
3−10315号公報に記載の各材料が使用可能である
。
る非磁性基体の材質に特に制限はなく、強磁性金属薄膜
蒸着時の熱に耐える各種フィルム、例えばポリエチレン
テレフタレート等を用いることができる。また特開昭6
3−10315号公報に記載の各材料が使用可能である
。
【0024】<下地膜>下地膜はプラズマ重合膜または
酸化物蒸着膜から形成されることが好ましい。プラズマ
重合膜は、炭素、あるいは炭素および水素を含むものが
好ましい。このようなプラズマ重合膜を形成する原料ソ
ースとしては、炭素または炭素および水素を含有する種
々のものを用いることができるが、通常操作性の良いこ
とから、常温で気体のメタン、エタン、プロパン、ブタ
ン、ペンタン、エチレン、プロピレン、ブテン、ブタジ
エン、アセチレン、メチルアセチレン、その他の飽和な
いし不飽和の炭化水素の1種以上を、CおよびH源とし
て用いる。また必要に応じて常温で液体の炭化水素を原
料としてもよい。さらに、各種シランないしシロキサン
など有機系化合物を用いて、炭素と、ケイ素と、水素や
酸素を含むプラズマ重合膜としてもよい。
酸化物蒸着膜から形成されることが好ましい。プラズマ
重合膜は、炭素、あるいは炭素および水素を含むものが
好ましい。このようなプラズマ重合膜を形成する原料ソ
ースとしては、炭素または炭素および水素を含有する種
々のものを用いることができるが、通常操作性の良いこ
とから、常温で気体のメタン、エタン、プロパン、ブタ
ン、ペンタン、エチレン、プロピレン、ブテン、ブタジ
エン、アセチレン、メチルアセチレン、その他の飽和な
いし不飽和の炭化水素の1種以上を、CおよびH源とし
て用いる。また必要に応じて常温で液体の炭化水素を原
料としてもよい。さらに、各種シランないしシロキサン
など有機系化合物を用いて、炭素と、ケイ素と、水素や
酸素を含むプラズマ重合膜としてもよい。
【0025】このような原料を用いて形成されるプラズ
マ重合膜の膜厚は、50〜1000A 、より好ましく
は500〜800A 。膜厚が厚すぎると量産上不利で
あり、またこの範囲未満となると本発明の実効が低下す
る。なお、膜厚の測定はエリプソメーター等を用いれば
よい。このような膜厚の制御は、プラズマ重合膜形成時
の反応時間、原料ガス流量等を制限すればよい。
マ重合膜の膜厚は、50〜1000A 、より好ましく
は500〜800A 。膜厚が厚すぎると量産上不利で
あり、またこの範囲未満となると本発明の実効が低下す
る。なお、膜厚の測定はエリプソメーター等を用いれば
よい。このような膜厚の制御は、プラズマ重合膜形成時
の反応時間、原料ガス流量等を制限すればよい。
【0026】膜中のCの含有量は30〜100at%と
するのが好ましい。また、膜中のHの含有量は40at
%以下とすることが好ましい。さらにSi含有量は、7
0at%以下とすることが好ましい。
するのが好ましい。また、膜中のHの含有量は40at
%以下とすることが好ましい。さらにSi含有量は、7
0at%以下とすることが好ましい。
【0027】このような組成とすることにより、容易に
圧縮応力を磁性層に印加することができる。これらの含
有量は、オージェ分光分析(AES)およびCHNコー
ダーにて求めればよい。
圧縮応力を磁性層に印加することができる。これらの含
有量は、オージェ分光分析(AES)およびCHNコー
ダーにて求めればよい。
【0028】プラズマ重合膜は公知の方法に従い、前述
の原料ガスの放電プラズマを基体に接触させることによ
り重合膜を形成するものである。電極配置、印加電流、
処理時間、動作圧力等は通常の条件とすればよい。
の原料ガスの放電プラズマを基体に接触させることによ
り重合膜を形成するものである。電極配置、印加電流、
処理時間、動作圧力等は通常の条件とすればよい。
【0029】また処理条件はW/(F・M)[ここで、
Wはプラズマ投入電力(Joule/sec) であり
、Fは有機原料ガス流量、Mは原料ガス分子量でF・M
の単位はkg/sec]値が108Joule/kg
以上、特に5×108 〜1×1010Joule/k
gで行われることが好ましい。この値が108Joul
e/kg 未満であると、プラズマ重合膜の緻密さが不
十分となる。なお、キャリアガスとして、Ar、N2
、He、H2 などを使用してもよい。プラズマ発生源
としては、高周波放電の他に、マイクロ波放電、直流放
電、交流放電等いずれでも利用できる。
Wはプラズマ投入電力(Joule/sec) であり
、Fは有機原料ガス流量、Mは原料ガス分子量でF・M
の単位はkg/sec]値が108Joule/kg
以上、特に5×108 〜1×1010Joule/k
gで行われることが好ましい。この値が108Joul
e/kg 未満であると、プラズマ重合膜の緻密さが不
十分となる。なお、キャリアガスとして、Ar、N2
、He、H2 などを使用してもよい。プラズマ発生源
としては、高周波放電の他に、マイクロ波放電、直流放
電、交流放電等いずれでも利用できる。
【0030】このようなプラズマ重合膜は、基体上、特
にプラズマ処理された基体上に形成されることが好まし
い。基体表面をプラズマ処理することによって、基体と
の接着力が向上し、ひいてはこの基体とプラズマ重合膜
との接着力が向上する。基体表面のプラズマ処理法の原
理、方法および形成条件等は前述したプラズマ重合法の
それと基本的にほぼ同一である。
にプラズマ処理された基体上に形成されることが好まし
い。基体表面をプラズマ処理することによって、基体と
の接着力が向上し、ひいてはこの基体とプラズマ重合膜
との接着力が向上する。基体表面のプラズマ処理法の原
理、方法および形成条件等は前述したプラズマ重合法の
それと基本的にほぼ同一である。
【0031】ただし、プラズマ処理は原則として、無機
ガスを処理ガスとして用い、他方、前述したプラズマ重
合法によるプラズマ重合膜の形成には原則として、有機
ガス(場合によっては無機ガスを混入させてもよい)を
原料ガスとして用いる。さらに、プラズマ処理電源の周
波数については、特に制限はなく、直流、交流、マイク
ロ波等いずれであってもよい。
ガスを処理ガスとして用い、他方、前述したプラズマ重
合法によるプラズマ重合膜の形成には原則として、有機
ガス(場合によっては無機ガスを混入させてもよい)を
原料ガスとして用いる。さらに、プラズマ処理電源の周
波数については、特に制限はなく、直流、交流、マイク
ロ波等いずれであってもよい。
【0032】このような下地膜を形成するプラズマ重合
膜は圧縮応力を有する。この圧縮応力は、108 〜1
010dyn/cm2であることが好ましい。圧縮応力
が1010dyn/cm2 をこえると磁性層に適当な
圧縮圧力がかからない。また108 dyn/cm2
未満であるとクラック防止の実効がなくなってくる。
膜は圧縮応力を有する。この圧縮応力は、108 〜1
010dyn/cm2であることが好ましい。圧縮応力
が1010dyn/cm2 をこえると磁性層に適当な
圧縮圧力がかからない。また108 dyn/cm2
未満であるとクラック防止の実効がなくなってくる。
【0033】圧縮応力を測定するには、力学的物性が既
知の基体上に成膜し、この膜内の圧縮応力により基体が
たわむことを利用して測定すればよい。この場合、たわ
みは基板の形状と弾性定数によって決定される。したが
ってこのたわみ量から膜の圧縮応力を知ることができる
。たわみは薄い円板状あるいは短冊状基板を用いること
によって測定できる。膜の圧縮応力によって、例えば、
円板状基板は、膜面中心部が上に凸になるように凸状に
たわみ、球面の一部を成すようになる。この球面の曲率
を測定して圧縮応力を求める。膜応力σはσ=Et2
/6(1−ν)γdより求められる。ここでEは基板の
ヤング率であり、tは基板の厚さ、νは基板のポアソン
比、γは曲率半径、dは膜厚である。また、短冊状基板
では、これを片持ち梁状に支持し、自由端のたわみ量を
測定する。自由端のたわみをδ、自由端までの長さを1
とすれば、σ=Et2 δ/312 d(1−ν)であ
る。そして、実際の成膜条件でプラズマ重合膜を試験片
に成膜し、圧縮応力を算出すればよい。
知の基体上に成膜し、この膜内の圧縮応力により基体が
たわむことを利用して測定すればよい。この場合、たわ
みは基板の形状と弾性定数によって決定される。したが
ってこのたわみ量から膜の圧縮応力を知ることができる
。たわみは薄い円板状あるいは短冊状基板を用いること
によって測定できる。膜の圧縮応力によって、例えば、
円板状基板は、膜面中心部が上に凸になるように凸状に
たわみ、球面の一部を成すようになる。この球面の曲率
を測定して圧縮応力を求める。膜応力σはσ=Et2
/6(1−ν)γdより求められる。ここでEは基板の
ヤング率であり、tは基板の厚さ、νは基板のポアソン
比、γは曲率半径、dは膜厚である。また、短冊状基板
では、これを片持ち梁状に支持し、自由端のたわみ量を
測定する。自由端のたわみをδ、自由端までの長さを1
とすれば、σ=Et2 δ/312 d(1−ν)であ
る。そして、実際の成膜条件でプラズマ重合膜を試験片
に成膜し、圧縮応力を算出すればよい。
【0034】なお試験片基板としては力学的物性が既知
であれば、どのようなものでもよく、測定法に適したも
のを選択すれば良い。例えば、ガラス板、シリコンウエ
ハなどである。
であれば、どのようなものでもよく、測定法に適したも
のを選択すれば良い。例えば、ガラス板、シリコンウエ
ハなどである。
【0035】このように、より好ましい態様としてプラ
ズマ処理された基体上には、前述のプラズマ重合膜が形
成され、さらにこのプラズマ重合膜上には直接あるいは
下地膜を介して磁性層が形成される。
ズマ処理された基体上には、前述のプラズマ重合膜が形
成され、さらにこのプラズマ重合膜上には直接あるいは
下地膜を介して磁性層が形成される。
【0036】本発明の磁気記録媒体で用いる下地膜の他
の例は酸化物の連続薄膜である。
の例は酸化物の連続薄膜である。
【0037】酸化物の連続薄膜の組成には、特に制限は
なく、公知のいずれのものも使用できるが、磁性層のク
ラック防止能やCSS耐久性がより一層向上する点で、
SiOx (1≦x≦2)、ZrO2 、Al2 O3
、TiO2 、Ta2 O5 、Si−Al−O−N
系化合物、La−Si−O−N系化合物等が好適である
。
なく、公知のいずれのものも使用できるが、磁性層のク
ラック防止能やCSS耐久性がより一層向上する点で、
SiOx (1≦x≦2)、ZrO2 、Al2 O3
、TiO2 、Ta2 O5 、Si−Al−O−N
系化合物、La−Si−O−N系化合物等が好適である
。
【0038】酸化物の膜厚は50〜1000A 、特に
500〜800A程度が好ましい。この範囲未満では磁
性層のクラックを防止できず、前記範囲をこえると基体
の損傷をもたらすことがあり量産上も不利である。
500〜800A程度が好ましい。この範囲未満では磁
性層のクラックを防止できず、前記範囲をこえると基体
の損傷をもたらすことがあり量産上も不利である。
【0039】酸化物蒸着膜は、蒸着、スパッタリング、
イオンプレーティング、CVD等の各種気相成膜法にて
成膜すればよいが、特に蒸着にて成膜することが好まし
い。酸化物膜の圧縮応力は、前記プラズマ重合膜の場合
と同様に設定すればよい。
イオンプレーティング、CVD等の各種気相成膜法にて
成膜すればよいが、特に蒸着にて成膜することが好まし
い。酸化物膜の圧縮応力は、前記プラズマ重合膜の場合
と同様に設定すればよい。
【0040】<磁性層>本発明の磁気記録媒体が磁気テ
ープである場合の磁性層は、Coを主成分とし、斜め蒸
着法により形成される1層または2層以上の強磁性金属
薄膜から構成されることが好ましい。
ープである場合の磁性層は、Coを主成分とし、斜め蒸
着法により形成される1層または2層以上の強磁性金属
薄膜から構成されることが好ましい。
【0041】斜め蒸着法は、例えば、供給ロールから繰
り出された長尺フィルム状の非磁性基体を回転する冷却
ドラムの表面に添わせて送りながら、一個以上の定置金
属源から斜め蒸着をし、巻き取りロールに巻き取るもの
である。
り出された長尺フィルム状の非磁性基体を回転する冷却
ドラムの表面に添わせて送りながら、一個以上の定置金
属源から斜め蒸着をし、巻き取りロールに巻き取るもの
である。
【0042】この際、成膜時の強磁性金属成分の入射角
と基体法線との角度をθとしたとき、θは変化し、初期
のθmax から、最終のθmin の範囲で蒸着が行
なわれる。そして、強磁性薄膜蒸着時のθmax は8
0〜90度であることが好ましく、θmin は10〜
60度であることが好ましい。
と基体法線との角度をθとしたとき、θは変化し、初期
のθmax から、最終のθmin の範囲で蒸着が行
なわれる。そして、強磁性薄膜蒸着時のθmax は8
0〜90度であることが好ましく、θmin は10〜
60度であることが好ましい。
【0043】磁性層を構成する各強磁性金属薄膜は、N
iを含有するCo−Ni合金であることが好ましく、特
にモル比でCoを約80%、Niを約20%含有する合
金が好適である。
iを含有するCo−Ni合金であることが好ましく、特
にモル比でCoを約80%、Niを約20%含有する合
金が好適である。
【0044】また、必要に応じてCrを10%以下含有
していてもよく、特開昭63−10315号公報等に記
載されている各種金属やその他の金属成分を含有してい
てもよい。
していてもよく、特開昭63−10315号公報等に記
載されている各種金属やその他の金属成分を含有してい
てもよい。
【0045】さらに、必要に応じて少量の酸素を各層の
表面層に含有させたり、この他非磁性層を介在させたり
して、耐食性等を向上させることができる。
表面層に含有させたり、この他非磁性層を介在させたり
して、耐食性等を向上させることができる。
【0046】磁性層全体の厚さは、1200〜3000
A 程度であることが好ましい。このとき出力を十分に
大きくすることができる。
A 程度であることが好ましい。このとき出力を十分に
大きくすることができる。
【0047】蒸着金属粒子の入射角は蒸着初期のθma
x から最終のθmin まで連続的に変化し、非磁性
基体表面にCoを主成分とする強磁性金属の柱状結晶粒
子を弧状一方向に成長させ、整列させるものである。磁
性層を多層構成とする場合は、この工程を繰り返し行な
う。
x から最終のθmin まで連続的に変化し、非磁性
基体表面にCoを主成分とする強磁性金属の柱状結晶粒
子を弧状一方向に成長させ、整列させるものである。磁
性層を多層構成とする場合は、この工程を繰り返し行な
う。
【0048】<トップコート膜>このような磁性層上に
は、必要に応じトップコート膜が設けられる。トップコ
ート膜は前記下地層と同様にプラズマ重合膜あるいは酸
化物膜であることが好ましく、その成膜法、膜材質等は
下地層の場合に準ずればよい。
は、必要に応じトップコート膜が設けられる。トップコ
ート膜は前記下地層と同様にプラズマ重合膜あるいは酸
化物膜であることが好ましく、その成膜法、膜材質等は
下地層の場合に準ずればよい。
【0049】このようなトップコート膜の膜厚は10〜
50A 、特に20〜30A とするのが好ましい。膜
厚がこの範囲をこえるとスペーシングスロスが増大する
。この範囲未満では本発明の実効が少なくなる。膜厚の
測定法、制御方法は前述の方法に準拠すればよい。
50A 、特に20〜30A とするのが好ましい。膜
厚がこの範囲をこえるとスペーシングスロスが増大する
。この範囲未満では本発明の実効が少なくなる。膜厚の
測定法、制御方法は前述の方法に準拠すればよい。
【0050】このトップコート膜を形成するプラズマ重
合膜あるいは酸化物蒸着膜は、前記同様、108 〜1
09dyn/cm2の圧縮応力を有する。
合膜あるいは酸化物蒸着膜は、前記同様、108 〜1
09dyn/cm2の圧縮応力を有する。
【0051】圧縮応力を、この所定の値にする方法は前
述の方法に準拠すればよい。圧縮応力の測定法も同様で
ある。
述の方法に準拠すればよい。圧縮応力の測定法も同様で
ある。
【0052】なお、トップコート膜および下地膜をとも
に形成する場合、両者の膜応力σt 、σu の和σt
+σu を前記の範囲とすればよい。
に形成する場合、両者の膜応力σt 、σu の和σt
+σu を前記の範囲とすればよい。
【0053】また、以上では、磁気テープについて述べ
てきたが、本発明は、強磁性金属薄膜を有する各種磁気
記録媒体に適用可能であり、バックコート層や中間層な
ど種々の構成層を付加することもできる。
てきたが、本発明は、強磁性金属薄膜を有する各種磁気
記録媒体に適用可能であり、バックコート層や中間層な
ど種々の構成層を付加することもできる。
【0054】
【実施例】以下に本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。
をさらに詳細に説明する。
【0055】実施例1
供給ロールから厚さ7μm のポリエチレンテレフタレ
ートフィルムを繰り出して、回転する円筒状冷却ドラム
の周囲に添わせて移動させ、、10−4Paの真空に引
いた後、下記表1に示される条件にてプラズマ重合を行
い、下地膜として、重合膜No.1を形成した。
ートフィルムを繰り出して、回転する円筒状冷却ドラム
の周囲に添わせて移動させ、、10−4Paの真空に引
いた後、下記表1に示される条件にてプラズマ重合を行
い、下地膜として、重合膜No.1を形成した。
【0056】
【表1】
【0057】得られた下地膜の膜厚は600A であっ
た。なお、プラズマ重合膜はエリプソメータにて測定し
た。
た。なお、プラズマ重合膜はエリプソメータにて測定し
た。
【0058】この下地膜を成膜したポリエチレンテレフ
タレートフィルムを、10−4PaのAr雰囲気で、供
給ロールから繰り出して、回転する円筒状冷却ドラムの
周囲に添わせて移動させ20at%Ni−Co合金を斜
め蒸着して強磁性金属薄膜を形成し、巻き取りロールに
巻き取った。
タレートフィルムを、10−4PaのAr雰囲気で、供
給ロールから繰り出して、回転する円筒状冷却ドラムの
周囲に添わせて移動させ20at%Ni−Co合金を斜
め蒸着して強磁性金属薄膜を形成し、巻き取りロールに
巻き取った。
【0059】次いで、この巻き取りロールを供給ロール
とし、PETフィルム表面の法線方向を挟んで上記斜め
蒸着時の入射方向と交差する入射方向にて強磁性金属を
斜め蒸着して、2層構成の磁性層を有する磁気記録媒体
サンプルNo.1を得た。
とし、PETフィルム表面の法線方向を挟んで上記斜め
蒸着時の入射方向と交差する入射方向にて強磁性金属を
斜め蒸着して、2層構成の磁性層を有する磁気記録媒体
サンプルNo.1を得た。
【0060】これとは別に比較のために、下地膜を成膜
しないサンプルNo.2を作製した。
しないサンプルNo.2を作製した。
【0061】この磁気テープサンプルNo.1およびサ
ンプルNo.2を、8mmビデオデッキ(ソニー社製S
900)に装填し、下記の評価を行なった。
ンプルNo.2を、8mmビデオデッキ(ソニー社製S
900)に装填し、下記の評価を行なった。
【0062】(1)圧縮応力
短冊状のガラス基板上に、上記と同じ条件で下地膜を膜
厚600A に成膜して試験片を作製し、前述の方法で
圧縮応力σを測定した。
厚600A に成膜して試験片を作製し、前述の方法で
圧縮応力σを測定した。
【0063】(2)クラック
サンプルNo.1およびサンプルNo.2の磁性層を微
分干渉顕微鏡を用い、倍率100倍の光学顕微鏡写真を
得て、磁性層のテープ走行方向および幅方向のクラック
発生状況を、◎、○、△、×の4段階で評価した。
分干渉顕微鏡を用い、倍率100倍の光学顕微鏡写真を
得て、磁性層のテープ走行方向および幅方向のクラック
発生状況を、◎、○、△、×の4段階で評価した。
【0064】(3)酸化
AESによる酸素量分析で評価した。耐候テスト前後で
酸素量をAESで分析し、耐候テスト前を1とした時の
増加率を求めた。耐候テストは80℃、90%RHとし
た。酸素量は、表面を5分Arエッチング後測定した。
酸素量をAESで分析し、耐候テスト前を1とした時の
増加率を求めた。耐候テストは80℃、90%RHとし
た。酸素量は、表面を5分Arエッチング後測定した。
【0065】以上の結果を表2に示す。下地膜を成膜し
たサンプルNo.1は、No.2と比較して、圧縮応力
が大きく、それに伴い、クラック発生状況、酸化抵抗性
ともに良好であることが明らかである。
たサンプルNo.1は、No.2と比較して、圧縮応力
が大きく、それに伴い、クラック発生状況、酸化抵抗性
ともに良好であることが明らかである。
【0066】
【表2】
【0067】実施例2
テトラメトキシシラン(TMOS)を表1に示される条
件で成膜した重合膜No.2を下地膜(600A )と
した他は、実施例1と同様にして磁気テープサンプルN
o.3を得た。結果を表2に示す。
件で成膜した重合膜No.2を下地膜(600A )と
した他は、実施例1と同様にして磁気テープサンプルN
o.3を得た。結果を表2に示す。
【0068】実施例3
実施例1において、重合膜No.1にかえてSiO2
蒸着膜(600A )の下地膜を成膜し、磁気テープサ
ンプルNo.1の磁性層を成膜したのち、この磁性層上
に、表1の条件で重合膜No.3のトップコート膜(2
5A )を成膜した。この磁気テープサンプルNo.4
の結果を表2に併記する。
蒸着膜(600A )の下地膜を成膜し、磁気テープサ
ンプルNo.1の磁性層を成膜したのち、この磁性層上
に、表1の条件で重合膜No.3のトップコート膜(2
5A )を成膜した。この磁気テープサンプルNo.4
の結果を表2に併記する。
【0069】実施例4
実施例3において、下地膜を表1に示される重合膜No
.2(600A )にかえ、トップコート膜を表1に示
される重合膜No.4(25A )にかえて、磁気テー
プサンプルNo.5を得た。結果を表2に併記する。
.2(600A )にかえ、トップコート膜を表1に示
される重合膜No.4(25A )にかえて、磁気テー
プサンプルNo.5を得た。結果を表2に併記する。
【0070】下地膜あるいはこれに加えてトップコート
膜を形成したサンプルNo.1、3、4、5は、サンプ
ルNo.2と比較して、圧縮応力の作用により、クラッ
ク発生状況、酸化抵抗性ともに良好であることが明らか
である。
膜を形成したサンプルNo.1、3、4、5は、サンプ
ルNo.2と比較して、圧縮応力の作用により、クラッ
ク発生状況、酸化抵抗性ともに良好であることが明らか
である。
【0071】
【発明の効果】本発明の磁気記録媒体は、基体上に設層
した下地膜、あるいはこれに加えて磁性層上に成膜した
トップコート膜の圧縮応力により、強磁性金属薄膜の磁
性層のクラックの発生を大幅に減少させることができ、
しかも酸化抵抗性を大幅に向上することができる。
した下地膜、あるいはこれに加えて磁性層上に成膜した
トップコート膜の圧縮応力により、強磁性金属薄膜の磁
性層のクラックの発生を大幅に減少させることができ、
しかも酸化抵抗性を大幅に向上することができる。
Claims (7)
- 【請求項1】 非磁性の樹脂基体上に、下地膜と、強
磁性金属薄膜とを有する磁気記録媒体において、前記下
地膜により、前記強磁性金属薄膜に圧縮応力が印加され
ていることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項2】 非磁性の樹脂製基体上に、下地膜と強
磁性金属薄膜とトップコート膜とを有する磁気記録媒体
において、前記下地膜およびトップコート膜により前記
強磁性金属薄膜に圧縮応力が印加されていることを特徴
とする磁気記録媒体。 - 【請求項3】 前記圧縮応力が108 〜1010d
yn /cm2 である請求項1または2に記載の磁気
記録媒体。 - 【請求項4】 前記トップコート膜、あるいはトップ
コート膜および下地膜のうち少なくとも一方がプラズマ
重合膜または酸化物蒸着膜である請求項1ないし3のい
ずれかに記載の磁気記録媒体。 - 【請求項5】 前記下地膜の厚さが50〜1000A
である請求項1ないし4のいずれかに記載の磁気記録
媒体。 - 【請求項6】 前記トップコート膜の厚さが10〜5
0A である請求項1ないし5のいずれかに記載の磁気
記録媒体。 - 【請求項7】 前記強磁性金属薄膜が蒸着膜である請
求項1ないし6のいずれかに記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3366891A JPH04247315A (ja) | 1991-02-01 | 1991-02-01 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3366891A JPH04247315A (ja) | 1991-02-01 | 1991-02-01 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04247315A true JPH04247315A (ja) | 1992-09-03 |
Family
ID=12392842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3366891A Withdrawn JPH04247315A (ja) | 1991-02-01 | 1991-02-01 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04247315A (ja) |
-
1991
- 1991-02-01 JP JP3366891A patent/JPH04247315A/ja not_active Withdrawn
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