JPH04247618A - 不純物拡散炉 - Google Patents
不純物拡散炉Info
- Publication number
- JPH04247618A JPH04247618A JP3238882A JP23888291A JPH04247618A JP H04247618 A JPH04247618 A JP H04247618A JP 3238882 A JP3238882 A JP 3238882A JP 23888291 A JP23888291 A JP 23888291A JP H04247618 A JPH04247618 A JP H04247618A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tube
- pressure
- atmoscan
- diffusion furnace
- impurity diffusion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/06—Apparatus for monitoring, sorting, marking, testing or measuring
- H10P72/0604—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、不純物拡散炉に関し、
特に、拡散炉のアトモスカンチューブの内部のガス圧力
を一定に保持させてやられる不純物拡散炉に関する。
特に、拡散炉のアトモスカンチューブの内部のガス圧力
を一定に保持させてやられる不純物拡散炉に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１は、従来の不純物拡散炉の概略図を
示すものであって、このような拡散炉においてはその内
部のシェルボート４０に多数のウェハを積載したアトモ
スカンチューブ１をプロセッサチューブ２内に導入し、
プロセスガスをガス注入口２０を通じて注入させながら
ヒーターブロック３０で一定温度を保持してウェハに不
純物を拡散させるよう構成されている。
示すものであって、このような拡散炉においてはその内
部のシェルボート４０に多数のウェハを積載したアトモ
スカンチューブ１をプロセッサチューブ２内に導入し、
プロセスガスをガス注入口２０を通じて注入させながら
ヒーターブロック３０で一定温度を保持してウェハに不
純物を拡散させるよう構成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような不純物拡散
炉は、ウェハへの不純物の拡散状態に影響を及ぼすアト
モスカンチューブの内部のガス圧力を一定に保持させる
ために、アトモスカンチューブ１の内部の空気圧力状態
によりアトモスカンチューブ１のドアフランジ６０に設
けられた排気管７０を通じて外部にガスを排出させてい
る。符号５０は固定バフル（ｂａｆｆｌｅ）である。と
ころが、排出されるガス量が一定しなくなるとアトモス
カンチューブ１の内部の温度変化及び拡散速度の変化が
生じ、均一なウェハを得がたくなる。それ故、こうした
排ガス量の変動による影響を低減するために、従来の不
純物拡散炉はチューブ１の内部の体積及びウェハの反応
メカニズムに比べて多いガス量である１５〜２０ｓｌｍ
で流入させて圧力を調節しなければならず、このため、
ローディング能力が低下した。
炉は、ウェハへの不純物の拡散状態に影響を及ぼすアト
モスカンチューブの内部のガス圧力を一定に保持させる
ために、アトモスカンチューブ１の内部の空気圧力状態
によりアトモスカンチューブ１のドアフランジ６０に設
けられた排気管７０を通じて外部にガスを排出させてい
る。符号５０は固定バフル（ｂａｆｆｌｅ）である。と
ころが、排出されるガス量が一定しなくなるとアトモス
カンチューブ１の内部の温度変化及び拡散速度の変化が
生じ、均一なウェハを得がたくなる。それ故、こうした
排ガス量の変動による影響を低減するために、従来の不
純物拡散炉はチューブ１の内部の体積及びウェハの反応
メカニズムに比べて多いガス量である１５〜２０ｓｌｍ
で流入させて圧力を調節しなければならず、このため、
ローディング能力が低下した。
【０００４】さらに、排出口のベント圧力計（図示せず
）によっても排気管７０内部の表面差などによりガス排
出量が一定しないために、やはり不純物が拡散処理され
るウェハの均一性が低下し機能上に難点があった。
）によっても排気管７０内部の表面差などによりガス排
出量が一定しないために、やはり不純物が拡散処理され
るウェハの均一性が低下し機能上に難点があった。
【０００５】したがって、本発明の目的は、不純物拡散
炉の内部の圧力を一定に保持して均一なウェハを得るた
め、ガス排出量を適切に制御し得る不純物拡散炉を提供
することである。
炉の内部の圧力を一定に保持して均一なウェハを得るた
め、ガス排出量を適切に制御し得る不純物拡散炉を提供
することである。
【０００６】
【課題を達成するための手段】このような目的を達成す
るため、本発明は、アトモスカンチューブと、ガス注入
口が設けられているプロセッサチューブと、ドアフラン
ジに連結された排気管とを含んで構成された不純物拡散
炉において、前記ドアフランジの一側にはアトモスカン
チューブの内部の圧力を測定して測定値を電気的信号と
して送り出すことができる圧力計が設けられ、該圧力計
により測定された圧力値を既に設定された圧力値と比べ
てバタフライバルブの開度を制御する制御信号を発生す
るマイコンが前記圧力計に接続され、前記マイコンから
発生した制御信号により開度が調節されるバタフライバ
ルブがマイコンに接続されて構成されるガス排出量制御
機構がさらに設けられ、前記排気管はアトモスカンチュ
ーブの内部から延長されて前記バタフライバルブに連結
されていることを特徴とする不純物拡散炉を提供する。
るため、本発明は、アトモスカンチューブと、ガス注入
口が設けられているプロセッサチューブと、ドアフラン
ジに連結された排気管とを含んで構成された不純物拡散
炉において、前記ドアフランジの一側にはアトモスカン
チューブの内部の圧力を測定して測定値を電気的信号と
して送り出すことができる圧力計が設けられ、該圧力計
により測定された圧力値を既に設定された圧力値と比べ
てバタフライバルブの開度を制御する制御信号を発生す
るマイコンが前記圧力計に接続され、前記マイコンから
発生した制御信号により開度が調節されるバタフライバ
ルブがマイコンに接続されて構成されるガス排出量制御
機構がさらに設けられ、前記排気管はアトモスカンチュ
ーブの内部から延長されて前記バタフライバルブに連結
されていることを特徴とする不純物拡散炉を提供する。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【０００８】図２は、本発明による不純物拡散炉の構成
図であり、図３は図２の不純物拡散炉の内部圧力を一定
に調節する方法を示す流れ図である。
図であり、図３は図２の不純物拡散炉の内部圧力を一定
に調節する方法を示す流れ図である。
【０００９】図２に示すような本発明の不純物拡散炉の
構成において、図１に示すような従来の不純物拡散炉と
同様の構成部分に対しては同一符号を付し、それらの詳
細な説明は省略する。
構成において、図１に示すような従来の不純物拡散炉と
同様の構成部分に対しては同一符号を付し、それらの詳
細な説明は省略する。
【００１０】本発明の拡散炉においては、従来のように
水平状態のみではなく垂直状態でも使用可能にするため
に、排気管７０の設定位置及び形態を、従来のようにア
トモスカンチューブ１のドアフランジ６０に連結せず、
これをアトモスカンチューブ１の後端の位置から図２に
示すような折曲形態に構成し、該排気管７０の所定部位
に、マイコン３により開閉動されるバタフライバルブ９
０を設けている。
水平状態のみではなく垂直状態でも使用可能にするため
に、排気管７０の設定位置及び形態を、従来のようにア
トモスカンチューブ１のドアフランジ６０に連結せず、
これをアトモスカンチューブ１の後端の位置から図２に
示すような折曲形態に構成し、該排気管７０の所定部位
に、マイコン３により開閉動されるバタフライバルブ９
０を設けている。
【００１１】一方、ドアフランジ６０上には、拡散炉の
内部の圧力を測定して、該圧力値を電気的信号として送
り出し可能なキャパシタンスナノメータ等の圧力計８０
が設けられている。
内部の圧力を測定して、該圧力値を電気的信号として送
り出し可能なキャパシタンスナノメータ等の圧力計８０
が設けられている。
【００１２】圧力計８０には、圧力計８０から送り出さ
れる電気的信号である圧力値を、予め入力しておいた所
定の基準圧力値と比べ、入力される圧力値が基準圧力値
より小さい場合にはバルブ閉信号を、入力される圧力値
が基準圧力値より大きい場合にはバルブ開信号を発生す
るマイコン３が接続されている。
れる電気的信号である圧力値を、予め入力しておいた所
定の基準圧力値と比べ、入力される圧力値が基準圧力値
より小さい場合にはバルブ閉信号を、入力される圧力値
が基準圧力値より大きい場合にはバルブ開信号を発生す
るマイコン３が接続されている。
【００１３】マイコン３から発生されたバルブ開閉制御
信号は、排気管７０上に設けられているバタフライバル
ブ９０に送り出されるようになっている。
信号は、排気管７０上に設けられているバタフライバル
ブ９０に送り出されるようになっている。
【００１４】したがって、このバルブ９０は前記マイコ
ン３からの開閉制御信号により開放あるいは閉鎖されな
がら、アトモスカンチューブ１及びプロセッサチューブ
２から排出される排気ガス量を調節するようになる。
ン３からの開閉制御信号により開放あるいは閉鎖されな
がら、アトモスカンチューブ１及びプロセッサチューブ
２から排出される排気ガス量を調節するようになる。
【００１５】次に、このような構成の拡散炉の作用を説
明する。
明する。
【００１６】先ず、プロセッサガスがガス注入口２０を
通じてチューブの内に注入されると、シェルボート４０
内のバフルに流れてウェハ（図示せず）の両方の表面を
通じ、固定バフル５０を経てヒーターブロック３０の両
方の面を通過して排気管７０を通じて外部に排出される
。又、プロセッサガスが流入されるとアトモスカンチュ
ーブ１の内部圧力が上がり、この圧力は圧力計８０によ
り検出されて電気的信号に変換されてマイコン３に伝達
される。マイコン３はこの圧力値を予め入力されている
所定の基準圧力値と比べてその値の正、負によりバタフ
ライバルブ９０を開放あるいは閉鎖する信号をバルブ９
０に送り出してアトモスカンチューブ１の内の圧力が一
定になるように排出量を制御して排気管７０を通じた排
出を行なうようにする。
通じてチューブの内に注入されると、シェルボート４０
内のバフルに流れてウェハ（図示せず）の両方の表面を
通じ、固定バフル５０を経てヒーターブロック３０の両
方の面を通過して排気管７０を通じて外部に排出される
。又、プロセッサガスが流入されるとアトモスカンチュ
ーブ１の内部圧力が上がり、この圧力は圧力計８０によ
り検出されて電気的信号に変換されてマイコン３に伝達
される。マイコン３はこの圧力値を予め入力されている
所定の基準圧力値と比べてその値の正、負によりバタフ
ライバルブ９０を開放あるいは閉鎖する信号をバルブ９
０に送り出してアトモスカンチューブ１の内の圧力が一
定になるように排出量を制御して排気管７０を通じた排
出を行なうようにする。
【００１７】前記の過程を図３を参照してさらに具体的
に説明する。プロセスガスがガス注入口２０に注入され
ると、固定バフル５０によりガスが層流（ｌａｍｉｎａ
ｒｆｌｏｗ）となり、均一なガスがヒーターブロック３
０の後端の排気管７０排出口に流入すると、アトモスカ
ンチューブ１の内部圧力が高まる。圧力を測定するため
の手段としてドアフランジ６０に取り付けられた圧力計
８０によりアトモスカンチューブ１の内部圧力が測定さ
れる。測定された圧力値をマイコン３が感知し、感知さ
れた値を既に設定された基準圧力値と比べ、感知された
値が既に設定されている値より大きい場合にはバタフラ
イバルブ９０が大きく開くように制御し、感知された値
が既に設定されている値より小さい場合にはバタフライ
バルブ９０が小さく開くように制御して排気管７０を通
じて流出される排気量を調節することにより、アトモス
カンチューブ１の内部圧力を一定に保持させる。
に説明する。プロセスガスがガス注入口２０に注入され
ると、固定バフル５０によりガスが層流（ｌａｍｉｎａ
ｒｆｌｏｗ）となり、均一なガスがヒーターブロック３
０の後端の排気管７０排出口に流入すると、アトモスカ
ンチューブ１の内部圧力が高まる。圧力を測定するため
の手段としてドアフランジ６０に取り付けられた圧力計
８０によりアトモスカンチューブ１の内部圧力が測定さ
れる。測定された圧力値をマイコン３が感知し、感知さ
れた値を既に設定された基準圧力値と比べ、感知された
値が既に設定されている値より大きい場合にはバタフラ
イバルブ９０が大きく開くように制御し、感知された値
が既に設定されている値より小さい場合にはバタフライ
バルブ９０が小さく開くように制御して排気管７０を通
じて流出される排気量を調節することにより、アトモス
カンチューブ１の内部圧力を一定に保持させる。
【００１８】
【発明の効果】このような本発明の不純物拡散炉は、ア
トモスカンチューブ１とプロセッサチューブ２との正確
なシェリングによるアトモスカンチューブ１の内部圧力
を一定に保持しウェハ表面の不純物拡散炉の均一性及び
、工程能率を向上させ得る。
トモスカンチューブ１とプロセッサチューブ２との正確
なシェリングによるアトモスカンチューブ１の内部圧力
を一定に保持しウェハ表面の不純物拡散炉の均一性及び
、工程能率を向上させ得る。
【図１】従来の不純物拡散炉の概略図である。
【図２】本発明の一実施例による不純物拡散炉の構成を
示す概略図である。
示す概略図である。
【図３】本発明による不純物拡散炉における内部の圧力
調節方法の流れ図である。
調節方法の流れ図である。
１…アトモスカンチューブ
２…プロセッサチューブ
３…マイコン
２０…ガス注入口
３０…ヒーターブロック
４０…シェルボート
５０…固定バフル
６０…ドアフランジ
７０…排気管
８０…圧力計
９０…バタフライバルブ
Claims (1)
- 【請求項１】アトモスカンチューブ（ａｔｍｏｓｃａｎ
ｔｕｂｅ）１と、ガス注入口２０が設けられている
プロセッサチューブ２と、ドアフランジ６０及び排気管
７０とを含んで構成された不純物拡散炉において、前記
ドアフランジ６０の一側にはアトモスカンチューブ１の
内部の圧力を測定して測定値を電気的信号として送り出
すことができる圧力計８０が設けられ、該圧力計により
測定された圧力値を既に設定されている圧力値と比べて
バタフライバルブ９０の開度を制御する制御信号を発生
するマイコン３が前記圧力計に接続され、前記マイコン
から発生した制御信号により開度を調節するバタフライ
バルブ９０がマイコンに接続されて構成されるガス排出
量制御機構がさらに設けられ、前記排気管はアトモスカ
ンチューブの内部から延長され前記バタフライバルブに
連結されていることを特徴とする不純物拡散炉。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900019747A KR940000499B1 (ko) | 1990-12-03 | 1990-12-03 | 불순물 확산로의 압력 조절방법 및 그 장치 |
| KR1990P19747 | 1990-12-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04247618A true JPH04247618A (ja) | 1992-09-03 |
Family
ID=19306944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3238882A Pending JPH04247618A (ja) | 1990-12-03 | 1991-08-27 | 不純物拡散炉 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04247618A (ja) |
| KR (1) | KR940000499B1 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6153721A (ja) * | 1984-07-18 | 1986-03-17 | クオ−ツ・エンジニアリング・アンド・マテリアルス・インコ−ポレ−テツド | スロツトを設けた片持ち拡散管装置およびこれに装填する方法および装置 |
| JPS63304620A (ja) * | 1987-06-04 | 1988-12-12 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体用熱処理炉 |
| JPH0210826A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Matsushita Electron Corp | 拡散炉装置 |
-
1990
- 1990-12-03 KR KR1019900019747A patent/KR940000499B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-08-27 JP JP3238882A patent/JPH04247618A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6153721A (ja) * | 1984-07-18 | 1986-03-17 | クオ−ツ・エンジニアリング・アンド・マテリアルス・インコ−ポレ−テツド | スロツトを設けた片持ち拡散管装置およびこれに装填する方法および装置 |
| JPS63304620A (ja) * | 1987-06-04 | 1988-12-12 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体用熱処理炉 |
| JPH0210826A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Matsushita Electron Corp | 拡散炉装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940000499B1 (ko) | 1994-01-21 |
| KR920013622A (ko) | 1992-07-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19950516 |