JPH04247866A - 真空蒸着装置 - Google Patents
真空蒸着装置Info
- Publication number
- JPH04247866A JPH04247866A JP664891A JP664891A JPH04247866A JP H04247866 A JPH04247866 A JP H04247866A JP 664891 A JP664891 A JP 664891A JP 664891 A JP664891 A JP 664891A JP H04247866 A JPH04247866 A JP H04247866A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- container
- crucible
- vapor deposition
- metal
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体や金属の薄膜を
作成する真空蒸着装置、主として気相成長を行う分子線
エピキタシー（ＭＢＥ）装置や、電子ビームなどを用い
て薄膜を形成する装置に関する。
作成する真空蒸着装置、主として気相成長を行う分子線
エピキタシー（ＭＢＥ）装置や、電子ビームなどを用い
て薄膜を形成する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から分子線エピキタシー装置などに
おいては、膜材料供給源としてクヌードセン・セル（Ｋ
−セル）が用いられている。これを図３を用いて説明す
る。ＰＢＮるつぼ２１は、数〜数１０ｃｃの容量を持ち
、その中に材料としてガリウム（Ｇａ）やインジウム（
Ｉｎ）の粒状の金属を入れ、外側を取巻くヒータ２４に
よって数１００〜１０００℃程度にまで加熱し、蒸着を
行う。なお、ヒータ２４はケース２２、熱シールド２３
内にＰＢＮヒータサポート２５に支持されており、熱電
対２６による温度計測により温度制御されている。
おいては、膜材料供給源としてクヌードセン・セル（Ｋ
−セル）が用いられている。これを図３を用いて説明す
る。ＰＢＮるつぼ２１は、数〜数１０ｃｃの容量を持ち
、その中に材料としてガリウム（Ｇａ）やインジウム（
Ｉｎ）の粒状の金属を入れ、外側を取巻くヒータ２４に
よって数１００〜１０００℃程度にまで加熱し、蒸着を
行う。なお、ヒータ２４はケース２２、熱シールド２３
内にＰＢＮヒータサポート２５に支持されており、熱電
対２６による温度計測により温度制御されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、るつぼに入
れる金属材料、特にＧａやＩｎは材料供給時に空気にさ
らすと、短時間でも酸化被膜を作るため、膜形成時に該
材料を加熱すると溶融金属材料中に混入した酸化物が核
となって突沸を起こす。この突沸によって金属液滴が蒸
着膜表面に付着し欠陥を作るため、例えば、作成膜を素
子加工する際の歩止まりを低下させる原因となっていた
。
れる金属材料、特にＧａやＩｎは材料供給時に空気にさ
らすと、短時間でも酸化被膜を作るため、膜形成時に該
材料を加熱すると溶融金属材料中に混入した酸化物が核
となって突沸を起こす。この突沸によって金属液滴が蒸
着膜表面に付着し欠陥を作るため、例えば、作成膜を素
子加工する際の歩止まりを低下させる原因となっていた
。
【０００４】本発明は上述した問題点を解決するもので
、溶融金属中の酸化物及び金属蒸気による気泡を予め取
り除くことにより、突沸を起こすことを防止し、薄膜作
成時の汚染がなくなり、歩留まりを良好にする真空蒸着
装置を提供することを目的とする。
、溶融金属中の酸化物及び金属蒸気による気泡を予め取
り除くことにより、突沸を起こすことを防止し、薄膜作
成時の汚染がなくなり、歩留まりを良好にする真空蒸着
装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の真空蒸着装置は、蒸着材料金属を加熱し溶融
させる容器と、この容器を振動させる機構と、前記容器
内の溶融金属にレーザ光を照射する機構を備え、前記容
器を振動させることにより溶融金属中より不純物を浮き
上がらせ、さらに、レーザ光の照射により前記不純物を
蒸発させるものである。
に本発明の真空蒸着装置は、蒸着材料金属を加熱し溶融
させる容器と、この容器を振動させる機構と、前記容器
内の溶融金属にレーザ光を照射する機構を備え、前記容
器を振動させることにより溶融金属中より不純物を浮き
上がらせ、さらに、レーザ光の照射により前記不純物を
蒸発させるものである。
【０００６】
【作用】上記の構成によれば、容器を予め加熱しておき
、さらに容器に振動を加えることによって、溶融金属内
部に存在する酸化物及びそれを核とした金属蒸気による
気泡を表面に浮き上がらせる。さらに、レーザ光の照射
により溶融金属を蒸発させる。
、さらに容器に振動を加えることによって、溶融金属内
部に存在する酸化物及びそれを核とした金属蒸気による
気泡を表面に浮き上がらせる。さらに、レーザ光の照射
により溶融金属を蒸発させる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明を具体化した一実施例を図１、
図２を参照して説明する。
図２を参照して説明する。
【０００８】るつぼ１（容器）は、蒸着材料金属を加熱
し、溶融させるためのものである。るつぼ１の加熱方法
は従来技術と同様でよい。るつぼ１は振動伝達用軸２を
介して励振器３に接続されている。励振器３は、るつぼ
１に振動伝達用軸２を介して振動を加える。振動伝達用
軸２および励振器３はチャンバるつぼ用ポート４に振動
吸収用ベロー部５でもって支持され、励振器３による振
動が、るつぼ１が収納されているチャンバ６（図２）に
直接伝わらないようにしている。
し、溶融させるためのものである。るつぼ１の加熱方法
は従来技術と同様でよい。るつぼ１は振動伝達用軸２を
介して励振器３に接続されている。励振器３は、るつぼ
１に振動伝達用軸２を介して振動を加える。振動伝達用
軸２および励振器３はチャンバるつぼ用ポート４に振動
吸収用ベロー部５でもって支持され、励振器３による振
動が、るつぼ１が収納されているチャンバ６（図２）に
直接伝わらないようにしている。
【０００９】るつぼ１が収容された真空チャンバ６には
基板保持具７が設けられており、この基板保持具７には
基板８を保持させている。チャンバ６にはレーザ照射用
窓１１が設けられており、この窓１１を通してるつぼ１
内の溶融金属をレーザ光（レーザ光軸を１２で示す）で
照射し得るように構成されている。また、基板８とるつ
ぼ１の間に回転軸１３により挿入自在なシャッタ１４が
設けられている。
基板保持具７が設けられており、この基板保持具７には
基板８を保持させている。チャンバ６にはレーザ照射用
窓１１が設けられており、この窓１１を通してるつぼ１
内の溶融金属をレーザ光（レーザ光軸を１２で示す）で
照射し得るように構成されている。また、基板８とるつ
ぼ１の間に回転軸１３により挿入自在なシャッタ１４が
設けられている。
【００１０】次に、上記実施例構成の動作を説明する。
るつぼ１を通常の加熱手段により加熱し、その中に入れ
た蒸着材料金属を溶融し、同時に励振器３により振動を
加えることによって、溶融金属内の酸化物及び気泡を浮
き上がらせることができる。次に、溶融金属の表面に浮
き上がった不純物をレーザ照射用窓１１からレーザ光（
光軸１２）を照射することによって蒸発させる。このと
き、基板８にこれらの不純物が付着しないようにシャッ
タ１４を閉めておくことが望ましい。すなわち、シャッ
タ１４を閉じておくことにより、基板８へ向かう分子線
１５を遮断する。このような前処理の後に、基板８上に
金属を蒸着させ、薄膜を形成することにより、膜の汚染
を大幅に少なくすることができる。
た蒸着材料金属を溶融し、同時に励振器３により振動を
加えることによって、溶融金属内の酸化物及び気泡を浮
き上がらせることができる。次に、溶融金属の表面に浮
き上がった不純物をレーザ照射用窓１１からレーザ光（
光軸１２）を照射することによって蒸発させる。このと
き、基板８にこれらの不純物が付着しないようにシャッ
タ１４を閉めておくことが望ましい。すなわち、シャッ
タ１４を閉じておくことにより、基板８へ向かう分子線
１５を遮断する。このような前処理の後に、基板８上に
金属を蒸着させ、薄膜を形成することにより、膜の汚染
を大幅に少なくすることができる。
【００１１】なお、レーザとしては特に出力が大きいも
の、ＣＯ２レーザやＹＡＧレーザ、エキシマレーザなど
を用いることができる。また、本発明は以上詳述した実
施例に限定されるものではなく、その主旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることができ、例えば、
シャッタ１４の機構は省略しても構わない。
の、ＣＯ２レーザやＹＡＧレーザ、エキシマレーザなど
を用いることができる。また、本発明は以上詳述した実
施例に限定されるものではなく、その主旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることができ、例えば、
シャッタ１４の機構は省略しても構わない。
【００１２】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、容器に入
れた蒸着材料金属を加熱し、さらに容器に振動を加える
ことによって、溶融金属内に存在するＧａやＩｎの酸化
物などを予め蒸発させて除去できるので、酸化物が原因
と考えられる突沸による欠陥、特に分子線エピタキシー
法などによるＧａＡｓ膜ではオーバルディフェクトとし
て知られているが、これらをなくすことができ、薄膜製
造の歩留まりを向上できる。
れた蒸着材料金属を加熱し、さらに容器に振動を加える
ことによって、溶融金属内に存在するＧａやＩｎの酸化
物などを予め蒸発させて除去できるので、酸化物が原因
と考えられる突沸による欠陥、特に分子線エピタキシー
法などによるＧａＡｓ膜ではオーバルディフェクトとし
て知られているが、これらをなくすことができ、薄膜製
造の歩留まりを向上できる。
【図１】本発明実施例による真空蒸着装置のるつぼ部分
の構成図である。
の構成図である。
【図２】同装置の構成図である。
【図３】従来技術による真空蒸着装置のるつぼ部分の構
成図である。
成図である。
１ るつぼ（容器）
２ 振動伝達用軸
３ 励振器
８ 基板
１１ レーザ照射用窓
１２ レーザ光軸
Claims (1)
- 【請求項１】 蒸着材料金属を加熱し溶融させる容器
と、この容器を振動させる機構と、前記容器内の溶融金
属にレーザ光を照射する機構を備え、前記容器を振動さ
せることにより溶融金属中より不純物を浮き上がらせ、
さらに、レーザ光の照射により前記不純物を蒸発させる
ことを特徴とした真空蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP664891A JPH04247866A (ja) | 1991-01-24 | 1991-01-24 | 真空蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP664891A JPH04247866A (ja) | 1991-01-24 | 1991-01-24 | 真空蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04247866A true JPH04247866A (ja) | 1992-09-03 |
Family
ID=11644201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP664891A Pending JPH04247866A (ja) | 1991-01-24 | 1991-01-24 | 真空蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04247866A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014061464A (ja) * | 2012-09-20 | 2014-04-10 | Panasonic Corp | 昇華精製装置および昇華精製方法 |
-
1991
- 1991-01-24 JP JP664891A patent/JPH04247866A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014061464A (ja) * | 2012-09-20 | 2014-04-10 | Panasonic Corp | 昇華精製装置および昇華精製方法 |
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