JPH04248702A - 誘電体ハイパスフィルタ - Google Patents
誘電体ハイパスフィルタInfo
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- JPH04248702A JPH04248702A JP3564591A JP3564591A JPH04248702A JP H04248702 A JPH04248702 A JP H04248702A JP 3564591 A JP3564591 A JP 3564591A JP 3564591 A JP3564591 A JP 3564591A JP H04248702 A JPH04248702 A JP H04248702A
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- outer conductor
- frequency
- dielectric resonator
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、同軸型の誘電体共振器
を組合わせた誘電体ハイパスフィルタに関し、特に、誘
電体共振器の回路構成で誘電体フィルタのパス領域を定
め、かつ、減衰極を規定するようにした誘電体ハイパス
フィルタに関するものである。
を組合わせた誘電体ハイパスフィルタに関し、特に、誘
電体共振器の回路構成で誘電体フィルタのパス領域を定
め、かつ、減衰極を規定するようにした誘電体ハイパス
フィルタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般にハイパスフィルタの構成としては
、図５に示すような基本的構成のものが知られている。 これは直列配置のキャパシタンスＣ１ 、Ｃ２ ・・・
をそれぞれインダクタンスＬ１ 、Ｌ２・・・を介して
接地したものである。このように、キャパシタンスを用
いてフィルタの周波数帯域を設定する場合、コンデンサ
の構造上、そのコンデンサが保有する浮遊容量にかなり
のばら付きがある。これは、フィルタの帯域周波数が低
ければ、殆ど影響がないが、上記周波数が高くなると、
設定すべき減衰極の位置に大きく影響する。例えば、１
ＭＨＺのハイパスフィルタを構成する場合に、図６に示
すように、Ｌ１ ＝６．４６μＨ、Ｌ２ ＝３．８６μ
Ｈ、Ｌ３ ＝６．４６μＨ、Ｃ１ ＝２３５０ｐＦ、Ｃ
２ ＝２３５０ｐＦに設定した場合、通常、コンデンサ
の浮遊容量は０．５ｐＦ程度であるから、例えば、コイ
ルが抱える容量Ｌ１ に与える影響は８０００分の１程
度である。しかし、１ＧＨＺのハイパスフィルタを構成
する場合は、図７に示すように、Ｌ１ ＝０．００６４
６μＨ、Ｌ２ ＝０．００３８６μＨ、Ｌ３ ＝０．０
０６４６μＨ、Ｃ１ ＝２．３５０ｐＦ、Ｃ２ ＝２．
３５０ｐＦに設定した場合、通常、コンデンサの浮遊容
量は前記同様、０．５ｐＦ程度であるから、例えば、コ
イルＬ１ に与える影響は１０分の１程度になる。従っ
て、浮遊容量のばら付きが大きい場合には、上記コイル
やコンデンサについて相当幅の調整をしないと、所要の
遮断周波数での減衰特性が得られないのであり、調整が
複雑かつ困難である。
、図５に示すような基本的構成のものが知られている。 これは直列配置のキャパシタンスＣ１ 、Ｃ２ ・・・
をそれぞれインダクタンスＬ１ 、Ｌ２・・・を介して
接地したものである。このように、キャパシタンスを用
いてフィルタの周波数帯域を設定する場合、コンデンサ
の構造上、そのコンデンサが保有する浮遊容量にかなり
のばら付きがある。これは、フィルタの帯域周波数が低
ければ、殆ど影響がないが、上記周波数が高くなると、
設定すべき減衰極の位置に大きく影響する。例えば、１
ＭＨＺのハイパスフィルタを構成する場合に、図６に示
すように、Ｌ１ ＝６．４６μＨ、Ｌ２ ＝３．８６μ
Ｈ、Ｌ３ ＝６．４６μＨ、Ｃ１ ＝２３５０ｐＦ、Ｃ
２ ＝２３５０ｐＦに設定した場合、通常、コンデンサ
の浮遊容量は０．５ｐＦ程度であるから、例えば、コイ
ルが抱える容量Ｌ１ に与える影響は８０００分の１程
度である。しかし、１ＧＨＺのハイパスフィルタを構成
する場合は、図７に示すように、Ｌ１ ＝０．００６４
６μＨ、Ｌ２ ＝０．００３８６μＨ、Ｌ３ ＝０．０
０６４６μＨ、Ｃ１ ＝２．３５０ｐＦ、Ｃ２ ＝２．
３５０ｐＦに設定した場合、通常、コンデンサの浮遊容
量は前記同様、０．５ｐＦ程度であるから、例えば、コ
イルＬ１ に与える影響は１０分の１程度になる。従っ
て、浮遊容量のばら付きが大きい場合には、上記コイル
やコンデンサについて相当幅の調整をしないと、所要の
遮断周波数での減衰特性が得られないのであり、調整が
複雑かつ困難である。
【０００３】また、このようなフィルタの回路構成では
、急峻な減衰極を得ることが難しいので、図８および図
９に示すようなコンデンサとコイルとの並列回路構成が
フィルタ回路の構成要素として実際に用いられる。しか
し、この場合でも、１ＭＨＺのハイパスフィルタとして
用いられる時には、例えば、図８のように、Ｌ１ ＝１
７．４μＨ、Ｌ２ ＝５２．３μＨ、並列コンデンサＣ
１ ＝３５３０ｐＦ、Ｃ２ ＝２６３０ｐＦ、接地コイ
ルＬＥ１＝１２．４μＨ、ＬＥ２＝５．３５μＨ、ＬＥ
３＝９．２９μＨに設定したならば、フィルタ回路要素
に与える影響は２５００ないし４０００分の１程度であ
るのに対して、１ＧＨＺのハイパスフィルタとして用い
られる時には、例えば、図９のように、Ｌ１ ＝０．０
１７μＨ、Ｌ２ ＝０．０５２μＨ、並列コンデンサＣ
１ ＝３．５３ｐＦ、Ｃ２ ＝２．６３ｐＦ、接地コイ
ルＬＥ１＝０．０１２μＨ、ＬＥ２＝０．０５３μＨ、
ＬＥ３＝０．０９３μＨに設定したならば、フィルタ回
路要素に与える影響は６分の１ないし８分の１程度にな
ってしまう。しかもこの時のコンデンサ浮遊容量は、図
中、点線で示すように存在し、実質的に、調整困難であ
る。
、急峻な減衰極を得ることが難しいので、図８および図
９に示すようなコンデンサとコイルとの並列回路構成が
フィルタ回路の構成要素として実際に用いられる。しか
し、この場合でも、１ＭＨＺのハイパスフィルタとして
用いられる時には、例えば、図８のように、Ｌ１ ＝１
７．４μＨ、Ｌ２ ＝５２．３μＨ、並列コンデンサＣ
１ ＝３５３０ｐＦ、Ｃ２ ＝２６３０ｐＦ、接地コイ
ルＬＥ１＝１２．４μＨ、ＬＥ２＝５．３５μＨ、ＬＥ
３＝９．２９μＨに設定したならば、フィルタ回路要素
に与える影響は２５００ないし４０００分の１程度であ
るのに対して、１ＧＨＺのハイパスフィルタとして用い
られる時には、例えば、図９のように、Ｌ１ ＝０．０
１７μＨ、Ｌ２ ＝０．０５２μＨ、並列コンデンサＣ
１ ＝３．５３ｐＦ、Ｃ２ ＝２．６３ｐＦ、接地コイ
ルＬＥ１＝０．０１２μＨ、ＬＥ２＝０．０５３μＨ、
ＬＥ３＝０．０９３μＨに設定したならば、フィルタ回
路要素に与える影響は６分の１ないし８分の１程度にな
ってしまう。しかもこの時のコンデンサ浮遊容量は、図
中、点線で示すように存在し、実質的に、調整困難であ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで、高周波帯域の
ハイパスフィルタを構成するのに、上記コンデンサおよ
びコイルによる並列回路（フィルタ構成要素）に代えて
、高誘電率の誘電体を用いた同軸型誘電体共振器を使用
することが提案された。上記同軸型誘電体共振器は、内
導体と外導体との間に誘電体を充填し、複数個配列し、
あるいは共通の外導体を用いて複数個一体化して構成さ
れており、上記コンデンサおよびコイルによる並列回路
と異なり、構造上、比較的安定した浮遊容量を保ってい
る。しかし、この場合でも、ハイパスフィルタを構成す
る場合に、浮遊容量のばら付きがインダクタンスに与え
る影響は大きい。従って、一般には、上記外導体を接地
して使用している。
ハイパスフィルタを構成するのに、上記コンデンサおよ
びコイルによる並列回路（フィルタ構成要素）に代えて
、高誘電率の誘電体を用いた同軸型誘電体共振器を使用
することが提案された。上記同軸型誘電体共振器は、内
導体と外導体との間に誘電体を充填し、複数個配列し、
あるいは共通の外導体を用いて複数個一体化して構成さ
れており、上記コンデンサおよびコイルによる並列回路
と異なり、構造上、比較的安定した浮遊容量を保ってい
る。しかし、この場合でも、ハイパスフィルタを構成す
る場合に、浮遊容量のばら付きがインダクタンスに与え
る影響は大きい。従って、一般には、上記外導体を接地
して使用している。
【０００５】
【発明の目的】本発明は上記事情に基いてなされたもの
で、同軸型誘電体共振器を使用して、所要の遮断周波数
で減衰特性を得るように調整する場合、その同軸型誘電
体共振器の外導体の浮遊容量を積極的に含めたインダク
タンスを接地することで、この部分で一義的に通過域の
調整ができるようにし、その減衰域を誘電体共振器の共
振周波数に定めた誘電体ハイパスフィルタを提供しよう
とするものである。
で、同軸型誘電体共振器を使用して、所要の遮断周波数
で減衰特性を得るように調整する場合、その同軸型誘電
体共振器の外導体の浮遊容量を積極的に含めたインダク
タンスを接地することで、この部分で一義的に通過域の
調整ができるようにし、その減衰域を誘電体共振器の共
振周波数に定めた誘電体ハイパスフィルタを提供しよう
とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このため、本発明では、
内導体と外導体との間に誘電体を充填して同軸型誘電体
共振器を構成し、該共振器を複数個配列し、あるいは共
通の外導体を用いて複数個一体化して誘電体フィルタを
構成するものにおいて、上記同軸型誘電体共振器は所要
の周波数域に共振周波数を持ち、かつ、上記共振周波数
を減衰極として、誘電体フィルタのパス領域を定めるよ
うに、その外導体を所要のインダクタンスを介して接地
するのである。
内導体と外導体との間に誘電体を充填して同軸型誘電体
共振器を構成し、該共振器を複数個配列し、あるいは共
通の外導体を用いて複数個一体化して誘電体フィルタを
構成するものにおいて、上記同軸型誘電体共振器は所要
の周波数域に共振周波数を持ち、かつ、上記共振周波数
を減衰極として、誘電体フィルタのパス領域を定めるよ
うに、その外導体を所要のインダクタンスを介して接地
するのである。
【０００７】
【実施例】以下、本発明を図示の実施例にもとずいて具
体的に説明する。図１および図２には本発明の一例とし
て、４個の同軸型誘電体共振器１Ａ、１Ｂ、１Ｃおよび
１Ｄで構成される誘電体フィルタが示されている。ここ
で、上記同軸型誘電体共振器はそれぞれ角筒状の外導体
３及び円筒状の内導体４の間に誘電体材料５（ここでは
誘電率εｒ ＝９３の高誘電率のものを使用する）を充
填したものであり、λ／４で共振する公知の構成を示す
。 また、ここでは上記内導体４はリ−ド６を介して直列的
に接続されている。また上記共振器を支持する基板７に
は各外導体３に接続される所要の大きさのパタ−ンコイ
ル８Ａ、８Ｂ・・・があり、この基板７の下に設けた接
地電極板９との間でインダクションＬ１ 、Ｌ２ ・・
・を構成している。この等価回路が図２である。
体的に説明する。図１および図２には本発明の一例とし
て、４個の同軸型誘電体共振器１Ａ、１Ｂ、１Ｃおよび
１Ｄで構成される誘電体フィルタが示されている。ここ
で、上記同軸型誘電体共振器はそれぞれ角筒状の外導体
３及び円筒状の内導体４の間に誘電体材料５（ここでは
誘電率εｒ ＝９３の高誘電率のものを使用する）を充
填したものであり、λ／４で共振する公知の構成を示す
。 また、ここでは上記内導体４はリ−ド６を介して直列的
に接続されている。また上記共振器を支持する基板７に
は各外導体３に接続される所要の大きさのパタ−ンコイ
ル８Ａ、８Ｂ・・・があり、この基板７の下に設けた接
地電極板９との間でインダクションＬ１ 、Ｌ２ ・・
・を構成している。この等価回路が図２である。
【０００８】このような構成では、上記誘電体フィルタ
の減衰極の周波数は上記誘電体共振器の共振周波数によ
って決定され、遮断周波数から減衰極までの周波数とそ
の深さは共振器が構成するインピ−ダンスと回路を構成
するインダクタンスにより設定される（図３参照）。な
お、ここでは、図４の回路構成のものをコンピュ−タで
シュミレ−トしており、各要素は、コイルのインピ−ダ
ンスＬ１ ＝１５μＨ、Ｌ２ ＝１０μＨ、Ｌ３ ＝１
３μＨ、Ｌ４ ＝１０μＨ、Ｌ５ ＝１５μＨ、本発明
に係わる構成（外導体をインヅクタンスを介して接地す
る）の同軸型誘電体共振器ＳＴＬのインピ−ダンスＺ０
＝１０ ＯＨＭ、その共振周波数Ｆ０ ＝９００Ｍ
ＨＺである。
の減衰極の周波数は上記誘電体共振器の共振周波数によ
って決定され、遮断周波数から減衰極までの周波数とそ
の深さは共振器が構成するインピ−ダンスと回路を構成
するインダクタンスにより設定される（図３参照）。な
お、ここでは、図４の回路構成のものをコンピュ−タで
シュミレ−トしており、各要素は、コイルのインピ−ダ
ンスＬ１ ＝１５μＨ、Ｌ２ ＝１０μＨ、Ｌ３ ＝１
３μＨ、Ｌ４ ＝１０μＨ、Ｌ５ ＝１５μＨ、本発明
に係わる構成（外導体をインヅクタンスを介して接地す
る）の同軸型誘電体共振器ＳＴＬのインピ−ダンスＺ０
＝１０ ＯＨＭ、その共振周波数Ｆ０ ＝９００Ｍ
ＨＺである。
【０００９】このようにして構成されたハイパスフィル
タは、上記同軸型誘電体共振器の外導体３が保有する浮
遊容量を含めた形で、上記インダクタンスの調整ができ
るから、従来のそれに比べて、減衰特性の調整が極めて
容易である。なお、上記構成では、使用するインダクタ
ンスの大きさが、従来使用している値よりも小さくなる
ので、浮遊容量などの要因に対して強く、安定しており
、従来のフィルタのインピ−ダンスより低いインピ−ダ
ンスで、各段が構成できる。
タは、上記同軸型誘電体共振器の外導体３が保有する浮
遊容量を含めた形で、上記インダクタンスの調整ができ
るから、従来のそれに比べて、減衰特性の調整が極めて
容易である。なお、上記構成では、使用するインダクタ
ンスの大きさが、従来使用している値よりも小さくなる
ので、浮遊容量などの要因に対して強く、安定しており
、従来のフィルタのインピ−ダンスより低いインピ−ダ
ンスで、各段が構成できる。
【００１０】
【発明の効果】本発明は以上詳述したようになり、同軸
型誘電体共振器は所要の周波数域に共振周波数を持ち、
かつ、上記共振周波数を減衰極として、誘電体フィルタ
のパス領域を定めるように、その外導体を所要のインダ
クタンスを介して接地するので、上記同軸型誘電体共振
器をハイパスフィルタに使用するとき、その設定された
共振周波数の帯域での遮断周波数の設定、減衰特性の調
整などが容易に行える。
型誘電体共振器は所要の周波数域に共振周波数を持ち、
かつ、上記共振周波数を減衰極として、誘電体フィルタ
のパス領域を定めるように、その外導体を所要のインダ
クタンスを介して接地するので、上記同軸型誘電体共振
器をハイパスフィルタに使用するとき、その設定された
共振周波数の帯域での遮断周波数の設定、減衰特性の調
整などが容易に行える。
【図１】本発明の一実施例を説明するための斜視図であ
る。
る。
【図２】上記実施例の等価回路図である。
【図３】上記実施例の減衰特性線図である。
【図４】上記特性線図を得るためコンピュ−タに設定し
た各要素の構成図である。
た各要素の構成図である。
【図５】従来例の説明のための回路構成図である。
【図６】従来例の回路構成図である。
【図７】従来例の回路構成図である。
【図８】従来例の回路構成図である。
【図９】従来例の回路構成図である。
１、１Ａ、１Ｂ 共振器
３ 外導体
４ 内導体
５ 誘電体材料
６ リ−ド
７ 基板
Claims (1)
- 【請求項１】 内導体と外導体との間に誘電体を充填
して同軸型誘電体共振器を構成し、該共振器を複数個配
列し、あるいは共通の外導体を用いて複数個一体化して
誘電体フィルタを構成するものにおいて、上記同軸型誘
電体共振器は所要の周波数域に共振周波数を持ち、かつ
、上記共振周波数を減衰極として、誘電体フィルタのパ
ス領域を定めるように、その外導体を所要のインダクタ
ンスを介して接地することを特徴とする誘電体ハイパス
フィルタ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3035645A JP2594708B2 (ja) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | 誘電体ハイパスフィルタ |
| PCT/JP1991/001751 WO1992012546A1 (fr) | 1990-12-26 | 1991-12-24 | Filtre dielectrique |
| EP92901463A EP0519080B1 (en) | 1990-12-26 | 1991-12-24 | Dielectric filter |
| DE69125273T DE69125273T2 (de) | 1990-12-26 | 1991-12-24 | Dielektrisches filter |
| US08/279,471 US5493261A (en) | 1990-12-26 | 1994-07-22 | Dielectric filter using quarter wavelength coaxial dielectric resonators connected in series |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3035645A JP2594708B2 (ja) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | 誘電体ハイパスフィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04248702A true JPH04248702A (ja) | 1992-09-04 |
| JP2594708B2 JP2594708B2 (ja) | 1997-03-26 |
Family
ID=12447614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3035645A Expired - Fee Related JP2594708B2 (ja) | 1990-12-26 | 1991-02-04 | 誘電体ハイパスフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2594708B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5572331U (ja) * | 1978-11-10 | 1980-05-19 | ||
| JPS635703U (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-14 |
-
1991
- 1991-02-04 JP JP3035645A patent/JP2594708B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5572331U (ja) * | 1978-11-10 | 1980-05-19 | ||
| JPS635703U (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-14 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2594708B2 (ja) | 1997-03-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |