JPH04249422A - 入力バッファ回路 - Google Patents
入力バッファ回路Info
- Publication number
- JPH04249422A JPH04249422A JP3014648A JP1464891A JPH04249422A JP H04249422 A JPH04249422 A JP H04249422A JP 3014648 A JP3014648 A JP 3014648A JP 1464891 A JP1464891 A JP 1464891A JP H04249422 A JPH04249422 A JP H04249422A
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- Japan
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- input
- terminal
- buffer
- mos transistor
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- Pending
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
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- Logic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、入力バッファ回路に関
し、特に、入力フローティング防止回路付きの入力バッ
ファ回路に関する。
し、特に、入力フローティング防止回路付きの入力バッ
ファ回路に関する。
【0002】
【従来の技術】この種の入力バッファ回路の一例の回路
図を図4に示す。この入力バッファ回路は、図に示すよ
うに、出力端子1に接続される外部の負荷(図示せず)
を駆動するバッファ2と、プルアップ抵抗Rとからなる
。
図を図4に示す。この入力バッファ回路は、図に示すよ
うに、出力端子1に接続される外部の負荷(図示せず)
を駆動するバッファ2と、プルアップ抵抗Rとからなる
。
【0003】プルアップ抵抗Rは、入力端子3及びバッ
ファ2の入力端と高位電源端子4との間に設けられてお
り、バッファ2の入力端がフロートしないように、電源
電圧VDDにプルアップしている。
ファ2の入力端と高位電源端子4との間に設けられてお
り、バッファ2の入力端がフロートしないように、電源
電圧VDDにプルアップしている。
【0004】この種の回路の別の例としては、バッファ
2の入力端とグランド端子との間にプルダウン抵抗を設
け、バッファ2の入力にグランドレベルを与えてこの入
力端がフローティング状態になることを防いでいるもの
などがある。
2の入力端とグランド端子との間にプルダウン抵抗を設
け、バッファ2の入力にグランドレベルを与えてこの入
力端がフローティング状態になることを防いでいるもの
などがある。
【0005】尚、バッファ2としては、インバータを2
段接続した回路などがよく用いられている。
段接続した回路などがよく用いられている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上述した図4に示す従
来の入力バッファ回路では、入力端子3に、前段に接続
された回路(図示せず)からグランドレベルの信号が入
力されてこの入力端子3がグランドレベルになると、プ
ルアップ抵抗Rを介して、高位電源端子4からグランド
端子に常に電流が流れてしまう。
来の入力バッファ回路では、入力端子3に、前段に接続
された回路(図示せず)からグランドレベルの信号が入
力されてこの入力端子3がグランドレベルになると、プ
ルアップ抵抗Rを介して、高位電源端子4からグランド
端子に常に電流が流れてしまう。
【0007】又、バッファ2の入力端とグランド端子と
の間にプルダウン抵抗を設けた型の入力バッファ回路で
も同様のことが起る。この場合には、入力端子3の電位
が電源電圧VDDレベルに近くなると高位電源端子4と
グランド端子との間に電流が流れてしまう。
の間にプルダウン抵抗を設けた型の入力バッファ回路で
も同様のことが起る。この場合には、入力端子3の電位
が電源電圧VDDレベルに近くなると高位電源端子4と
グランド端子との間に電流が流れてしまう。
【0008】このため、従来の入力バッファ回路では消
費電流が増加し、例えば、電池駆動のシステムに使うこ
とが難しいなど、用途が限られてしまう。
費電流が増加し、例えば、電池駆動のシステムに使うこ
とが難しいなど、用途が限られてしまう。
【0009】本発明の目的は、入力のフローティング防
止機能を備え、しかも消費電流が小さく、電池駆動シス
テムのパワーダウン対策用などにも使える、用途の広い
入力バッファ回路を提供することにある。
止機能を備え、しかも消費電流が小さく、電池駆動シス
テムのパワーダウン対策用などにも使える、用途の広い
入力バッファ回路を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の入力バッファ回
路は、導通状態が外部からの制御信号によって制御され
る第1のトランスファーゲートと、導通状態が前記制御
信号によって制御されスイッチング条件が第1のトラン
スファーゲートと排他論理となっている第2のトランス
ファーゲートと、外部の負荷を駆動するバッファとを含
み、第1のトランスファーゲートは、入力端が入力端子
に接続され出力端が前記バッファの入力端に接続され、
第2のトランスファーゲートは、入力端が高位電源端子
,グランド端子および前記トランスファーゲートの出力
端のいずれか一つに接続され、出力端が前記バッファの
入力端に接続されていることを特徴とする。
路は、導通状態が外部からの制御信号によって制御され
る第1のトランスファーゲートと、導通状態が前記制御
信号によって制御されスイッチング条件が第1のトラン
スファーゲートと排他論理となっている第2のトランス
ファーゲートと、外部の負荷を駆動するバッファとを含
み、第1のトランスファーゲートは、入力端が入力端子
に接続され出力端が前記バッファの入力端に接続され、
第2のトランスファーゲートは、入力端が高位電源端子
,グランド端子および前記トランスファーゲートの出力
端のいずれか一つに接続され、出力端が前記バッファの
入力端に接続されていることを特徴とする。
【0011】
【実施例】次に、本発明の最適な実施例について、図面
を参照して説明する。図1は、本発明の第1の実施例の
回路図である。
を参照して説明する。図1は、本発明の第1の実施例の
回路図である。
【0012】本実施例では、図1に示すように、バッフ
ァ2の入力端にトランスファーゲート5の出力端と、P
チャンネルMOSトランジスタQP のドレインが接続
されている。
ァ2の入力端にトランスファーゲート5の出力端と、P
チャンネルMOSトランジスタQP のドレインが接続
されている。
【0013】トランスファーゲート5は、Nチャンネル
MOSトランジスタN1 とPチャンネルMOSトラン
ジスタP1 とを並列に接続した相補型のものである。 このトランスファーゲート5は、入力端が入力端子3に
接続され、ここに前段の回路からの入力信号Dが入力さ
れる。又、NチャンネルMOSトランジスタN1 のゲ
ートは、前述のPチャンネルMOSトランジスタQP
のゲートに接続され、ここに、外部から制御信号Cが入
力される。この制御信号Cは、又、インバータ6によっ
て反転され、トランスファーゲート5を構成するPチャ
ンネルMOSトランジスタP1 のゲートに入力されて
いる。
MOSトランジスタN1 とPチャンネルMOSトラン
ジスタP1 とを並列に接続した相補型のものである。 このトランスファーゲート5は、入力端が入力端子3に
接続され、ここに前段の回路からの入力信号Dが入力さ
れる。又、NチャンネルMOSトランジスタN1 のゲ
ートは、前述のPチャンネルMOSトランジスタQP
のゲートに接続され、ここに、外部から制御信号Cが入
力される。この制御信号Cは、又、インバータ6によっ
て反転され、トランスファーゲート5を構成するPチャ
ンネルMOSトランジスタP1 のゲートに入力されて
いる。
【0014】尚、PチャンネルMOSトランジスタQP
のソースは、高位電源端子4に接続されている。
のソースは、高位電源端子4に接続されている。
【0015】このような回路構成では、トランスファー
ゲート5とPチャンネルMOSトランジスタQP のス
イッチング条件は排他論理となっている。つまり、トラ
ンスファーゲート5がオン状態にある時は、Pチャンネ
ルMOSトランジスタQP はオフ状態にあり、トラン
スファーゲート5がオフ状態にある時には、Pチャンネ
ルMOSトランジスタQP はオン状態にある。
ゲート5とPチャンネルMOSトランジスタQP のス
イッチング条件は排他論理となっている。つまり、トラ
ンスファーゲート5がオン状態にある時は、Pチャンネ
ルMOSトランジスタQP はオフ状態にあり、トラン
スファーゲート5がオフ状態にある時には、Pチャンネ
ルMOSトランジスタQP はオン状態にある。
【0016】以下に本実施例の回路動作について述べる
。今、図1において、制御信号Cとしてハイレベルの信
号が入力されると、トランスファーゲート5がオンし、
反対に、PチャンネルMOSトランジスタQP はオフ
する。従って、この場合は、バッファ2の入力端には、
入力端子3に入力される外部からの入力信号Dがトラン
スファーゲート5を通して伝達される。
。今、図1において、制御信号Cとしてハイレベルの信
号が入力されると、トランスファーゲート5がオンし、
反対に、PチャンネルMOSトランジスタQP はオフ
する。従って、この場合は、バッファ2の入力端には、
入力端子3に入力される外部からの入力信号Dがトラン
スファーゲート5を通して伝達される。
【0017】一方、外部からの制御信号Cがロウレベル
である時は、トランスファーゲート5がオフし、Pチャ
ンネルMOSトランジスタQP がオンする。従って、
この場合には、バッファ2の入力端には、Pチャンネル
MOSトランジスタQP によって電源電圧VDDが与
えられる。しかも、この時、トランスファーゲート5が
オフ状態にあるので、たとえ入力信号Dのレベルがロウ
レベルになっても、高位電源端子4からグランド端子に
電流が流れることはない。
である時は、トランスファーゲート5がオフし、Pチャ
ンネルMOSトランジスタQP がオンする。従って、
この場合には、バッファ2の入力端には、Pチャンネル
MOSトランジスタQP によって電源電圧VDDが与
えられる。しかも、この時、トランスファーゲート5が
オフ状態にあるので、たとえ入力信号Dのレベルがロウ
レベルになっても、高位電源端子4からグランド端子に
電流が流れることはない。
【0018】次に、本発明の第2の実施例について、図
2を用いて、説明する。図2は、本発明の第2の実施例
の回路図である。
2を用いて、説明する。図2は、本発明の第2の実施例
の回路図である。
【0019】本実施例が図1に示す第1の実施例と異な
るのは、PチャンネルMOSトランジスタQP に代え
て、バッファ2の入力端とグランド端子7との間にNチ
ャンネルMOSトランジスタQN が設けられているこ
とである。そして、このNチャンネルMOSトランジス
タQN のゲートには、制御信号Cの反転信号がインバ
ータ6によって与えられている。
るのは、PチャンネルMOSトランジスタQP に代え
て、バッファ2の入力端とグランド端子7との間にNチ
ャンネルMOSトランジスタQN が設けられているこ
とである。そして、このNチャンネルMOSトランジス
タQN のゲートには、制御信号Cの反転信号がインバ
ータ6によって与えられている。
【0020】このような回路構成においても、トランス
ファーゲート5とNチャンネルMOSトランジスタQN
のスイッチング条件は、第1の実施例の場合と同様に
、排他論理になっている。
ファーゲート5とNチャンネルMOSトランジスタQN
のスイッチング条件は、第1の実施例の場合と同様に
、排他論理になっている。
【0021】本実施例では、制御信号Cがハイレベルの
時、トランスファーゲート5がオン状態、Nチャンネル
MOSトランジスタQN がオフ状態であり、入力信号
Cがトランスファーゲート5を介してバッファ2に伝達
される。一方、制御信号Cがロウレベルの時、トランス
ファーゲート5がオフ状態、NチャンネルMOSトラン
ジスタQN がオン状態になって、バッファ2の入力端
にはグランドレベルが与えられる。ところが、この場合
、トランスファーゲート5がオフ状態にあるので、入力
信号Dがハイレベルの時でも、高位電源端子4とグラン
ド端子7との間に電流が流れることがない。
時、トランスファーゲート5がオン状態、Nチャンネル
MOSトランジスタQN がオフ状態であり、入力信号
Cがトランスファーゲート5を介してバッファ2に伝達
される。一方、制御信号Cがロウレベルの時、トランス
ファーゲート5がオフ状態、NチャンネルMOSトラン
ジスタQN がオン状態になって、バッファ2の入力端
にはグランドレベルが与えられる。ところが、この場合
、トランスファーゲート5がオフ状態にあるので、入力
信号Dがハイレベルの時でも、高位電源端子4とグラン
ド端子7との間に電流が流れることがない。
【0022】次に、本発明の第3の実施例について図3
を用いて説明する。図3は、本発明の第3の実施例の回
路図である。
を用いて説明する。図3は、本発明の第3の実施例の回
路図である。
【0023】本実施例では、第1の実施例でのPチャン
ネルMOSトランジスタQP 及び第2の実施例におけ
るNチャンネルMOSトランジスタQN に代えて、ト
ランスファーゲート8を設けてある。このトランスファ
ーゲート8は、PチャンネルMOSトランジスタP2
とNチャンネルMOSトランジスタN2 とを並列に接
続した相補型のものであり、PチャンネルMOSトラン
ジスタP2 のゲートには制御信号Cが直接入力され、
NチャンネルMOSトランジスタN2 のゲートには制
御信号Cがインバータ6によって反転されて入力されて
いる。そして、このトランスファーゲート8は、入力端
がバッファ2の出力端に接続され、出力端がバッファ2
の入力端に接続されている。
ネルMOSトランジスタQP 及び第2の実施例におけ
るNチャンネルMOSトランジスタQN に代えて、ト
ランスファーゲート8を設けてある。このトランスファ
ーゲート8は、PチャンネルMOSトランジスタP2
とNチャンネルMOSトランジスタN2 とを並列に接
続した相補型のものであり、PチャンネルMOSトラン
ジスタP2 のゲートには制御信号Cが直接入力され、
NチャンネルMOSトランジスタN2 のゲートには制
御信号Cがインバータ6によって反転されて入力されて
いる。そして、このトランスファーゲート8は、入力端
がバッファ2の出力端に接続され、出力端がバッファ2
の入力端に接続されている。
【0024】本実施例においても、トランスファーゲー
ト5のスイッチング条件とトランスファーゲート8のス
イッチング条件とは、排他論理になっている。
ト5のスイッチング条件とトランスファーゲート8のス
イッチング条件とは、排他論理になっている。
【0025】図3において、制御信号Cがハイレベルの
時には、トランスファーゲート5がオン状態にあり、ト
ランスファーゲート8がオフ状態にあって、入力信号D
が、トランスファーゲート5を介して、バッファ2に伝
達される。
時には、トランスファーゲート5がオン状態にあり、ト
ランスファーゲート8がオフ状態にあって、入力信号D
が、トランスファーゲート5を介して、バッファ2に伝
達される。
【0026】一方、制御信号Cがロウレベルの時には、
トランスファーゲート5がオフ状態になり、トランスフ
ァーゲート8がオン状態になり、この入力バッファ回路
は、制御信号Cが切り替わる前の状態を維持する。従っ
て、本実施例では、バッファ2の入力端は、ハイレベル
又はロウレベルの電位が与えられ、フローティング状態
になることはない。しかも、この場合には、トランスフ
ァーゲート5がオフしているので、入力信号Cのレベル
がどのようなレベルであっても、バッファ2に電流が流
入したり、又は、これから流出することはない。
トランスファーゲート5がオフ状態になり、トランスフ
ァーゲート8がオン状態になり、この入力バッファ回路
は、制御信号Cが切り替わる前の状態を維持する。従っ
て、本実施例では、バッファ2の入力端は、ハイレベル
又はロウレベルの電位が与えられ、フローティング状態
になることはない。しかも、この場合には、トランスフ
ァーゲート5がオフしているので、入力信号Cのレベル
がどのようなレベルであっても、バッファ2に電流が流
入したり、又は、これから流出することはない。
【0027】尚、以上説明した第1の実施例,第2の実
施例および第3の実施例では、トランスファーゲート5
及びトランスファーゲート8として、相補型のものを用
いて説明したが、本発明はこれに限られるものではない
。他の型のトランスファーゲート、例えば、単独のNチ
ャンネルMOSトランジスタ又はPチャンネルMOSト
ランジスタで構成されたトランスファーゲートであって
も実施例と同様の効果を得ることができる。
施例および第3の実施例では、トランスファーゲート5
及びトランスファーゲート8として、相補型のものを用
いて説明したが、本発明はこれに限られるものではない
。他の型のトランスファーゲート、例えば、単独のNチ
ャンネルMOSトランジスタ又はPチャンネルMOSト
ランジスタで構成されたトランスファーゲートであって
も実施例と同様の効果を得ることができる。
【0028】又、バッファ2の入力端に接続された、P
チャンネルMOSトランジスタQP 及びNチャンネル
MOSトランジスタQN は、これらを相補型のトラン
スファーゲートに代えても本発明の効果が損なわれるも
のではない。
チャンネルMOSトランジスタQP 及びNチャンネル
MOSトランジスタQN は、これらを相補型のトラン
スファーゲートに代えても本発明の効果が損なわれるも
のではない。
【0029】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、バッ
ファの入力端に、スイッチング条件が排他論理になって
いる第1及び第2のトランスファーゲートを設け、第1
のトランスファーゲートの入力端には入力信号を入力し
、第2のトランスファーゲートの入力端には固定電位を
与えている。
ファの入力端に、スイッチング条件が排他論理になって
いる第1及び第2のトランスファーゲートを設け、第1
のトランスファーゲートの入力端には入力信号を入力し
、第2のトランスファーゲートの入力端には固定電位を
与えている。
【0030】このことにより、本発明によれば、バッフ
ァの入力端のフローティングを防止することができる。 しかもこの場合、入力信号のレベルがどのような時でも
、高位電源端子とグランド端子との間に電流が流れるこ
とがないので、回路の消費電力を低減することができる
。このことは、電子機器の低消費電力化が要求されてい
る状況で、電池駆動のシステムに用いることができるな
ど、用途を広げるのに大きな利点となる。
ァの入力端のフローティングを防止することができる。 しかもこの場合、入力信号のレベルがどのような時でも
、高位電源端子とグランド端子との間に電流が流れるこ
とがないので、回路の消費電力を低減することができる
。このことは、電子機器の低消費電力化が要求されてい
る状況で、電池駆動のシステムに用いることができるな
ど、用途を広げるのに大きな利点となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例の回路図である。
【図2】本発明の第2の実施例の回路図である。
【図3】本発明の第3の実施例の回路図である。
【図4】従来の入力バッファ回路の一例の回路図である
。
。
1 出力端子
2 バッファ
3 入力端子
4 高位電源端子
5 トランスファーゲート
6 インバータ
7 グランド端子
8 トランスファーゲート
Claims (1)
- 【請求項1】 導通状態が外部からの制御信号によっ
て制御される第1のトランスファーゲートと、導通状態
が前記制御信号によって制御されスイッチング条件が第
1のトランスファーゲートと排他論理となっている第2
のトランスファーゲートと、外部の負荷を駆動するバッ
ファとを含み、第1のトランスファーゲートは、入力端
が入力端子に接続され出力端が前記バッファの入力端に
接続され、第2のトランスファーゲートは、入力端が高
位電源端子,グランド端子および前記トランスファーゲ
ートの出力端のいずれか一つに接続され、出力端が前記
バッファの入力端に接続されていることを特徴とする入
力バッファ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3014648A JPH04249422A (ja) | 1991-02-06 | 1991-02-06 | 入力バッファ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3014648A JPH04249422A (ja) | 1991-02-06 | 1991-02-06 | 入力バッファ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04249422A true JPH04249422A (ja) | 1992-09-04 |
Family
ID=11867024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3014648A Pending JPH04249422A (ja) | 1991-02-06 | 1991-02-06 | 入力バッファ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04249422A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5970020A (ja) * | 1982-10-13 | 1984-04-20 | Toshiba Corp | 三状態出力回路 |
| JPS63141410A (ja) * | 1986-12-03 | 1988-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | 入出力回路 |
| JPH02291718A (ja) * | 1989-05-01 | 1990-12-03 | Fujitsu Ltd | 相補形mos回路 |
-
1991
- 1991-02-06 JP JP3014648A patent/JPH04249422A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5970020A (ja) * | 1982-10-13 | 1984-04-20 | Toshiba Corp | 三状態出力回路 |
| JPS63141410A (ja) * | 1986-12-03 | 1988-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | 入出力回路 |
| JPH02291718A (ja) * | 1989-05-01 | 1990-12-03 | Fujitsu Ltd | 相補形mos回路 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970812 |