JPH0425011A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH0425011A JPH0425011A JP2126170A JP12617090A JPH0425011A JP H0425011 A JPH0425011 A JP H0425011A JP 2126170 A JP2126170 A JP 2126170A JP 12617090 A JP12617090 A JP 12617090A JP H0425011 A JPH0425011 A JP H0425011A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- cup section
- mist
- vacuum suction
- cup
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造における感光性樹脂塗布工程
あるいは現像処理工程に使用される半導体製造装置に関
する。
あるいは現像処理工程に使用される半導体製造装置に関
する。
従来の′I色導体製造装置は、半導体基板を真空吸着し
これを回転運動させる基体をカップ部内に有し、半導体
基板表面に感光性樹脂液あるいは現像処理液を適量滴下
するノズルを前記基体のF方に設置1.、この薬液を滴
下すると同時あるいは滴下後に半導体基板を高速回転さ
せ、半導体基板上の薬液の大部分を遠心力で振り切る際
に生じる薬液の微粒子の飛散を防ぐための蓋と、カップ
部の内側にこの微粒子を吸引する真空吸引口とを有する
構造となっていた。。
これを回転運動させる基体をカップ部内に有し、半導体
基板表面に感光性樹脂液あるいは現像処理液を適量滴下
するノズルを前記基体のF方に設置1.、この薬液を滴
下すると同時あるいは滴下後に半導体基板を高速回転さ
せ、半導体基板上の薬液の大部分を遠心力で振り切る際
に生じる薬液の微粒子の飛散を防ぐための蓋と、カップ
部の内側にこの微粒子を吸引する真空吸引口とを有する
構造となっていた。。
上述した従来の感光性樹脂を塗布あるいは現像処理液を
滴下する装置ては、半導体基板トから飛び散る薬液の雫
あるいは霧状に漂っている薬液の微粒子(ミスト)をカ
ップ部の内側にある真空吸引口から吸引していたか、こ
れたけではミス1への全てを吸引することは不可能であ
り、前述の装置と前後で連結している搬送装置に置かれ
た半導体基板にすてミス1〜か飛んで行き、を導体基板
表面に付着する現象か生していた。
滴下する装置ては、半導体基板トから飛び散る薬液の雫
あるいは霧状に漂っている薬液の微粒子(ミスト)をカ
ップ部の内側にある真空吸引口から吸引していたか、こ
れたけではミス1への全てを吸引することは不可能であ
り、前述の装置と前後で連結している搬送装置に置かれ
た半導体基板にすてミス1〜か飛んで行き、を導体基板
表面に付着する現象か生していた。
前述した現象は、年々微細°化が進む半導体装置の製造
において、歩留りに大きな悪影響を9−える要素として
無視できなくなってきている。
において、歩留りに大きな悪影響を9−える要素として
無視できなくなってきている。
上述した従来の半導体製造装置に対し、本発明はノズル
より滴下する薬液の飛散を防ぐため、高電圧発生ユニツ
I−と繋がり、帯電されたミストを吸着する円筒状静電
吸着板をカップ部上部に設けたという相違点を有してい
る。
より滴下する薬液の飛散を防ぐため、高電圧発生ユニツ
I−と繋がり、帯電されたミストを吸着する円筒状静電
吸着板をカップ部上部に設けたという相違点を有してい
る。
本発明の半導体製造装置は、半導体基板の回転時に発生
する薬液のミス)・を帯電させる静電場を形成する高電
圧発生ユニットと、この高電圧発生ユニットに繋がり前
記ミストを吸着する静電吸着板とを有している。
する薬液のミス)・を帯電させる静電場を形成する高電
圧発生ユニットと、この高電圧発生ユニットに繋がり前
記ミストを吸着する静電吸着板とを有している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の縦断面図である。
カップ部内で半導体基板1を真空吸着する基体2と、基
体2を上端に固着した回転軸3と、回転軸3を回転駆動
し汀つ回転軸3を通して基体2を真空引きするポンプ4
と、基体2の−1一方に設置され半導体基板1の表面に
感光性樹脂液あるいは現像処理液を適量滴下するノズル
5を有し、更に、半導体基板1を回転させ半導体基板表
面に滴下された薬液を振り切る際に生ずる薬液の飛散防
止用N6及びミストの真空吸引ロアをカップ部内側に有
する。
体2を上端に固着した回転軸3と、回転軸3を回転駆動
し汀つ回転軸3を通して基体2を真空引きするポンプ4
と、基体2の−1一方に設置され半導体基板1の表面に
感光性樹脂液あるいは現像処理液を適量滴下するノズル
5を有し、更に、半導体基板1を回転させ半導体基板表
面に滴下された薬液を振り切る際に生ずる薬液の飛散防
止用N6及びミストの真空吸引ロアをカップ部内側に有
する。
更に本実施例は、カップ部の上部にこのカップ部と同径
で陽極となる円筒状の静電吸着板8を備え、一方、ノズ
ル5あるいは装置本体側を接地して陰極とし、この両極
間に高電圧発生ユニット9により高電圧を印加すること
によって、円筒状の静電吸着板8内に静電場が形成され
る。この静電場内に、回転する半導体基板1上からミス
トが飛散するとミストは負に帯電し、円筒状の静電吸着
板8に引き付けられて付着する。
で陽極となる円筒状の静電吸着板8を備え、一方、ノズ
ル5あるいは装置本体側を接地して陰極とし、この両極
間に高電圧発生ユニット9により高電圧を印加すること
によって、円筒状の静電吸着板8内に静電場が形成され
る。この静電場内に、回転する半導体基板1上からミス
トが飛散するとミストは負に帯電し、円筒状の静電吸着
板8に引き付けられて付着する。
以十説明[またように本発明は、カップ部−に部にミス
1〜の静電吸着板を有することにより、半導体基板の回
転運動により飛散したミストのうち、カップ部内側の真
空吸引口から吸引しきれない分をカップ部ト部の円筒状
静電吸着板で完全に吸着でき、・前述の装置の前後に連
結する搬送部に置かれた半導体基板への薬液粒子付着の
悪影響を解消する効果がある。
1〜の静電吸着板を有することにより、半導体基板の回
転運動により飛散したミストのうち、カップ部内側の真
空吸引口から吸引しきれない分をカップ部ト部の円筒状
静電吸着板で完全に吸着でき、・前述の装置の前後に連
結する搬送部に置かれた半導体基板への薬液粒子付着の
悪影響を解消する効果がある。
第1図は本発明の一実施例を説明するための断面図であ
る。 1・・・半導体基板、2・・・基体、3・・・回転軸、
4・・・ポンプ、5・・・ノズル、6・・・飛散防止用
蓋、7・・・真空吸引口、8・・・静電吸着板、9・・
・高電圧発生ユニット。
る。 1・・・半導体基板、2・・・基体、3・・・回転軸、
4・・・ポンプ、5・・・ノズル、6・・・飛散防止用
蓋、7・・・真空吸引口、8・・・静電吸着板、9・・
・高電圧発生ユニット。
Claims (1)
- 半導体基板を真空吸着してカップ部内で回転させ、半
導体基板表面に感光性樹脂液あるいは現像処理液等の薬
液を回転塗布する半導体製造装置において、半導体基板
の回転時に発生する前記薬液のミストを帯電させる静電
場を形成する高電圧発生ユニットを備え、この高電圧発
生ユニットに繋がり前記ミストを吸着する静電吸着板を
カップ部上部に設けたことを特徴とする半導体製造装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2126170A JPH0425011A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2126170A JPH0425011A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0425011A true JPH0425011A (ja) | 1992-01-28 |
Family
ID=14928417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2126170A Pending JPH0425011A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0425011A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007012887A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法、基板処理装置および周囲部材の除電方法 |
| KR20220055903A (ko) * | 2020-10-27 | 2022-05-04 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| CN115050667A (zh) * | 2021-03-09 | 2022-09-13 | 铠侠股份有限公司 | 半导体制造装置以及半导体制造方法 |
-
1990
- 1990-05-16 JP JP2126170A patent/JPH0425011A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007012887A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法、基板処理装置および周囲部材の除電方法 |
| KR20220055903A (ko) * | 2020-10-27 | 2022-05-04 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| CN115050667A (zh) * | 2021-03-09 | 2022-09-13 | 铠侠股份有限公司 | 半导体制造装置以及半导体制造方法 |
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