JPH08124864A - 真空プラズマ処理装置 - Google Patents
真空プラズマ処理装置Info
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- JPH08124864A JPH08124864A JP6264700A JP26470094A JPH08124864A JP H08124864 A JPH08124864 A JP H08124864A JP 6264700 A JP6264700 A JP 6264700A JP 26470094 A JP26470094 A JP 26470094A JP H08124864 A JPH08124864 A JP H08124864A
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- dome
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- plasma processing
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
- H01J37/32155—Frequency modulation
- H01J37/32165—Plural frequencies
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- Analytical Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマの均一性を維持しながら、被処理基
板上のプラズマ密度の増大を図る。 【構成】 真空容器１と、真空ポンプ２と、反応ガス供
給口３と、真空容器１内で被処理基板４を保持するサセ
プタ５と、サセプタ５の高周波電源６と、分割電極７
ａ、７ｂ、７ｃと、分割電極７ａ、７ｂ、７ｃに各々位
相の異なる高周波電力を印加する高周波電源８ａ、８
ｂ、８ｃとを備え、真空容器１のサセプタ４に対向する
部分を絶縁体から成るドーム状壁面１１にて構成し、こ
のドーム状壁面１１に分割電極７ａ、７ｂ、７ｃを配設
した。
板上のプラズマ密度の増大を図る。 【構成】 真空容器１と、真空ポンプ２と、反応ガス供
給口３と、真空容器１内で被処理基板４を保持するサセ
プタ５と、サセプタ５の高周波電源６と、分割電極７
ａ、７ｂ、７ｃと、分割電極７ａ、７ｂ、７ｃに各々位
相の異なる高周波電力を印加する高周波電源８ａ、８
ｂ、８ｃとを備え、真空容器１のサセプタ４に対向する
部分を絶縁体から成るドーム状壁面１１にて構成し、こ
のドーム状壁面１１に分割電極７ａ、７ｂ、７ｃを配設
した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハや液晶表
示基板等の被処理基板にドライエッチング、スパッタリ
ング、プラズマＣＶＤ、その他の表面を行う真空プラズ
マ処理装置に関するものである。
示基板等の被処理基板にドライエッチング、スパッタリ
ング、プラズマＣＶＤ、その他の表面を行う真空プラズ
マ処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、分割電極に位相の異なる高周波電
力を印加してプラズマを発生させる真空プラズマ処理装
置として、壁面電極型と吊り下げ電極型が知られてい
る。
力を印加してプラズマを発生させる真空プラズマ処理装
置として、壁面電極型と吊り下げ電極型が知られてい
る。
【０００３】壁面電極型のプラズマ処理装置は、例え
ば”Ｌｉｓｓａｊｏｕｓ ＥｌｅｃｔｒｏｎＰｌａｓｍ
ａ （ＬＥＰ） Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ ｆｏｒ Ｅｔ
ｃｈｉｎｇ”Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌｎ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏ
ｌ．３１ （１９９２） ｐｐ．４３３２−４３３７”
に開示されている。また、吊り下げ電極型は、電極端と
真空容器の内壁との間で局所的な放電が起こらない機構
のもので、特開平５−１９８００２号公報等に開示され
ている。
ば”Ｌｉｓｓａｊｏｕｓ ＥｌｅｃｔｒｏｎＰｌａｓｍ
ａ （ＬＥＰ） Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ ｆｏｒ Ｅｔ
ｃｈｉｎｇ”Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌｎ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏ
ｌ．３１ （１９９２） ｐｐ．４３３２−４３３７”
に開示されている。また、吊り下げ電極型は、電極端と
真空容器の内壁との間で局所的な放電が起こらない機構
のもので、特開平５−１９８００２号公報等に開示され
ている。
【０００４】壁面電極型の構成例を、図６、図７を参照
して説明する。真空ポンプ２２と反応ガス供給口２３を
有する真空容器２１内に、被処理基板２４を保持するサ
セプタ２５が配設され、このサセプタ２５に高周波電源
２６が接続されている。真空容器２１の壁面に絶縁体か
らなるスペーサ２９を介して３つの平板型の分割電極２
７ａ〜２７ｃが配設され、各分割電極２７ａ〜２７ｃに
は各々約１２０°の位相の異なる高周波電源２８ａ〜２
８ｃが接続されている。
して説明する。真空ポンプ２２と反応ガス供給口２３を
有する真空容器２１内に、被処理基板２４を保持するサ
セプタ２５が配設され、このサセプタ２５に高周波電源
２６が接続されている。真空容器２１の壁面に絶縁体か
らなるスペーサ２９を介して３つの平板型の分割電極２
７ａ〜２７ｃが配設され、各分割電極２７ａ〜２７ｃに
は各々約１２０°の位相の異なる高周波電源２８ａ〜２
８ｃが接続されている。
【０００５】吊り下げ電極型の構成例を、図８、図９を
参照して説明する。真空ポンプ３２と反応ガス供給口３
３とを有する真空容器３１内に、被処理基板３４を保持
するサセプタ３５が配設され、このサセプタ３５に高周
波電源３６が接続されている。サセプタ３５の上方には
３つの円弧状の分割電極３７ａ〜３７ｃが全体として円
筒状に配設され、各分割電極３７ａ〜３７ｃには各々約
１２０°の位相の異なる高周波電源３８ａ〜３８ｃが接
続されている。
参照して説明する。真空ポンプ３２と反応ガス供給口３
３とを有する真空容器３１内に、被処理基板３４を保持
するサセプタ３５が配設され、このサセプタ３５に高周
波電源３６が接続されている。サセプタ３５の上方には
３つの円弧状の分割電極３７ａ〜３７ｃが全体として円
筒状に配設され、各分割電極３７ａ〜３７ｃには各々約
１２０°の位相の異なる高周波電源３８ａ〜３８ｃが接
続されている。
【０００６】次に、以上の構成の真空プラズマ処理装置
の動作について説明すると、真空容器２１、３１が真空
ポンプ２２、３２により真空排気されつつ、反応ガス供
給口２３、３３より反応ガスが真空容器２１、３１内に
導入され、適当な圧力に保持される。次いで、３つの分
割電極２７ａ〜２７ｃ、３７ａ〜３７ｃに高周波電源２
８ａ〜２８ｃ、３８ａ〜３８ｃにより各々約１２０°位
相の異なる高周波電力が印加され、真空容器２１、３１
内に電界が発生される。この電界により電子が加速さ
れ、プラズマが生起される。一方、サセプタ２５、３５
に接続された高周波電源２６、３６により被処理基板２
４、３４にバイアス電位を生じさせる。そして、プラズ
マ中のイオンを被処理基板２４、３４に入射させ、被処
理基板２４、３４を表面処理する。
の動作について説明すると、真空容器２１、３１が真空
ポンプ２２、３２により真空排気されつつ、反応ガス供
給口２３、３３より反応ガスが真空容器２１、３１内に
導入され、適当な圧力に保持される。次いで、３つの分
割電極２７ａ〜２７ｃ、３７ａ〜３７ｃに高周波電源２
８ａ〜２８ｃ、３８ａ〜３８ｃにより各々約１２０°位
相の異なる高周波電力が印加され、真空容器２１、３１
内に電界が発生される。この電界により電子が加速さ
れ、プラズマが生起される。一方、サセプタ２５、３５
に接続された高周波電源２６、３６により被処理基板２
４、３４にバイアス電位を生じさせる。そして、プラズ
マ中のイオンを被処理基板２４、３４に入射させ、被処
理基板２４、３４を表面処理する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図６、
図７の壁面電極型の構成では、分割電極２７ａ〜２７ｃ
と真空容器２１の間に異常放電が生じ易く、電界の均一
性が低いという問題がある。
図７の壁面電極型の構成では、分割電極２７ａ〜２７ｃ
と真空容器２１の間に異常放電が生じ易く、電界の均一
性が低いという問題がある。
【０００８】また、図８、図９の吊り下げ電極型の構成
では、局所的な放電が起りにくいために被処理基板３４
に対する表面処理の均一性が極めて優れているが、分割
電極３７ａ〜３７ｃと真空容器３１との間にもプラズマ
が生じ、電力ロスとなるとともに被処理基板３４上のプ
ラズマ密度の低下の原因になるという問題がある。
では、局所的な放電が起りにくいために被処理基板３４
に対する表面処理の均一性が極めて優れているが、分割
電極３７ａ〜３７ｃと真空容器３１との間にもプラズマ
が生じ、電力ロスとなるとともに被処理基板３４上のプ
ラズマ密度の低下の原因になるという問題がある。
【０００９】また、上記いずれの構成においても、電界
強度を高めてプラズマ密度を向上するために分割電極２
７ａ〜２７ｃ、３７ａ〜３７ｃの面積を大きくするに
は、分割電極２７ａ〜２７ｃ、３７ａ〜３７ｃを被処理
基板２４、３４に対して離れる方向に伸ばさねばなら
ず、そのため被処理基板２４、３４から遠い位置で発生
した活性種が表面処理に有効に寄与せず、効果的でない
という問題がある。
強度を高めてプラズマ密度を向上するために分割電極２
７ａ〜２７ｃ、３７ａ〜３７ｃの面積を大きくするに
は、分割電極２７ａ〜２７ｃ、３７ａ〜３７ｃを被処理
基板２４、３４に対して離れる方向に伸ばさねばなら
ず、そのため被処理基板２４、３４から遠い位置で発生
した活性種が表面処理に有効に寄与せず、効果的でない
という問題がある。
【００１０】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、プラ
ズマの均一性を維持しながら、被処理基板上のプラズマ
密度の増大を図ることができる真空プラズマ処理装置を
提供することを目的としている。
ズマの均一性を維持しながら、被処理基板上のプラズマ
密度の増大を図ることができる真空プラズマ処理装置を
提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の真空プラズマ処
理装置は、真空容器と、真空容器内を真空排気する手段
と、真空容器内に反応ガスを供給する手段と、真空容器
内で被処理基板を保持するサセプタと、サセプタに対し
て高周波電力を印加する手段と、被処理基板に対向して
配置された分割電極と、分割電極に各々位相の異なる高
周波電力を印加する電源装置とを備えた真空プラズマ処
理装置において、真空容器のサセプタに対向する部分を
絶縁体から成るドーム状壁面にて構成し、分割電極をド
ーム状壁面に配設したことを特徴とする。
理装置は、真空容器と、真空容器内を真空排気する手段
と、真空容器内に反応ガスを供給する手段と、真空容器
内で被処理基板を保持するサセプタと、サセプタに対し
て高周波電力を印加する手段と、被処理基板に対向して
配置された分割電極と、分割電極に各々位相の異なる高
周波電力を印加する電源装置とを備えた真空プラズマ処
理装置において、真空容器のサセプタに対向する部分を
絶縁体から成るドーム状壁面にて構成し、分割電極をド
ーム状壁面に配設したことを特徴とする。
【００１２】分割電極は、ドーム状壁面に形成した電極
装着窓に嵌め込んで配置されるとともに真空容器内に臨
む面が凸球面、凹球面若しくは平面に形成され、または
ドーム状壁面の外面に配置される。
装着窓に嵌め込んで配置されるとともに真空容器内に臨
む面が凸球面、凹球面若しくは平面に形成され、または
ドーム状壁面の外面に配置される。
【００１３】
【作用】本発明によれば、真空容器のサセプタと対向す
る部分をドーム状の絶縁体から成る壁面にて構成してい
るので、局部的な放電を防ぐことができてプラズマの均
一性の悪化を防ぐことができ、またドーム状の壁面に配
設された分割電極に各々位相の異なる高周波電力を印加
することにより、サセプタ上の被処理基板に対する距離
を大きく変化させずに各分割電極の電極面の大きさを大
きくすることができ、プラズマの均一性を維持しながら
電界強度を高めることができてプラズマ密度を向上する
ことができ、かつそれによって増加した活性種を表面処
理に有効に寄与させることができる。また、被処理基板
を保持するサセプタに高周波電力を印加することで、被
処理基板に到達するイオンエネルギーを独立制御するこ
とが可能であり、高密度プラズマを発生しながら被処理
基板にダメージを与えないようにできる。
る部分をドーム状の絶縁体から成る壁面にて構成してい
るので、局部的な放電を防ぐことができてプラズマの均
一性の悪化を防ぐことができ、またドーム状の壁面に配
設された分割電極に各々位相の異なる高周波電力を印加
することにより、サセプタ上の被処理基板に対する距離
を大きく変化させずに各分割電極の電極面の大きさを大
きくすることができ、プラズマの均一性を維持しながら
電界強度を高めることができてプラズマ密度を向上する
ことができ、かつそれによって増加した活性種を表面処
理に有効に寄与させることができる。また、被処理基板
を保持するサセプタに高周波電力を印加することで、被
処理基板に到達するイオンエネルギーを独立制御するこ
とが可能であり、高密度プラズマを発生しながら被処理
基板にダメージを与えないようにできる。
【００１４】また、分割電極をドーム状壁面に形成した
電極装着窓に嵌め込んで配置するとともに真空容器内に
臨む面を凸球面にすると、電極間の電界を均一にでき、
凹球面にするとプラズマの容積を最大にできるとともに
クリーニングが容易となり、平面にすると分割電極の製
作が容易となる。
電極装着窓に嵌め込んで配置するとともに真空容器内に
臨む面を凸球面にすると、電極間の電界を均一にでき、
凹球面にするとプラズマの容積を最大にできるとともに
クリーニングが容易となり、平面にすると分割電極の製
作が容易となる。
【００１５】また、分割電極をドーム状壁面の外面に配
置すると、位置調整にてプラズマ分布の調整が可能とな
り、また分割電極がスパッタリングされず、クリーンな
プラズマを生成することができる。
置すると、位置調整にてプラズマ分布の調整が可能とな
り、また分割電極がスパッタリングされず、クリーンな
プラズマを生成することができる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の一実施例の真空プラズマ処理
装置について、図１、図２を参照して説明する。
装置について、図１、図２を参照して説明する。
【００１７】真空容器１は、下部の本体壁面１０の上部
に絶縁体から成るドーム状の壁面１１を接合して構成さ
れている。真空容器１の下部には真空ポンプ２が配設さ
れ、ドーム状壁面１１の頂部には反応ガス供給口３が設
けられている。真空容器１内の下部には被処理基板４を
保持するサセプタ５が配設されている。サセプタ５には
イオンエネルギーを制御するための高周波電源６が接続
されている。
に絶縁体から成るドーム状の壁面１１を接合して構成さ
れている。真空容器１の下部には真空ポンプ２が配設さ
れ、ドーム状壁面１１の頂部には反応ガス供給口３が設
けられている。真空容器１内の下部には被処理基板４を
保持するサセプタ５が配設されている。サセプタ５には
イオンエネルギーを制御するための高周波電源６が接続
されている。
【００１８】ドーム状壁面１１には、３つの分割電極７
ａ、７ｂ、７ｃが、互いに１２０°の間隔で配設されて
いる。これら分割電極７ａ、７ｂ、７ｃは、ドーム状壁
面１１に形成した電極装着窓１１ａに嵌め込んで装着さ
れ、かつ真空容器１内に臨む面が凸球面に形成されてい
る。また、分割電極７ａ、７ｂ、７ｃにはプラズマ９を
生起させるための高周波電源８ａ、８ｂ、８ｃに接続さ
れている。これら高周波電源８ａ、８ｂ、８ｃは互いに
位相が略１２０°異なっている。
ａ、７ｂ、７ｃが、互いに１２０°の間隔で配設されて
いる。これら分割電極７ａ、７ｂ、７ｃは、ドーム状壁
面１１に形成した電極装着窓１１ａに嵌め込んで装着さ
れ、かつ真空容器１内に臨む面が凸球面に形成されてい
る。また、分割電極７ａ、７ｂ、７ｃにはプラズマ９を
生起させるための高周波電源８ａ、８ｂ、８ｃに接続さ
れている。これら高周波電源８ａ、８ｂ、８ｃは互いに
位相が略１２０°異なっている。
【００１９】次に、以上の構成の真空プラズマ処理装置
の動作について説明する。真空容器１内は真空ポンプ２
により真空排気されつつ、反応ガス供給口３から反応ガ
スが導入され、適当な圧力に保持される。次いで、分割
電極７ａ、７ｂ、７ｃに各々の高周波電源８ａ、８ｂ、
８ｃよりそれぞれ約１２０°位相の異なる高周波電力が
印加され、ドーム状壁面１１で囲まれた真空容器１の上
部空間内にプラズマ９が発生される。その際、真空容器
１のサセプタ５と対向する部分が絶縁体から成るドーム
状壁面１１にて構成されているので、分割電極７ａ、７
ｂ、７ｃと真空容器１との間の局部的な放電を防ぐこと
ができてプラズマの均一性の悪化を防ぐことができ、ま
た分割電極７ａ、７ｂ、７ｃがドーム状壁面１１に配設
されているので、サセプタ５上の被処理基板４に対する
距離を大きく変化させずに各分割電極７ａ、７ｂ、７ｃ
の電極面の大きさを大きくすることができ、プラズマの
均一性を維持しながら電界強度を高めてプラズマ密度を
向上することができ、かつそれによって増加した活性種
を表面処理に有効に寄与させ、高速にて均一な処理を行
うことができる。
の動作について説明する。真空容器１内は真空ポンプ２
により真空排気されつつ、反応ガス供給口３から反応ガ
スが導入され、適当な圧力に保持される。次いで、分割
電極７ａ、７ｂ、７ｃに各々の高周波電源８ａ、８ｂ、
８ｃよりそれぞれ約１２０°位相の異なる高周波電力が
印加され、ドーム状壁面１１で囲まれた真空容器１の上
部空間内にプラズマ９が発生される。その際、真空容器
１のサセプタ５と対向する部分が絶縁体から成るドーム
状壁面１１にて構成されているので、分割電極７ａ、７
ｂ、７ｃと真空容器１との間の局部的な放電を防ぐこと
ができてプラズマの均一性の悪化を防ぐことができ、ま
た分割電極７ａ、７ｂ、７ｃがドーム状壁面１１に配設
されているので、サセプタ５上の被処理基板４に対する
距離を大きく変化させずに各分割電極７ａ、７ｂ、７ｃ
の電極面の大きさを大きくすることができ、プラズマの
均一性を維持しながら電界強度を高めてプラズマ密度を
向上することができ、かつそれによって増加した活性種
を表面処理に有効に寄与させ、高速にて均一な処理を行
うことができる。
【００２０】また、サセプタ５に高周波電源６より高周
波電力が任意に印加されることによりプラズマ９の被処
理基板４に入射するイオンエネルギーが制御され、最適
な真空プラズマ処理を行うことができる。
波電力が任意に印加されることによりプラズマ９の被処
理基板４に入射するイオンエネルギーが制御され、最適
な真空プラズマ処理を行うことができる。
【００２１】また、分割電極７ａ、７ｂ、７ｃのドーム
状壁面１１内に臨む面が凸球面であり、これは電極間の
電界を均一にする効果がある。
状壁面１１内に臨む面が凸球面であり、これは電極間の
電界を均一にする効果がある。
【００２２】次に、本発明の第２実施例について、図３
を参照して説明する。なお、第１実施例と共通の構成要
素については同一の参照番号を付して説明を省略し、相
違点のみについて説明する。以下の実施例についても同
様である。この実施例では分割電極７ａ、７ｂ、７ｃに
代えて、真空容器１内に臨む面が凹球面に形成された分
割電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃが配設されている。この
実施例によれば、プラズマの容積を最大にでき、かつ真
空容器１内面のクリーニングが容易である。
を参照して説明する。なお、第１実施例と共通の構成要
素については同一の参照番号を付して説明を省略し、相
違点のみについて説明する。以下の実施例についても同
様である。この実施例では分割電極７ａ、７ｂ、７ｃに
代えて、真空容器１内に臨む面が凹球面に形成された分
割電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃが配設されている。この
実施例によれば、プラズマの容積を最大にでき、かつ真
空容器１内面のクリーニングが容易である。
【００２３】次に、本発明の第３実施例について、図４
を参照して説明する。この実施例では分割電極７ａ、７
ｂ、７ｃに代えて、真空容器１内に臨む面が平面に形成
された分割電極１３ａ、１３ｂ、１３ｃが配設されてい
る。この実施例によれば、分割電極の製作が容易であ
る。
を参照して説明する。この実施例では分割電極７ａ、７
ｂ、７ｃに代えて、真空容器１内に臨む面が平面に形成
された分割電極１３ａ、１３ｂ、１３ｃが配設されてい
る。この実施例によれば、分割電極の製作が容易であ
る。
【００２４】次に、本発明の第４実施例について、図５
を参照して説明する。この実施例ではドーム状壁面１１
に形成した電極装着窓１１ａに嵌め込んで装着した分割
電極７ａ、７ｂ、７ｃに代えて、ドーム状壁面１１の外
面に分割電極１４ａ、１４ｂ、１４ｃが配設されてい
る。この実施例によれば、分割電極１４ａ、１４ｂ、１
４ｃを任意の位置に配置することができてプラズマ分布
の調整が可能となり、また真空容器１内への分割電極１
４ａ、１４ｂ、１４ｃのスパッタリングが無く、クリー
ンなプラズマ９を生成することができる。
を参照して説明する。この実施例ではドーム状壁面１１
に形成した電極装着窓１１ａに嵌め込んで装着した分割
電極７ａ、７ｂ、７ｃに代えて、ドーム状壁面１１の外
面に分割電極１４ａ、１４ｂ、１４ｃが配設されてい
る。この実施例によれば、分割電極１４ａ、１４ｂ、１
４ｃを任意の位置に配置することができてプラズマ分布
の調整が可能となり、また真空容器１内への分割電極１
４ａ、１４ｂ、１４ｃのスパッタリングが無く、クリー
ンなプラズマ９を生成することができる。
【００２５】
【発明の効果】本発明の真空プラズマ処理装置によれ
ば、以上の説明から明らかなように、真空容器のサセプ
タと対向する部分をドーム状の絶縁体から成る壁面にて
構成しているので、局部的な放電を防ぐことができてプ
ラズマの均一性の悪化を防ぐことができ、またサセプタ
上の被処理基板に対する距離を大きく変化させずに各分
割電極の電極面の大きさを大きくすることができ、プラ
ズマの均一性を維持しながらプラズマ密度を向上するこ
とができ、かつそれによって増加した活性種を表面処理
に有効に寄与させることができるので、高速にて均一な
表面処理が可能となる。また、被処理基板を保持するサ
セプタに高周波電力を印加することで、被処理基板に到
達するイオンエネルギーを独立制御することが可能であ
り、高密度プラズマを発生しながら被処理基板にダメー
ジを与えないようにできる。
ば、以上の説明から明らかなように、真空容器のサセプ
タと対向する部分をドーム状の絶縁体から成る壁面にて
構成しているので、局部的な放電を防ぐことができてプ
ラズマの均一性の悪化を防ぐことができ、またサセプタ
上の被処理基板に対する距離を大きく変化させずに各分
割電極の電極面の大きさを大きくすることができ、プラ
ズマの均一性を維持しながらプラズマ密度を向上するこ
とができ、かつそれによって増加した活性種を表面処理
に有効に寄与させることができるので、高速にて均一な
表面処理が可能となる。また、被処理基板を保持するサ
セプタに高周波電力を印加することで、被処理基板に到
達するイオンエネルギーを独立制御することが可能であ
り、高密度プラズマを発生しながら被処理基板にダメー
ジを与えないようにできる。
【００２６】また、分割電極をドーム状壁面に形成した
電極装着窓に嵌め込んで配置するとともに真空容器内に
臨む面を凸球面にすると、電極間の電界を均一にでき、
凹球面にするとプラズマの容積を最大にできるとともに
クリーニングが容易となり、平面にすると分割電極の製
作が容易となる。
電極装着窓に嵌め込んで配置するとともに真空容器内に
臨む面を凸球面にすると、電極間の電界を均一にでき、
凹球面にするとプラズマの容積を最大にできるとともに
クリーニングが容易となり、平面にすると分割電極の製
作が容易となる。
【００２７】また、分割電極をドーム状壁面の外面に配
置すると、位置調整にてプラズマ分布の調整が可能とな
り、また分割電極がスパッタリングされず、クリーンな
プラズマを生成することができる。
置すると、位置調整にてプラズマ分布の調整が可能とな
り、また分割電極がスパッタリングされず、クリーンな
プラズマを生成することができる。
【図１】本発明の第１実施例の真空プラズマ処理装置の
概略構成を示す縦断正面図である。
概略構成を示す縦断正面図である。
【図２】同実施例の平面図である。
【図３】本発明の第２実施例の真空プラズマ処理装置の
概略構成を示す縦断正面図である。
概略構成を示す縦断正面図である。
【図４】本発明の第３実施例の真空プラズマ処理装置の
概略構成を示す縦断正面図である。
概略構成を示す縦断正面図である。
【図５】本発明の第３実施例の真空プラズマ処理装置の
概略構成を示す縦断正面図である。
概略構成を示す縦断正面図である。
【図６】従来例の真空プラズマ処理装置の概略構成を示
す縦断正面図である。
す縦断正面図である。
【図７】同従来例の横断平面図である。
【図８】他の従来例の真空プラズマ処理装置の概略構成
を示す縦断正面図である。
を示す縦断正面図である。
【図９】同従来例の横断平面図である。
１ 真空容器 ２ 真空ポンプ ３ 反応ガス供給口 ４ 被処理基板 ５ サセプタ ６ 高周波電源 ７ａ〜７ｃ 分割電極 ８ａ〜８ｃ 高周波電源 １１ ドーム状壁面 １１ａ 電極装着窓 １２ａ〜１２ｃ 分割電極 １３ａ〜１３ｃ 分割電極 １４ａ〜１４ｃ 分割電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 玉置 徳彦 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 真空容器と、真空容器内を真空排気する
手段と、真空容器内に反応ガスを供給する手段と、真空
容器内で被処理基板を保持するサセプタと、サセプタに
対して高周波電力を印加する手段と、被処理基板に対向
して配置された分割電極と、分割電極に各々位相の異な
る高周波電力を印加する電源装置とを備えた真空プラズ
マ処理装置において、真空容器のサセプタに対向する部
分を絶縁体から成るドーム状壁面にて構成し、分割電極
をドーム状壁面に配設したことを特徴とする真空プラズ
マ処理装置。 - 【請求項２】 分割電極を、ドーム状壁面に形成した電
極装着窓に嵌め込んで配置し、真空容器内に臨む面を凸
球面としたことを特徴とする請求項１記載の真空プラズ
マ処理装置。 - 【請求項３】 分割電極を、ドーム状壁面に形成した電
極装着窓に嵌め込んで配置し、真空容器内に臨む面を凹
球面としたことを特徴とする請求項１記載の真空プラズ
マ処理装置。 - 【請求項４】 分割電極を、ドーム状壁面に形成した電
極装着窓に嵌め込んで配置し、真空容器内に臨む面を平
面としたことを特徴とする請求項１記載の真空プラズマ
処理装置。 - 【請求項５】 分割電極をドーム状壁面の外面に配置し
たことを特徴とする請求項１記載の真空プラズマ処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6264700A JPH08124864A (ja) | 1994-10-28 | 1994-10-28 | 真空プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6264700A JPH08124864A (ja) | 1994-10-28 | 1994-10-28 | 真空プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08124864A true JPH08124864A (ja) | 1996-05-17 |
Family
ID=17406976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6264700A Pending JPH08124864A (ja) | 1994-10-28 | 1994-10-28 | 真空プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08124864A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001075187A1 (en) * | 2000-04-04 | 2001-10-11 | Advanced Energy Industries, Inc. | System for driving multiple magnetrons with multiple phase ac |
| WO2006120239A1 (en) * | 2005-05-11 | 2006-11-16 | Dublin City University | Hf- plasma source with plurality of out - of- phase electrodes |
| JP2007046160A (ja) * | 2005-08-03 | 2007-02-22 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法および装置におけるセグメント化されてバイアスされる周縁電極 |
| US7342361B2 (en) | 2005-05-11 | 2008-03-11 | Dublin City University | Plasma source |
| JP2012142584A (ja) * | 2006-10-12 | 2012-07-26 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | クリーニング・プロセスのための副産物収集する製造プロセス及び製造装置 |
-
1994
- 1994-10-28 JP JP6264700A patent/JPH08124864A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001075187A1 (en) * | 2000-04-04 | 2001-10-11 | Advanced Energy Industries, Inc. | System for driving multiple magnetrons with multiple phase ac |
| WO2006120239A1 (en) * | 2005-05-11 | 2006-11-16 | Dublin City University | Hf- plasma source with plurality of out - of- phase electrodes |
| US7342361B2 (en) | 2005-05-11 | 2008-03-11 | Dublin City University | Plasma source |
| US7886690B2 (en) | 2005-05-11 | 2011-02-15 | Dublin City University | Plasma source |
| JP2007046160A (ja) * | 2005-08-03 | 2007-02-22 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法および装置におけるセグメント化されてバイアスされる周縁電極 |
| JP2012142584A (ja) * | 2006-10-12 | 2012-07-26 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | クリーニング・プロセスのための副産物収集する製造プロセス及び製造装置 |
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